技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)公開(kāi)簡(jiǎn)單化倒裝LED結(jié)構(gòu)的CSP芯片的結(jié)構(gòu)及制作方法，方法包括：處理襯底、生長(zhǎng)N型GaN層、生長(zhǎng)發(fā)光層、生長(zhǎng)P型GaN層、在P型GaN層表面進(jìn)行ITO鍍膜、圖形化處理、干法刻蝕GaN外延層到N型GaN層、蒸鍍N接觸層并形成N型GaN層的歐姆接觸層、生長(zhǎng)ODR膜疊層、生長(zhǎng)氧化硅介質(zhì)膜層、生長(zhǎng)DLC介質(zhì)膜層、圖形化處理使PN接觸電極的電接觸焊盤(pán)區(qū)裸露、制作PN金屬電極焊盤(pán)形成倒裝LED芯片組合、在各芯片的N型GaN層區(qū)域?qū)⑿酒瑒澚逊蛛x形成多個(gè)單獨(dú)的芯片、對(duì)各芯片用封裝膠進(jìn)行封裝處理并固化、形成倒裝LED芯片列陣的封裝膠載體基片、完成倒裝LED?CSP芯片的分離、形成LED?CSP芯片。

技術(shù)研發(fā)人員：王良臣;苗振林;汪延明;周智斌;季輝
受保護(hù)的技術(shù)使用者：湘能華磊光電股份有限公司
文檔號(hào)碼：201610905801
技術(shù)研發(fā)日：2016.10.18
技術(shù)公布日：2017.02.22