本發(fā)明涉及半導體發(fā)光二極管(LED)技術領域，具體涉及一種檢測LED封裝的方法。
背景技術：
LED(Light Emitting Diode)是一種固態(tài)半導體器件，可將電能轉(zhuǎn)換為光能。具有耗電量小、聚光效果好、反應速度快、可控性強、能承受高沖擊力、使用壽命長、環(huán)保等優(yōu)點。LED正逐步替代傳統(tǒng)光源，成為第四代光源。
對于LED光源，封裝支架或基板對光源的可靠性影響較大。一般的，支架廠商會在支架或基板功能區(qū)設置鍍層。鍍層，能增加芯片與支架的連接強度，減少光損失，增加出光亮度，抗腐蝕等功能。當前，絕大多數(shù)的LED光源采用的支架或基板功能區(qū)的鍍層都是銀或銀鎳合金。
伴隨著LED支架鍍層的廣泛應用，LED光源的變色失效問題也突顯出來。鍍層的硫化、氯化和溴化問題就首當其沖。所謂的硫化是支架或基板鍍層里面的銀與接觸到的硫發(fā)生反應形成硫化銀的過程，同理，氯化就是銀反應成了氯化銀，溴化就是銀反應成了溴化銀。含銀的鍍層是發(fā)生硫化、氯化或溴化的最主要的因素。光源功能區(qū)變色失效，反射率變低造成光通量下降，使LED光源的發(fā)光效率變低，同時出現(xiàn)色溫漂移。功能區(qū)的銀層變成銀化合物后，金球與功能區(qū)的接觸力下降，易死燈，降低了產(chǎn)品的可靠性和使用壽命，甚至直接出現(xiàn)死燈，因此在LED支架鍍層過程中，需要減少硫化成分。
另外由于LED器件裝配工藝中，表面組裝已經(jīng)取得了飛速發(fā)展，而LED器件變得越來越小、集成化程度越來越高、工藝設備越來越先進。如何更好地使用表面組裝技術改進電子元器件表面組裝工藝的質(zhì)量，在現(xiàn)今這個競爭越來越激烈的行業(yè)中變得越來越重要，在LED封裝過程中會碰到各種各樣的焊接缺陷。
技術實現(xiàn)要素：
本發(fā)明針對現(xiàn)有中LED支架缺乏封裝前的含硫檢測和焊接缺陷而提供了一種檢測LED封裝的方法，能夠?qū)崿F(xiàn)LED支架的含硫檢測及避免后續(xù)焊接過程中的硫化現(xiàn)象，及較好解決封裝過程中的焊接過程。
本發(fā)明提供了一種檢測LED封裝的方法，包括：
檢測LED封裝箱體中的醒膠的溫度達到22℃-26℃之間，且整個醒膠的時間達到22分鐘-35分鐘時，將醒膠后的絕緣膠放入到固晶機的膠盤中進行攪拌；
將晶片膜放入到LED子母環(huán)中，接著將放入晶片膜的LED子母環(huán)放入到擴晶機中進行擴晶，形成晶片；
對LED支架進行壓縮空氣除塵，并進行硫化檢測，在檢測LED支架硫化值低于閾值時，將支架和晶片放入固晶機夾具中，調(diào)節(jié)固晶位置與膠量進行固晶，然后對固晶膠進行烘烤，烘烤的溫度為120℃-130℃，烘烤的時間為80分鐘-130分鐘；
選用金屬含量的質(zhì)量比為90％～93％，體積比為50％-55％的焊膏作為焊線焊接在芯片電極上，按照支架鍍銀區(qū)域焊盤制作模板，所述模板的開孔尺度在支架鍍銀區(qū)域焊盤尺寸10％以內(nèi)；
將熒光粉與硅膠按1:3-1:5的比例進行混合形成熒光粉膠，通過點膠機將熒光粉膠點到焊線后的芯片表面，形成LED；
將LED放入到烘箱中對熒光粉膠進行烘烤固化，烘箱的溫度為35℃-45℃，烘烤的時間為180小時-190小時；或者烘箱的溫度為115℃-125℃，烘烤的時間為20小時-25小時；
將固化后的LED在真空室中進行密封保存，真空室的溫度為10-18℃，真空室的濕度為30-60％。
在對LED支架進行壓縮空氣除塵，并進行硫化檢測，在檢測LED支架硫化值低于閾值后，還對LED支架進行預熱，預熱后的溫度值為71℃-85℃。
所述將熒光粉與硅膠按1:3-1:5的比例進行混合形成熒光粉膠包括：進行抽真空處理。
所述進行抽真空處理中包括：
檢測真空值，在檢測到真空值低于0.09Mpa以下時，停止抽真空處理。
所述將固化后的LED在真空室中進行密封保存，真空室的溫度為10-18℃，真空室的濕度為30-60％包括：對真空室進行靜電管理，通過使用靜電電壓表對真空室靜電水平定期進行評估和監(jiān)測。
通過實施本發(fā)明，實現(xiàn)對醒膠過程中的溫度檢測過程，保障醒膠材質(zhì)成型，在進行LED支架固晶過程中，實現(xiàn)硫化檢測，保障到合格的LED支架在LED中進行封裝，也避免后續(xù)硫化失效，以及在焊接過程中的硫化現(xiàn)象。通過焊膏作為焊線焊接在芯片電極上，可以較好配合模板開孔的方式實現(xiàn)焊接的精準操作過程，優(yōu)化了整個LED封裝焊線封裝精度，避免傳統(tǒng)焊線連接的不精準性。在進行固化的過程中，采用兩種模式進行固化，可以較好實現(xiàn)各種產(chǎn)品間的固化原理，也會避免焊線產(chǎn)生錫焊珠現(xiàn)象，起到LED產(chǎn)品封裝的穩(wěn)定性。LED支架在固晶前進行預熱，有助于固晶時膠量的流動和氣泡溢出，熒光粉與硅膠配膠攪拌過程中進行抽真空處理，可以減少熒光粉沉淀，整個實施過程中采用靜電管理，可以避免在偶然的情況下發(fā)生放電，產(chǎn)生的熱量使PN結(jié)兩極之間介質(zhì)局部熔融造成短路或漏電，LED過早失效的問題。
附圖說明
為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。
圖1是本發(fā)明實施例中的檢測LED封裝的方法流程圖。
具體實施方式
下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
圖1示出了本發(fā)明實施例中的檢測LED封裝的方法流程圖，其具體步驟包括如下：
S101、檢測LED封裝箱體中的醒膠的溫度達到22℃-26℃之間，且整個醒膠的時間達到22分鐘-35分鐘時，將醒膠后的絕緣膠放入到固晶機的膠盤中進行攪拌；
S102、將晶片膜放入到LED子母環(huán)中，接著將放入晶片膜的LED子母環(huán)放入到擴晶機中進行擴晶，形成晶片；
S103、對LED支架進行壓縮空氣除塵，并進行硫化檢測，在檢測LED支架硫化值低于閾值時，將支架和晶片放入固晶機夾具中，調(diào)節(jié)固晶位置與膠量進行固晶，然后對固晶膠進行烘烤，烘烤的溫度為120℃-130℃，烘烤的時間為80分鐘-130分鐘；
具體實施過程中，在對LED支架進行壓縮空氣除塵，并進行硫化檢測，在檢測LED支架硫化值低于閾值后，還對LED支架進行預熱，預熱后的溫度值為71℃-85℃。
S104、選用金屬含量的質(zhì)量比為90％～93％，體積比為50％-55％的焊膏作為焊線焊接在芯片電極上，按照支架鍍銀區(qū)域焊盤制作模板，所述模板的開孔尺度在支架鍍銀區(qū)域焊盤尺寸10％以內(nèi)；
S105、將熒光粉與硅膠按1:3-1:5的比例進行混合形成熒光粉膠，通過點膠機將熒光粉膠點到焊線后的芯片表面，形成LED；
具體實施過程中，進行抽真空處理，并檢測真空值，在檢測到真空值低于0.09Mpa以下時，停止抽真空處理。
S106、將LED放入到烘箱中對熒光粉膠進行烘烤固化，烘箱的溫度為35℃-45℃，烘烤的時間為180小時-190小時；或者烘箱的溫度為115℃-125℃，烘烤的時間為20小時-25小時；
S107、將固化后的LED在真空室中進行密封保存，真空室的溫度為10-18℃，真空室的濕度為30-60％。
該步驟中，還對真空室進行靜電管理，通過使用靜電電壓表對真空室靜電水平定期進行評估和監(jiān)測。
具體實施例1：檢測LED封裝箱體中的醒膠的溫度達到23℃左右，且整個醒膠的時間達到25分鐘時，將醒膠后的絕緣膠放入到固晶機的膠盤中進行攪拌。將晶片膜放入到LED子母環(huán)中，接著將放入晶片膜的LED子母環(huán)放入到擴晶機中進行擴晶，形成晶片。對LED支架進行壓縮空氣除塵，并進行硫化檢測，在檢測LED支架硫化值低于閾值時，對LED支架進行預熱，等預熱后的溫度值為75℃左右時，再將支架和晶片放入固晶機夾具中，調(diào)節(jié)固晶位置與膠量進行固晶，然后對固晶膠進行烘烤，烘烤的溫度為122℃左右，烘烤的時間為120分鐘左右。選用金屬含量的質(zhì)量比為91％，體積比為51％的焊膏作為焊線焊接在芯片電極上，按照支架鍍銀區(qū)域焊盤制作模板，該模板的開孔尺度在支架鍍銀區(qū)域焊盤尺寸9％。將熒光粉與硅膠按1:3的比例進行混合形成熒光粉膠，通過點膠機將熒光粉膠點到焊線后的芯片表面，形成LED，在此過程中，進行抽真空處理，并檢測真空值，在檢測到真空值達到0.09Mpa以下時，停止抽真空處理。將LED放入到烘箱中對熒光粉膠進行烘烤固化，烘箱的溫度為120℃，烘烤的時間為22小時。將固化后的LED在真空室中進行密封保存，真空室的溫度為15℃，真空室的濕度為35％，此過程還需要對真空室進行靜電管理，通過使用靜電電壓表對真空室靜電水平定期進行評估和監(jiān)測。
具體實施例2：檢測LED封裝箱體中的醒膠的溫度達到25℃左右，且整個醒膠的時間達到30分鐘時，將醒膠后的絕緣膠放入到固晶機的膠盤中進行攪拌。將晶片膜放入到LED子母環(huán)中，接著將放入晶片膜的LED子母環(huán)放入到擴晶機中進行擴晶，形成晶片。對LED支架進行壓縮空氣除塵，并進行硫化檢測，在檢測LED支架硫化值低于閾值時，對LED支架進行預熱，等預熱后的溫度值為80℃左右時，再將支架和晶片放入固晶機夾具中，調(diào)節(jié)固晶位置與膠量進行固晶，然后對固晶膠進行烘烤，烘烤的溫度為125℃左右，烘烤的時間為100分鐘左右。選用金屬含量的質(zhì)量比為93％，體積比為55％的焊膏作為焊線焊接在芯片電極上，按照支架鍍銀區(qū)域焊盤制作模板，該模板的開孔尺度在支架鍍銀區(qū)域焊盤尺寸10％。將熒光粉與硅膠按1:5的比例進行混合形成熒光粉膠，通過點膠機將熒光粉膠點到焊線后的芯片表面，形成LED，在此過程中，進行抽真空處理，并檢測真空值，在檢測到真空值達到0.05Mpa以下時，停止抽真空處理。將LED放入到烘箱中對熒光粉膠進行烘烤固化，烘箱的溫度為40℃，烘烤的時間為185小時。將固化后的LED在真空室中進行密封保存，真空室的溫度為12℃，真空室的濕度為50％，此過程還需要對真空室進行靜電管理，通過使用靜電電壓表對真空室靜電水平定期進行評估和監(jiān)測。
具體實施例3：檢測LED封裝箱體中的醒膠的溫度達到26℃左右，且整個醒膠的時間達到35分鐘時，將醒膠后的絕緣膠放入到固晶機的膠盤中進行攪拌。將晶片膜放入到LED子母環(huán)中，接著將放入晶片膜的LED子母環(huán)放入到擴晶機中進行擴晶，形成晶片。對LED支架進行壓縮空氣除塵，并進行硫化檢測，在檢測LED支架硫化值低于閾值時，對LED支架進行預熱，等預熱后的溫度值為85℃左右時，再將支架和晶片放入固晶機夾具中，調(diào)節(jié)固晶位置與膠量進行固晶，然后對固晶膠進行烘烤，烘烤的溫度為125℃左右，烘烤的時間為130分鐘左右。選用金屬含量的質(zhì)量比為90％，體積比為50％的焊膏作為焊線焊接在芯片電極上，按照支架鍍銀區(qū)域焊盤制作模板，該模板的開孔尺度在支架鍍銀區(qū)域焊盤尺寸8％。將熒光粉與硅膠按1:3的比例進行混合形成熒光粉膠，通過點膠機將熒光粉膠點到焊線后的芯片表面，形成LED，在此過程中，進行抽真空處理，并檢測真空值，在檢測到真空值達到0.07Mpa以下時，停止抽真空處理。將LED放入到烘箱中對熒光粉膠進行烘烤固化，烘箱的溫度為45℃，烘烤的時間為180小時。將固化后的LED在真空室中進行密封保存，真空室的溫度為18℃，真空室的濕度為60％，此過程還需要對真空室進行靜電管理，通過使用靜電電壓表對真空室靜電水平定期進行評估和監(jiān)測。
綜上，本發(fā)明實施例實現(xiàn)對醒膠過程中的溫度檢測過程，保障醒膠材質(zhì)成型，在進行LED支架固晶過程中，實現(xiàn)硫化檢測，保障到合格的LED支架在LED中進行封裝，也避免后續(xù)硫化失效，以及在焊接過程中的硫化現(xiàn)象。通過焊膏作為焊線焊接在芯片電極上，可以較好配合模板開孔的方式實現(xiàn)焊接的精準操作過程，優(yōu)化了整個LED封裝焊線封裝精度，避免傳統(tǒng)焊線連接的不精準性。在進行固化的過程中，采用兩種模式進行固化，可以較好實現(xiàn)各種產(chǎn)品間的固化原理，也會避免焊線產(chǎn)生錫焊珠現(xiàn)象，起到LED產(chǎn)品封裝的穩(wěn)定性。LED支架在固晶前進行預熱，有助于固晶時膠量的流動和氣泡溢出，熒光粉與硅膠配膠攪拌過程中進行抽真空處理，可以減少熒光粉沉淀，整個實施過程中采用靜電管理，可以避免在偶然的情況下發(fā)生放電，產(chǎn)生的熱量使PN結(jié)兩極之間介質(zhì)局部熔融造成短路或漏電，LED過早失效的問題。
以上對本發(fā)明實施例所提供的檢測LED封裝的方法進行了詳細介紹，本文中應用了具體個例對本發(fā)明的原理及實施方式進行了闡述，以上實施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時，對于本領域的一般技術人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在具體實施方式及應用范圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應理解為對本發(fā)明的限制。