晶片封裝體及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明關(guān)于一種封裝體及其制造方法，且特別是有關(guān)于一種晶片封裝體及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在各項(xiàng)電子產(chǎn)品要求多功能且外型尚須輕薄短小的需求之下，各項(xiàng)電子產(chǎn)品所對(duì)應(yīng)的半導(dǎo)體晶片，不僅其尺寸微縮化，其中的布線密度亦隨之提升，因此后續(xù)在制造半導(dǎo)體晶片封裝體的挑戰(zhàn)亦漸趨嚴(yán)峻。其中，晶圓級(jí)晶片封裝是半導(dǎo)體晶片封裝方式的一種，是指晶圓上所有晶片生產(chǎn)完成后，直接對(duì)整片晶圓上所有晶片進(jìn)行封裝制程及測(cè)試，完成之后才切割制成單顆晶片封裝體的晶片封裝方式。在半導(dǎo)體晶片尺寸微縮化、布線密度提高的情形之下，晶片封裝體在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)以及其制造方法上亦漸趨復(fù)雜。因此，不僅對(duì)各項(xiàng)在晶片封裝體制造過程中所涉及制程要求提高，導(dǎo)致成本增加，尚具有良率降低的風(fēng)險(xiǎn)。據(jù)此，一種更可靠、更適于量產(chǎn)的晶片封裝體及其制造方法，是當(dāng)今晶片封裝工藝重要的研發(fā)方向之一。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明提供一種晶片封裝體及其制造方法，晶片封裝體的溝槽內(nèi)具有凸起，而凸起設(shè)置于相鄰各自需獨(dú)立信號(hào)的重布局金屬線路之間。因此凸起可確保相鄰各自需獨(dú)立信號(hào)重布局金屬線路彼此之間能夠確實(shí)被隔離，而不會(huì)產(chǎn)生彼此電性連接而短路的現(xiàn)象。據(jù)此，能有效提升各自需獨(dú)立信號(hào)重布局金屬線路制作時(shí)，微影蝕刻制程的制程邊際，更能提高晶片封裝體的制程良率，有效降低生產(chǎn)成本。此外，凸起實(shí)質(zhì)上與溝槽同時(shí)制作完成，而無須增加額外光罩及其微影蝕刻制程，因此更能具有制作簡(jiǎn)便且能有效降低生產(chǎn)成本的特殊功效。
[0004]本發(fā)明提出一種晶片封裝體，包含半導(dǎo)體晶片、至少一溝槽、多條第一重布局金屬線路、以及至少一凸起。半導(dǎo)體晶片具有設(shè)置于該半導(dǎo)體晶片的上表面的多個(gè)導(dǎo)電墊。溝槽自上表面朝半導(dǎo)體晶片的下表面延伸，溝槽配置于半導(dǎo)體晶片的側(cè)邊。多條第一重布局金屬線路設(shè)置于上表面，所述第一重布局金屬線路分別與導(dǎo)電墊電性連接，且所述第一重布局金屬線路分別延伸至溝槽內(nèi)。凸起設(shè)置于溝槽內(nèi)且位于相鄰第一重布局金屬線路之間。
[0005]在本發(fā)明的一實(shí)施方式中，晶片封裝體進(jìn)一步包含設(shè)置于上表面的多條第二重布局金屬線路，半導(dǎo)體晶片具有設(shè)置于該上表面的多個(gè)接地墊，第二重布局金屬線路分別與接地墊電性連接，且第二重布局金屬線路分別延伸至溝槽內(nèi)。
[0006]在本發(fā)明的一實(shí)施方式中，上述第二重布局金屬線路于溝槽內(nèi)彼此電性連接。
[0007]在本發(fā)明的一實(shí)施方式中，晶片封裝體進(jìn)一步包含設(shè)置于上表面的多條第三重布局金屬線路，第三重布局金屬線路分別延伸至溝槽內(nèi)且于溝槽內(nèi)彼此電性連接。
[0008]在本發(fā)明的一實(shí)施方式中，晶片封裝體進(jìn)一步包含設(shè)置于溝槽內(nèi)的多個(gè)焊球，焊球分別位于第一重布局金屬線路上。
[0009]在本發(fā)明的一實(shí)施方式中，上述焊球包含錫。
[0010]在本發(fā)明的一實(shí)施方式中，上述凸起包含硅、鍺、氧化硅、氮化硅或前述的組合。
[0011]在本發(fā)明的一實(shí)施方式中，上述凸起的高度不高于上表面。
[0012]本發(fā)明另提出一種晶圓級(jí)晶片封裝體的制造方法，包含:提供具有至少二半導(dǎo)體晶片相鄰排列的半導(dǎo)體晶圓，半導(dǎo)體晶片具有上表面及下表面，且具有設(shè)置于上表面的多個(gè)導(dǎo)電墊；形成至少一溝槽以及多個(gè)凸起，溝槽位于半導(dǎo)體晶片之間，凸起位于溝槽內(nèi)；全面形成金屬層以覆蓋上表面、溝槽以及凸起；微影蝕刻金屬層以形成多條第一重布局金屬線路，第一重布局金屬線路分別與導(dǎo)電墊電性連接，且第一重布局金屬線路分別延伸至溝槽內(nèi)，使溝槽內(nèi)的凸起將第一重布局金屬線路分別隔離開來。
[0013]在本發(fā)明的一實(shí)施方式中，上述形成溝槽以及凸起的步驟由同一步驟的微影蝕刻所形成。
【附圖說明】
[0014]本發(fā)明的上述和其他態(tài)樣、特征及其他優(yōu)點(diǎn)參照說明書內(nèi)容并配合附加圖式得到更清楚的了解，其中:
[0015]圖1是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式晶片封裝體的局部俯視示意圖。
[0016]圖2是沿圖1中剖線2的側(cè)視示意圖。
[0017]圖3是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式晶片封裝體的局部俯視示意圖。
[0018]圖4是沿圖3中剖線4的側(cè)視示意圖。
[0019]圖5是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式晶片封裝體的局部俯視示意圖。
[0020]圖6是根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施方式晶片封裝體針對(duì)溝槽的局部側(cè)視示意圖。
[0021]其中，附圖中符號(hào)的簡(jiǎn)單說明如下:
[0022]100:晶片封裝體130:第一重布局金屬線路
[0023]110:半導(dǎo)體晶片140:凸起
[0024]111:上表面 150:第二重布局金屬線路
[0025]112:導(dǎo)電墊 160:第二重布局金屬線路
[0026]113:下表面 170:焊球
[0027]114:接地墊 180:焊線
[0028]120:溝槽。
【具體實(shí)施方式】
[0029]為了使本揭示內(nèi)容的敘述更加詳盡與完備，下文針對(duì)了本發(fā)明的實(shí)施態(tài)樣與具體實(shí)施例提出了說明性的描述；但這并非實(shí)施或運(yùn)用本發(fā)明具體實(shí)施例的唯一形式。以下所揭露的各實(shí)施例，在有益的情形下可相互組合或取代，也可在一實(shí)施例中附加其他的實(shí)施例，而無須進(jìn)一步的記載或說明。在以下描述中，將詳細(xì)敘述許多特定細(xì)節(jié)以使讀者能夠充分理解以下的實(shí)施例。然而，可在無此等特定細(xì)節(jié)的情況下實(shí)踐本發(fā)明的實(shí)施例。
[0030]圖1是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式晶片封裝體100的局部俯視示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D1，晶片封裝體100包含半導(dǎo)體晶片110、至少一溝槽120、多條第一重布局金屬線路130以及至少一凸起140。半導(dǎo)體晶片110具有多個(gè)導(dǎo)電墊112設(shè)置于半導(dǎo)體晶片的上表面111。半導(dǎo)體晶片110例如可以是在娃(silicon)、鍺(germanium)或其它II1-V族元素半導(dǎo)體晶圓基材上所制作的半導(dǎo)體晶片110。半導(dǎo)體晶片110例如可以具有電子元件(圖未繪示)位于半導(dǎo)體晶片110的內(nèi)部，電子元件與配置于半導(dǎo)體晶片110的上表面111的各導(dǎo)電墊112之間具有電性連接。電性連接的方式例如可以是通過位于半導(dǎo)體晶片110內(nèi)部之內(nèi)連線結(jié)構(gòu)(圖未繪示)電性連接于電子元件。據(jù)此，導(dǎo)電墊112即作為晶片封裝體100中電子元件信號(hào)控制的輸入(input)/輸出(output)端，導(dǎo)電墊112的材質(zhì)例如可以是銷(aluminum)、銅(copper)或镲(nickel)或其他合適的導(dǎo)電材料。在本發(fā)明中電子元件例如可以是有源元件(active element)或無源元件(passive elements)、數(shù)字電路或模擬電路等集成電路的電子元件(electronic components)、微機(jī)電系統(tǒng)(Micro ElectroMechanical Systems, MEMS)、微流體系統(tǒng)(micro fluidic systems)、或利用熱、光線及壓力等物理量變化來測(cè)量的物理感測(cè)器(physical sensor)、射頻元件(RF circuits)、加速計(jì)(accelerators)、陀螺儀(gyroscopes)、微制動(dòng)器(micro actuators)、表面聲波元件、壓力感測(cè)器(pressure sensors)，但不以此為限。
[0031]圖2是沿圖1中剖線2的側(cè)視示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D2搭配圖1。溝槽120自上表面111朝半導(dǎo)體晶片110的下表面113延伸。溝槽120配置于半導(dǎo)體晶片110的一側(cè)。換言之，溝槽120配置于半導(dǎo)體晶片110的邊緣。如圖1所示，在本發(fā)明的一些實(shí)施方式中，晶片封裝體100包含一個(gè)溝槽120配置半導(dǎo)體晶片110是一側(cè)。但本發(fā)明并不以此為限，在本發(fā)明的一些實(shí)施方式中，晶片封裝體100尚可包含兩個(gè)以上的溝槽120均配置半導(dǎo)體晶片110的同一側(cè)，或是包含兩個(gè)以上的溝槽120分別配置半導(dǎo)體晶片110的不同側(cè)的情形。溝槽120制作的方式可以是由半導(dǎo)體晶片110的上表面111朝半導(dǎo)體晶片110的下表面113，以微影蝕刻的方式所形成。溝槽120可作為晶片封裝體100對(duì)外以焊球或焊線電性連接時(shí)，焊球或焊線的