本發(fā)明涉及LED芯片制作技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種高壓LED芯片深刻蝕工藝。

背景技術(shù)：

當(dāng)前基于氮化鎵基發(fā)光二極管(LED)的半導(dǎo)體技術(shù)已經(jīng)滲透到社會生活的諸多方面，其節(jié)能、環(huán)保的綠色發(fā)展理念在顯示、照明領(lǐng)域的優(yōu)勢更加顯著。傳統(tǒng)LED芯片是在大電流低壓下工作，為提升使用電壓，一般采用集成封裝結(jié)構(gòu)，即多顆芯片串并聯(lián)。高壓芯片是通過將若干芯片集成到一顆芯片上，相比傳統(tǒng)芯片此類芯片發(fā)光效率較高，產(chǎn)品的光學(xué)表現(xiàn)性會更好。但由于是多顆小功率LED串聯(lián)，彼此之間需要進(jìn)行深刻蝕以求絕緣性能好，為了杜絕漏電現(xiàn)象影響產(chǎn)品電性，對深刻蝕的工藝提出了較高的要求，本發(fā)明專利提供了一種新的深刻蝕處理工藝，重點解決高壓LED芯片在深刻蝕后易導(dǎo)致芯片漏電等問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明所解決的技術(shù)問題在于提供一種高壓LED芯片深刻蝕工藝，以解決由于LED高壓芯片是多顆小功率LED串聯(lián)形成的一種集成芯片，在多顆小LED芯片間需要進(jìn)行深刻蝕，并且兩電極橋接處需要用P-SiO₂進(jìn)行絕緣，如果氧化硅沉積在凹凸不平的接觸面上，在濕法腐蝕P-SiO₂時由于化學(xué)溶液的鉆蝕，會使得P硅圖形不完整進(jìn)而未起到很好的絕緣作用，鍍上金屬電極后容易發(fā)生漏電。為了通過高溫腐蝕，對刻蝕走道以及側(cè)壁進(jìn)行化學(xué)濕法修飾，使得刻蝕走道與側(cè)壁進(jìn)一步平整的問題。

本發(fā)明所解決的技術(shù)問題采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)：一種高壓LED芯片深刻蝕工藝，包括以下步驟：

(1)選取外延片，首先進(jìn)行MESA制程，制作出所需要的圖形；

(2)進(jìn)行掩膜SiO₂層的沉積，同時對非腐蝕區(qū)域進(jìn)行保護(hù)，然后CUT黃光制程；

(3)浸泡BOE溶液，在室溫條件下濕法蝕刻待刻蝕走道的掩膜硅，再進(jìn)行ICP干法刻蝕；

(4)去除光刻膠，之后在進(jìn)行180℃下浸泡自制襯底腐蝕液下腐蝕3～5min對刻蝕走道以及側(cè)壁進(jìn)行化學(xué)濕法修飾；

(5)高溫腐蝕結(jié)束后沖水洗凈，再于室溫條件下再浸泡BOE溶液去除掩膜硅清洗甩干；

(6)掩膜硅去除后，再進(jìn)行后續(xù)的P硅、ITO、PN、鈍化硅光刻，金屬熔合后完成點測。

所述步驟(2)中進(jìn)行掩膜SiO₂層的沉積掩膜SiO₂層的厚度

所述步驟(3)中BOE溶液體積比H₂SO₄:H₃PO₄＝1:3。

所述步驟(4)中自制襯底腐蝕液體積比HF:NH₄F＝1:6。

與已公開技術(shù)相比，本發(fā)明存在以下優(yōu)點：本發(fā)明使芯片刻蝕走道與側(cè)壁平整度明顯提高，界面比較平整。通過該驗證方法，可以減少HV芯片產(chǎn)品的漏電風(fēng)險，提高HV芯片產(chǎn)品的電性品位。

附圖說明

圖1為普通干法深刻蝕后未做處理時高壓LED芯片。

圖2為使用本發(fā)明處理后的高壓LED芯片。

具體實施方式

為了使本發(fā)明的技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、工作流程、使用方法達(dá)成目的與功效易于明白了解，下面將結(jié)合本發(fā)明實施例，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

實施例1

一種高壓LED芯片深刻蝕工藝，包括以下步驟：

(1)選取外延片，首先進(jìn)行MESA制程，制作出所需要的圖形；

(2)進(jìn)行掩膜SiO₂層的沉積，同時對非腐蝕區(qū)域進(jìn)行保護(hù)，然后CUT黃光制程；沉積掩膜SiO₂層的厚度

(3)浸泡BOE溶液，在室溫條件下濕法蝕刻待刻蝕走道的掩膜硅，再進(jìn)行ICP干法刻蝕；BOE溶液體積比H₂SO₄:H₃PO₄＝1:3。

(4)去除光刻膠，之后在進(jìn)行180℃下浸泡自制襯底腐蝕液下腐蝕3～5min對刻蝕走道以及側(cè)壁進(jìn)行化學(xué)濕法修飾；自制襯底腐蝕液體積比HF:NH₄F＝1:6。

(5)高溫腐蝕結(jié)束后沖水洗凈，再于室溫條件下再浸泡BOE溶液去除掩膜硅清洗甩干；

(6)掩膜硅去除后，再進(jìn)行后續(xù)的P硅、ITO、PN、鈍化硅光刻，金屬熔合后完成點測。

以上顯示和描述了本發(fā)明的基本原理、主要特征及本發(fā)明的優(yōu)點。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本發(fā)明不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的只是說明本發(fā)明的原理，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下，本發(fā)明還會有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本發(fā)明范圍內(nèi)。本發(fā)明的要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書及其等效物界定。