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一種提高待測(cè)物質(zhì)質(zhì)譜檢測(cè)靈敏度的方法和系統(tǒng)與流程

文檔序號(hào):12180104閱讀:來(lái)源:國(guó)知局
技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種提高待測(cè)物質(zhì)質(zhì)譜檢測(cè)靈敏度的方法和系統(tǒng),所述方法包括:將離子化的待測(cè)物質(zhì)通過四極桿進(jìn)樣;四極桿的射頻電壓設(shè)置為第一預(yù)設(shè)值;第一預(yù)設(shè)值使得特定質(zhì)荷比的待測(cè)物質(zhì)離子通過四極桿達(dá)到離子阱;離子阱的射頻電壓設(shè)置為第二預(yù)設(shè)值,離子阱的前極板電壓設(shè)置為第三預(yù)設(shè)值并持續(xù)第一預(yù)設(shè)時(shí)間,離子阱的后極板電壓設(shè)置為第四預(yù)設(shè)值;第三預(yù)設(shè)值不同于第四預(yù)設(shè)值;當(dāng)?shù)谝活A(yù)設(shè)時(shí)間結(jié)束時(shí),將前極板電壓由所述第三預(yù)設(shè)值變化至第四預(yù)設(shè)值并持續(xù)第二預(yù)設(shè)時(shí)間;當(dāng)?shù)诙A(yù)設(shè)時(shí)間結(jié)束時(shí),將離子阱的射頻電壓降為0,特定質(zhì)荷比的待測(cè)物質(zhì)離子從離子阱中彈出。本發(fā)明有利于檢測(cè)出低濃度物質(zhì),提高了質(zhì)譜及相關(guān)聯(lián)用方法檢測(cè)靈敏度。

技術(shù)研發(fā)人員:徐偉;郭丹
受保護(hù)的技術(shù)使用者:北京理工大學(xué)
文檔號(hào)碼:201510532687
技術(shù)研發(fā)日:2015.08.27
技術(shù)公布日:2017.03.08

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