1.一種石墨烯/銀量子點(diǎn)/氮化鎵雙向發(fā)光二極管，其特征在于，自下而上依次有藍(lán)寶石襯底層或硅襯底層(1)、p型的氮化鎵層(2)、銀量子點(diǎn)層(4)、石墨烯層(5)，在氮化鎵層(2)上還設(shè)有側(cè)面電極(3)，在石墨烯層(5)上設(shè)有正面電極(6)，所述的氮化鎵層為p型多晶材料，厚度為2～10μm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的石墨烯/銀量子點(diǎn)/氮化鎵雙向發(fā)光二極管，其特征在于，所述的銀量子點(diǎn)的直徑為5～100nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的石墨烯/銀量子點(diǎn)/氮化鎵雙向發(fā)光二極管，其特征在于，所述的正面電極為金、鈀、銀、鈦、鉻、鎳的一種或者幾種的復(fù)合電極。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的石墨烯/銀量子點(diǎn)/氮化鎵雙向發(fā)光二極管，其特征在于，所述的側(cè)面電極為鎳金電極。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的石墨烯/銀量子點(diǎn)/氮化鎵雙向發(fā)光二極管，其特征在于，所述的石墨烯的厚度為1-5層。
6.制備如權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的石墨烯/銀量子點(diǎn)/氮化鎵雙向發(fā)光二極管的方法，其特征在于，該方法包括如下步驟：
1)在藍(lán)寶石或硅襯底上用金屬化學(xué)氣相沉積法生長P型氮化鎵外延層；
2)在步驟1)所得氮化鎵片上用電子束蒸發(fā)鍍膜方法沉積側(cè)面電極，并預(yù)留面積；
3)將步驟2)所得氮化鎵片進(jìn)行表面清洗并干燥表面；
4)將銀量子點(diǎn)旋涂至步驟3)處理后的氮化鎵片的預(yù)留面積處；
5)將石墨烯轉(zhuǎn)移至步驟4)制備的銀量子點(diǎn)層上；
6)在石墨烯上制作正面電極。