1.一種半導(dǎo)體封裝，其包括：
襯底，其包括：
第一襯底表面；
第二襯底表面，其與所述第一襯底表面相對(duì)；
至少一個(gè)第一凹口部分，其在所述第一襯底表面中且朝向所述第二襯底表面延伸；以及
多個(gè)第一凹口導(dǎo)電圖案，其在所述第一凹口部分中；以及
第一無(wú)源元件，其定位在所述襯底的所述第一凹口部分中且包括第一電極和第二電極，所述第一電極和所述第二電極各自電連接到所述多個(gè)第一凹口導(dǎo)電圖案的相應(yīng)圖案。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述襯底包括所述多個(gè)第一凹口導(dǎo)電圖案的每一圖案上的相應(yīng)導(dǎo)電層，且所述第一無(wú)源元件的所述第一電極和所述第二電極中的每一者經(jīng)由所述相應(yīng)導(dǎo)電層電連接到所述多個(gè)第一凹口導(dǎo)電圖案的所述相應(yīng)圖案。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述襯底包括：
第一絕緣障壁，其包圍所述第一凹口部分；以及
第一絕緣層，其填充所述第一絕緣障壁外部的區(qū)且覆蓋所述第一襯底表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述襯底包括：
至少一個(gè)第二凹口部分，其在所述第二襯底表面中且朝向所述第一襯底表面延伸；以及
多個(gè)第二凹口導(dǎo)電圖案，其形成于所述第二凹口部分中。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體封裝，其進(jìn)一步包括定位在所述襯底的所述第二凹口部分中且包括第一和第二電極的第二無(wú)源元件，所述第二無(wú)源元件的所述第一和第二電極各自電連接到所述多個(gè)第二凹口導(dǎo)電圖案的相應(yīng)圖案。
6.一種半導(dǎo)體封裝，其包括：
襯底，其包括：
第一襯底表面；
第二襯底表面，其與所述第一襯底表面相對(duì)；
凹口部分，其在所述第一襯底表面中且朝向所述第二襯底表面延伸；
多個(gè)凹口導(dǎo)電圖案，其在所述凹口部分中；
電介質(zhì)層，其具有第一電介質(zhì)表面和第二電介質(zhì)表面，其中所述凹口部分從所述第一電介質(zhì)表面延伸到所述第二電介質(zhì)表面；
第一導(dǎo)電圖案，其在所述第一電介質(zhì)表面處；
第二導(dǎo)電圖案，其在所述第二電介質(zhì)表面處；以及
導(dǎo)電通孔，其穿過(guò)所述電介質(zhì)層且電連接所述第一導(dǎo)電圖案和所述第二導(dǎo)電圖案；以及
第一無(wú)源元件，其定位在所述襯底的所述凹口部分中且包括第一電極和第二電極，所述第一電極和所述第二電極各自電連接到所述多個(gè)凹口導(dǎo)電圖案的相應(yīng)圖案。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述襯底包括在所述導(dǎo)電通孔與所述第一導(dǎo)電圖案之間且在所述導(dǎo)電通孔的側(cè)表面上的晶種層。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述第一電介質(zhì)表面與所述第一導(dǎo)電圖案的表面共面。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述第二導(dǎo)電圖案相對(duì)于所述第二電介質(zhì)表面突出。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體封裝，其包括安裝在所述第一電介質(zhì)表面上且連接到所述第一導(dǎo)電圖案的半導(dǎo)體裸片。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述半導(dǎo)體裸片覆蓋所述凹口部分。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝，其中半導(dǎo)體裸片的任何部分都不覆蓋所述凹口部分。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝，其包括覆蓋所述無(wú)源元件、所述半導(dǎo)體裸片和所述第一襯底表面的囊封劑。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝，其包括連接到所述第二導(dǎo)電圖案的外部導(dǎo)電凸塊。
15.一種半導(dǎo)體封裝，其包括：
襯底，其包括：
第一襯底表面；
第二襯底表面，其與所述第一襯底表面相對(duì)；
凹口部分，其在所述第二襯底表面中且朝向所述第一襯底表面延伸；
多個(gè)凹口導(dǎo)電圖案，其在所述凹口部分中；
電介質(zhì)層，其具有第一電介質(zhì)層表面和第二電介質(zhì)層表面，其中所述凹口部分從所述第二電介質(zhì)表面延伸到第一電介質(zhì)表面；
第一導(dǎo)電圖案，其在所述電介質(zhì)層的所述第一表面處；
第二導(dǎo)電圖案，其在所述電介質(zhì)層的所述第二表面處；以及
導(dǎo)電通孔，其穿過(guò)所述電介質(zhì)層且電連接所述第一導(dǎo)電圖案和所述第二導(dǎo)電圖案；以及
無(wú)源元件，其定位在所述襯底的所述第一凹口部分中且包括第一電極和第二電極，所述第一電極和所述第二電極各自電連接到所述多個(gè)第一凹口導(dǎo)電圖案的相應(yīng)圖案。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述襯底包括在所述導(dǎo)電通孔與所述第一導(dǎo)電圖案之間且在所述導(dǎo)電通孔的側(cè)表面上的晶種層。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述第二導(dǎo)電圖案相對(duì)于所述電介質(zhì)層的所述第二表面突出，且所述電介質(zhì)層的所述第一表面與所述第一導(dǎo)電圖案的第一表面共面。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體封裝，其包括安裝在所述電介質(zhì)層的所述第一表面上且連接到所述第一導(dǎo)電圖案的半導(dǎo)體裸片。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體封裝，其包括完全覆蓋所述半導(dǎo)體裸片和所述第一襯底表面的囊封劑。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體封裝，其包括連接到所述第二導(dǎo)電圖案的外部導(dǎo)電凸塊。