技術(shù)編號(hào)：12275277
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管及其制造方法，尤其涉及一種石墨烯/銀量子點(diǎn)/氮化鎵雙向發(fā)光二極管及其制造方法，屬于發(fā)光二極管領(lǐng)域。背景技術(shù)發(fā)光二極管以其壽命長(zhǎng)、重量輕、體積小和污染低的優(yōu)點(diǎn)，有望取代日光燈成為第三代照明器件，現(xiàn)在已經(jīng)被廣泛應(yīng)用到照明，顯示等方面。氮化鎵作為寬禁帶直接帶隙半導(dǎo)體，有較大的禁帶寬度(3.5eV)十分適合制作短波長(zhǎng)發(fā)光器件。石墨烯的電子遷移率是硅的100倍，高的電子遷移率有利于提高發(fā)光二極管的發(fā)光效率；銀量子點(diǎn)的表面等離子體增強(qiáng)可大幅提高器件的發(fā)光強(qiáng)度。在此基礎(chǔ)上，本發(fā)明提出了...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。