本發(fā)明涉及通信技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種封裝基板及其制作方法、集成電路芯片。

背景技術(shù)：

封裝基板是指制造集成電路(Integrate Circuit，IC)芯片或印制電路板(Printed Circuit Board，PCB)的母板。

如圖1所示，封裝基板由導(dǎo)電的參考層11和不導(dǎo)電的介質(zhì)層12依次交替堆疊而成。介質(zhì)層12內(nèi)壓合有信號電路，該信號電路通常由一條或多條金屬走線13構(gòu)成，參考層11一般用于承載電源或接地信號，而各金屬走線13中承載的信號最終引出至IC芯片或PCB的各個輸入/輸出(I/O，in/out)接口。

然而，當(dāng)信號的速率或頻率越高時，信號在金屬走線13上傳輸時的衰減現(xiàn)象越嚴(yán)重，產(chǎn)生的鏈路損耗越大。通常，可采用增大金屬走線13的寬度的方式降低鏈路損耗，但走線寬度的變化會引起金屬走線13的阻抗變化，那么，為保證阻抗不變，需要根據(jù)信號的速率設(shè)計介質(zhì)層12的厚度，如圖2所示，以一層介質(zhì)層12為例，當(dāng)信號的速率越高，金屬走線13的寬度D越大，同時，介質(zhì)層12的厚度L也會越大。

但是，由于制作介質(zhì)層12的材料的機械特性較差，因此，很難制備厚度很大的介質(zhì)層12，當(dāng)介質(zhì)層12的厚度L增加到一定程度時，將達(dá)到工藝制程的極限，此時，介質(zhì)層12的厚度無法繼續(xù)增加，鏈路損耗也將無法降低。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的實施例提供一種封裝基板及其制作方法、集成電路芯片，可降低高頻信號或高速信號在封裝基板內(nèi)傳輸時產(chǎn)生的鏈路損耗。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術(shù)方案：

第一方面，本發(fā)明的實施例提供一種封裝基板，包括相對設(shè)置的第一參考層和第二參考層，該第一參考層靠近該第二參考層的一側(cè)設(shè)置有第一復(fù)合層，該第二參考層靠近該第一參考層的一側(cè)設(shè)置有第二復(fù)合層，該第一復(fù)合層與該第二復(fù)合層之間壓合有金屬走線；其中，該第一復(fù)合層和該第二復(fù)合層均包括相對且接觸設(shè)置的第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層，該第一介質(zhì)層與該金屬走線接觸；并且，該第二介質(zhì)層的剛度大于該第一介質(zhì)層的剛度。也就是說，與傳統(tǒng)的設(shè)置單一介質(zhì)層包裹金屬走線不同的是，在本發(fā)明實施例提供的封裝基板中，在第一復(fù)合層和第二復(fù)合層之間壓合了金屬走線，并且，每個復(fù)合層均包括兩種介質(zhì)組成的第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層，這兩個復(fù)合層內(nèi)剛度較小的第一介質(zhì)層均與金屬走線接觸，以便通過壓合工藝使金屬走線被第一介質(zhì)層包裹，而第一介質(zhì)層遠(yuǎn)離金屬走線的一側(cè)設(shè)置有剛度較大的第二介質(zhì)層，由于第二介質(zhì)層的剛度較大，不易發(fā)生變形，因此，可以制備出厚度較大的第二介質(zhì)層，那么，對于高頻信號或高速信號，在增加金屬走線的寬度的同時，可以通過增加第二介質(zhì)層的厚度，來降低信號傳輸時產(chǎn)生的導(dǎo)體損耗，從而降低整個傳輸過程中的鏈路損耗。

在一種可能的設(shè)計方式中，該第一介質(zhì)層的介質(zhì)損耗因子小于該第二介質(zhì)層的介質(zhì)損耗因子。當(dāng)某一介質(zhì)層的介質(zhì)損耗因子越小時，信號在該介質(zhì)層傳輸時產(chǎn)生的介質(zhì)損耗越小，那么，當(dāng)?shù)谝唤橘|(zhì)層的介質(zhì)損耗因子小于第二介質(zhì)層的介質(zhì)損耗因子時，由于金屬走線是被第一復(fù)合層內(nèi)的第一介質(zhì)層和第二復(fù)合層內(nèi)的第一介質(zhì)層包裹的，因此，可降低金屬走線上的信號在第一介質(zhì)層內(nèi)傳輸時產(chǎn)生的介質(zhì)損耗，也就是說，使用本發(fā)明實施例提供的封裝基板，既可以降低信號在傳輸時產(chǎn)生的導(dǎo)體損耗，又可以降低信號傳輸時產(chǎn)生的介質(zhì)損耗。

在一種可能的設(shè)計方式中，該第一復(fù)合層和該第二復(fù)合層還包括：設(shè)置在該第二介質(zhì)層背離該第一介質(zhì)層一側(cè)的第三介質(zhì)層；其中，該第三介質(zhì)層的材料的機械特性，與該第一介質(zhì)層的材料的機械特性相同。

在一種可能的設(shè)計方式中，該第三介質(zhì)層的材料與該第一介質(zhì)層的材料相同，該第三介質(zhì)層的厚度與該第一介質(zhì)層的厚度相等。此時，第一復(fù)合層和第二復(fù)合層均可以視為由第一介質(zhì)層和第三介質(zhì)層包裹第二介質(zhì)層組成的“三明治結(jié)構(gòu)”，在這個“三明治結(jié)構(gòu)”中，將材料相同的第一介質(zhì)層和第三介質(zhì)層分別設(shè)置在第二介質(zhì)層的兩側(cè)進(jìn)行壓合時，第一介質(zhì)層與第二介質(zhì)層的接觸面，以及第三介質(zhì)層與第二介質(zhì)層的接觸面均會產(chǎn)生張力，使第一介質(zhì)層和第三介質(zhì)層吸附在第二介質(zhì)層的兩側(cè)，使第一復(fù)合層和第二復(fù)合層的內(nèi)部組成一個結(jié)構(gòu)穩(wěn)定的“三明治結(jié)構(gòu)”，從而使形成的第一復(fù)合層和第二復(fù)合層的結(jié)構(gòu)更加穩(wěn)定。

在一種可能的設(shè)計方式中，該第二介質(zhì)層的熱膨脹系數(shù)小于或等于9ppm/℃。

在一種可能的設(shè)計方式中，該第二介質(zhì)層的楊氏模量大于等于25MPa。

在一種可能的設(shè)計方式中，該第一介質(zhì)層的介質(zhì)損耗因子小于等于0.01。

第二方面，本發(fā)明的實施例提供一種封裝基板的制作方法，包括：在第一參考層上壓合第一復(fù)合層，該第一復(fù)合層包括相對設(shè)置的第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層，該第二介質(zhì)層的剛度大于該第一介質(zhì)層的剛度，該第一復(fù)合層內(nèi)的第一介質(zhì)層遠(yuǎn)離該第一參考層；在該第一復(fù)合層上形成金屬走線；在形成有金屬走線的第一復(fù)合層上壓合第二復(fù)合層，該第二復(fù)合層包括相對設(shè)置的第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層，該第二介質(zhì)層的剛度大于該第一介質(zhì)層的剛度，該第二復(fù)合層內(nèi)的第一介質(zhì)層與該金屬走線接觸；在該第二復(fù)合層上壓合第二參考層。

在一種可能的設(shè)計方式中，在第一參考層上壓合第一復(fù)合層之前，還包括：制作該第一復(fù)合層和該第二復(fù)合層。

在一種可能的設(shè)計方式中，該第一復(fù)合層和該第二復(fù)合層還包括：設(shè)置在該第二介質(zhì)層背離該第一介質(zhì)層一側(cè)的第三介質(zhì)層，該第三介質(zhì)層的材料與該第一介質(zhì)層的材料相同；其中，制作該第一復(fù)合層或該第二復(fù)合層，包括：將該第一介質(zhì)層和該第三介質(zhì)層分別壓合至該第二介質(zhì)層的兩側(cè)，得到該第一復(fù)合層或該第二復(fù)合層。

在一種可能的設(shè)計方式中，在第一參考層上壓合第一復(fù)合層，包括：以該第一復(fù)合層中的第三介質(zhì)層為壓合面，將該第一復(fù)合層壓合至該第一參考層上；在形成有金屬走線的第一復(fù)合層上壓合第二復(fù)合層，包括：以該第二復(fù)合層中的第一介質(zhì)層為壓合面，將該第二復(fù)合層壓合至形成有金屬走線的第一復(fù)合層上。

第三方面，本發(fā)明的實施例提供一種封裝基板的制作方法，包括：按照第一參考層、第一復(fù)合層、金屬走線、第二復(fù)合層至第二參考層的順序進(jìn)行一次性壓合，形成該封裝基板；其中，該第一復(fù)合層和該第二復(fù)合層均包括相對設(shè)置的第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層，該第一介質(zhì)層與該金屬走線接觸；該第二介質(zhì)層的剛度大于該第一介質(zhì)層的剛度。

第四方面，本發(fā)明的實施例提供一種集成電路芯片，該集成電路芯片包括上述封裝基板。

第五方面，本發(fā)明的實施例提供一種印制電路板，該印制電路板包括上述封裝基板。

本發(fā)明中，上述封裝基板的名字對設(shè)備本身不構(gòu)成限定，在實際實現(xiàn)中，這些設(shè)備可以以其他名稱出現(xiàn)。只要各個設(shè)備的功能和本發(fā)明類似，即屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)。

另外，第二方面至第五方面中任一種設(shè)計方式所帶來的技術(shù)效果可參見第一方面中不同設(shè)計方式所帶來的技術(shù)效果，此處不再贅述。

本發(fā)明的這些方面或其他方面在以下實施例的描述中會更加簡明易懂。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中封裝基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為現(xiàn)有技術(shù)中降低鏈路損耗的原理示意圖；

圖3為本發(fā)明實施例提供的一種封裝基板的應(yīng)用場景示意圖；

圖4為本發(fā)明實施例提供的一種封裝基板的結(jié)構(gòu)示意圖一；

圖5為本發(fā)明實施例提供的一種封裝基板的結(jié)構(gòu)示意圖二；

圖6為本發(fā)明實施例提供的一種封裝基板的制作方法的流程示意圖；

圖7為本發(fā)明實施例提供的一種封裝基板的制作方法的工藝示意圖一；

圖8為本發(fā)明實施例提供的一種封裝基板的制作方法的工藝示意圖二；

圖9為本發(fā)明實施例提供的一種封裝基板的制作方法的工藝示意圖三。

具體實施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。

另外，術(shù)語“第一”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括一個或者更多個該特征。在本發(fā)明的描述中，除非另有說明，“多個”的含義是兩個或兩個以上。

本發(fā)明的實施例提供一種封裝基板，該封裝基板可以作為母板應(yīng)用在IC芯片或PCB等結(jié)構(gòu)中。

示例性的，如圖3所示，為IC芯片的剖面圖，封裝基板100的一側(cè)設(shè)置有錫球21，錫球21可作為IC芯片的I/O接口與外部設(shè)備通信，封裝基板100的另一側(cè)為封裝面22，可將無源器件23和晶片24等器件封裝在封裝面22內(nèi)。

如圖1所示，傳統(tǒng)的封裝基板100由導(dǎo)電的參考層11和不導(dǎo)電的介質(zhì)層12依次交替堆疊而成。在IC芯片內(nèi)，信號一般在介質(zhì)層12內(nèi)的金屬走線13上傳輸，當(dāng)信號的速率或頻率越高時，信號在金屬走線13上傳輸時的衰減現(xiàn)象越嚴(yán)重，這種由金屬走線13引起的損耗稱為導(dǎo)體損耗(conductor loss)，另外，由于介質(zhì)層12是由不導(dǎo)電的絕緣材料制成的，那么，當(dāng)信號在金屬走線13內(nèi)傳輸時，絕緣材料在電場作用下，由于介質(zhì)電導(dǎo)和介質(zhì)極化的滯后效應(yīng)，在介質(zhì)層12內(nèi)部引起能量損耗，這種由金屬走線13所在的介質(zhì)層12引起的損耗稱為介質(zhì)損耗(dielectric loss)。

也就是說，信號在封裝基板100內(nèi)傳輸時產(chǎn)生的鏈路損耗包括導(dǎo)體損耗和介質(zhì)損耗，而金屬走線13的寬度與金屬走線13的電阻成反比，因此，通常采用增大金屬走線13的寬度的方式降低導(dǎo)體損耗，但是，金屬走線13的寬度增加后，會引起金屬走線13的阻抗也隨之發(fā)生變化，因此，為了使金屬走線13在寬度變化前后的阻抗保持一致，在增加金屬走線13的寬度的同時，還需要增加介質(zhì)層12的厚度，而介質(zhì)層12一般為柔性較好的材料，在制備過程中容易產(chǎn)生形變，因此，無法得到厚度較大的介質(zhì)層12，來滿足高頻信號或高速信號在封裝基板100內(nèi)傳輸時對鏈路損耗的指標(biāo)要求。

對此，本發(fā)明的實施例提供一種封裝基板200，如圖4所示，該封裝基板200包括相對設(shè)置的第一參考層31和第二參考層32，第一參考層31靠近第二參考層32的一側(cè)設(shè)置有第一復(fù)合層33，第二參考層32靠近第一參考層31的一側(cè)設(shè)置有第二復(fù)合層34，第一復(fù)合層33與第二復(fù)合層34之間壓合有金屬走線35。

其中，仍如圖4所示，第一復(fù)合層34和第二復(fù)合層35均包括相對設(shè)置的第一介質(zhì)層301和第二介質(zhì)層302，第一介質(zhì)層301和第二介質(zhì)層302互相接觸，其中，第一介質(zhì)層301與金屬走線35接觸，并且，第二介質(zhì)層302的剛度大于第一介質(zhì)層301的剛度。

也就是說，與傳統(tǒng)的設(shè)置單一介質(zhì)層包裹金屬走線35不同的是，在本發(fā)明實施例提供的封裝基板200中，在第一復(fù)合層33和第二復(fù)合層34之間壓合金屬走線35，并且，每個復(fù)合層均包括兩種介質(zhì)組成的第一介質(zhì)層301和第二介質(zhì)層302，兩個復(fù)合層內(nèi)剛度較小的第一介質(zhì)層301均與金屬走線35接觸，以便通過壓合工藝使金屬走線35被第一介質(zhì)層301包裹，而第一介質(zhì)層301遠(yuǎn)離金屬走線35的一側(cè)設(shè)置有剛度較大的第二介質(zhì)層302，由于第二介質(zhì)層302的剛度較大，不易發(fā)生變形，因此，可以制備出厚度較大的第二介質(zhì)層302，那么，對于高頻信號或高速信號，在增加金屬走線35的寬度的同時，可以通過增加第二介質(zhì)層302的厚度，來降低信號傳輸時產(chǎn)生的導(dǎo)體損耗，同時保證金屬走線35在寬度變化前后的阻抗保持一致，從而降低整個傳輸過程中的鏈路損耗。

進(jìn)一步地，第一介質(zhì)層301的介質(zhì)損耗因子小于第二介質(zhì)層302的介質(zhì)損耗因子。

其中，介質(zhì)損耗因子又可以稱為介質(zhì)損耗角(Dielectric Loss Tangent，Df)，是指在交變電場下，電介質(zhì)內(nèi)流過的電流向量和電壓向量之間的夾角(即功率向量角ф)的余角δ，可反映電介質(zhì)在交變電場作用下，電位移與電場強度的位相差。

當(dāng)某一介質(zhì)層的介質(zhì)損耗因子越小時，信號在該介質(zhì)層傳輸時產(chǎn)生的介質(zhì)損耗越小，那么，在本發(fā)明實施例提供的封裝基板200中，如圖4所示，當(dāng)?shù)谝唤橘|(zhì)層301的介質(zhì)損耗因子小于第二介質(zhì)層302的介質(zhì)損耗因子時，由于金屬走線35是被第一復(fù)合層33內(nèi)的第一介質(zhì)層301和第二復(fù)合層34內(nèi)的第一介質(zhì)層301包裹的，因此，可降低金屬走線35上的信號在第一介質(zhì)層301內(nèi)傳輸時產(chǎn)生的介質(zhì)損耗，也就是說，使用本發(fā)明實施例提供的封裝基板200，既可以降低信號在傳輸時產(chǎn)生的導(dǎo)體損耗，又可以降低信號傳輸時產(chǎn)生的介質(zhì)損耗。

進(jìn)一步地，基于圖4所示的封裝基板200，如圖5所示，第一復(fù)合層33和第二復(fù)合層34還包括：設(shè)置在第二介質(zhì)層302背離第一介質(zhì)層301一側(cè)的第三介質(zhì)層303；其中，制作第三介質(zhì)層303的材料的機械特性，與制作第一介質(zhì)層301的材料的機械特性相同。

例如，制作第三介質(zhì)層303的材料的熱膨脹系數(shù)與制作第一介質(zhì)層301的材料的熱膨脹系數(shù)相同。

可選的，第三介質(zhì)層303的材料可與第一介質(zhì)層301的材料相同。

此時，第一復(fù)合層33和第二復(fù)合層34均可以視為由第一介質(zhì)層301和第三介質(zhì)層303包裹第二介質(zhì)層302組成的“三明治結(jié)構(gòu)”，而之所以在第二介質(zhì)層302的兩側(cè)分別設(shè)置材料相同的第一介質(zhì)層301和第三介質(zhì)層303，是因為：第二介質(zhì)層302的剛性大于第一介質(zhì)層301的剛性，當(dāng)?shù)诙橘|(zhì)層302直接與第一介質(zhì)層301壓合為第一復(fù)合層33或第二復(fù)合層34時，可能導(dǎo)致剛性較小的第一介質(zhì)層301產(chǎn)生形變，此時，第一復(fù)合層33或第二復(fù)合層34內(nèi)的材料結(jié)構(gòu)不穩(wěn)定從而導(dǎo)致第一復(fù)合層33或第二復(fù)合層34產(chǎn)生變形，使制作第一復(fù)合層33和第二復(fù)合層34的工藝難度增加，而將材料相同的第一介質(zhì)層301和第三介質(zhì)層303分別設(shè)置在第二介質(zhì)層302的兩側(cè)進(jìn)行壓合時，第一介質(zhì)層301與第二介質(zhì)層302的接觸面，以及第三介質(zhì)層303與第二介質(zhì)層302的接觸面均會產(chǎn)生張力，使第一介質(zhì)層301和第三介質(zhì)層303吸附在第二介質(zhì)層302的兩側(cè)，使第一復(fù)合層33和第二復(fù)合層34的內(nèi)部組成一個結(jié)構(gòu)穩(wěn)定的“三明治結(jié)構(gòu)”，從而使形成的第一復(fù)合層33和第二復(fù)合層34的結(jié)構(gòu)更加穩(wěn)定。

可選的，上述第三介質(zhì)層303的厚度與第一介質(zhì)層301的厚度相等。

示例性的，上述第二介質(zhì)層302的熱膨脹系數(shù)(Coefficient of Thermal Expansion，CTE)可以小于等于9ppm/℃。

示例性的，上述第二介質(zhì)層302的楊氏模量可以大于等于25MPa。

示例性的，上述第一介質(zhì)層301的介質(zhì)損耗因子可以小于等于0.01。

例如，制作第一介質(zhì)層301和第三介質(zhì)層303的材料可以為環(huán)氧樹脂基等具有高頻低損耗特性的材料。

例如，制作第二介質(zhì)層302的材料可以為雙馬來酰亞胺三嗪樹脂類材料與玻纖布的混合材料。

例如，上述第一參考層31和第二參考層32可以為導(dǎo)電金屬板。

當(dāng)然，以上僅為對本發(fā)明的實施例提供的封裝基板200內(nèi)各個部件所選材料的舉例說明，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實際經(jīng)驗或?qū)嶋H需要進(jìn)行選擇，本發(fā)明實施例對此不作任何限制。

另外，圖4或圖5所示的封裝基板200僅以第一參考層31和第二參考層32，以及這兩個參考層之間的復(fù)合層(即第一復(fù)合層33和第二復(fù)合層34)為例進(jìn)行說明的，應(yīng)當(dāng)理解的是，封裝基板200可以由多個參考層和復(fù)合層依次交替堆疊而成，任意兩個參考層之間均可設(shè)置有圖4或圖5所示的第一復(fù)合層33和第二復(fù)合層34的結(jié)構(gòu)。

進(jìn)一步地，基于圖4或圖5所示的封裝基板200，本發(fā)明的實施例提供一種封裝基板的制作方法，如圖6所示，包括：

101、制作第一復(fù)合層和第二復(fù)合層，該第一復(fù)合層和第二復(fù)合層均包括相對設(shè)置的第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層。

其中，第二介質(zhì)層的剛度大于第一介質(zhì)層的剛度。

具體的，如圖4所示，可以通過壓合工藝，將第一介質(zhì)層301和第二介質(zhì)層302壓合在一起，形成第一復(fù)合層33或第二復(fù)合層34。

另外，如圖5所示，第一復(fù)合層33和第二復(fù)合層34還可以包括：設(shè)置在第二介質(zhì)層302背離第一介質(zhì)層301一側(cè)的第三介質(zhì)層303，第三介質(zhì)層303的材料與第一介質(zhì)層301的材料相同，且第三介質(zhì)層303的厚度與第一介質(zhì)層301的厚度相等，即形成一個由第一介質(zhì)層301、第二介質(zhì)層302和第三介質(zhì)層303組成的“三明治結(jié)構(gòu)”。

此時，制作第一復(fù)合層33或第二復(fù)合層34時，可以將第二介質(zhì)層302作為中間層，直接將第一介質(zhì)層301和第三介質(zhì)層303分別壓合至第二介質(zhì)層302的兩側(cè)即可。

102、在第一參考層上壓合第一復(fù)合層，使第一復(fù)合層內(nèi)的第一介質(zhì)層遠(yuǎn)離第一參考層。

具體的，如圖7所示，可以以第一復(fù)合層33中的第三介質(zhì)層303為壓合面，將第一復(fù)合層33壓合至第一參考層31上，使第一復(fù)合層33內(nèi)的第一介質(zhì)層301遠(yuǎn)離第一參考層31。

其中，第二介質(zhì)層302的厚度可以根據(jù)金屬走線35的寬度進(jìn)行設(shè)置，以使得金屬走線35在寬度變化前后的阻抗保持一致，而金屬走線35的寬度可以根據(jù)需要傳輸?shù)男盘柕乃俾驶蝾l率進(jìn)行設(shè)置，當(dāng)傳輸?shù)男盘柕乃俾驶蝾l率越高時，為降低信號傳輸時產(chǎn)生的導(dǎo)體損耗，可設(shè)置金屬走線35的寬度增加，相應(yīng)的，可設(shè)置第二介質(zhì)層302的厚度增加。

103、在第一復(fù)合層上形成金屬走線。

具體的，如圖8所示，在第一復(fù)合層33內(nèi)的第一介質(zhì)層301上形成金屬走線35，金屬走線35的寬度也可以根據(jù)信號的速率或頻率進(jìn)行設(shè)置。

104、在形成有金屬走線的第一復(fù)合層上壓合第二復(fù)合層，使第二復(fù)合層內(nèi)的第一介質(zhì)層與金屬走線接觸。

具體的，如圖9所示，可以以第二復(fù)合層34中的第一介質(zhì)層301為壓合面，將第二復(fù)合層34壓合至形成有金屬走線35的第一復(fù)合層33上，此時，金屬走線35被第一復(fù)合層33和第二復(fù)合層34內(nèi)的第一介質(zhì)層301包裹。

105、在第二復(fù)合層上壓合第二參考層。

最后，在第二復(fù)合層34內(nèi)的第三介質(zhì)層303上壓合第二參考層32，形成如圖5所示的封裝基板200。

又或者，基于圖4或圖5所示的封裝基板200，本發(fā)明的實施例提供另一種封裝基板的制作方法，即：

直接按照圖4或圖5中第一參考層31、第一復(fù)合層33、金屬走線35、第二復(fù)合層34至第二參考層32的順序進(jìn)行壓合，一次性形成封裝基板200。

又或者，基于圖4或圖5所示的封裝基板200，本發(fā)明的實施例提供另一種封裝基板的制作方法，以圖4所示的封裝基板200為例，該制作方法包括：

在第一參考層31上壓合第一復(fù)合層33的第二介質(zhì)層302；

在第二介質(zhì)層302上壓合第一復(fù)合層33的第一介質(zhì)層301，此時，第一介質(zhì)層301和第二介質(zhì)層302構(gòu)成第一復(fù)合層33；

在第一復(fù)合層33的第一介質(zhì)層301上壓合金屬走線35；

在第一復(fù)合層33的第一介質(zhì)層301上再壓合一層第一介質(zhì)層301，即第二復(fù)合層34的第一介質(zhì)層301；

在第二復(fù)合層34的第一介質(zhì)層301上再壓合一層第二介質(zhì)層302，即第二復(fù)合層34的第二介質(zhì)層302，此時，金屬走線35上方的第一介質(zhì)層301和第二介質(zhì)層302構(gòu)成第二復(fù)合層34；

最后在第二復(fù)合層34的第二介質(zhì)層302上壓和第一參考層32，形成封裝基板200。

進(jìn)一步地，本發(fā)明的實施例還提供一種集成電路芯片，該集成電路芯片內(nèi)包括上述任一種封裝基板200。

進(jìn)一步地，本發(fā)明的實施例還提供一種印制電路板，該印制電路板內(nèi)包括上述任一種封裝基板200。

至此，本發(fā)明的實施例提供一種封裝基板及其制作方法、集成電路芯片和印制電路板，該封裝基板包括相對設(shè)置的第一參考層和第二參考層，第一參考層靠近第二參考層的一側(cè)設(shè)置有第一復(fù)合層，第二參考層靠近第一參考層的一側(cè)設(shè)置有第二復(fù)合層，第一復(fù)合層與第二復(fù)合層之間壓合有金屬走線；具體的，第一復(fù)合層和第二復(fù)合層均包括相對設(shè)置的第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層，第一復(fù)合層和第二復(fù)合層內(nèi)的第一介質(zhì)層均與金屬走線接觸；其中，第二介質(zhì)層的剛度大于第一介質(zhì)層的剛度?？梢钥闯?，兩個復(fù)合層內(nèi)剛度較小的第一介質(zhì)層均與金屬走線接觸，以便通過壓合工藝使金屬走線被第一介質(zhì)層包裹，而第一介質(zhì)層遠(yuǎn)離金屬走線的一側(cè)設(shè)置有剛度較大的第二介質(zhì)層，即第二介質(zhì)層不易發(fā)生變形，因此，可以制備出厚度較大的第二介質(zhì)層，那么，對于高頻信號或高速信號，為了盡可能的降低信號傳輸時產(chǎn)生的導(dǎo)體損耗，可在增加金屬走線的寬度的同時，增加第二介質(zhì)層的厚度，從而降低整個傳輸過程中的鏈路損耗。

本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該可以意識到，在上述一個或多個示例中，本發(fā)明所描述的功能可以用硬件、軟件、固件或它們的任意組合來實現(xiàn)。當(dāng)使用軟件實現(xiàn)時，可以將這些功能存儲在計算機可讀介質(zhì)中或者作為計算機可讀介質(zhì)上的一個或多個指令或代碼進(jìn)行傳輸。計算機可讀介質(zhì)包括計算機存儲介質(zhì)和通信介質(zhì)，其中通信介質(zhì)包括便于從一個地方向另一個地方傳送計算機程序的任何介質(zhì)。存儲介質(zhì)可以是通用或?qū)Ｓ糜嬎銠C能夠存取的任何可用介質(zhì)。

以上所述的具體實施方式，對本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實施方式而已，并不用于限定本發(fā)明的保護(hù)范圍，凡在本發(fā)明的技術(shù)方案的基礎(chǔ)之上，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包括在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。