本發(fā)明涉及質(zhì)譜分析領(lǐng)域，具體地說(shuō)，涉及一種提高待測(cè)物質(zhì)質(zhì)譜檢測(cè)靈敏度的方法和系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

質(zhì)譜分析技術(shù)是根據(jù)離子的質(zhì)量與電荷的比值區(qū)分離子的分析技術(shù)。質(zhì)譜儀是將樣品分子轉(zhuǎn)換為離子，并按照離子的質(zhì)荷比分離離子，并進(jìn)行定性定量分析的儀器。四極桿和四極離子阱都是應(yīng)用四極電場(chǎng)的質(zhì)譜儀，在質(zhì)量分析過(guò)程中，二者通常利用掃描電壓使離子選擇性通過(guò)或選擇性彈射，從而被電子倍增器檢測(cè)到并形成質(zhì)譜圖。

但是，當(dāng)對(duì)復(fù)雜樣品進(jìn)行檢測(cè)時(shí)，復(fù)雜樣品中的低濃度物質(zhì)容易被高濃度物質(zhì)信號(hào)覆蓋，從而干擾檢測(cè)結(jié)果，降低了檢測(cè)的靈敏度。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了克服上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種提高待測(cè)物質(zhì)質(zhì)譜檢測(cè)靈敏度的方法，有利于檢測(cè)出低濃度物質(zhì)，提高了檢測(cè)靈敏度。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，一方面，本發(fā)明提供了一種提高待測(cè)物質(zhì)質(zhì)譜檢測(cè)靈敏度的方法，包括如下步驟：

1)進(jìn)樣階段

先將離子化的待測(cè)物質(zhì)通過(guò)四極桿進(jìn)樣，待測(cè)物質(zhì)離子經(jīng)所述四極桿的出口進(jìn)入離子阱的入口；

所述四極桿的射頻電壓設(shè)置為第一預(yù)設(shè)值；所述第一預(yù)設(shè)值使得與該第一預(yù)設(shè)值對(duì)應(yīng)的特定質(zhì)荷比的待測(cè)物質(zhì)離子通過(guò)所述四極桿到達(dá)所述離子阱；所述特定質(zhì)荷比的待測(cè)物質(zhì)離子滿足馬修方程的穩(wěn)定條件；

所述離子阱的射頻電壓設(shè)置為第二預(yù)設(shè)值，所述離子阱的前極板電壓設(shè)置為第三預(yù)設(shè)值并持續(xù)第一預(yù)設(shè)時(shí)間，所述離子阱的后極板電壓設(shè)置為第四預(yù)設(shè) 值；所述第三預(yù)設(shè)值不同于所述第四預(yù)設(shè)值；

2)離子冷卻階段

當(dāng)所述第一預(yù)設(shè)時(shí)間結(jié)束時(shí)，將所述前極板電壓由所述第三預(yù)設(shè)值變化至所述第四預(yù)設(shè)值并持續(xù)第二預(yù)設(shè)時(shí)間，停止進(jìn)樣；

3)待測(cè)物質(zhì)彈出離子阱

當(dāng)所述第二預(yù)設(shè)時(shí)間結(jié)束時(shí)，將離子阱的射頻電壓降為0，所述特定質(zhì)荷比的待測(cè)物質(zhì)離子從所述離子阱中彈出。

在一種可選的實(shí)施方式中，在將離子阱的射頻電壓降為0后，所述方法還包括：

將所述離子阱的離子清除。

在一種可選的實(shí)施方式中，所述將所述離子阱的離子清除，具體包括：

將所述前極板電壓和所述后極板電壓降為零。

在一種可選的實(shí)施方式中，當(dāng)所述待測(cè)物質(zhì)離子攜帶正電荷時(shí)，所述第三預(yù)設(shè)值低于所述第四預(yù)設(shè)值，當(dāng)所述待測(cè)物質(zhì)離子攜帶負(fù)電荷時(shí)，所述第三預(yù)設(shè)值高于所述第四預(yù)設(shè)值。

在一種可選的實(shí)施方式中，所述第一預(yù)設(shè)時(shí)間為10ms至500ms。

在一種可選的實(shí)施方式中，所述第二預(yù)設(shè)時(shí)間為10ms至500ms。

在一種可選的實(shí)施方式中，所述第二預(yù)設(shè)值的電壓為100V-5000V。

在一種可選的實(shí)施方式中，所述第三預(yù)設(shè)值的電壓為-200V-200V。

在一種可選的實(shí)施方式中，所述第四預(yù)設(shè)值的電壓為-200V-200V。

本發(fā)明實(shí)施例還提供一種提高質(zhì)譜待測(cè)物質(zhì)檢測(cè)靈敏度的系統(tǒng)，用于實(shí)現(xiàn)前述任意一種方法，所述系統(tǒng)包括：

離子源、四極桿、離子阱和電子倍增器；所述離子源向所述四極桿的入口發(fā)射離子，所述四極桿的出口連接所述離子阱的入口，所述電子倍增器位于所述離子阱的側(cè)端或后端。

本發(fā)明實(shí)施例提供的提高待測(cè)物質(zhì)質(zhì)譜檢測(cè)靈敏度的方法和系統(tǒng)，在進(jìn)樣階段，將離子化的待測(cè)物質(zhì)向四極桿進(jìn)樣，待測(cè)物質(zhì)離子經(jīng)所述四極桿的出口進(jìn)入離子阱的入口，將四極桿的射頻電壓設(shè)置為第一預(yù)設(shè)值，將離子阱的射頻 電壓設(shè)置為第二預(yù)設(shè)值，將離子阱的前極板電壓設(shè)置為第三預(yù)設(shè)值并持續(xù)第一預(yù)設(shè)時(shí)間，將離子阱的后極板電壓設(shè)置為第四預(yù)設(shè)值；其中第三預(yù)設(shè)值不同于第四預(yù)設(shè)值；當(dāng)所述第一預(yù)設(shè)時(shí)間結(jié)束時(shí)，將前極板電壓由第三預(yù)設(shè)值變化至第四預(yù)設(shè)值，并持續(xù)第二預(yù)設(shè)時(shí)間，當(dāng)?shù)诙A(yù)設(shè)時(shí)間結(jié)束時(shí)，將離子阱的射頻電壓降為0，以使得特定質(zhì)荷比的待測(cè)物質(zhì)離子從所述離子阱中彈出被電子倍增器檢測(cè)。本發(fā)明實(shí)施例所提供的檢測(cè)方法和系統(tǒng)，大大提高了待定物質(zhì)檢測(cè)靈敏度，尤其適合復(fù)雜混合樣品中低濃度物質(zhì)的快速檢測(cè)和二級(jí)質(zhì)譜分析。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明所述提高待測(cè)物質(zhì)質(zhì)譜檢測(cè)靈敏度的方法的流程圖；

圖2為四極桿選擇特定質(zhì)荷比離子的原理示意圖；

圖3為電信號(hào)的時(shí)序控制圖；

圖4為實(shí)施例1離子瞬間彈射模式的信號(hào)強(qiáng)度圖；

圖5為對(duì)比例1射頻電壓掃描模式的信號(hào)強(qiáng)度圖；

圖6為實(shí)施例2離子瞬間彈射模式的信號(hào)強(qiáng)度圖；

圖7為對(duì)比例2射頻電壓掃描模式的信號(hào)強(qiáng)度圖；

圖8為不同離子積累時(shí)間對(duì)信號(hào)強(qiáng)度的影響示意圖；

圖9-1為射頻電壓掃描模式下不同濃度樣品的信號(hào)強(qiáng)度示意圖；

圖9-2為離子瞬間彈射掃描模式下不同濃度樣品的信號(hào)強(qiáng)度示意圖；

圖10為實(shí)現(xiàn)本發(fā)明所述提高待測(cè)物質(zhì)質(zhì)譜檢測(cè)靈敏度的系統(tǒng)的示意圖。

具體實(shí)施方式

下面參考附圖來(lái)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例。在本發(fā)明的一個(gè)附圖或一種實(shí)施方式中描述的元素和特征可以與一個(gè)或更多個(gè)其他附圖或?qū)嵤┓绞街惺境龅脑睾吞卣飨嘟Y(jié)合。應(yīng)當(dāng)注意，為了清楚的目的，附圖和說(shuō)明中省略了與本發(fā)明無(wú)關(guān)的、本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的部件或處理的表示和描述。

下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步描述。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種提高待測(cè)物質(zhì)質(zhì)譜檢測(cè)靈敏度的方法，如圖1所示，該方法包括：

101、在離子向四極桿進(jìn)樣時(shí)，將四極桿的射頻電壓設(shè)置為第一預(yù)設(shè)值。

該第一預(yù)設(shè)值使得符合特定質(zhì)荷比的離子具有穩(wěn)定的軌跡和有限的振幅，從而通過(guò)四極桿，達(dá)到離子阱；其他不穩(wěn)定的離子趨于無(wú)窮大的振幅，最終碰到電極或者從縫隙跑出。本發(fā)明實(shí)施例中所指的特定質(zhì)荷比的待測(cè)物質(zhì)離子滿足馬修方程的穩(wěn)定條件。通過(guò)控制四極桿的電壓，選出特定質(zhì)荷比的離子，即電壓與能夠通過(guò)四級(jí)桿的離子的質(zhì)荷比具有一一對(duì)應(yīng)關(guān)系。當(dāng)需要通過(guò)四級(jí)桿的離子的質(zhì)荷比確定時(shí)，相應(yīng)的加在四級(jí)桿上的射頻電壓也就是確定的。

第一預(yù)設(shè)值的電壓一般控制在100V至5000V之間，通過(guò)調(diào)節(jié)不同的電壓可以適合不同質(zhì)荷比的離子，可以保證特定荷質(zhì)比的待測(cè)物質(zhì)到達(dá)離子阱，而其他不穩(wěn)定的離子從縫隙中飛出或是碰到電極，無(wú)法到達(dá)離子阱。

離子源向四極桿發(fā)送離子，四極桿的出口連接離子阱的入口，離子阱用于束縛離子，當(dāng)離子從離子阱中彈出時(shí)，電子倍增器對(duì)離子進(jìn)行檢測(cè)，電子倍增器可以設(shè)置在離子阱的側(cè)端或后端。

102、將離子阱的射頻電壓設(shè)置為第二預(yù)設(shè)值，將離子阱的前極板電壓設(shè)置為第三預(yù)設(shè)值，將離子阱的后極板電壓設(shè)置為第四預(yù)設(shè)值。

第二預(yù)設(shè)值的電壓可在100V至5000V之間設(shè)置，質(zhì)量較大的離子需要施以較高的第二預(yù)設(shè)值電壓，質(zhì)量較小的離子需要施以較低的第二預(yù)設(shè)值電壓；第三預(yù)設(shè)值和第四預(yù)設(shè)值的電壓可在-200V至200V之間設(shè)置，優(yōu)選為-100V至100V。

當(dāng)待測(cè)物質(zhì)離子所帶電荷為正電荷時(shí)，第三預(yù)設(shè)值低于第四預(yù)設(shè)值。當(dāng)待測(cè)物質(zhì)離子所帶電荷為負(fù)電荷時(shí)，第三預(yù)設(shè)值高于第四預(yù)設(shè)值。

下面對(duì)第三、第四預(yù)設(shè)值的數(shù)值進(jìn)行舉例說(shuō)明。待測(cè)物質(zhì)離子帶正電荷，則第四預(yù)設(shè)值可設(shè)定為120V，第三預(yù)設(shè)值可設(shè)定為一較小值，比如約為0的值或者0V。待測(cè)物質(zhì)離子帶負(fù)電荷，則第四預(yù)設(shè)值可設(shè)定為-120V，第三預(yù)設(shè)值可設(shè)定為約為0的值或0V。

離子阱的射頻電壓提供離子徑向束縛力，前、后極板電壓提供離子軸向束縛力，從而使待測(cè)物質(zhì)離子被束縛在離子阱中。

其中第三預(yù)設(shè)值持續(xù)第一預(yù)設(shè)時(shí)間t1，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際操作 的情況經(jīng)驗(yàn)設(shè)定t1。比如，t1可以在10ms-500ms之間，優(yōu)選為100ms-300ms。

103、將前極板電壓由第三預(yù)設(shè)值變化至第四預(yù)設(shè)值，停止進(jìn)樣。

當(dāng)t1到達(dá)時(shí)，將前極板電壓由第三預(yù)設(shè)值變化至第四預(yù)設(shè)值，并且第四預(yù)設(shè)值持續(xù)第二預(yù)設(shè)時(shí)間t2，本領(lǐng)域技術(shù)人員可根據(jù)實(shí)際操作情況經(jīng)驗(yàn)設(shè)定t2。比如，t2可以在10ms-500ms之間，優(yōu)選為50ms-200ms。

當(dāng)待測(cè)物質(zhì)離子攜帶正電荷時(shí)，將第三預(yù)設(shè)值升高至第四預(yù)設(shè)值，當(dāng)待測(cè)物質(zhì)離子攜帶負(fù)電荷時(shí)，第三預(yù)設(shè)值降低至第四預(yù)設(shè)值。

通過(guò)抬升/降低前極板電壓，控制進(jìn)入離子阱的離子數(shù)量，防止離子阱中的離子量過(guò)多導(dǎo)致定量不準(zhǔn)。

在此情況下，待測(cè)物質(zhì)離子不再向離子阱進(jìn)樣，已進(jìn)入離子阱的離子逐漸冷卻到離子阱中心。

104、將離子阱的射頻電壓降為0。

當(dāng)t2到達(dá)時(shí)，將離子阱的射頻電壓降為0。通過(guò)將離子阱的射頻電壓降為0，使得離子從所述離子阱中彈出被電子倍增器檢測(cè)。

進(jìn)一步的，在步驟104后，還包括：

將離子阱的離子清除。具體的，將前極板電壓和后極板電壓降為零，從而實(shí)現(xiàn)離子清除。

本發(fā)明實(shí)施例中的第一預(yù)設(shè)值、第二預(yù)設(shè)值、第三預(yù)設(shè)值和第四預(yù)設(shè)值的具體數(shù)值可以由技術(shù)人員進(jìn)行設(shè)置，從而確保特定質(zhì)荷比的離子通過(guò)四極桿并被束縛在離子阱中。

下面結(jié)合馬修方程，對(duì)四極桿的射頻電壓、離子的質(zhì)荷比、離子在四極桿中的穩(wěn)定運(yùn)動(dòng)狀態(tài)進(jìn)行簡(jiǎn)要說(shuō)明。

離子在四極桿中的運(yùn)動(dòng)軌跡滿足馬修方程：

其中u為離子運(yùn)動(dòng)軌跡，Ω是四極桿的射頻電場(chǎng)頻率，參數(shù)ξ＝Ωt/2，參數(shù)a_u、q_u分別為：

其中e為離子電荷，m為離子質(zhì)量，r₀為四極桿半徑，V為射頻電場(chǎng)幅度，U為直流電場(chǎng)幅度，射頻電壓RF＝U+V cos(Ωt)。

如圖2所示，只有當(dāng)參數(shù)U、V滿足特定條件時(shí)(即a_u、q_u滿足特定的條件)，離子在四極桿中的運(yùn)動(dòng)才處于穩(wěn)定態(tài)，進(jìn)而穿過(guò)四極桿到達(dá)離子阱中。以U為橫坐標(biāo)，V為縱坐標(biāo)，將符合穩(wěn)定條件的區(qū)域稱為穩(wěn)定區(qū)。使離子在x方向穩(wěn)定的部分為x穩(wěn)定區(qū)，使離子在y方向穩(wěn)定的部分為y穩(wěn)定區(qū)，x穩(wěn)定區(qū)與y穩(wěn)定區(qū)的交集為xy穩(wěn)定區(qū)。設(shè)定一組U、V的值，U/V滿足圖2中斜線的斜率，此時(shí)只有一種質(zhì)荷比的離子是穩(wěn)定的，能到達(dá)離子阱。按比例改變U、V的值，達(dá)到離子阱的離子的質(zhì)量可由m1變?yōu)閙2。

上文提及的馬修方程中的參數(shù)U、V滿足特定條件，該特定條件的具體含義，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以參考March,Ramond E.所著的《Quadrupole ion trap mass spectrometer》。

下面結(jié)合圖3對(duì)各種電信號(hào)的施加順序進(jìn)行說(shuō)明。在圖3所對(duì)應(yīng)的場(chǎng)景中，離子源發(fā)射的離子攜帶正電荷。

A、進(jìn)樣階段：

將四極桿的射頻電壓(RF1)設(shè)置為第一預(yù)設(shè)值，將離子阱的射頻電壓(RF2)設(shè)置為第二預(yù)設(shè)值，將離子阱的前極板電壓(DC1)設(shè)置為第三預(yù)設(shè)值，并將離子阱的后極板電壓(DC2)設(shè)置為第四預(yù)設(shè)值。其中第三預(yù)設(shè)值低于第四預(yù)設(shè)值。

經(jīng)過(guò)上述電壓設(shè)定后，可以使從離子源發(fā)射出的離子中具有特定質(zhì)荷比的離子在四極桿中的運(yùn)動(dòng)處于穩(wěn)定態(tài)，進(jìn)而穿過(guò)四極桿到達(dá)離子阱并積累起來(lái)。其他質(zhì)荷比的離子運(yùn)動(dòng)不穩(wěn)定，最終碰到四極桿的電極或者從縫隙跑出，這樣就可以過(guò)濾掉其他質(zhì)荷比的離子。

B、離子冷卻階段：

將DC1抬升至第四預(yù)設(shè)值，停止進(jìn)樣。在此情況下，離子在離子-載氣分子碰撞的作用下冷卻到離子阱中心。

C、信號(hào)檢測(cè)階段：

瞬間撤銷離子阱上的RF2，離子失去電場(chǎng)力束縛，瞬間彈出離子阱，并被電子倍增器檢測(cè)到。

這種檢測(cè)方式稱為離子瞬間彈射模式。

D、離子清除階段：

撤銷DC1和DC2，不施加束縛離子的作用力，從而將各處可能積累的離子清除。可選的，RF1也可以清除。

實(shí)施例1

本實(shí)施例中待測(cè)樣品為利血平，濃度為1ppm，選用電噴霧離子化方式對(duì)待測(cè)樣品進(jìn)行離子化，待測(cè)離子的質(zhì)荷比為609。通過(guò)調(diào)節(jié)四極桿，將四級(jí)桿射頻電壓調(diào)為500V，待測(cè)離子經(jīng)四極桿的出口進(jìn)入離子阱的入口，離子阱的射頻電壓設(shè)置為400V，離子阱的前極板電壓設(shè)置為0V，離子阱的后極板電壓設(shè)置為100V，其中前極板電壓在0V持續(xù)200ms時(shí)間。

200ms時(shí)間到達(dá)時(shí)，將前極板電壓由0V變化至100V，使離子阱的前后極板電壓相同，停止向離子阱進(jìn)樣，前極板電壓在100V上至少持續(xù)100ms時(shí)間。

100ms時(shí)間到達(dá)時(shí)，瞬間將離子阱的射頻電壓降為0，待測(cè)物質(zhì)離子從離子阱中彈出，對(duì)彈出的離子的檢測(cè)結(jié)果見(jiàn)圖4。

對(duì)比例1

使用現(xiàn)有技術(shù)的射頻電壓掃描模式對(duì)濃度為1ppm的待測(cè)樣品進(jìn)行掃描，掃描對(duì)應(yīng)的質(zhì)荷比為279到814，待測(cè)離子的質(zhì)荷比為609，掃描時(shí)間設(shè)置為200ms，得到的掃描結(jié)果見(jiàn)圖5。觀察縱軸可以發(fā)現(xiàn)，圖4中的待測(cè)離子的響應(yīng)強(qiáng)度明顯高于圖5。

當(dāng)待測(cè)離子濃度較低時(shí)，采用傳統(tǒng)的射頻電壓掃描模式檢測(cè)，響應(yīng)強(qiáng)度不明顯，正如圖5中所示的那樣，質(zhì)荷比為609的待測(cè)離子的信噪比約為13。

而本發(fā)明實(shí)施例提供的方法中，首先在四極桿中濾過(guò)了不穩(wěn)定的其他離子，然后使大量質(zhì)荷比為609的待測(cè)離子束縛在離子阱中并聚集到離子阱中心，此時(shí)瞬間撤銷離子阱上的射頻電壓使待測(cè)離子彈出，測(cè)得的待測(cè)離子的響應(yīng)強(qiáng)度非常明顯，如圖4所示，信噪比約為578。

實(shí)施例2

本實(shí)施例中待測(cè)樣品為乙酰膽堿，濃度為1ppm，待測(cè)離子的質(zhì)荷比為146。將四級(jí)桿射頻電壓調(diào)為212V，待測(cè)離子經(jīng)四極桿的出口進(jìn)入離子阱的入口，離子阱的射頻電壓設(shè)置為150V，離子阱的前極板電壓設(shè)置為0V，離子阱的后極板電壓設(shè)置為100V，其中前極板電壓在0V持續(xù)200ms時(shí)間。

200ms時(shí)間到達(dá)時(shí)，將前極板電壓由0V變化至100V，使離子阱的前后極板電壓相同，停止向離子阱進(jìn)樣，前極板電壓在100V上50ms時(shí)間。

50ms時(shí)間到達(dá)時(shí)，瞬間將離子阱的射頻電壓降為0，待測(cè)物質(zhì)離子從離子阱中彈出，對(duì)彈出的離子的檢測(cè)結(jié)果見(jiàn)圖6。

對(duì)比例2

使用射頻電壓掃描模式對(duì)濃度為1ppm的乙酰膽堿進(jìn)行掃描，待測(cè)離子的質(zhì)荷比為146，檢測(cè)結(jié)果見(jiàn)圖7。可以看出圖6的離子瞬間彈射模式的響應(yīng)強(qiáng)度高于圖7。

由此可見(jiàn)，本發(fā)明實(shí)施例的檢測(cè)方式提高了低濃度樣品的檢測(cè)靈敏度。

進(jìn)一步的，針對(duì)離子瞬間彈射模式，圖8給出了不同離子積累時(shí)間對(duì)信號(hào)強(qiáng)度的影響，該離子積累時(shí)間即第一預(yù)設(shè)時(shí)間，其范圍為10ms-500ms，如圖所示，離子積累時(shí)間越長(zhǎng)，信號(hào)強(qiáng)度越高。本發(fā)明實(shí)施例中給出的時(shí)間范圍是建議范圍，不代表所有的離子積累時(shí)間。

此外，不同樣品濃度對(duì)信號(hào)強(qiáng)度具有影響。如圖9-1和圖9-2所示，采用質(zhì)荷比609的離子，樣品濃度范圍是0.01ppm到50ppm。圖9-1為射頻電壓掃描模式，圖9-2為離子瞬間彈射掃描模式，這兩種操作模式下，信號(hào)強(qiáng)度隨樣品濃度增加而增加。但對(duì)于濃度低于100ppb的樣品，射頻電壓掃描模式無(wú)法檢測(cè)，而離子瞬間彈射掃描模式在0.01ppm到50ppm的整個(gè)范圍內(nèi)都有檢測(cè)結(jié)果。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種提高待測(cè)物質(zhì)質(zhì)譜檢測(cè)靈敏度的方法，在離子向四極桿進(jìn)樣時(shí)，將四極桿的射頻電壓設(shè)置為第一預(yù)設(shè)值，將離子阱的射頻電壓設(shè)置為第二預(yù)設(shè)值，將離子阱的前極板電壓設(shè)置為第三預(yù)設(shè)值并持續(xù)第一預(yù)設(shè)時(shí)間，將離子阱的后極板電壓設(shè)置為第四預(yù)設(shè)值；其中第三預(yù)設(shè)值不同于第四預(yù)設(shè)值；當(dāng)?shù)谝活A(yù)設(shè)時(shí)間結(jié)束時(shí)，將前極板電壓由第三預(yù)設(shè)值變更為第四預(yù)設(shè)值并持續(xù)第二預(yù)設(shè)時(shí)間；當(dāng)?shù)诙A(yù)設(shè)時(shí)間結(jié)束時(shí)，將離子阱的射頻電壓降為0， 以使得離子從離子阱中彈出被電子倍增器檢測(cè)。本發(fā)明實(shí)施例所提供的檢測(cè)方法，在四極桿中濾過(guò)了軌跡不穩(wěn)定的離子，使得特定質(zhì)荷比的待測(cè)離子束縛并聚集在離子阱中，然后撤銷離子阱上的射頻電壓使待測(cè)離子彈出，此時(shí)測(cè)得的待測(cè)離子的響應(yīng)強(qiáng)度非常明顯，大大提高了待定物質(zhì)檢測(cè)靈敏度，尤其適合復(fù)雜混合樣品中低濃度物質(zhì)的快速檢測(cè)和二級(jí)質(zhì)譜分析。另外，依靠選擇性積累離子快速?gòu)棾鲆蕴岣叩蜐舛葮悠窓z測(cè)靈敏度，不需要預(yù)處理手段將待檢測(cè)的低濃度物質(zhì)分離，分析速度更快，操作更簡(jiǎn)便。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種用于實(shí)現(xiàn)前述實(shí)施例中的方法的系統(tǒng)，如圖10所示，該系統(tǒng)包括離子源1，四極桿2，離子阱3和電子倍增器4。離子源1向四極桿2的入口發(fā)射離子，四極桿2的出口連接離子阱3的入口，電子倍增器4位于離子阱3的側(cè)端或后端。本發(fā)明實(shí)施例所使用的離子阱可以是雙曲離子阱、矩形離子阱、圓柱型離子阱等。采用四極桿和離子阱的組合進(jìn)行質(zhì)譜檢測(cè)，便于小型化，適用于現(xiàn)場(chǎng)實(shí)時(shí)快速檢測(cè)。

雖然已經(jīng)詳細(xì)說(shuō)明了本發(fā)明及其優(yōu)點(diǎn)，但是應(yīng)當(dāng)理解在不超出由所附的權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下可以進(jìn)行各種改變、替代和變換。而且，本申請(qǐng)的范圍不僅限于說(shuō)明書(shū)所描述的過(guò)程、設(shè)備、手段、方法和步驟的具體實(shí)施例。本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員從本發(fā)明的公開(kāi)內(nèi)容將容易理解，根據(jù)本發(fā)明可以使用執(zhí)行與在此所述的相應(yīng)實(shí)施例基本相同的功能或者獲得與其基本相同的結(jié)果的、現(xiàn)有和將來(lái)要被開(kāi)發(fā)的過(guò)程、設(shè)備、手段、方法或者步驟。因此，所附的權(quán)利要求旨在在它們的范圍內(nèi)包括這樣的過(guò)程、設(shè)備、手段、方法或者步驟。