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一種能改善多孔硅薄膜縱向物理結(jié)構(gòu)均勻性的新方法與流程技術(shù)資料下載

技術(shù)編號:12180139

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本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種能改善多孔硅薄膜縱向物理結(jié)構(gòu)均勻性的新方法。背景技術(shù)多孔硅是一種獨(dú)特納米硅原子簇骨架的“量子海綿”或“樹枝”狀微結(jié)構(gòu)硅基材料,它具有比表面積大、生物兼容性好、室溫可發(fā)光和折射率可調(diào)等特點(diǎn)。1956年,Uhlir對Si片在HF溶液中進(jìn)行電化學(xué)拋光處理時發(fā)現(xiàn)了多孔硅的存在以來,尤其是在1990年L.T.Canham發(fā)現(xiàn)多孔硅的光致發(fā)光現(xiàn)象以后,這些發(fā)現(xiàn)為多孔硅的研究開辟了新的紀(jì)元。到目前為止,對多孔硅的理論研究主要集中在制備方法、形成機(jī)理、微觀結(jié)構(gòu)、發(fā)光機(jī)理和穩(wěn)...
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