本申請案參考2015年7月13日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局申請的且標(biāo)題為“半導(dǎo)體封裝(SEMICONDUCTOR PACKAGE)”的第10-2015-0099070號韓國專利申請案，且主張其優(yōu)先權(quán)和主張其權(quán)益，所述專利申請案的內(nèi)容在此全文以引用的方式并入本文中。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體封裝及其制造方法。

背景技術(shù)：

目前的半導(dǎo)體封裝體及用于形成半導(dǎo)體封裝體的方法不適當(dāng)，例如，引起成本過量、可靠度降低或封裝大小過大。通過比較常規(guī)和傳統(tǒng)方法與如在本申請案的其余部分中參考圖式闡述的本發(fā)明，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將顯而易見此類方法的另外的局限性和缺點(diǎn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的各個(gè)方面提供一種半導(dǎo)體封裝和一種制造半導(dǎo)體封裝的方法。作為非限制性實(shí)例，本發(fā)明的各個(gè)方面提供一種半導(dǎo)體封裝及其制造方法，所述半導(dǎo)體封裝包括：襯底，其具有第一表面和與第一表面相對的第二表面，且包括形成于從第一表面朝向第二表面的方向中的至少一個(gè)第一凹口部分、形成于所述第一凹口部分中的多個(gè)第一凹口導(dǎo)電圖案以及第一無源元件，所述第一無源元件插入到襯底的第一凹口部分中且具有電連接到所述多個(gè)第一凹口導(dǎo)電圖案的第一電極和第二電極。

附圖說明

圖1A到1D是循序說明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝的制造方法的橫截面圖；

圖2為說明根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝的橫截面圖；

圖3為說明根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝的橫截面圖；

圖4A到4M是循序說明根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝的制造方法的橫截面圖；

圖5為說明根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝的橫截面圖；

圖6A到6M是循序說明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝的制造方法的橫截面圖；以及

圖7A到7F是循序說明圖6I中說明的襯底的另一制造方法的橫截面圖。

具體實(shí)施方式

以下論述通過提供本發(fā)明的實(shí)例來呈現(xiàn)本發(fā)明的各種方面。此類實(shí)例是非限制性的，并且由此本發(fā)明的各種方面的范圍應(yīng)不必受所提供的實(shí)例的任何特定特性限制。在以下論述中，短語“舉例來說”、“例如”和“示范性”是非限制性的且通常與“借助于實(shí)例而非限制”“例如且非限制”等等同義。

如本文中所使用，“和/或”意指通過“和/或”聯(lián)結(jié)的列表中的項(xiàng)目中的任何一個(gè)或多個(gè)。作為一實(shí)例，“x和/或y”意指三元素集合{(x)，(y)，(x,y)}中的任何元素。換句話說，“x和/或y”意指“x和y中的一或兩者”。作為另一實(shí)例，“x、y和/或z”意指七元素集合{(x)，(y)，(z)，(x,y)，(x,z)，(y,z)，(x,y,z)}中的任何元素。換句話說，“x、y和/或z”意指“x、y和z中的一或多者”。

本文中所使用的術(shù)語僅出于描述特定實(shí)例的目的，且并不意圖限制本發(fā)明。如本文中所使用，除非上下文另外明確指示，否則單數(shù)形式也意圖包含復(fù)數(shù)形式。將進(jìn)一步理解，術(shù)語“包括”、“包含”、“具有”等等當(dāng)在本說明書中使用時(shí)，表示所陳述特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件的存在，但是不排除一或多個(gè)其它特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或其群組的存在或添加。

應(yīng)理解，盡管本文中可使用術(shù)語第一、第二等來描述各種元件，但這些元件不應(yīng)受這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅用于將一個(gè)元件與另一元件區(qū)分開來。因此，例如，在不脫離本發(fā)明的教示的情況下，下文論述的第一元件、第一組件或第一部分可被稱為第二元件、第二組件或第二部分。類似地，各種空間術(shù)語，例如“上部”、“下部”、“側(cè)部”等等，可以用于以相對方式將一個(gè)元件與另一元件區(qū)分開來。然而，應(yīng)理解，組件可以不同方式定向，例如，在不脫離本發(fā)明的教示的情況下，半導(dǎo)體裝置可以側(cè)向轉(zhuǎn)動使得其“頂”表面水平地朝向且其“側(cè)”表面垂直地朝向。

在圖式中，為了清楚起見可夸示層、區(qū)和/或組件的厚度或大小。因此，本發(fā)明的范圍應(yīng)不受此類厚度或大小限制。另外，在圖式中，類似參考標(biāo)號可在整個(gè)論述中指代類似元件。

此外，還應(yīng)理解，當(dāng)元件A被提及為“連接到”或“耦合到”元件B時(shí)，元件A可以直接連接到元件B或間接連接到元件B(例如，插入元件C(和/或其它元件)可存在于元件A與元件B之間)。

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體封裝及其制造方法，其可通過將無源元件插入到襯底上提供的凹口部分中而減小半導(dǎo)體封裝的總體厚度。

大體來說，多個(gè)有源元件和無源元件安裝在包含多個(gè)半導(dǎo)體裸片的襯底的平面表面上。另外，共同無源元件通常具有比有源元件大的厚度。因此，當(dāng)多個(gè)有源元件和無源元件安裝在平面表面上時(shí)，半導(dǎo)體封裝的總體厚度可歸因于無源元件而增加。另外，因?yàn)闊o源元件具有有限容量，所以有必要新開發(fā)所述無源元件來減小其厚度。

本發(fā)明的各種實(shí)例實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體封裝。

根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種半導(dǎo)體封裝及其制造方法，所述半導(dǎo)體封裝包含：襯底，其具有第一表面和與第一表面相對的第二表面，且包含形成于從第一表面朝向第二表面的方向中的至少一個(gè)第一凹口部分，和形成于所述第一凹口部分中的多個(gè)第一凹口導(dǎo)電圖案；以及第一無源元件，其插入到襯底的第一凹口部分中且具有電連接到所述多個(gè)第一凹口導(dǎo)電圖案的第一電極和第二電極。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種半導(dǎo)體封裝及其制造方法，所述半導(dǎo)體封裝包含：襯底，其具有第一表面和與第一表面相對的第二表面，且包含形成于從第二表面朝向第一表面的方向中的至少一個(gè)第二凹口部分，和形成于所述第二凹口部分中的多個(gè)第二凹口導(dǎo)電圖案；以及第二無源元件，其插入到襯底的第二凹口部分中且具有電連接到所述多個(gè)第二凹口導(dǎo)電圖案的第一電極和第二電極，其中所述襯底進(jìn)一步包含：電介質(zhì)層，其具有形成于從第二表面朝向第一表面的方向中的第二凹口部分；第一導(dǎo)電圖案，其暴露于電介質(zhì)層的第一表面；第二導(dǎo)電圖案，其暴露于電介質(zhì)層的第二表面；以及導(dǎo)電通孔，其在通過所述電介質(zhì)層時(shí)與第一導(dǎo)電圖案和第二導(dǎo)電圖案電連接。

如上文所描述，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝可通過將無源元件插入到襯底上提供的凹口部分中來減小半導(dǎo)體封裝的總體厚度。

將在各種實(shí)例實(shí)施方案的以下描述中描述或從各種實(shí)例實(shí)施方案的以下描述了解本發(fā)明的以上和其它方面?，F(xiàn)將參看附圖呈現(xiàn)本發(fā)明的各個(gè)方面。

參看圖1A到1D，說明循序說明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝的制造方法的橫截面圖。

如圖1A到1D中所說明，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝的制造方法可包含：在核心襯底10上形成多個(gè)第一凹口導(dǎo)電圖案111；形成第一絕緣障壁112以包圍所述多個(gè)第一凹口導(dǎo)電圖案111；形成第一絕緣層113以填充第一絕緣障壁112的外側(cè)并覆蓋核心襯底10的第一表面10a；以及制備襯底110；以及安裝第一無源元件120以電連接到第一凹口導(dǎo)電圖案111。在制備襯底110的過程中，絕緣障壁112的形成和第一絕緣層113的形成可交替地重復(fù)一次到五次或更多次?，F(xiàn)將參看圖1A到1D更詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝的制造方法。

如圖1A中所說明，在核心襯底10上形成所述多個(gè)第一凹口導(dǎo)電圖案111的過程中，所述多個(gè)第一凹口導(dǎo)電圖案111形成于板形狀的核心襯底10的第一表面10a上，其中第一表面10a是平面的且第二表面10b是平面的且與第一表面10a相對。第一凹口導(dǎo)電圖案111可形成在對應(yīng)于將在上面安裝第一無源元件120的區(qū)的位置處。所述多個(gè)第一凹口導(dǎo)電圖案111可包含兩個(gè)第一凹口導(dǎo)電圖案，其形成一組，以分別連接到第一無源元件120的第一電極121和第二電極122。為了允許將多個(gè)第一無源元件120安裝在核心襯底10的第一表面10a上，所述多個(gè)第一凹口導(dǎo)電圖案111(其中每兩個(gè)形成一組)可提供在核心襯底10上。核心襯底10包含暴露于第一表面10a的導(dǎo)電圖案和暴露于第二表面10b的導(dǎo)電圖案，且可為具有導(dǎo)電通孔的印刷電路板，所述導(dǎo)電通孔在通過第一表面10a和第二表面10b時(shí)電連接形成于第一表面10a和第二表面10b上的導(dǎo)電圖案。此處，第一凹口導(dǎo)電圖案111可與核心襯底10上提供的導(dǎo)電圖案同時(shí)形成。第一凹口導(dǎo)電圖案111可通常由選自由以下各項(xiàng)組成的群組的一者制成：銅、鋁及其等效物，但本發(fā)明的范圍不限于此。

如圖1B中所說明，在形成第一絕緣障壁112以包圍所述多個(gè)第一凹口導(dǎo)電圖案111的過程中，形成第一絕緣障壁112，其與核心襯底10的第一表面10a上的第一凹口導(dǎo)電圖案111中的每一者隔開且具有預(yù)定高度以在具有第一凹口導(dǎo)電圖案111的區(qū)上形成空間。此處，第一絕緣障壁112形成于核心襯底10的第一表面10a上以包圍第一凹口導(dǎo)電圖案111。也就是說，第一絕緣障壁112被配置成使得待連接到第一無源元件120的相應(yīng)電極的兩個(gè)第一凹口導(dǎo)電圖案111與核心襯底10的第一表面10a的外側(cè)分隔開。第一絕緣障壁112可由焊料抗蝕劑制成，但本發(fā)明的各方面并不限于此。

如圖1C中所說明，在制備襯底110的過程中，通過形成第一絕緣層113以覆蓋核心襯底10的第一表面10a上的第一絕緣障壁112的外側(cè)來制備襯底110。也就是說，第一絕緣層113經(jīng)形成以在核心襯底10的第一表面10a上的第一絕緣障壁112的外側(cè)中完全覆蓋核心襯底10的第一表面10a。第一絕緣層113可經(jīng)形成以具有與第一絕緣障壁112相同的高度。第一絕緣層113可由半固化樹脂或預(yù)浸材料制成，但本發(fā)明的各方面并不限于此。第一絕緣障壁112可防止在形成第一絕緣層113時(shí)半固化狀態(tài)中的第一絕緣層113覆蓋第一凹口導(dǎo)電圖案111。另外，第一絕緣障壁112的形成和第一絕緣層113的形成可交替地重復(fù)一次到五次或更多次。雖然本發(fā)明中說明第一絕緣障壁112和第一絕緣層113(其為單一層)，但其可根據(jù)第一無源元件120的高度而由多個(gè)層形成。

如上文所描述，可使用圖1A到1C中說明的半導(dǎo)體封裝的制造方法形成襯底110。襯底110可包含形成于從第一表面110a朝向第二表面110b的方向中的至少一個(gè)第一凹口部分110c。第一凹口部分110c是其中形成第一凹口導(dǎo)電圖案111的區(qū)，且可對應(yīng)于由第一絕緣障壁112形成的內(nèi)部區(qū)。第一凹口部分110c可包含多個(gè)第一凹口部分以在襯底110上安裝多個(gè)第一無源元件120，但本發(fā)明并不限制第一凹口部分110c的數(shù)目。

如圖1D中所說明，在安裝第一無源元件120的過程中，安裝第一無源元件120以電連接到提供于襯底110的第一凹口部分110c中的第一凹口導(dǎo)電圖案111。第一無源元件120可包含第一電極121和第二電極122，且可電連接到第一凹口導(dǎo)電圖案111。第一無源元件120可包含電阻器、電容器、電感器、連接器等等，但本發(fā)明的各方面并不限于此。第一無源元件120插入到第一凹口部分110c中，借此防止半導(dǎo)體封裝100的總體厚度增加。

參看圖2，為根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝的橫截面圖。

如圖2中所說明，半導(dǎo)體封裝200包含襯底210和第一無源元件120。另外，襯底210包含核心襯底10、第一凹口導(dǎo)電圖案111、第一絕緣障壁112、第一絕緣層113和導(dǎo)電層214。襯底210的核心襯底10、第一凹口導(dǎo)電圖案111、第一絕緣障壁112、第一絕緣層113和第一無源元件120與圖1D中說明的半導(dǎo)體封裝100的對應(yīng)組件相同。以下描述將聚焦于導(dǎo)電層214，其是圖1D中說明的半導(dǎo)體封裝100的不同特征。

導(dǎo)電層214可經(jīng)形成以在第一凹口導(dǎo)電圖案111形成于核心襯底10上之后覆蓋第一凹口導(dǎo)電圖案111的第一表面111a。導(dǎo)電層214可由焊料制成。導(dǎo)電層214可分別插入在第一無源元件120的第一電極121與第一凹口導(dǎo)電圖案111之間以及第一無源元件120的第二電極122與第一凹口導(dǎo)電圖案111之間。導(dǎo)電層214可促進(jìn)第一無源元件120的第一和第二電極121和122到第一凹口導(dǎo)電圖案111的連接。

參看圖3，為根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝的橫截面圖。

如圖3中所說明，半導(dǎo)體封裝300包含襯底310、第一無源元件120和第二無源元件330。另外，襯底210包含核心襯底10、第一凹口導(dǎo)電圖案111、第一絕緣障壁112、第一絕緣層113、第二凹口導(dǎo)電圖案314、第二絕緣障壁315和第二絕緣層316。襯底310的核心襯底10、第一凹口導(dǎo)電圖案111、第一絕緣障壁112、第一絕緣層113和第一無源元件120與圖1D中說明的半導(dǎo)體封裝100的對應(yīng)組件相同。以下描述將聚焦于第二凹口導(dǎo)電圖案314、第二絕緣障壁315、第二絕緣層316和第二無源元件330，其是圖1D中說明的半導(dǎo)體封裝100的不同特征。

第二凹口導(dǎo)電圖案314可包含形成于板形狀的核心襯底10的第二表面10b上的多個(gè)第二凹口導(dǎo)電圖案。第二凹口導(dǎo)電圖案314可形成在對應(yīng)于將在上面安裝第二無源元件330的區(qū)的位置處。所述多個(gè)第二凹口導(dǎo)電圖案314可包含一對第二凹口導(dǎo)電圖案(其形成一組)以分別連接到第二無源元件330的第一電極331和第二電極332。為了允許將多個(gè)第二無源元件330安裝在核心襯底10的第二表面10b上，所述多個(gè)第二凹口導(dǎo)電圖案314(其中每兩個(gè)形成一組)可提供在核心襯底10上。此處，第二凹口導(dǎo)電圖案314可電連接到核心襯底10上提供的導(dǎo)電圖案。第二凹口導(dǎo)電圖案314可通常由選自由以下各項(xiàng)組成的群組的一者制成：銅、鋁及其等效物，但本發(fā)明的范圍不限于此。另外，第二凹口導(dǎo)電圖案314可進(jìn)一步包含在其末端處形成的焊料。

第二絕緣障壁315與核心襯底10的第二表面10b上的第二凹口導(dǎo)電圖案314隔開，且經(jīng)形成以具有預(yù)定高度以在其中提供第二凹口導(dǎo)電圖案314的區(qū)中形成空間。第二絕緣障壁315經(jīng)形成以包圍核心襯底10的第二表面10b上的第二凹口導(dǎo)電圖案314。也就是說，第二絕緣障壁315經(jīng)配置使得待連接到第二無源元件330的相應(yīng)電極331和332的兩個(gè)第二凹口導(dǎo)電圖案314與核心襯底10的第二表面10b的外側(cè)分隔開。第二絕緣障壁315可由焊料抗蝕劑制成，但本發(fā)明的各方面并不限于此。

第二絕緣層316經(jīng)形成以覆蓋核心襯底10的第二表面10b上的第二絕緣障壁315的外側(cè)。也就是說，第二絕緣層316經(jīng)形成以在核心襯底10的第二表面10b上的第二絕緣障壁315的外側(cè)中完全覆蓋核心襯底10的第二表面10b。第二絕緣層316可經(jīng)形成以具有與第二絕緣障壁315相同的高度。第二絕緣層316可由半固化樹脂或預(yù)浸材料制成，但本發(fā)明的各方面并不限于此。第二絕緣障壁315可防止在形成第二絕緣層316時(shí)半固化狀態(tài)中的第二絕緣層316覆蓋第二凹口導(dǎo)電圖案314。另外，第二絕緣障壁315和第二絕緣層316可交替地重復(fù)形成一次到五次或更多次。雖然本發(fā)明中說明第二絕緣障壁315和第二絕緣層316(其為單一層)，但其可根據(jù)第二無源元件330的高度而由多個(gè)層形成。

襯底310可包含形成于從第一表面310a朝向第二表面310b的方向中的至少一個(gè)第一凹口部分110c，和形成于從第二表面310b到第一表面310a的方向中的至少一個(gè)第二凹口部分310d。也就是說，襯底310可包含提供在核心襯底10的相對側(cè)處的凹口部分。第二凹口部分310d是其中形成第二凹口導(dǎo)電圖案314的區(qū)，且可對應(yīng)于由第二絕緣障壁315形成的內(nèi)部區(qū)。第二凹口部分310d可包含多個(gè)第二凹口部分以在襯底110上安裝多個(gè)第二無源元件330，但本發(fā)明并不限制第二凹口部分310d的數(shù)目。

第二無源元件330安裝在襯底110的第二凹口部分310d中以電連接到提供于襯底310中的第二凹口部分310d中的第二凹口導(dǎo)電圖案314。第二無源元件330可包含第一電極331和第二電極332，且可電連接到第二凹口導(dǎo)電圖案314。第二無源元件330可包含電阻器、電容器、電感器、連接器等等，但本發(fā)明的各方面并不限于此。半導(dǎo)體經(jīng)配置使得第一無源元件120和第二無源元件330插入到第一凹口部分110c和第二凹口部分310d中，借此防止半導(dǎo)體封裝300的總體厚度增加。

參看圖4A到4M，說明循序說明根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝的制造方法的橫截面圖。

如圖4A到4M中所說明，根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝的制造方法可包含：制備襯底410；安裝第一無源元件120以電連接到提供于襯底410的第一凹口部分410c中的第一凹口導(dǎo)電圖案415a；囊封半導(dǎo)體裸片430和第一無源元件120以由囊封劑440覆蓋；以及在襯底410的第二導(dǎo)電圖案418上形成外部導(dǎo)電凸塊450。

圖4A到4I中說明襯底410的制備。襯底410的制備可包含：在載體1上形成晶種層2；使用晶種層2形成第一導(dǎo)電圖案411和虛設(shè)圖案412；形成第一電介質(zhì)層413以覆蓋第一導(dǎo)電圖案411和虛設(shè)圖案412；在第一電介質(zhì)層413上形成第一導(dǎo)電通孔414和第三導(dǎo)電圖案415；形成第二電介質(zhì)層416以覆蓋第一導(dǎo)電通孔414和第三導(dǎo)電圖案415；在第二電介質(zhì)層416上形成第二導(dǎo)電通孔417和第二導(dǎo)電圖案418；使載體1與晶種層2分離；從第一電介質(zhì)層413移除晶種層2；在電介質(zhì)層413和416上形成保護(hù)層419以暴露第一和第二導(dǎo)電圖案411和418；以及從第一電介質(zhì)層413移除虛設(shè)圖案412。雖然在所說明的實(shí)施例中襯底410形成于載體1的一個(gè)表面上，但其可形成于載體1的一個(gè)和另一表面上。

可通過使用形成于載體1的一個(gè)和另一表面上的晶種層2作為開始層來積累層而形成襯底410。也就是說，可使用形成于載體1的一個(gè)和另一表面上的晶種層2作為開始層而形成襯底410。以下描述將聚焦于形成于載體1的一個(gè)表面上的襯底410。然而，根據(jù)本發(fā)明的各個(gè)方面，襯底410還可使用相同制造方法形成于載體1的另一表面上。

下文中，將參看圖4A到4M更詳細(xì)描述半導(dǎo)體封裝400的制造方法。

在圖4A中說明的載體1上形成晶種層2的過程中，由導(dǎo)電材料制成的晶種層2經(jīng)形成以覆蓋板(或晶片或面板)的形狀的載體1的一個(gè)表面。晶種層2可經(jīng)形成以具有均一厚度以便覆蓋載體1的一個(gè)表面。晶種層2可為銅層、鈦層或鈦鎢層，但本發(fā)明的各方面并不限于此。另外，載體1可通常由選自由以下各項(xiàng)組成的群組的一者制成：銅、核心、不銹鋼、玻璃、硅、虛設(shè)晶片、陶瓷、藍(lán)寶石、石英及其等效物，但本發(fā)明的各方面并不限于此。

在使用圖4B中說明的晶種層2形成第一導(dǎo)電圖案411和虛設(shè)圖案412的過程中，掩模圖案(未圖示)經(jīng)形成以部分覆蓋晶種層2，隨后在經(jīng)由掩模圖案暴露于外部的晶種層2上執(zhí)行電鍍，借此形成第一導(dǎo)電圖案411。另外，在形成第一導(dǎo)電圖案411時(shí)，還可通過電鍍晶種層2形成虛設(shè)圖案412。此處，虛設(shè)圖案412可經(jīng)形成以具有比第一導(dǎo)電圖案411大的厚度。隨后，在形成第一導(dǎo)電圖案411和虛設(shè)圖案412之后，移除掩模圖案。第一導(dǎo)電圖案411和虛設(shè)圖案412可由銅(Cu)制成，但本發(fā)明的各方面并不限于此。

在形成第一電介質(zhì)層413以覆蓋圖4C中說明的第一導(dǎo)電圖案411和虛設(shè)圖案412的過程中，可形成第一電介質(zhì)層413，且可進(jìn)一步在第一電介質(zhì)層413上形成第一導(dǎo)電通孔414和第三導(dǎo)電圖案415。第一電介質(zhì)層413可經(jīng)形成以具有足以完全覆蓋形成于晶種層2上的第一導(dǎo)電圖案411和虛設(shè)圖案412的預(yù)定厚度。第一電介質(zhì)層413可電學(xué)上保護(hù)第一導(dǎo)電圖案411和虛設(shè)圖案412。第一電介質(zhì)層413可由選自由以下各項(xiàng)組成的群組的一者制成：預(yù)浸材料、堆積膜、氧化硅層、氮化硅層及其等效物，但本發(fā)明的各方面并不限于此。另外，通孔可經(jīng)形成以在通過第一電介質(zhì)層413時(shí)使第一導(dǎo)電圖案411暴露于外部，可進(jìn)一步形成第一導(dǎo)電通孔414以填充通孔的至少一部分，且接著可進(jìn)一步在第一電介質(zhì)層413上形成第三導(dǎo)電圖案415以電連接到第一導(dǎo)電通孔414。第一導(dǎo)電通孔414在通過第一電介質(zhì)層413時(shí)將形成于第一電介質(zhì)層413的一個(gè)表面上的第一導(dǎo)電圖案411與形成于第一電介質(zhì)層413的另一表面上的第三導(dǎo)電圖案415電連接?？赏ㄟ^形成晶種層414x以完全覆蓋經(jīng)由第一電介質(zhì)層413的通孔和通孔的側(cè)壁暴露于外部的第一導(dǎo)電圖案411且隨后在晶種層414x上執(zhí)行電鍍來形成第一導(dǎo)電通孔414?？赏ㄟ^在第一電介質(zhì)層413上形成晶種層414x且隨后在晶種層414x上執(zhí)行電鍍來形成第三導(dǎo)電圖案415。另外，電連接到第一導(dǎo)電通孔414的第三導(dǎo)電圖案415還可經(jīng)形成以在經(jīng)由電鍍形成第一導(dǎo)電通孔414時(shí)沿著第一電介質(zhì)層413的暴露表面部分延伸。也就是說，晶種層414x可插入在第一導(dǎo)電通孔414與第一電介質(zhì)層413之間以及第三導(dǎo)電圖案415與第一電介質(zhì)層413之間。另外，至少一個(gè)第三導(dǎo)電圖案415形成于虛設(shè)圖案412上。形成于虛設(shè)圖案412上的第三導(dǎo)電圖案415變?yōu)樘峁┯谝r底410的凹口部分中的第一凹口導(dǎo)電圖案415a。

在形成第二電介質(zhì)層416以覆蓋圖4D中說明的第一導(dǎo)電通孔414和第三導(dǎo)電圖案415的過程中，第二電介質(zhì)層416具有足以完全覆蓋第一導(dǎo)電通孔414、第三導(dǎo)電圖案415和第一電介質(zhì)層413的預(yù)定厚度。第二電介質(zhì)層416可電學(xué)上保護(hù)第一導(dǎo)電通孔414和第三導(dǎo)電圖案415。第二電介質(zhì)層416可由選自由以下各項(xiàng)組成的群組的一或多者制成：預(yù)浸材料、堆積膜、氧化硅層、氮化硅層及其等效物，但本發(fā)明的各方面并不限于此。

在形成圖4E中說明的第二導(dǎo)電通孔417和第二導(dǎo)電圖案418的過程中，通孔經(jīng)形成以在通過第二電介質(zhì)層416時(shí)使第三導(dǎo)電圖案415暴露于外部，進(jìn)一步形成第二導(dǎo)電通孔417以填充通孔的至少一部分，且隨后第二導(dǎo)電圖案418形成于第二電介質(zhì)層416上以電連接到第二導(dǎo)電通孔417。第二導(dǎo)電通孔417在通過第二電介質(zhì)層416時(shí)將形成于第二電介質(zhì)層416的一個(gè)表面上的第三導(dǎo)電圖案415與形成于第二電介質(zhì)層416的另一表面上的第二導(dǎo)電圖案418電連接?？赏ㄟ^形成晶種層417x以完全覆蓋經(jīng)由第二電介質(zhì)層416的通孔和通孔的側(cè)壁暴露于外部的第三導(dǎo)電圖案415且隨后在晶種層417x上執(zhí)行電鍍來形成第二導(dǎo)電通孔417。可通過在第二電介質(zhì)層416上形成晶種層417x且隨后在晶種層417x上執(zhí)行電鍍來形成第二導(dǎo)電圖案418。另外，電連接到第二導(dǎo)電通孔417的第二導(dǎo)電圖案418還可經(jīng)形成以在經(jīng)由電鍍形成第二導(dǎo)電通孔417時(shí)沿著第二電介質(zhì)層416的暴露表面部分延伸。也就是說，晶種層417x可插入在第二導(dǎo)電通孔417與第二電介質(zhì)層416之間以及第二導(dǎo)電圖案418與第二電介質(zhì)層416之間。

在使載體1與圖4F中說明的晶種層2分離的過程中，載體1與晶種層2分隔開以將晶種層2暴露于外部。通過一般研磨和/或化學(xué)蝕刻或通過UV或激光釋放移除載體1，但本發(fā)明的各方面并不限于此。

在從圖4G中說明的第一電介質(zhì)層413移除晶種層2的過程中，將與載體1分離的襯底410x翻轉(zhuǎn)，且隨后從第一電介質(zhì)層413移除晶種層2，借此將第一導(dǎo)電圖案411、第一電介質(zhì)層413和虛設(shè)圖案412暴露于外部。暴露于外部的第一電介質(zhì)層413的第一表面413a和第一導(dǎo)電圖案411的第一表面411a可共面定位(或共面)。另外，形成于第二電介質(zhì)層416的第二表面416b上的第二導(dǎo)電圖案418可從襯底410x上的第二電介質(zhì)層416的第二表面416b伸出?？赏ㄟ^一般研磨和/或化學(xué)蝕刻移除晶種層2，但本發(fā)明的各方面并不限于此。

在電介質(zhì)層413和416上形成保護(hù)層419以暴露圖4H中說明的導(dǎo)電圖案411和418的過程中，保護(hù)層419a和419b分別形成于第一電介質(zhì)層413的第一表面413a和第二電介質(zhì)層416的第二表面416b上。保護(hù)層419a和419b經(jīng)形成以將經(jīng)由第一電介質(zhì)層413的第一表面413a暴露的第一導(dǎo)電圖案411和虛設(shè)圖案412和經(jīng)由第二電介質(zhì)層416的第二表面416b暴露的第二導(dǎo)電圖案418暴露于外部。也就是說，保護(hù)層419a和419b分別形成于第一電介質(zhì)層413的第一表面413a和第二電介質(zhì)層416的第二表面416b上，以將第一導(dǎo)電圖案411、虛設(shè)圖案412和第二導(dǎo)電圖案418暴露于外部。保護(hù)層419a和419b可由焊料抗蝕劑制成，但本發(fā)明的各方面并不限于此。

在從圖4I中說明的電介質(zhì)層413移除虛設(shè)圖案412的過程中，移除當(dāng)移除晶種層2時(shí)暴露于外部的虛設(shè)圖案412，借此形成具有第一凹口部分410c的襯底410。第一凹口導(dǎo)電圖案415a在移除虛設(shè)圖案412時(shí)在襯底410的第一凹口部分410c中暴露于外部。第一凹口導(dǎo)電圖案415a可為在圖4C中說明的步驟中形成于虛設(shè)圖案412中的第三導(dǎo)電圖案415?？赏ㄟ^蝕刻移除虛設(shè)圖案412，但本發(fā)明的各方面并不限于此。

在圖4J中說明的襯底410上安裝第一無源元件120的過程中，第一無源元件120安裝在第一凹口部分410c中以電連接到提供于第一凹口部分410c中的第一凹口導(dǎo)電圖案415a。第一無源元件120可包含第一電極121和第二電極122，其電連接到第一凹口導(dǎo)電圖案415a。第一無源元件120可包含電阻器、電容器、電感器、連接器等等，但本發(fā)明的各方面并不限于此。第一無源元件120插入到第一凹口部分410c中，借此防止半導(dǎo)體封裝400的總體厚度增加。

在安裝圖4K中說明的半導(dǎo)體裸片430的過程中，半導(dǎo)體裸片430安裝在襯底410的第一表面410a上以電連接到襯底410的第一導(dǎo)電圖案411。半導(dǎo)體裸片430可安裝在襯底410的第一表面410a上以完全覆蓋第一無源元件120和第一凹口部分410c。半導(dǎo)體裸片430可通過倒裝芯片結(jié)合、溫度壓縮(TC)結(jié)合、溫度壓縮非導(dǎo)電膏(TCNCP)結(jié)合或線結(jié)合而電連接到第一導(dǎo)電圖案411。半導(dǎo)體裸片430具有平面的第一表面430a和平面的且與第一表面430a相對的第二表面430b，且多個(gè)導(dǎo)電凸塊431形成于第二表面410b上。半導(dǎo)體裸片430經(jīng)由所述多個(gè)導(dǎo)電凸塊431電連接到第一導(dǎo)電圖案411。導(dǎo)電凸塊431可包含導(dǎo)電柱、銅柱、導(dǎo)電球、焊球或銅球，但本發(fā)明的各方面并不限于此。另外，多個(gè)結(jié)合墊代替所述多個(gè)導(dǎo)電凸塊431而提供在半導(dǎo)體裸片430的第一表面430a上，且接合墊和第一導(dǎo)電圖案411可經(jīng)由導(dǎo)線(未圖示)電連接。半導(dǎo)體裸片430可包含一般存儲器、圖形處理單元(GPU)、中央處理單元(CPU)及其等效物，但本發(fā)明的各方面并不限于此。

在圖4L中說明的囊封的過程中，使用囊封劑440執(zhí)行囊封以覆蓋襯底410的第一表面410a、半導(dǎo)體裸片430和第一無源元件120。囊封劑440可電學(xué)上保護(hù)襯底410的第一表面410a、第一無源元件120和半導(dǎo)體裸片430免受外部情形的影響。

在形成圖4M中說明的外部導(dǎo)電凸塊450的過程中，形成暴露于襯底410的第二表面410b的第二導(dǎo)電圖案418和外部導(dǎo)電凸塊450。外部導(dǎo)電凸塊450是輸入和/或輸出端子以用以在電子裝置的外部板上安裝半導(dǎo)體封裝400。外部導(dǎo)電凸塊450可包含導(dǎo)電柱、銅柱、導(dǎo)電球、焊球或銅球，但本發(fā)明的各方面并不限于此。

在如此制造的半導(dǎo)體封裝400中，第一無源元件120插入到襯底410的第一凹口部分410c中，借此防止半導(dǎo)體封裝400的總體厚度增加。

參看圖5，說明說明根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝的橫截面圖。

如圖5中所說明，半導(dǎo)體封裝500包含襯底410、第一無源元件120、半導(dǎo)體裸片530、囊封劑440和外部導(dǎo)電凸塊450。襯底410、第一無源元件120、囊封劑440和外部導(dǎo)電凸塊450與圖4M中說明的半導(dǎo)體封裝400的對應(yīng)組件相同。以下描述將聚焦于半導(dǎo)體裸片530，其是圖4M中說明的半導(dǎo)體封裝400的不同特征。

半導(dǎo)體裸片530安裝在襯底410的第一表面410a上以電連接到襯底410的第一導(dǎo)電圖案411。半導(dǎo)體裸片530可形成于襯底410的第一表面410a上以便覆蓋第一無源元件120和第一凹口部分410c。雖然在圖5中兩個(gè)半導(dǎo)體裸片530安裝在襯底410上，但一個(gè)半導(dǎo)體裸片530或一或多個(gè)半導(dǎo)體裸片530可安裝在襯底410上，但本發(fā)明的各方面并不限于此。半導(dǎo)體裸片530可通過倒裝芯片結(jié)合、溫度壓縮(TC)結(jié)合或溫度壓縮非導(dǎo)電膏(TCNCP)結(jié)合安裝在第一導(dǎo)電圖案411上，但本發(fā)明的范圍不限于此。半導(dǎo)體裸片530可包含多個(gè)導(dǎo)電凸塊531。半導(dǎo)體裸片530經(jīng)由所述多個(gè)導(dǎo)電凸塊531電連接到第一導(dǎo)電圖案411。導(dǎo)電凸塊531可包含導(dǎo)電柱、銅柱、導(dǎo)電球、焊球或銅球，但本發(fā)明的各方面并不限于此。半導(dǎo)體裸片530可包含一般存儲器、圖形處理單元(GPU)、中央處理單元(CPU)及其等效物，但本發(fā)明的各方面并不限于此。

參看圖6A到6M，為循序說明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝的制造方法的橫截面圖。

如圖6A到6M中所說明，根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝可包含：制備襯底610；安裝第三無源元件330以電連接到提供于襯底610的第二凹口部分610c中的第二凹口導(dǎo)電圖案615a；安裝半導(dǎo)體裸片430以電連接到襯底610的第一導(dǎo)電圖案611；囊封半導(dǎo)體裸片430以由囊封劑440覆蓋；以及在襯底610的第二導(dǎo)電圖案618上形成外部導(dǎo)電凸塊450。

圖6A到6I中說明襯底610的制備。襯底610的所述制備可包含：使用晶種層2形成第一導(dǎo)電圖案611；形成第一電介質(zhì)層613以覆蓋第一導(dǎo)電圖案611；在第一電介質(zhì)層613上形成第一導(dǎo)電通孔614和第三導(dǎo)電圖案615；在第三導(dǎo)電圖案615上形成虛設(shè)圖案612；形成第二電介質(zhì)層616以覆蓋虛設(shè)圖案612、第一導(dǎo)電通孔614和第三導(dǎo)電圖案615；在第二電介質(zhì)層616上形成第二導(dǎo)電通孔617和第二導(dǎo)電圖案618；使載體1與晶種層2分離；從第一電介質(zhì)層613移除晶種層2；在電介質(zhì)層613和616上形成保護(hù)層619以暴露第一和第二導(dǎo)電圖案611和618；以及從第二電介質(zhì)層616移除虛設(shè)圖案612。

在襯底610的制備的過程中，在圖4A中說明的載體1上形成晶種層2之后，形成圖6A中說明的第一導(dǎo)電圖案611。

雖然說明形成于載體1的一個(gè)表面上的襯底610，但襯底610可形成于載體1的一個(gè)和另一表面兩者上。可通過使用形成于載體1的一個(gè)和另一表面上的晶種層2作為開始層來積累層而形成襯底610。也就是說，可使用形成于載體1的一個(gè)和另一表面上的晶種層2作為開始層來形成襯底610。以下描述將聚焦于形成于載體1的一個(gè)表面上的襯底610。然而，根據(jù)本發(fā)明的各個(gè)方面，襯底610還可使用相同制造方法形成于載體1的另一表面上。

下文中，將參看圖6A到6M更詳細(xì)描述半導(dǎo)體封裝600的制造方法。

在使用圖6A中說明的晶種層2形成第一導(dǎo)電圖案611的過程中，掩模圖案(未圖示)經(jīng)形成以部分覆蓋晶種層2，隨后在經(jīng)由掩模圖案暴露于外部的晶種層2上執(zhí)行電鍍，借此形成具有均一厚度的第一導(dǎo)電圖案611。在形成第一導(dǎo)電圖案611之后，移除掩模圖案。第一導(dǎo)電圖案611可由銅(Cu)制成，但本發(fā)明的各方面并不限于此。

在形成第一電介質(zhì)層613以覆蓋圖6B中說明的第一導(dǎo)電圖案611的過程中，形成第一電介質(zhì)層613，且隨后可進(jìn)一步在第一電介質(zhì)層613上形成第一導(dǎo)電通孔614和第三導(dǎo)電圖案615。第一電介質(zhì)層613經(jīng)形成以具有足以完全覆蓋形成于晶種層2上的第一導(dǎo)電圖案611的預(yù)定厚度。第一電介質(zhì)層613可電學(xué)上保護(hù)第一導(dǎo)電圖案611。第一電介質(zhì)層613可由選自由以下各項(xiàng)組成的群組的一者制成：預(yù)浸材料、堆積膜、氧化硅層、氮化硅層及其等效物，但本發(fā)明的各方面并不限于此。另外，通孔可經(jīng)形成以在通過第一電介質(zhì)層613時(shí)使第一導(dǎo)電圖案611暴露于外部，第一導(dǎo)電通孔614可進(jìn)一步經(jīng)形成以填充通孔的至少一部分，且接著可進(jìn)一步在第一電介質(zhì)層613上形成第三導(dǎo)電圖案615以電連接到第一導(dǎo)電通孔614。第一導(dǎo)電通孔614在通過第一電介質(zhì)層613時(shí)將形成于第一電介質(zhì)層613的一個(gè)表面上的第一導(dǎo)電圖案611與形成于第一電介質(zhì)層613的另一表面上的第三導(dǎo)電圖案615電連接。可通過形成晶種層614x以完全覆蓋經(jīng)由第一電介質(zhì)層613的通孔和通孔的側(cè)壁暴露于外部的第一導(dǎo)電圖案611且隨后在晶種層614x上執(zhí)行電鍍來形成第一導(dǎo)電通孔614。可通過在第一電介質(zhì)層613上形成晶種層614x且隨后在晶種層614x上執(zhí)行電鍍來形成第三導(dǎo)電圖案615。另外，電連接到第一導(dǎo)電通孔614的第三導(dǎo)電圖案615還可經(jīng)形成以在經(jīng)由電鍍形成第一導(dǎo)電通孔614時(shí)沿著第一電介質(zhì)層613的暴露表面部分延伸。也就是說，晶種層614x可插入在第一導(dǎo)電通孔614與第一電介質(zhì)層613之間以及第三導(dǎo)電圖案615與第一電介質(zhì)層613之間。晶種層614x可包圍第一導(dǎo)電圖案611與第一導(dǎo)電通孔614和第一導(dǎo)電通孔614的側(cè)壁之間的區(qū)。

在圖6C中說明的第三導(dǎo)電圖案615上形成虛設(shè)圖案612的過程中，虛設(shè)圖案612經(jīng)形成以覆蓋形成于第一電介質(zhì)層613上的第三導(dǎo)電圖案615中的至少一者。虛設(shè)圖案612可具有預(yù)定高度。另外，虛設(shè)圖案612可形成于第一電介質(zhì)層613上形成的第三導(dǎo)電圖案615當(dāng)中的并不連接到第一導(dǎo)電通孔614的第三導(dǎo)電圖案615上。具有虛設(shè)圖案612的第三導(dǎo)電圖案615變?yōu)樘峁┯谝r底610的凹口部分中的第二凹口導(dǎo)電圖案615a。

在形成第二電介質(zhì)層616以覆蓋圖6D中說明的虛設(shè)圖案612、第一導(dǎo)電通孔614和第三導(dǎo)電圖案615的過程中，具有預(yù)定厚度的第二電介質(zhì)層616經(jīng)形成以覆蓋虛設(shè)圖案612、第一導(dǎo)電通孔614、第三導(dǎo)電圖案615和第一電介質(zhì)層613。此處，虛設(shè)圖案612的第一表面612a經(jīng)由第二電介質(zhì)層616暴露于外部。第二電介質(zhì)層616可電學(xué)上保護(hù)第一導(dǎo)電通孔614和第三導(dǎo)電圖案615。第二電介質(zhì)層616可由選自由以下各項(xiàng)組成的群組的一者制成：預(yù)浸材料、堆積膜、氧化硅層、氮化硅層及其等效物，但本發(fā)明的各方面并不限于此。

在形成圖6E中說明的第二導(dǎo)電通孔617和第二導(dǎo)電圖案618的過程中，通孔經(jīng)形成以在通過第二電介質(zhì)層616時(shí)使第三導(dǎo)電圖案615暴露于外部，第二導(dǎo)電通孔617進(jìn)一步經(jīng)形成以填充通孔的至少一部分，且第二導(dǎo)電圖案618隨后形成于第二電介質(zhì)層616上以電連接到第二導(dǎo)電通孔617?？赏ㄟ^形成晶種層617x以完全覆蓋經(jīng)由第二電介質(zhì)層616的通孔和通孔的側(cè)壁暴露于外部的第三導(dǎo)電圖案615且隨后在晶種層617x上執(zhí)行電鍍來形成第二導(dǎo)電通孔617?？赏ㄟ^在第二電介質(zhì)層616上形成晶種層617x且隨后在晶種層617x上執(zhí)行電鍍來形成第二導(dǎo)電圖案618。另外，電連接到第二導(dǎo)電通孔617的第二導(dǎo)電圖案618還可經(jīng)形成以在經(jīng)由電鍍形成第二導(dǎo)電通孔617時(shí)沿著第二電介質(zhì)層616的暴露表面部分延伸。也就是說，晶種層617x可插入在第二導(dǎo)電通孔617與第二電介質(zhì)層616之間以及第二導(dǎo)電圖案618與第二電介質(zhì)層616之間。

在使載體1與圖6F中說明的晶種層2分離的過程中，載體1與晶種層2分隔開以將晶種層2暴露于外部。通過一般研磨和/或化學(xué)蝕刻或通過UV或激光釋放移除載體1，但本發(fā)明的各方面并不限于此。

在從圖6G中說明的移除晶種層2的過程中，將與載體1分離的襯底610x翻轉(zhuǎn)，且隨后從第一電介質(zhì)層613移除晶種層2，借此將第一導(dǎo)電圖案611、第一電介質(zhì)層613和虛設(shè)圖案612暴露于外部。暴露于外部的第一電介質(zhì)層613的第一表面613a和第一導(dǎo)電圖案611的第一表面611a可共面定位(或共面)。另外，形成于第二電介質(zhì)層616的第二表面616b上的第二導(dǎo)電圖案618可從襯底610x上的第二電介質(zhì)層616的第二表面616b伸出?？赏ㄟ^一般研磨和/或化學(xué)蝕刻移除晶種層2，但本發(fā)明的各方面并不限于此。

在電介質(zhì)層613和616上形成保護(hù)層619以暴露圖6H中說明的導(dǎo)電圖案611和618的過程中，保護(hù)層619a和619b分別形成于第一電介質(zhì)層613的第一表面613a和第二電介質(zhì)層616的第二表面616b上。保護(hù)層619a和619b經(jīng)形成以將經(jīng)由第一電介質(zhì)層613的第一表面613a暴露的第一導(dǎo)電圖案611以及經(jīng)由第二電介質(zhì)層616的第二表面616b暴露的第二導(dǎo)電圖案618和虛設(shè)圖案612暴露于外部。也就是說，保護(hù)層619a和619b分別形成于第一電介質(zhì)層613的第一表面613a和第二電介質(zhì)層616的第二表面616b上，以將第一導(dǎo)電圖案611、虛設(shè)圖案612和第二導(dǎo)電圖案618暴露于外部。保護(hù)層619a和619b可由焊料抗蝕劑制成，但本發(fā)明的各方面并不限于此。

在從圖6I中說明的電介質(zhì)層616移除虛設(shè)圖案612的過程中，移除虛設(shè)圖案612，借此形成具有第二凹口部分610c的襯底610。襯底610的第二凹口導(dǎo)電圖案615a在移除虛設(shè)圖案612時(shí)提供的第二凹口部分610c中暴露于外部。第二凹口導(dǎo)電圖案615a可為具有形成于圖6C中說明的步驟中的虛設(shè)圖案612的第三導(dǎo)電圖案615。虛設(shè)圖案612可通過蝕刻移除，但本發(fā)明的各方面并不限于此。

在圖6J中說明的襯底610上安裝第二無源元件330的過程中，第二無源元件330安裝在第二凹口部分610c中以電連接到提供于第二凹口部分610c中的第二凹口導(dǎo)電圖案615a。第二無源元件330可包含第一電極331和第二電極332且可電連接到第一凹口導(dǎo)電圖案615a。第二無源元件330可包含電阻器、電容器、電感器、連接器等等，但本發(fā)明的各方面并不限于此。第二無源元件330插入到第二凹口部分610c中，借此防止半導(dǎo)體封裝600的總體厚度增加。

在安裝圖6K中說明的半導(dǎo)體裸片430的過程中，半導(dǎo)體裸片430安裝在襯底610的第一表面610a上以電連接到襯底610的第一導(dǎo)電圖案611。圖6K中說明的半導(dǎo)體裸片430的安裝可與圖4K中說明的半導(dǎo)體裸片430的安裝相同。

在圖6L中說明的囊封的過程中，使用囊封劑440執(zhí)行囊封以覆蓋襯底610的第一表面610a和半導(dǎo)體裸片430。囊封劑440可電學(xué)上保護(hù)襯底610的第一表面610a和半導(dǎo)體裸片430免受外部情形的影響。

在形成圖6M中說明的外部導(dǎo)電凸塊450的過程中，外部導(dǎo)電凸塊450經(jīng)形成以電連接到暴露于襯底610的第二表面610b的第二導(dǎo)電圖案618。外部導(dǎo)電凸塊450是輸出襯墊以用以在電子裝置的外部板中安裝半導(dǎo)體封裝600。外部導(dǎo)電凸塊450可包含導(dǎo)電柱、銅柱、導(dǎo)電球、焊球或銅球，但本發(fā)明的各方面并不限于此。

在如此制造的半導(dǎo)體封裝600中，第二無源元件330插入到襯底610的第二凹口部分610c中，借此防止半導(dǎo)體封裝600的總體厚度增加。

參看圖7A到7F，其是循序說明圖6I中說明的襯底的另一制造方法的橫截面圖。

如圖7A到7F中所說明，襯底610的制備可包含：形成第二電介質(zhì)層616以覆蓋第一導(dǎo)電通孔614和第三導(dǎo)電圖案615；在第二電介質(zhì)層616上形成第二導(dǎo)電通孔617和第二導(dǎo)電圖案618；使載體1與晶種層2分離；從第一電介質(zhì)層613移除晶種層2；在電介質(zhì)層613和616上形成保護(hù)層以暴露第一和第二導(dǎo)電圖案611和618；以及在第二電介質(zhì)層616上形成第二凹口部分610c。通過以下操作執(zhí)行襯底610的制備：在圖4A、6A或6B中說明的載體1上形成晶種層2；使用晶種層2形成第一導(dǎo)電圖案611；形成第一電介質(zhì)層613以覆蓋第一導(dǎo)電圖案611且在第一電介質(zhì)層613上形成第一導(dǎo)電通孔614和第三導(dǎo)電圖案615；以及形成圖7A中說明的第二電介質(zhì)層616。

在形成第二電介質(zhì)層616以覆蓋圖7A中說明的第一導(dǎo)電通孔614和第三導(dǎo)電圖案615的過程中，形成具有預(yù)定厚度的第二電介質(zhì)層616以覆蓋第一導(dǎo)電通孔614、第三導(dǎo)電圖案615和第一電介質(zhì)層613。第二電介質(zhì)層616可電學(xué)上保護(hù)第一導(dǎo)電通孔614和第三導(dǎo)電圖案615。第二電介質(zhì)層616可由選自由以下各項(xiàng)組成的群組的一者制成：預(yù)浸材料、堆積膜、氧化硅層、氮化硅層及其等效物，但本發(fā)明的各方面并不限于此。

在形成圖7B中說明的第二導(dǎo)電通孔617和第二導(dǎo)電圖案618的過程中，通孔可經(jīng)形成以在通過第二電介質(zhì)層616時(shí)使第三導(dǎo)電圖案615暴露于外部，第二導(dǎo)電通孔617可進(jìn)一步經(jīng)形成以填充通孔的至少一部分，且第二導(dǎo)電圖案618接著可進(jìn)一步形成于第二電介質(zhì)層616上以電連接到第二導(dǎo)電通孔617。圖7B中說明的第二導(dǎo)電通孔617和第二導(dǎo)電圖案618的形成與圖6E中說明的第二導(dǎo)電通孔617和第二導(dǎo)電圖案618的形成相同。

在從圖7C中說明的晶種層2移除載體1的過程中，從晶種層2移除載體1以使晶種層2暴露于外部。圖7C中說明的載體1的移除與圖6F中說明的載體1的移除相同。

在從圖7D中說明的第一電介質(zhì)層613移除晶種層2的過程中，將與載體1分離的襯底610x翻轉(zhuǎn)，且隨后從第一電介質(zhì)層613移除晶種層2，借此暴露第一導(dǎo)電圖案611和第一電介質(zhì)層613。圖7D中說明的晶種層2的移除與圖6G中說明的晶種層2的移除相同。

在電介質(zhì)層613和616上形成保護(hù)層619以暴露圖7E中說明的導(dǎo)電圖案611和618的過程中，保護(hù)層619a和619b分別形成于第一電介質(zhì)層613的第一表面613a和第二電介質(zhì)層616的第二表面616b上。圖7E中說明的保護(hù)層619的形成與圖6H中說明的保護(hù)層619的形成相同。

在圖7F中說明的第二電介質(zhì)層616上形成第二凹口部分610c的過程中，來自襯底610的具有預(yù)定深度的第二凹口部分610c形成于第二電介質(zhì)層616上?？赏ㄟ^移除第二電介質(zhì)層616的具有預(yù)定高度的區(qū)來形成第二凹口部分610c?？赏ㄟ^光刻和/或激光形成第二凹口部分610c，但本發(fā)明的各方面并不限于此。襯底610具有第二凹口部分610c，作為在從第二表面610b朝向第一表面610a的方向上具有預(yù)定深度的凹口。襯底610的第二凹口部分610c使第三導(dǎo)電墊623中的至少一者在第二凹口部分610c中暴露于外部。另外，經(jīng)由第二凹口部分610c暴露于外部的第三導(dǎo)電墊623可為第二凹口導(dǎo)電圖案615a。也就是說，第二凹口導(dǎo)電圖案615a在第二凹口部分610c中暴露于外部。

本文中的論述包含展示電子封裝組合件的各個(gè)部分及其制造方法的眾多說明性圖。為了清楚地說明，這些圖并未展示每一實(shí)例組合件的所有方面。本文中提供的任何實(shí)例組合件和/或方法可以與本文中提供的任何或所有其它組合件和/或方法共享任何或所有特性。

綜上所述，本發(fā)明的各個(gè)方面提供一種半導(dǎo)體封裝和一種制造半導(dǎo)體封裝的方法。作為非限制性實(shí)例，本發(fā)明的各個(gè)方面提供一種半導(dǎo)體封裝及其制造方法，所述半導(dǎo)體封裝包括：襯底，其具有第一表面和與所述第一表面相對的第二表面，且包括形成于從所述第一表面朝向所述第二表面的方向中的至少一個(gè)第一凹口部分、形成于所述第一凹口部分中的多個(gè)第一凹口導(dǎo)電圖案；以及第一無源元件，其插入到所述襯底的所述第一凹口部分中且具有電連接到所述多個(gè)第一凹口導(dǎo)電圖案的第一電極和第二電極。雖然已經(jīng)參考某些方面和實(shí)例描述了以上內(nèi)容，但是所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)理解，在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下，可以進(jìn)行各種修改并可以替代等效物。另外，在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下，可以進(jìn)行許多修改以使特定情況或材料適應(yīng)本發(fā)明的教示。因此，希望本發(fā)明不限于所揭示的特定實(shí)例，而是本發(fā)明將包含落入所附權(quán)利要求書的范圍內(nèi)的所有實(shí)例。