本發(fā)明涉及芯片封裝領(lǐng)域，尤其涉及一種芯片埋入基板的封裝方法及其結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：
隨著信息社會(huì)的發(fā)展，各種電子設(shè)備的信息處理量不斷增大，對(duì)于高頻、高速信號(hào)傳輸?shù)男枨笕找嬖鲩L。將半導(dǎo)體芯片埋入封裝基板，因其可有效縮短半導(dǎo)體與封裝基板的連接距離，可為高頻、高速信號(hào)傳輸提供有力的保證，同時(shí)裸芯片埋入基板可以滿足封裝結(jié)構(gòu)高集成度以及電子產(chǎn)品微型化的發(fā)展需求。在半導(dǎo)體封裝有一類特殊的裸芯片，例如金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，MOSFET）、二極管（diode）和晶體管等有源器件，具有單面或雙面電氣連接結(jié)構(gòu)，且不同種類有源器件具有不同的厚度。將不同厚度的半導(dǎo)體芯片埋入基板，由于絕緣性的需要，要求基板的厚度與裸芯片的厚度不一樣時(shí)，由于絲網(wǎng)印刷等制程需要，需保證芯片至少一面與基板共面，同時(shí)保證芯片單面或雙面與基板具有良好的電氣連接，現(xiàn)有技術(shù)通常通過層壓的方式實(shí)現(xiàn)，層壓時(shí)需要很大的壓力，同時(shí)需要激光鉆孔、沉銅和電鍍等工序來實(shí)現(xiàn)電氣連接，給裸芯片的完好性帶來很大的風(fēng)險(xiǎn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明實(shí)施例提供了芯片埋入基板的封裝方法及其結(jié)構(gòu)，用于解決芯片整體封裝時(shí)芯片與基板的共面性以及芯片接觸面與下層線路之間的電氣連接問題，提高芯片封裝可靠性。依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例提供的一種芯片埋入基板的封裝方法，所述芯片具有第一接觸面和第二接觸面，包括以下步驟：步驟S1：在所述基板設(shè)置至少一個(gè)芯片埋入部，所述芯片埋入部為通孔和/或凹槽，所述芯片埋入部的數(shù)目與所需封裝芯片的數(shù)目相同，所述芯片埋入部的深度與所需封裝的芯片厚度匹配；步驟S2：將所述芯片埋入所述芯片埋入部；步驟S3：在芯片的第一接觸面和/或第二接觸面布線，以及基板上對(duì)應(yīng)布線，形成布線層，使得所述基板和所述芯片之間電氣連接。依據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例提供的一種芯片埋入基板的封裝結(jié)構(gòu)，所述芯片埋入基板的封裝結(jié)構(gòu)包括基板、芯片和布線層，所述基板設(shè)置有至少一個(gè)芯片埋入部，所述芯片具有第一接觸面和第二接觸面，所述芯片埋入部為通孔和/或凹槽，所述芯片埋入部的深度與對(duì)應(yīng)埋入的芯片的厚度匹配，所述布線層包括布設(shè)在所述芯片第一接觸面和/或第二接觸面的布線，以及基板上對(duì)應(yīng)所述芯片的布線而布設(shè)的用于實(shí)現(xiàn)所述芯片與基板之間電氣連接的布線。從以上技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明實(shí)施例具有以下優(yōu)點(diǎn)：（1）通過深度不同的凹槽放置厚度不同的芯片，且凹槽的深度與所需埋入的芯片厚度匹配，保證不同厚度的芯片封裝入該基板后保持共面；（2）根據(jù)芯片一面設(shè)置焊盤還是兩面都設(shè)有焊盤的不同焊盤設(shè)置方式選擇不同的連接方式對(duì)芯片進(jìn)行電氣連接，使得封裝工藝具有良好的擴(kuò)展性，適用性強(qiáng)。附圖說明圖1是本發(fā)明實(shí)施例一的芯片埋入基板的封裝方法流程示意圖；圖2a至圖2g是本發(fā)明實(shí)施例一的芯片埋入基板的封裝方法應(yīng)用實(shí)例一的工序步驟示意圖；圖3a至圖3g是本發(fā)明實(shí)施例一的芯片埋入基板的封裝方法應(yīng)用實(shí)例二的工序步驟示意圖；圖4a至圖4h是本發(fā)明實(shí)施例一的芯片埋入基板的封裝方法應(yīng)用實(shí)例三工序步驟示意圖；圖5是本發(fā)明實(shí)施例一的芯片埋入基板的封裝方法應(yīng)用實(shí)例四步驟示意圖；圖6是本發(fā)明實(shí)施例二的芯片埋入基板的封裝方法流程示意圖；圖7a至圖7c是本發(fā)明實(shí)施例二的芯片埋入基板的封裝方法應(yīng)用實(shí)例工序步驟示意圖；圖8是本發(fā)明實(shí)施例三的芯片埋入基板的封裝方法流程示意圖；圖9a至圖9d是本發(fā)明實(shí)施例三的芯片埋入基板的封裝方法應(yīng)用實(shí)例工序步驟示意圖；圖10是本發(fā)明實(shí)施例四的芯片埋入基板的封裝結(jié)構(gòu)示意圖；圖11是本發(fā)明實(shí)施例五的芯片埋入基板的封裝結(jié)構(gòu)示意圖；圖12是本發(fā)明實(shí)施例六的芯片埋入基板的封裝結(jié)構(gòu)示意圖。具體實(shí)施方式本發(fā)明實(shí)施例提供了芯片埋入基板的封裝方法及其結(jié)構(gòu)，用于解決芯片封裝中芯片與基板的共面性和電氣連接問題，實(shí)現(xiàn)電信號(hào)的高頻和高速傳輸。以下將結(jié)合具體實(shí)施例詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施過程，對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員一些較常用的工藝技術(shù)手段不做詳細(xì)描述，以避免造成對(duì)本發(fā)明不必要的限制。實(shí)施例一參考圖1，所示為本實(shí)施例芯片埋入基板的封裝方法流程示意圖，一種芯片埋入基板的封裝方法，其中芯片具有第一接觸面和第二接觸面，包括以下步驟：S101，在基板設(shè)置至少一個(gè)芯片埋入部，芯片埋入部為通孔和/或凹槽，芯片埋入部的數(shù)目與所需封裝芯片的數(shù)目相同，芯片埋入部的深度與所需封裝的芯片厚度匹配；S102，將芯片埋入芯片埋入部；S103，在芯片的第一接觸面和/或第二接觸面布線，以及基板上對(duì)應(yīng)布線，形成布線層，使得基板和芯片之間電氣連。對(duì)于芯片埋入部為通孔和/或凹槽，在不同的應(yīng)用實(shí)施例中，至少一個(gè)芯片埋入部可以都為凹槽或通孔，也可以凹槽和通孔都有。其中基板可以為單面板，雙面板或是已經(jīng)加工好內(nèi)層線路的多層板，實(shí)施例中為了更直觀的表述工序過程，以雙面板為例對(duì)工序過程進(jìn)行詳述。以下將對(duì)芯片埋入基板封裝方法的具體應(yīng)用實(shí)例作更詳細(xì)的說明，可以理解的是，以下實(shí)施例中各步驟中的方式可以結(jié)合使用。參考圖2a至圖2g，所示為對(duì)單個(gè)芯片封裝的工序步驟示意圖，其過程如下：圖2a，選擇一具有第一金屬層101、介電層100和第二金屬層102的基板，將基板從第一金屬層101至介電層100開一凹槽；其中基板的第一金屬層101和第二金屬層102為覆銅層，即基板為覆銅基板，也可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用的要求選擇鋁或其他的金屬。介電層100為絕緣材料，可以為環(huán)氧樹脂（EpoxyResin）、氰酸酯（CyanateEster）、玻璃纖維（GlassFiber）、聚酰亞胺（Polyimide）、雙馬來酰亞胺三嗪（BismaleimideTriazine，BT）或以上絕緣材料的混合物，或其它絕緣介質(zhì)。凹槽的制作工藝采用控深銑，所謂控深銑就是控制Z方向的深度的一種銑床技術(shù)，由于受到銑床Z方向控深銑精度的限制，為了保證第二金屬層102層的完好性，也可以使用銑床銑到一個(gè)保險(xiǎn)的深度后，再使用激光燒蝕將介電層燒透。凹槽的深度與所需埋入的芯片厚度匹配，凹槽的長度、寬度的都大于所需埋入芯片的尺寸，以使凹槽能足夠容納所需埋入的芯片。凹槽的形狀可以為規(guī)則的長方體，或?yàn)樘菪误w，或階梯狀，可以根據(jù)實(shí)際的工藝要求進(jìn)行設(shè)計(jì)，在此不做限制，說明書附圖中為了較直觀的表述，統(tǒng)一的將凹槽表示成長方體的形狀。圖2b，將非導(dǎo)電粘結(jié)材料涂覆于凹槽底面，形成粘結(jié)層103；此種粘結(jié)層103涂覆方式適用于芯片與凹槽底面接觸時(shí)，芯片的第一接觸面沒有焊盤的情況，非導(dǎo)電粘結(jié)材料可以通過鋼網(wǎng)印刷或點(diǎn)膠機(jī)點(diǎn)膠的方式涂覆，通過粘結(jié)層粘接于基板凹槽的芯片和基板之間具有更大的附著力，使得連接的可靠性更高。圖2c，將芯片107第一接觸面與粘結(jié)層103對(duì)接粘結(jié)，使得芯片107埋入凹槽；通過這一步驟，完成了芯片107初步固定于基板的凹槽的步驟。圖2d，在第一金屬層101和芯片第二接觸面上涂覆感光材料，形成感光材料涂覆層108；圖2e，凹槽與芯片四周的孔隙109也可填入感光材料或使用其他的絕緣填充材料進(jìn)行填充；通過對(duì)凹槽與芯片四周孔隙的填充可使芯片和基板之間的固定效果更好。圖2f，將芯片第二接觸面上的焊盤的間隙部位阻擋；通過感光材料涂覆層108曝光、顯影和固化，將芯片第二接觸面上的焊盤的間隙部位阻擋，并阻擋住第一金屬層101的需保留銅面的部分。圖2g，在芯片的第一接觸面和第二接觸面設(shè)置布線，以及基板上對(duì)應(yīng)設(shè)置布線，形成布線層?？赏ㄟ^濺射或沉銅、電鍍、曝光、顯影、蝕刻等技術(shù)，在芯片的第二接觸面設(shè)置布線，并在與第二接觸面對(duì)應(yīng)的基板第一金屬層101設(shè)置布線，形成布線層，同時(shí)，在粘結(jié)層103設(shè)置布線，并在與粘結(jié)層103對(duì)應(yīng)的基板第二金屬層102設(shè)置布線，形成布線層。此時(shí)，雙面板的制作已經(jīng)完成，如果需要增層，便可以采取層壓技術(shù)或者增層法繼續(xù)制作多層線路。以下兩個(gè)應(yīng)用實(shí)例將針對(duì)芯片的第一接觸面上也有焊盤的情況進(jìn)行描述。第一接觸面上也有焊盤，第一接觸面上也需要與基板的電氣連接，因此不能采用應(yīng)用實(shí)例一中直接將非導(dǎo)電粘結(jié)材料涂覆于凹槽底面，形成粘結(jié)層的方式對(duì)芯片進(jìn)行粘結(jié)。參考圖3a至圖3g，所示為實(shí)施例的芯片埋入基板的封裝方法又一應(yīng)用實(shí)例的工序步驟示意圖，包括以下步驟：圖3a，選擇一具有第一金屬層101、介電層100和第二金屬層102的基板，在基板上開設(shè)從第一金屬層101貫通至介電層100的凹槽；凹槽的深度與所需埋入的芯片厚度匹配，當(dāng)該基板需埋設(shè)有多個(gè)厚度不同的芯片的時(shí)候，保證不同厚度的芯片封裝入該基板后保持共面，凹槽的長度、寬度的都大于所需埋入芯片的尺寸，以使凹槽能足夠容納所需埋入的芯片。芯片的第一接觸面有焊盤，凹槽的底面與第二金屬層102相通，即凹槽貫通第一金屬層101和介電層100，抵達(dá)第二金屬層102，可更方便的實(shí)現(xiàn)后續(xù)芯片的第一接觸面與基板的電氣連接。當(dāng)然，芯片的第一接觸面有焊盤時(shí)，凹槽的底面也可不抵接至第二金屬層204，通過采用金屬導(dǎo)盲通孔的方式實(shí)現(xiàn)芯片第一接觸面與基板的電氣連接。圖3b，將導(dǎo)電粘結(jié)材料在凹槽的底面形成焊點(diǎn)104；此步驟中可采用絲網(wǎng)印刷或點(diǎn)膠機(jī)點(diǎn)膠的方式在凹槽的底面形成焊點(diǎn)104。圖3c，將芯片107第一接觸面與焊點(diǎn)104對(duì)接粘結(jié)，使得芯片107固設(shè)于凹槽；圖3d，在第一金屬層101和芯片107第二接觸面上涂覆感光材料，形成感光材料涂覆層108；圖3e，凹槽與芯片107四周的孔隙109也可填入感光材料或使用其他的絕緣填充材料進(jìn)行填充，使得芯片107更好的固定在基板的凹槽；圖3f，將芯片107第二接觸面上的焊盤之間的間隙部位阻擋；此步驟中通過感光材料涂覆層108曝光、顯影和固化將芯片第二接觸面上焊盤之間的間隙部位阻擋。圖3g，通過濺射或沉銅、電鍍、蝕刻等技術(shù)，在芯片的第一接觸面和/或第二接觸面設(shè)置布線，以及基板上對(duì)應(yīng)設(shè)置布線，形成布線層。本實(shí)施例中芯片107的第一接觸面和第二接觸面都有焊盤，可通過濺射或沉銅、電鍍、曝光、顯影、蝕刻等技術(shù)，在芯片的第一接觸面和第二接觸面設(shè)置布線，并在基板上設(shè)置對(duì)應(yīng)的與芯片上的布線連接的布線，實(shí)現(xiàn)芯片與基板的電氣連接。此時(shí)，雙面板的制作已經(jīng)完成，如果需要增層，便可以采取傳統(tǒng)層壓的技術(shù)或者增層法繼續(xù)制作多層線路。參考圖4a到圖4h，所示為實(shí)施例的芯片埋入基板的封裝方法又一應(yīng)用實(shí)例的工序步驟示意圖，包括以下步驟：圖4a，選擇具有第一金屬層101、介電層100和第二金屬層102的基板，在基板上開設(shè)從第一金屬層101至介電層100的凹槽；凹槽的深度與所需埋入的芯片厚度匹配，當(dāng)基板需埋入多個(gè)不同厚度的芯片時(shí)，保證不同厚度的芯片封裝入該基板的凹槽后共面，凹槽的長度、寬度的都大于所需埋入芯片的尺寸，以使凹槽能足夠容納所需埋入的芯片。芯片的第一接觸面有焊盤，凹槽的底面與第二金屬層102相通，即凹槽貫通第一金屬層101和介電層100，可方便后續(xù)實(shí)現(xiàn)芯片第一接觸面與基板的電氣連接。當(dāng)然，芯片的第一接觸面有焊盤時(shí)，凹槽的底面也可不與第二金屬層204相通，后續(xù)通過采用金屬導(dǎo)盲通孔的方式實(shí)現(xiàn)芯片第一接觸面與基板的電氣連接。圖4b，在凹槽底面打出相對(duì)應(yīng)的凹坑105；凹坑105可通過激光鉆機(jī)工藝或蝕刻技術(shù)在凹槽底面形成。圖4c，在凹坑105內(nèi)植入錫球或點(diǎn)上導(dǎo)電粘結(jié)材料，形成焊點(diǎn)106；本實(shí)施例采用凹坑105內(nèi)形成焊點(diǎn)106的方式實(shí)現(xiàn)后續(xù)芯片107和焊點(diǎn)106的粘結(jié)，增加第二金屬層102和焊點(diǎn)106的接觸面積，芯片107和焊點(diǎn)106的粘結(jié)效果更好。圖4d，將芯片107第一接觸面與焊點(diǎn)106對(duì)接粘結(jié)，從而使得芯片107埋入凹槽；圖4e，在第一金屬層101和芯片第二接觸面上涂覆感光材料，形成感光材料涂覆層108；圖4f，凹槽與芯片四周的孔隙109也可填入感光材料或使用其他的絕緣填充材料進(jìn)行填充；圖4g，將芯片第二接觸面上的焊盤的間隙部位阻擋，并阻擋住第一金屬層101的需保留銅面的部分，通過感光層曝光、顯影和固化等工序完成；圖4h，通過濺射或沉銅、電鍍、蝕刻等技術(shù)，在芯片的第一接觸面和/或第二接觸面設(shè)置布線，以及基板上對(duì)應(yīng)設(shè)置布線，形成布線層，使得芯片與基板電氣連接。本實(shí)施例中芯片的第一接觸面和第二接觸面都有焊盤，可通過濺射或沉銅、電鍍、曝光、顯影、蝕刻等技術(shù)，在芯片的第一接觸面和第二接觸面設(shè)置布線，并在基板上設(shè)置對(duì)應(yīng)的與芯片上的布線連接的布線，形成布線層，實(shí)現(xiàn)芯片與基板的電氣連接。此時(shí)，雙面板的制作已經(jīng)完成，如果需要增層，便可以采取層壓技術(shù)或者增層法繼續(xù)制作多層線路。參考圖5，所示為實(shí)施例的芯片埋入基板的封裝方法又一應(yīng)用實(shí)例的工序步驟示意圖，用于封裝不同厚度的多個(gè)芯片，包括以下步驟：圖5所示為基板200A-A面的剖視圖，將基板200從第一金屬層203至介電層202開出深度不同的與所需封裝的芯片個(gè)數(shù)相同的凹槽201；采用控深銑工藝刻出凹槽，凹槽的深度與所需埋入的芯片厚度匹配，可保證埋入多個(gè)芯片時(shí)芯片正面的共面性，凹槽的長度、寬度的都大于所需埋入芯片的尺寸，以使凹槽能足夠容納所需埋入的芯片。芯片的第一接觸面沒有焊盤時(shí)，凹槽的底面與第二金屬層204相通或不與第二金屬層204相通；芯片的第一接觸面有焊盤時(shí)，凹槽的底面與第二金屬層204相通，可保證芯片的第一接觸面容易形成電氣連接，當(dāng)然，芯片的第一接觸面有焊盤時(shí)，凹槽的底面也可不與第二金屬層204相通，而是采用金屬導(dǎo)盲通孔的方式實(shí)現(xiàn)芯片第一接觸面與基板的電氣連接。因以下步驟過程同上應(yīng)用實(shí)例的實(shí)施過程，因此沒有給出以下各步驟的示意圖，包括：將具有第一接觸面和第二接觸面的芯片的第一接觸面與第一金屬層連接的方式對(duì)應(yīng)的埋入與其對(duì)應(yīng)的凹槽；此步驟與上述的應(yīng)用例相同，按照實(shí)際工藝需求，可采取凹槽底面涂覆非導(dǎo)電粘結(jié)材料、直接在凹槽底面形成焊點(diǎn)或先在凹槽底面打出相對(duì)應(yīng)的凹坑再形成焊點(diǎn)的方式對(duì)芯片與基板進(jìn)行粘結(jié)?？赏ㄟ^濺射或沉銅、電鍍、曝光、顯影、蝕刻等技術(shù)，在芯片的第一接觸面和第二接觸面設(shè)置布線層，并在基板上設(shè)置對(duì)應(yīng)的與芯片上的布線層連接的布線層，實(shí)現(xiàn)芯片與基板的電氣連接，布線層由濺射Ti/Cu、沉積Cu、電鍍Cu或其它導(dǎo)電金屬組成。實(shí)施例二參考圖6，所示為芯片埋入基板的封裝方法又一實(shí)施例的流程示意圖，芯片具有第一接觸面和第二接觸面，包括以下步驟：S601，將基板開至少一個(gè)通孔，通孔的數(shù)目與所需封裝芯片的數(shù)目相同，通孔貫通基板；其中，基板可以為單面板，雙面板或多層板。S602，取厚銅箔蝕刻出與通孔位置分布一致的凸部；S603，將基板和厚銅箔通過絕緣介質(zhì)層進(jìn)行層壓連接，通孔與凸部形成凹槽，凹槽的深度與所需埋入的芯片厚度匹配，當(dāng)該基板需埋設(shè)有多個(gè)不同厚度芯片的時(shí)候，用于保證不同厚度的芯片封裝入該基板后保持共面；S604，將芯片埋入凹槽；S605，在芯片的第一接觸面和/或第二接觸面設(shè)置布線，以及基板上對(duì)應(yīng)設(shè)置布線，形成布線層，使得基板和芯片之間電氣連接。以下結(jié)合圖7a至圖7e對(duì)本實(shí)施例的具體應(yīng)用實(shí)例作更詳細(xì)的說明。參考圖7a至圖7c，所示為工序封裝步驟示意圖，本實(shí)施例提供的一種芯片埋入基板的封裝方法，用于封裝不同厚度的多個(gè)芯片，包括以下步驟：圖7a，將基板300開出與所需封裝的芯片個(gè)數(shù)相同的通孔301，通孔貫通第一金屬層303、介電層302和第二金屬層304；圖7b，取厚銅箔305蝕刻出與通孔位置分布一致的凸部；其中凸部的高度根據(jù)芯片的厚度進(jìn)行設(shè)計(jì)，凸部的高度與芯片厚度成反比例關(guān)系。圖7c，將基板300和厚銅箔305通過絕緣介質(zhì)層306進(jìn)行層壓連接，通孔301與凸部形成凹槽；凹槽的深度與所需埋入的芯片厚度匹配，當(dāng)該基板需埋設(shè)有多個(gè)厚度不同的芯片的時(shí)候，保證不同厚度的芯片封裝入該基板后保持共面，凹槽的長度、寬度的都大于所需埋入芯片的尺寸，以使凹槽能足夠容納所需埋入的芯片。將具有第一接觸面和第二接觸面的芯片的第一接觸面與第一金屬層連接，埋入與芯片對(duì)應(yīng)的凹槽；在芯片的第一接觸面和第二接觸面設(shè)置，以及基板上對(duì)應(yīng)設(shè)置形成布線層，用于實(shí)現(xiàn)基板與芯片的電氣連接。上述兩步驟與前述應(yīng)用實(shí)例的實(shí)施方式相同，所以沒有圖示出，按照實(shí)際工藝需求，可采取凹槽底面涂覆非導(dǎo)電粘結(jié)材料、直接在凹槽底面形成焊點(diǎn)或先在凹槽底面打出相對(duì)應(yīng)的凹坑再形成焊點(diǎn)的方式對(duì)芯片與基板進(jìn)行粘結(jié)，再根據(jù)需要實(shí)現(xiàn)基板和芯片之間的電氣連接。實(shí)施例三圖8所示為芯片埋入基板的封裝方法又一實(shí)施例的流程示意圖，芯片具有第一接觸面和第二接觸面，包括以下步驟：S801，將基板開至少一個(gè)通孔，通孔的數(shù)目與所需封裝芯片的數(shù)目相同；S802，在第二金屬層所在面涂覆一層感光材料，形成感光材料層；S803，將芯片的第二接觸面與感光材料層連接，使得芯片埋入通孔；S804，將芯片與通孔存在的間隙中填入粘結(jié)材料，用于固定芯片；S805，去除感光材料層；S806，在第一接觸面印刷導(dǎo)電漿料；S807，在芯片的第一接觸面和/或第二接觸面設(shè)置布線，以及基板上對(duì)應(yīng)設(shè)置布線，形成布線層，使得所述基板和所述芯片之間電氣連接。以下結(jié)合圖9a至圖9d對(duì)上述步驟作進(jìn)一步的說明，所示為芯片埋入基板的封裝方法又一實(shí)施例的具體應(yīng)用實(shí)例工序步驟示意圖，本實(shí)施例提供的一種芯片埋入基板的封裝方法，包括以下步驟：圖9a，基板400開出與所需封裝的芯片個(gè)數(shù)相同的通孔401，通孔401貫通第一金屬層403、介電層402和第二金屬層404；圖9b，在第二金屬層404所在面粘接一層UV膜405，UV膜是一種具有粘接作用的膜狀物質(zhì)，在UV光照射后失去粘性；圖9c，將芯片406的第二接觸面與UV膜405粘結(jié)；通過共面的UV膜和不同厚度芯片的第二接觸面之間的粘結(jié)，可保證不同厚度芯片的共面性。圖9d，將芯片406與通孔401之間的間隙中填入粘結(jié)材料，形成填充粘結(jié)材料層407，用于固定芯片406；粘結(jié)材料層407為感光樹脂或其它粘結(jié)材料，粘結(jié)材料的導(dǎo)熱導(dǎo)電或?qū)岱菍?dǎo)電，根據(jù)電氣連接需要而定。填充粘結(jié)材料層407與芯片406固定后，去除UV膜405；在芯片第二接觸面印刷感光樹脂；在芯片的第一接觸面和/或第二接觸面設(shè)置，以及基板上對(duì)應(yīng)設(shè)置形成布線層，使得基板與芯片之間電氣連接。以上工序步驟中和上述應(yīng)用實(shí)施例相同的步驟，在此不再贅述。以下詳細(xì)說明芯片埋入基板的封裝結(jié)構(gòu)。一種芯片埋入基板的封裝結(jié)構(gòu)包括基板、芯片和布線層，基板設(shè)置有至少一個(gè)芯片埋入部，芯片具有第一接觸面和第二接觸面，芯片埋入部為通孔或凹槽，芯片埋入部的深度與對(duì)應(yīng)埋入的芯片的厚度匹配，布線層包括布設(shè)在芯片第一接觸面和/或第二接觸面的布線，以及基板上對(duì)應(yīng)芯片的布線而布設(shè)的用于實(shí)現(xiàn)芯片與基板之間電氣連接的布線。對(duì)于芯片埋入部為通孔和/或凹槽，在不同的應(yīng)用實(shí)施例中，至少一個(gè)芯片埋入部可以都為凹槽或通孔，也可以凹槽和通孔都有。其中基板可以為單面板，雙面板或是已經(jīng)加工好內(nèi)層線路的多層板，實(shí)施例中為了更直觀的表述，以雙面板為例對(duì)芯片埋入基板封裝結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳述。以下將對(duì)芯片埋入基板封裝結(jié)構(gòu)的具體應(yīng)用實(shí)例作更詳細(xì)的說明，可以理解的是，以下實(shí)施例中相對(duì)應(yīng)的各結(jié)構(gòu)可以結(jié)合使用。實(shí)施例四參考圖10，所示為芯片埋入基板的封裝結(jié)構(gòu)一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖，一種芯片埋入基板的封裝結(jié)構(gòu)，包括：基板，具有第一金屬層101、介電層100和第二金屬層102；凹槽，從基板的第一金屬層101至介電層100開槽形成；凹槽的深度與所需埋入的芯片厚度匹配，可保證埋入多個(gè)芯片時(shí)芯片共面性，凹槽的長度、寬度的都大于所需埋入芯片的尺寸，以使凹槽能足夠容納所需埋入的芯片。芯片107，具有第一接觸面和第二接觸面，通過設(shè)置于凹槽底面的焊點(diǎn)103將芯片的第一接觸面與凹槽底面連接，芯片初步埋入凹槽，為了使得芯片與凹槽的固定效果更好，凹槽與芯片四周的孔隙109填入感光材料或使用其他的絕緣填充材料進(jìn)行填充；布線層，在芯片的第一接觸面和第二接觸面設(shè)置布線，以及基板上對(duì)應(yīng)設(shè)置布線形成，使得基板與芯片之間電氣連接。接著進(jìn)行增層線路的制作，絕緣介質(zhì)層110，線路層111由濺射銅或沉積銅、電鍍銅等生成，或者也可以由其他導(dǎo)電金屬組成。實(shí)施例五芯片埋入基板的封裝結(jié)構(gòu)的又一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)包括：基板；開設(shè)于基板的至少一個(gè)凹槽，凹槽的深度與所需埋入的芯片厚度匹配，當(dāng)基板需埋入多個(gè)不同厚度的芯片時(shí)，保證不同厚度的芯片封裝入該基板的凹槽后共面，凹槽的長度、寬度的都大于所需埋入芯片的尺寸，以使凹槽能足夠容納所需埋入的芯片；至少一個(gè)芯片，芯片具有第一接觸面和第二接觸面，芯片埋設(shè)于對(duì)應(yīng)的凹槽；布線層，在芯片的第一接觸面和/或第二接觸面設(shè)置布線，以及基板上對(duì)應(yīng)設(shè)置布線形成，使得基板和芯片之間電氣連接?；蹇梢詾閱蚊姘?、雙面板或多面板，芯片第一接觸面沒有焊盤時(shí)，采用非導(dǎo)電粘結(jié)材料在凹槽底面形成粘結(jié)層，通過粘結(jié)層將第一接觸面和凹槽底面連接。芯片第二接觸面有焊盤時(shí)，在第二接觸面焊盤采用導(dǎo)電粘結(jié)材料形成與焊盤對(duì)應(yīng)的焊點(diǎn)，通過焊點(diǎn)將第一接觸面和凹槽底面連接，或者在第二金屬層蝕刻與第二接觸面焊盤對(duì)應(yīng)的凹坑，再在凹坑中植入錫球或點(diǎn)上導(dǎo)電粘結(jié)材料形成焊點(diǎn)，通過焊點(diǎn)將第二接觸面和凹槽底面連接，再通過金屬盲孔的方式連接布線層和第二接觸面焊點(diǎn)。如圖11所示，芯片埋入基板封裝結(jié)構(gòu)包括：基板，其進(jìn)一步包括絕緣層300，第二金屬層形成的線路301，第一金屬層層壓絕緣介質(zhì)或以其它形式涂布的絕緣介質(zhì)303之后，再經(jīng)曝光顯影和通過濺射、化學(xué)沉積、電鍍、蝕刻等工序后形成的導(dǎo)通線路302，線路301和線路302由第一金屬層、濺射Ti/Cu或其它金屬、化學(xué)銅、電鍍銅等組成；因需要埋入的芯片具有不同的厚度，開設(shè)于基板的四個(gè)凹槽具有與所需埋入的芯片匹配的深度，凹槽對(duì)應(yīng)的埋入單面導(dǎo)通芯片306或雙面導(dǎo)通芯片308，凹槽與芯片之間的間隙用底部填充料304進(jìn)行填充。為了實(shí)現(xiàn)雙面導(dǎo)通芯片的與凹槽底面的接觸面與線路301的連接，可通過設(shè)置焊點(diǎn)309和導(dǎo)盲通孔310與線路301連通，或者通過芯片308的焊點(diǎn)直接與線路301連通。通過設(shè)置導(dǎo)通孔307實(shí)現(xiàn)了線路301和線路302之間的電連接。通過以上封裝結(jié)構(gòu)可以看出，凹槽的深度與所需埋入的芯片厚度匹配，當(dāng)基板需埋入多個(gè)不同厚度的芯片時(shí)，保證不同厚度的芯片封裝入該基板的凹槽后共面，且能方便的實(shí)現(xiàn)芯片的單面與基板的電氣連接或雙面同時(shí)與基板的電氣連接。實(shí)施例六一種芯片埋入基板的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，芯片埋入基板的封裝結(jié)構(gòu)包括：基板，基板具有與所需封裝芯片個(gè)數(shù)相同的通孔；銅箔，銅箔具有與通孔位置分布一致的凸部，凸部的高度與芯片厚度成反比關(guān)系；絕緣介質(zhì)層，用于連接基板和銅箔，以使通孔和凸部嵌合形成凹槽，凹槽的深度與所需埋入的芯片厚度匹配，當(dāng)基板需埋入多個(gè)不同厚度的芯片時(shí)，保證不同厚度的芯片封裝入該基板的凹槽后共面，凹槽的長度、寬度的都大于所需埋入芯片的尺寸，以使凹槽能足夠容納所需埋入的芯片；至少一個(gè)芯片，芯片具有第一接觸面和第二接觸面，采用第一接觸面與凹槽底面連接的方式將芯片埋入凹槽；布線層，在芯片的第一接觸面和/或第二接觸面設(shè)置布線，以及基板上對(duì)應(yīng)設(shè)置布線形成，使得所述基板和所述芯片之間電氣連接?；蹇梢詾閱蚊姘?、雙面板或多面板，芯片第一接觸面沒有焊盤時(shí)，采用非導(dǎo)電粘結(jié)材料在凹槽底面形成粘結(jié)層，通過粘結(jié)層將第一接觸面和凹槽底面連接。芯片第二接觸面有焊盤時(shí)，在第二接觸面焊盤采用導(dǎo)電粘結(jié)材料形成與焊盤對(duì)應(yīng)的焊點(diǎn)，通過焊點(diǎn)將第一接觸面和凹槽底面連接，或者在第二金屬層蝕刻與第二接觸面焊盤對(duì)應(yīng)的凹坑，再在凹坑中植入錫球或點(diǎn)上導(dǎo)電粘結(jié)材料形成焊點(diǎn)，通過焊點(diǎn)將第二接觸面和凹槽底面連接，再通過金屬盲孔的方式連接布線層和第二接觸面焊點(diǎn)。如圖12所示，芯片埋入基板封裝結(jié)構(gòu)包括：基板，進(jìn)一步包括絕緣層300，第二金屬層形成的線路301，第一金屬層層壓絕緣介質(zhì)或以其它形式涂布的絕緣介質(zhì)303之后，再經(jīng)曝光顯影和通過濺射、化學(xué)沉積、電鍍、蝕刻等工序后形成的導(dǎo)通線路302，線路301和線路302由第一金屬層、濺射Ti/Cu或其它金屬、化學(xué)銅、電鍍銅等組成；因需要埋入的芯片具有不同的厚度，開設(shè)于基板的四個(gè)凹槽具有與所需埋入的芯片匹配的深度匹配，對(duì)應(yīng)的埋入單面導(dǎo)通芯片306或雙面導(dǎo)通芯片308，凹槽與芯片之間的間隙用填充料304進(jìn)行填充。為了實(shí)現(xiàn)雙面導(dǎo)通芯片的與凹槽底面的接觸面與線路301的連接，通過設(shè)置導(dǎo)電粘結(jié)材料層308和厚銅箔形成的線路309與線路301連通，通過設(shè)置導(dǎo)通孔307實(shí)現(xiàn)線路301和線路302之間的電連接，通過設(shè)置導(dǎo)通盲孔310實(shí)現(xiàn)線路層301與外部連接。通過以上封裝結(jié)構(gòu)可以看出，凹槽的深度與所需埋入的芯片厚度匹配，當(dāng)基板需埋入多個(gè)不同厚度的芯片時(shí)，保證不同厚度的芯片封裝入該基板的凹槽后共面，且能方便的實(shí)現(xiàn)芯片的單面與基板的電氣連接或雙面同時(shí)與基板的電氣連接。以上對(duì)本發(fā)明所提供的芯片埋入基板封裝方法及其結(jié)構(gòu)進(jìn)行了詳細(xì)介紹，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的思想，在具體實(shí)施方式及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制。