1.一種提高待測物質(zhì)質(zhì)譜檢測靈敏度的方法，其特征在于，包括如下步驟：
1)進(jìn)樣階段
先將離子化的待測物質(zhì)通過四極桿進(jìn)樣，待測物質(zhì)離子經(jīng)所述四極桿的出口進(jìn)入離子阱的入口；
所述四極桿的射頻電壓設(shè)置為第一預(yù)設(shè)值；所述第一預(yù)設(shè)值使得與該第一預(yù)設(shè)值對應(yīng)的特定質(zhì)荷比的待測物質(zhì)離子通過所述四極桿到達(dá)所述離子阱；所述特定質(zhì)荷比的待測物質(zhì)離子滿足馬修方程的穩(wěn)定條件；
所述離子阱的射頻電壓設(shè)置為第二預(yù)設(shè)值，所述離子阱的前極板電壓設(shè)置為第三預(yù)設(shè)值并持續(xù)第一預(yù)設(shè)時(shí)間，所述離子阱的后極板電壓設(shè)置為第四預(yù)設(shè)值；所述第三預(yù)設(shè)值不同于所述第四預(yù)設(shè)值；
2)離子冷卻階段
當(dāng)所述第一預(yù)設(shè)時(shí)間結(jié)束時(shí)，將所述前極板電壓由所述第三預(yù)設(shè)值變化至所述第四預(yù)設(shè)值并持續(xù)第二預(yù)設(shè)時(shí)間，停止進(jìn)樣；
3)待測物質(zhì)彈出離子阱
當(dāng)所述第二預(yù)設(shè)時(shí)間結(jié)束時(shí)，將離子阱的射頻電壓降為0，所述特定質(zhì)荷比的待測物質(zhì)離子從所述離子阱中彈出。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在將離子阱的射頻電壓降為0后，所述方法還包括：
將所述離子阱的離子清除。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述將所述離子阱的離子清除，具體包括：
將所述前極板電壓和所述后極板電壓降為零。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，當(dāng)所述待測物質(zhì)離子攜帶正電荷時(shí)，所述第三預(yù)設(shè)值低于所述第四預(yù)設(shè)值，當(dāng)所述待測物質(zhì)離子攜帶負(fù)電荷時(shí)，所述第三預(yù)設(shè)值高于所述第四預(yù)設(shè)值。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一預(yù)設(shè)時(shí)間為10ms-500ms。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二預(yù)設(shè)時(shí)間為10ms-500ms。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二預(yù)設(shè)值的電壓為100V-5000V。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第三預(yù)設(shè)值的電壓為-200V-200V。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第四預(yù)設(shè)值的電壓為-200V-200V。
10.一種提高待測物質(zhì)質(zhì)譜檢測靈敏度的系統(tǒng)，用于實(shí)現(xiàn)權(quán)利要求1-9中任意一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述系統(tǒng)包括：
離子源、四極桿、離子阱和電子倍增器；所述離子源向所述四極桿的入口發(fā)射離子化的待測物質(zhì)，所述四極桿的出口連接所述離子阱的入口，所述電子倍增器位于所述離子阱的側(cè)端或后端。