1.一種方法，包含：
在晶圓上實施重迭圖案分類；
依據(jù)該圖案分類，校準介電蝕刻偏移或硬式掩膜蝕刻偏移；
依據(jù)該校準對照標準，將通孔層和上部連接金屬層的頂部臨界尺寸(CD)重迭與該通孔層和下部連接金屬層的底部CD重迭相比較、或?qū)⒃撋喜窟B接金屬層和上部連接通孔層的頂部CD重迭與該上部連接金屬層和該通孔層的底部CD重迭相比較；
依據(jù)該比較，將該通孔層的最終介電蝕刻補償表格或該上部連接金屬層的最終硬式蝕刻補償表格輸出至光學接近校正(OPC)程序流程或掩膜程序校正(MPC)程序流程；以及
對剩下的該通孔層或該上部金屬層，重復(fù)該校準、比較和輸出步驟。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，包含相關(guān)于彼此，對照該標準，實施將該通孔層和該上部連接金屬層的該頂部CD重迭與該通孔層和該下部連接金屬層的該底部CD重迭、以及該上部連接金屬層和該上部連接通孔層的該頂部CD重迭與該上部連接金屬層和該通孔層的該底部CD重迭相比較的步驟。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，包含還分別依據(jù)預(yù)設(shè)介電蝕刻補償表格和介電蝕刻偏移三角CD及預(yù)設(shè)硬式掩膜蝕刻補償表格和硬式掩膜蝕刻偏移三角CD，校準該介電蝕刻偏移或該硬式掩膜蝕刻偏移。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，如果該通孔層和該上部連接金屬層的該頂部CD重迭與該通孔層和該下部連接金屬層的該底部CD重迭、或如果該上部連接金屬層和該上部連接通孔層的該頂部CD重迭與該上部連接金屬層和該通孔層的該底部CD重迭沒有在該標準內(nèi)，則該方法還包含：
判斷該晶圓上的可用空間是否使得橋接限制沒有違反。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中，如果該通孔層和該上部連接金屬層的該頂部CD重迭與該通孔層和該下部連接金屬層的該底部CD重迭在該標準內(nèi)、如果該上部連接金屬層和該上部連接通孔層的該頂部CD重迭與該上部連接金屬層和該通孔層的該底部CD重迭在該標準內(nèi)、或如果該晶圓上的該可用空間使得該橋接限制有違反，則該方法還包含：
分別輸出該最終介電蝕刻補償表格或該最終硬式掩膜補償表格。
6.如權(quán)利要求4所述的方法，其中，如果該通孔層和該上部連接金屬層的該頂部CD重迭與該通孔層和該下部連接金屬層的該底部CD重迭沒有在該標準內(nèi)、并且如果該晶圓上的該可用空間使得該橋接限制沒有違反，則該方法還包含：
調(diào)整該介電蝕刻偏移；
依據(jù)該調(diào)整，更新該介電蝕刻偏移三角CD；以及
重復(fù)將該通孔層和該上部連接金屬層的該頂部CD重迭與該通孔層和該下部連接金屬層的該底部CD重迭相比較的步驟，直到該通孔層和該上部連接金屬層的該頂部CD重迭與該通孔層和該下部連接金屬層的該底部CD重迭在該標準內(nèi)為止。
7.如權(quán)利要求4所述的方法，其中，如果該上部連接金屬層和該上部連接通孔層的該頂部CD重迭與該上部連接金屬層和該下部連接通孔層的該底部CD重迭在該標準內(nèi)、并且如果該晶圓上的該可用空間使得該橋接限制沒有違反，則該方法還包含：
調(diào)整該硬式掩膜蝕刻偏移；
依據(jù)該調(diào)整，更新該硬式掩膜蝕刻偏移三角CD；以及
重復(fù)將該上部連接金屬層和該上部連接通孔層的該頂部CD重迭與該上部連接金屬層和該下部連接通孔層的該底部CD重迭相比較的步驟，直到該上部連接金屬層和該上部連接通孔層的該頂部CD重迭與該上部連接金屬層和該通孔層的該底部CD重迭在該標準為止。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，如果該通孔層的最終介電蝕刻補償表格和該上部連接金屬層的該最終硬式蝕刻補償表格是輸出至該OPC程序流程，則該方法還包含：
對該最終介電蝕刻補償表格和該硬式掩膜蝕刻補償表格實施OPC；
依據(jù)該OPC，產(chǎn)生圖形數(shù)據(jù)系統(tǒng)輸出(GDSout)文件；以及
發(fā)送該GDSout文件至掩膜房，以用于光罩處理。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，如果該通孔層的最終介電蝕刻補償表格和該上部連接金屬層的該最終硬式蝕刻補償表格是輸出至該MPC程序流程，則該方法還包含：
在OPC后，依據(jù)該最終介電蝕刻補償表格和該硬式掩膜蝕刻補償表格，產(chǎn)生GDSout文件；
最終化該產(chǎn)生的GDSout文件；以及
發(fā)送該GDSout文件至外部掩膜房或內(nèi)部掩膜房，以用于光罩處理。
10.一種裝置，包含：
處理器；以及
內(nèi)存，包含用于一個或多個程序的計算機程序代碼，該內(nèi)存和該計算機程序代碼組構(gòu)成以該處理器造成該裝置實施下列，
在晶圓上實施重迭圖案分類；
依據(jù)該圖案分類，校準介電蝕刻偏移或硬式掩膜蝕刻偏移；
依據(jù)該校準對照標準，將通孔層和上部連接金屬層的頂部臨界尺寸(CD)重迭與該通孔層和下部連接金屬層的底部CD重迭相比較、或?qū)⒃撋喜窟B接金屬層和上部連接通孔層的頂部CD重迭與該上部連接金屬層和該通孔層的底部CD重迭相比較；
依據(jù)該比較，將該通孔層的最終介電蝕刻補償表格或該上部連接金屬層的最終硬式蝕刻補償表格輸出至(OPC)程序流程或掩膜程序校正(MPC)程序流程；以及
對剩下的該通孔層或該上部連接金屬層，重復(fù)該校準、比較和輸出步驟。
11.如權(quán)利要求10所述的裝置，其中，該裝置還被造成：
相關(guān)于彼此，對照該標準，實施將該通孔層和該上部連接金屬層的該頂部CD重迭與該通孔層和該下部連接金屬層的該底部CD重迭、以及該上部連接金屬層和該上部連接通孔層的該頂部CD重迭與該上部連接金屬層和該通孔層的該底部CD重迭相比較的步驟。
12.如權(quán)利要求10所述的裝置，其中，該裝置還被造成：
還分別依據(jù)預(yù)設(shè)介電蝕刻補償表格和介電蝕刻偏移三角CD及預(yù)設(shè)硬式掩膜蝕刻補償表格和硬式掩膜蝕刻偏移三角CD，校準該介電蝕刻偏移或該硬式掩膜蝕刻偏移。
13.如權(quán)利要求10所述的裝置，其中，如果該通孔層和該上部連接金屬層的該頂部CD重迭與該通孔層和該下部連接金屬層的該底部CD重迭、或如果該上部連接金屬層和該上部連接通孔層的該頂部CD重迭與該上部連接金屬層和該通孔層的該底部CD重迭沒有在該標準內(nèi)，則該裝置還被造成：
判斷該晶圓上的可用空間是否使得橋接限制沒有違反。
14.如權(quán)利要求13所述的裝置，其中，如果該通孔層和該上部連接金屬層的該頂部CD重迭與該通孔層和該下部連接金屬層的該底部CD重迭在該標準內(nèi)、如果該上部連接金屬層和該上部連接通孔層的該頂部CD重迭與該上部連接金屬層和該通孔層的該底部CD重迭在該標準內(nèi)、或如果該晶圓上的該可用空間使得該橋接限制有違反，則該裝置還被造成：
分別輸出該最終介電蝕刻補償表格或該最終硬式掩膜補償表格。
15.如權(quán)利要求14所述的裝置，其中，如果該通孔層和該上部連接金屬層的該頂部CD重迭與該通孔層和該下部連接金屬層的該底部CD重迭沒有在該標準內(nèi)、并且如果該晶圓上的該可用空間使得該橋接限制沒有違反，則該裝置還被造成：
調(diào)整該介電蝕刻偏移；
依據(jù)該調(diào)整，更新該介電蝕刻偏移三角CD；以及
重復(fù)將該通孔層和該上部連接金屬層的該頂部CD重迭與該通孔層和該下部連接金屬層的該底部CD重迭相比較的步驟，直到該通孔層和該上部連接金屬層的該頂部CD重迭與該通孔層和該下部連接金屬層的該底部CD重迭在該標準內(nèi)為止。
16.如權(quán)利要求14所述的裝置，其中，如果該上部連接金屬層和該上部連接通孔層的該頂部CD重迭與該上部連接金屬層和該通孔層的該底部CD重迭在該標準內(nèi)、并且如果該晶圓上的該可用空間使得該橋接限制沒有違反，則該裝置還被造成：
調(diào)整該硬式掩膜蝕刻偏移；
依據(jù)該調(diào)整，更新該硬式掩膜蝕刻偏移三角CD；以及
重復(fù)將該上部連接金屬層和該上部連接通孔層的該頂部CD重迭與該上部連接金屬層和該通孔層的該底部CD重迭相比較的步驟，直到該上部連接金屬層和該上部連接通孔層的該頂部CD重迭與該上部連接金屬層和該通孔層的該底部CD重迭在該標準為止。
17.如權(quán)利要求10所述的裝置，其中，如果該通孔層的最終介電蝕刻補償表格和該上部連接金屬層的該最終硬式蝕刻補償表格被輸出至該OPC程序流程，則該裝置還被造成：
對該最終介電蝕刻補償表格和該硬式掩膜蝕刻補償表格實施OPC；
依據(jù)該OPC，產(chǎn)生圖形數(shù)據(jù)系統(tǒng)輸出(GDSout)文件；以及
發(fā)送該GDSout文件至掩膜房，以用于光罩處理。
18.如權(quán)利要求10所述的裝置，其中，如果該通孔層的最終介電蝕刻補償表格和該上部連接金屬層的該最終硬式蝕刻補償表格是輸出至該MPC程序流程，則該裝置還被造成：
在OPC后，依據(jù)該最終介電蝕刻補償表格和該硬式掩膜蝕刻補償表格，產(chǎn)生GDSout文件；
最終化該產(chǎn)生的GDSout文件；以及
發(fā)送該GDSout文件至外部掩膜房或內(nèi)部掩膜房，以用于光罩處理。
19.一種方法，包含：
在晶圓上實施重迭圖案分類；
依據(jù)該圖案分類，校準介電蝕刻偏移，該介電蝕刻偏移還依據(jù)預(yù)設(shè)介電蝕刻補償表格和介電蝕刻偏移三角臨界尺寸(CD)；
依據(jù)該介電蝕刻偏移校準對照標準，將通孔層和上部連接金屬層的頂部CD重迭與該通孔層和下部連接金屬層的底部CD重迭相比較；
依據(jù)該通孔層比較，調(diào)整該介電蝕刻偏移；
依據(jù)該介電蝕刻偏移調(diào)整，更新該介電蝕刻偏移三角CD；
重復(fù)與該通孔層相關(guān)的該比較、調(diào)整和更新步驟，直到該通孔層和該上部連接金屬層的該頂部CD重迭與該通孔層和該下部連接金屬層的該底部CD重迭在該標準內(nèi)為止；
依據(jù)該通孔層比較，輸出該通孔層的最終介電蝕刻補償表格至光學接近校正(OPC)程序流程或掩膜程序校正(MPC)程序流程；
依據(jù)該圖案分類，校準硬式掩膜蝕刻偏移，該硬式掩膜蝕刻偏移還依據(jù)預(yù)設(shè)硬式掩膜蝕刻補償表格和硬式掩膜蝕刻偏移三角CD；
依據(jù)該硬式掩膜蝕刻偏移校準對照該標準，將該上部連接金屬層和上部連接通孔層的頂部CD重迭與該上部連接金屬層和該通孔層的底部CD重迭相比較；
依據(jù)該上部連接金屬層比較，調(diào)整該硬式掩膜蝕刻偏移；
依據(jù)該硬式掩膜蝕刻偏移調(diào)整，更新該硬式掩膜蝕刻偏移三角CD；
重復(fù)與該上部連接金屬層相關(guān)的該比較、調(diào)整和更新步驟，直到該上部連接金屬層和該上部連接通孔層的該頂部CD重迭與該上部連接金屬層和該通孔層的該底部CD重迭在該標準內(nèi)為止；以及
依據(jù)該金屬層比較，輸出該上部連接金屬層的最終硬式蝕刻補償表格至OPC程序流程或MPC程序流程。
20.如權(quán)利要求19所述的方法，其中，如果該通孔層和該上部連接金屬層的該頂部CD重迭與該通孔層和該下部連接金屬層的該底部CD重迭、或如果該上部連接金屬層和該上部連接通孔層的該頂部CD重迭與該上部連接金屬層和該通孔層的該底部CD重迭不在該標準內(nèi)，則該方法還包含：
在分別調(diào)整該介電蝕刻偏移及/或該硬式掩膜蝕刻偏移前，判斷該晶圓上的可用空間是否使得橋接限制沒有違反；以及
如果該晶圓上的該可用空間使得該橋接限制有違反，則分別輸出該最終介電蝕刻補償表格或該最終硬式掩膜補償表格。