本發(fā)明涉及發(fā)光器件技術(shù)領(lǐng)域，具體地說(shuō)，涉及一種垂直結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管及其制造方法。

背景技術(shù)：

發(fā)光二極管(Light Emitting Diode，簡(jiǎn)稱LED)是一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，具有亮度高、功耗低、壽命長(zhǎng)、工作電壓低、易集成化等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用在儀表指示燈、顯示屏、電子廣告牌以及各種照明設(shè)備中。

CN101599523A公開(kāi)了一種采用導(dǎo)電聚合物轉(zhuǎn)移的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片及其制造方法，該垂直結(jié)構(gòu)LED芯片采用高熱導(dǎo)率材料作為支撐襯底，在該支撐襯底上依次設(shè)置有高熱導(dǎo)率的導(dǎo)電聚合物、反射層、ITO透明導(dǎo)電層、LED外延層和N型電極，其中反射層的材料為Al、Ag或Pt。

CN101599523A中，雖然采用導(dǎo)電聚合物能夠提高LED芯片的散熱效率和性能，但垂直結(jié)構(gòu)LED芯片的制造方法中涉及將導(dǎo)電聚合物轉(zhuǎn)移到高熱導(dǎo)率襯底上，該過(guò)程溫度通常比較高，而當(dāng)溫度比較高時(shí)，就會(huì)破壞反射層或透明導(dǎo)電層與P型GaN的接觸特性，導(dǎo)致垂直結(jié)構(gòu)LED芯片的發(fā)光效率下降。同時(shí)，CN101599523A中的導(dǎo)電聚合物為導(dǎo)電膠，長(zhǎng)期使用容易發(fā)生老化，粘結(jié)強(qiáng)度下降，導(dǎo)致高熱導(dǎo)率襯底容易脫落。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的問(wèn)題，本發(fā)明一方面提供一種垂直結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管，包括：

鍵合襯底；

金屬鍵合層，包括依次位于所述鍵合襯底上的第二金屬鍵合層和第一金屬鍵合層；

金屬阻擋層，位于所述金屬鍵合層的背離所述鍵合襯底的一側(cè)；

反射層，位于所述金屬阻擋層的背離所述鍵合襯底的一側(cè)；

透明導(dǎo)電層，位于所述反射層的背離所述鍵合襯底的一側(cè)；

發(fā)光外延結(jié)構(gòu)，包括依次層疊于所述透明導(dǎo)電層的背離所述鍵合襯底的一側(cè)的P-GaN層、活性層、N-GaN層；

N電極，位于所述N-GaN層的背離所述鍵合襯底的一側(cè)，并覆蓋所述N-GaN層的背離所述鍵合襯底的部分表面；

熒光粉涂層，位于所述N-GaN層的背離所述鍵合襯底的一側(cè)，并覆蓋所述N-GaN層的背離所述鍵合襯底的至少部分表面；

P電極，位于所述鍵合襯底的背離所述發(fā)光外延結(jié)構(gòu)的一側(cè)上。

優(yōu)選地，所述金屬阻擋層包括交替層疊的第一金屬阻擋層和第二金屬阻擋層。

優(yōu)選地，所述第一金屬阻擋層的材料選自鎢鈦合金，所述第二金屬阻擋層的材料選自鉑或鈦。

優(yōu)選地，所述第一金屬阻擋層的厚度為50～200nm，所述第二金屬阻擋層的厚度為20～100nm。

優(yōu)選地，所述熒光粉涂層還覆蓋所述N電極的背離所述鍵合襯底的部分表面。

優(yōu)選地，所述熒光粉涂層的材料包括熒光粉和基材。

優(yōu)選地，所述熒光粉選自黃色熒光粉、紅色熒光粉、綠色熒光粉中的至少一種。

優(yōu)選地，所述基材為硅膠。

優(yōu)選地，所述熒光粉涂層的厚度為5μm～150μm。

優(yōu)選地，所述第一金屬鍵合層和第二金屬鍵合層選自Ni層/Sn層、Ni層/Au層/Sn層、Au層/Sn層或單層的Au層。

優(yōu)選地，所述金屬鍵合層的厚度為100nm～5000nm。

優(yōu)選地，所述N-GaN層的背離所述鍵合襯底的表面具有粗化結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明另一方面提供一種垂直結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管的制造方法，包括以下步驟：

提供一基板，在所述基板上依次形成未摻雜GaN緩沖層和發(fā)光外延結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光外延結(jié)構(gòu)包括依次層疊于所述未摻雜GaN緩沖層上的N-GaN層、活性層、P-GaN層；

在所述發(fā)光外延結(jié)構(gòu)的P-GaN層的背離所述基板的一側(cè)依次形成透明導(dǎo)電層、反射層、金屬阻擋層和第一金屬鍵合層；

提供一鍵合襯底，在所述鍵合襯底的相對(duì)的兩面上分別形成第二金屬鍵合層和P電極；

將所述基板上的第一金屬鍵合層與所述鍵合襯底上的第二金屬鍵合層鍵合形成金屬鍵合層；

移除所述基板和未摻雜GaN緩沖層，露出所述發(fā)光外延結(jié)構(gòu)；

在所述發(fā)光外延結(jié)構(gòu)的N-GaN層的背離所述鍵合襯底的部分表面形成N電極，并在所述N電極的背離所述鍵合襯底的至少部分表面形成保護(hù)層；

在所述發(fā)光外延結(jié)構(gòu)的N-GaN層的背離所述鍵合襯底的至少部分表面形成熒光粉涂層；

移除所述保護(hù)層，露出所述N電極，得到所述垂直結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管。

優(yōu)選地，在移除所述基板和未摻雜GaN緩沖層后，還包括，在垂直于所述鍵合襯底的表面方向上，刻蝕部分所述發(fā)光外延結(jié)構(gòu)、部分透明導(dǎo)電層和部分反射層，形成所述發(fā)光外延結(jié)構(gòu)的芯片溝道。

優(yōu)選地，在形成所述發(fā)光外延結(jié)構(gòu)的芯片溝道后，還包括，對(duì)所述發(fā)光外延結(jié)構(gòu)的N-GaN層的背離所述鍵合襯底的表面進(jìn)行粗糙化處理。

優(yōu)選地，在所述發(fā)光外延結(jié)構(gòu)的N-GaN層的部分上表面形成熒光粉涂層時(shí)，所述熒光粉涂層還覆蓋所述N電極的背離所述鍵合襯底的至少部分表面和保護(hù)層的背離所述鍵合襯底的表面；

在移除所述保護(hù)層之前，還包括對(duì)所述熒光粉涂層進(jìn)行平坦化處理，以露出所述保護(hù)層。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的垂直結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管及其制造方法至少具有以下有益效果：

一方面，通過(guò)在鍵合襯底上設(shè)置第一金屬鍵合層和第二金屬鍵合層，能夠顯著增強(qiáng)鍵合襯底與金屬阻擋層的連接強(qiáng)度，避免將金屬鍵合層直接鍵合在鍵合襯底上時(shí)，高溫破壞反射層或透明導(dǎo)電層與P型GaN的接觸特性；另一方面，通過(guò)在金屬鍵合層和反射層之間設(shè)置金屬阻擋層，能夠有效避免第一金屬鍵合層和第二金屬鍵合層的鍵合溫度對(duì)反射層或透明導(dǎo)電層造成影響。此外，通過(guò)設(shè)置熒光粉涂層，能夠得到白光垂直結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明實(shí)施例的垂直結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例的金屬阻擋層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3A～圖3L為本發(fā)明實(shí)施例的垂直結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管的制造過(guò)程示意圖。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在將參考附圖更全面地描述示例實(shí)施方式。然而，示例實(shí)施方式能夠以多種形式實(shí)施，且不應(yīng)被理解為限于在此闡述的實(shí)施方式；相反，提供這些實(shí)施方式使得本發(fā)明更全面和完整，并將示例實(shí)施方式的構(gòu)思全面地傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。在圖中相同的附圖標(biāo)記表示相同或類似的結(jié)構(gòu)，因而將省略對(duì)它們的重復(fù)描述。

本發(fā)明內(nèi)所描述的表達(dá)位置與方向的詞，均是以附圖為例進(jìn)行的說(shuō)明，但根據(jù)需要也可以做出改變，所做改變均包含在本發(fā)明保護(hù)范圍內(nèi)。

請(qǐng)參照?qǐng)D1，本發(fā)明提供一種垂直結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管1，包括：鍵合襯底10、金屬鍵合層20、金屬阻擋層30、反射層40、透明導(dǎo)電層50、發(fā)光外延結(jié)構(gòu)60、N電極70、熒光粉涂層90和P電極80。

其中，鍵合襯底10優(yōu)選由高熱導(dǎo)率材料制成，可選地，高熱導(dǎo)率材料包括但不限于硅(Si)、銅(Cu)、鉬(Mo)、銅鉬(CuMo)。

金屬鍵合層20位于鍵合襯底10上，包括第一金屬鍵合層21和第二金屬鍵合層22，與現(xiàn)有技術(shù)采用導(dǎo)電聚合物作為鍵合層材料相比，本發(fā)明的金屬鍵合層20能夠顯著增強(qiáng)鍵合襯底10與金屬阻擋層30的連接強(qiáng)度，隨時(shí)間變化不會(huì)發(fā)生老化等現(xiàn)象。

其中，第一金屬鍵合層21和第二金屬鍵合層22用于在制造垂直結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管1時(shí)，將分別位于基板上的第一金屬鍵合層21和位于鍵合襯底10上的第二金屬鍵合層22進(jìn)行鍵合并連接在一起，第一金屬鍵合層21和第二金屬鍵合層22的鍵合溫度低于將金屬鍵合層20直接鍵合在鍵合襯底10上的溫度，因此，本發(fā)明通過(guò)設(shè)置第一金屬鍵合層21和第二金屬鍵合層22，能夠避免將金屬鍵合層20直接鍵合在鍵合襯底10上時(shí)，高溫破壞反射層40或透明導(dǎo)電層50與P型GaN的接觸特性。

在一較佳實(shí)施例中，第一金屬鍵合層21和第二金屬鍵合層22選自Ni層/Sn層、Ni層/Au層/Sn層、Au層/Sn層或單層的Au層，其中，Ni層/Sn層表示第一金屬鍵合層21或第二金屬鍵合層22均是由Ni層和Sn層經(jīng)層疊形成。由上述材料制成的第二金屬鍵合層22一方面在與鍵合襯底10鍵合時(shí)具有較高的連接強(qiáng)度，另一方面，與第一金屬鍵合層21鍵合時(shí)，由于材料相同或性質(zhì)接近，因此鍵合強(qiáng)度高。為保證金屬鍵合層20的鍵合強(qiáng)度，在一較佳實(shí)施例中，金屬鍵合層20的厚度為100nm～5000nm，其中，第一金屬鍵合層21和第二金屬鍵合層22的厚度可以相同，也可以不相同，具體厚度可根據(jù)需要進(jìn)行調(diào)整。

在制造垂直結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管1時(shí)，雖然第一金屬鍵合層21和第二金屬鍵合層22的鍵合溫度低于將金屬鍵合層20直接鍵合在鍵合襯底10上的溫度，但第一金屬鍵合層21和第二金屬鍵合層22的鍵合溫度仍可能比較高。為進(jìn)一步降低第一金屬鍵合層21和第二金屬鍵合層22的鍵合溫度破壞反射層40或透明導(dǎo)電層50與P型GaN的接觸特性，在金屬鍵合層20和反射層40之間設(shè)置金屬阻擋層30。該金屬阻擋層30由高熔點(diǎn)金屬材料制成，一方面能夠有效避免第一金屬鍵合層21和第二金屬鍵合層22的鍵合溫度對(duì)反射層40或透明導(dǎo)電層50造成影響，另一方面能夠有效避免第一金屬鍵合層21和第二金屬鍵合層22鍵合時(shí)，第一金屬鍵合層21和第二金屬鍵合層22的金屬熱擴(kuò)散到反射層40。

在一較佳實(shí)施例中，如圖2所示，金屬阻擋層30包括交替層疊的第一金屬阻擋層31和第二金屬阻擋層32。由于由單一材料制成的金屬阻擋層30可能對(duì)反射層40和透明導(dǎo)電層50的保護(hù)作用不足，通過(guò)采用交替層疊的第一金屬阻擋層31和第二金屬阻擋層32，能夠進(jìn)一步增強(qiáng)金屬阻擋層30對(duì)反射層40和透明導(dǎo)電層50的保護(hù)強(qiáng)度。

進(jìn)一步地，第一金屬阻擋層31的材料選自鎢鈦合金(TiW)，第二金屬阻擋層32的材料選自鉑(Pt)或鈦(Ti)。其中，鉑的熔點(diǎn)高達(dá)1768度，鈦的熔點(diǎn)高達(dá)1668度，鎢鈦合金的熔點(diǎn)更是高達(dá)3400度以上，因此，采用這些材料的金屬阻擋層30一方面能夠?qū)Ψ瓷鋵?0和透明導(dǎo)電層50的起到較強(qiáng)的保護(hù)作用，另一方面，在第一金屬鍵合層21和第二金屬鍵合層22鍵合時(shí)，即使第一金屬阻擋層31和第二金屬阻擋層32的溫度升高到一定溫度，由于遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于第一金屬阻擋層31和第二金屬阻擋層32的熔點(diǎn)，因此，第一金屬阻擋層31和第二金屬阻擋層32也不會(huì)發(fā)生擴(kuò)散，對(duì)反射層40和透明導(dǎo)電層50不會(huì)造成影響。

進(jìn)一步地，第一金屬阻擋層31的厚度為50～200nm，第二金屬阻擋層32的厚度為20～100nm。在該厚度范圍下，金屬阻擋層30可以包括1至5層的第一金屬阻擋層31和1至5層的第二金屬阻擋層32，在一個(gè)具體實(shí)施例中，金屬阻擋層30是由3層第一金屬阻擋層31和3層第二金屬阻擋層32經(jīng)交替層疊形成。

反射層40位于金屬阻擋層30的背離鍵合襯底10的一側(cè)，其作用在于將發(fā)光外延結(jié)構(gòu)60中的活性層62向下出射的光向上反射至N-GaN層63，并向外出射，從而提高垂直結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管1的出光效率。反射層40通常選用具有高反射率的金屬材料，可選地，反射層40的材料選自鉑(Pt)、金(Au)、銀(Ag)、鈀(Pd)、鋁(Al)、鈦(Ti)、銥(Ir)、銠(Rh)中的一種或多種，優(yōu)選銀或鋁。可選地，反射層40的厚度是10nm～500nm。

透明導(dǎo)電層50位于反射層40的背離鍵合襯底10的一側(cè)，透明導(dǎo)電層50與P-GaN層61形成歐姆接觸，以降低接觸電阻值。透明導(dǎo)電層50不僅要具有良好的導(dǎo)電性，而且需要具有良好的透明性，可選地，透明導(dǎo)電層50的材料選自氧化銦錫(ITO)、鎳(Ni)、金(Au)、氧化鎵(Ga₂O₃)、氧化銦(In₂O₃)、氧化鋅(ZnO)、氧化鈦(TiO₂)、氧化鎂(MgO)中的至少一種，優(yōu)選氧化銦錫。透明導(dǎo)電層50的厚度可以根據(jù)需要進(jìn)行設(shè)置，典型地，其厚度在1nm～500nm范圍內(nèi)。

發(fā)光外延結(jié)構(gòu)60位于透明導(dǎo)電層50的背離鍵合襯底10的一側(cè)，包括依次層疊的P-GaN層61、活性層62和N-GaN層63。本發(fā)明不限制發(fā)光外延結(jié)構(gòu)60的材料和厚度，均可采用已知技術(shù)，在此不予贅述。

在一較佳實(shí)施例中，N-GaN層63的背離鍵合襯底10的表面具有粗化結(jié)構(gòu)，以提高光提取效率。

N電極70位于N-GaN層63的背離鍵合襯底10的一側(cè)，并覆蓋N-GaN層63的背離鍵合襯底10的部分表面，本發(fā)明不限制N電極70的材料，在一個(gè)實(shí)施例中，N電極70結(jié)構(gòu)可以是Cr/Pt/Au、Cr/Al/Pt/Au、Ti/Al/Ti/Au、Ti/Al/Ti/Pt/Au、Ti/Al/Pt/Au等復(fù)合電極中的一種，其厚度可以是1000nm～5000nm。

熒光粉涂層90位于N-GaN層63的背離鍵合襯底10的一側(cè)，并覆蓋N-GaN層63的背離鍵合襯底10的至少部分表面，本實(shí)施例中，熒光粉涂層90還覆蓋N電極70的背離鍵合襯底10的部分表面，通過(guò)設(shè)置熒光粉涂層90，發(fā)光外延結(jié)構(gòu)60發(fā)出的光照射該熒光粉涂層90而激發(fā)成白光。在一較佳實(shí)施例中，熒光粉涂層的材料包括熒光粉和基材，其中，熒光粉選自黃色熒光粉、紅色熒光粉、綠色熒光粉中的至少一種，基材用于分散熒光粉，形成分布均勻的涂層，基材優(yōu)選硅膠。形成的熒光粉涂層的厚度可以是5μm～150μm。

P電極80位于鍵合襯底10的背離發(fā)光外延結(jié)構(gòu)60的一側(cè)，本發(fā)明不限制P電極80的材料，在一個(gè)實(shí)施例中，P電極80的材料選自金(Au)、鎳(Ni)、銀(Ag)、銅(Cu)、鉑(Pt)、鉻(Cr)、鋅(Zn)、鈀(Pd)、鋁(Al)、鈦(Ti)、XX中的一種，或由上述材料中的至少兩種組成的合金，如鎳金合金、鋁鈦鈀金合金、鉻鈀金合金、金鋅合金、鈦鉑合金。

請(qǐng)參照?qǐng)D3A～圖3H，本發(fā)明另一方面提供一種垂直結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管1的制造方法，包括以下步驟：

(1)如圖3A所示，提供一基板100，在該基板100上依次形成未摻雜GaN緩沖層200和發(fā)光外延結(jié)構(gòu)60，發(fā)光外延結(jié)構(gòu)60包括依次層疊于未摻雜GaN緩沖層200上的N-GaN層63、活性層62、P-GaN層61。

(2)如圖3B所示，在發(fā)光外延結(jié)構(gòu)60的P-GaN層61的背離鍵合襯底10的一側(cè)上通過(guò)蒸鍍或?yàn)R射等方法依次形成透明導(dǎo)電層50、反射層40、金屬阻擋層30和第一金屬鍵合層21。

(3)如圖3C所示，提供一鍵合襯底10，在鍵合襯底10的相對(duì)的兩面上通過(guò)蒸鍍或?yàn)R射等方法分別形成第二金屬鍵合層22和P電極80。

(4)如圖3D所示，通過(guò)高溫高壓方法將基板100上的第一金屬鍵合層21與鍵合襯底10上的第二金屬鍵合層22鍵合形成金屬鍵合層20。

步驟(4)中鍵合時(shí)的溫度范圍為150℃～400℃，壓力為2000mbar～20000mbar。該鍵合溫度通常低于將金屬鍵合層20直接鍵合在鍵合襯底10上的溫度，同時(shí)由于金屬阻擋層30的保護(hù)作用，因此，能夠防止高溫破壞反射層40或透明導(dǎo)電層50與P型GaN的接觸特性，同時(shí)，金屬鍵合層20具有較高的鍵合強(qiáng)度，在使用過(guò)程中能夠防止鍵合襯底10脫落或剝離。

(5)如圖3E和圖3F所示，移除基板100和未摻雜GaN緩沖層200，露出發(fā)光外延結(jié)構(gòu)60。

可以通過(guò)兩步移除基板100和未摻雜GaN緩沖層200，具體地說(shuō)，首先，可以采用激光剝離技術(shù)將位于未摻雜GaN緩沖層200上的基本移除，然后，采用電感耦合等離子體(ICP)等方法刻蝕未摻雜GaN緩沖層200，從而移除未摻雜GaN緩沖層200。

在一較佳實(shí)施例中，如圖3G所示，步驟(5)還包括，在移除基板100和未摻雜GaN緩沖層200后，在垂直于鍵合襯底10的表面方向上，刻蝕部分發(fā)光外延結(jié)構(gòu)60、部分透明導(dǎo)電層50和部分反射層40，采用電感耦合等離子體(ICP)等方法形成發(fā)光外延結(jié)構(gòu)60的芯片溝道，由此形成多個(gè)獨(dú)立的發(fā)光外延結(jié)構(gòu)60。

進(jìn)一步地，如圖3H所示，步驟(5)還包括，在形成發(fā)光外延結(jié)構(gòu)60的芯片溝道后，對(duì)發(fā)光外延結(jié)構(gòu)60的N-GaN層63的背離鍵合襯底10的表面進(jìn)行粗糙化處理，形成粗糙結(jié)構(gòu)，以提高光提取效率。粗糙化處理可采用KOH或NaOH溶液對(duì)N-GaN層63的背離鍵合襯底10的表面進(jìn)行電化學(xué)刻蝕的方法進(jìn)行。

(6)如圖3H和圖3I所示，在發(fā)光外延結(jié)構(gòu)60的N-GaN層63的背離鍵合襯底10的部分表面通過(guò)蒸鍍等方法形成N電極70，并在N電極70的背離鍵合襯底10的至少部分表面形成保護(hù)層300。

本實(shí)施例中，發(fā)光外延結(jié)構(gòu)60的芯片溝道中也設(shè)置有保護(hù)層300。在一個(gè)實(shí)施例中，保護(hù)層300是由光刻膠形成。

(7)如圖3J所示，在發(fā)光外延結(jié)構(gòu)60的N-GaN層63的背離鍵合襯底10的至少部分表面形成熒光粉涂層90，該熒光粉涂層90覆蓋N-GaN層63的背離鍵合襯底10的至少部分表面。

本實(shí)施例中，熒光粉涂層90還填充了芯片溝道。

在一較佳實(shí)施例中，步驟(7)中，在發(fā)光外延結(jié)構(gòu)60的N-GaN層63的背離鍵合襯底10的至少部分表面形成熒光粉涂層90時(shí)，熒光粉涂層90還覆蓋N電極70的背離鍵合襯底10的部分上表面和保護(hù)層300的背離鍵合襯底10的表面；如圖3K所示，在步驟(8)移除保護(hù)層300之前，還包括對(duì)熒光粉涂層90進(jìn)行平坦化處理，以露出保護(hù)層300。

(8)如圖3L所示，移除所述保護(hù)層300，露出N電極70，得到如圖1所示的垂直結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管1。

垂直結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管1中設(shè)置有芯片溝道時(shí)，可通過(guò)沿該芯片溝道進(jìn)行切割得到晶圓級(jí)白光垂直結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管。

需要說(shuō)明的是，上述垂直結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管1的制造方法的各步驟的編號(hào)僅便于說(shuō)明制造方法，具體的實(shí)施過(guò)程并非完全按照步驟(1)至(8)的順序進(jìn)行，根據(jù)需要也可以進(jìn)行調(diào)整。例如，也可以先進(jìn)行步驟(3)，在鍵合襯底10的相對(duì)的兩面上通過(guò)蒸鍍或?yàn)R射等方法分別形成第二金屬鍵合層22和P電極80，然后進(jìn)行步驟(1)至(2)，上述改變均包括在本發(fā)明范圍內(nèi)。

本發(fā)明提供的一種垂直結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管及其制造方法，一方面，通過(guò)在鍵合襯底上設(shè)置第一金屬鍵合層和第二金屬鍵合層，能夠顯著增強(qiáng)鍵合襯底與金屬阻擋層的連接強(qiáng)度，避免將金屬鍵合層直接鍵合在鍵合襯底上時(shí)，高溫破壞反射層或透明導(dǎo)電層與P型GaN的接觸特性；另一方面，通過(guò)在金屬鍵合層和反射層之間設(shè)置金屬阻擋層，能夠有效避免第一金屬鍵合層和第二金屬鍵合層的鍵合溫度對(duì)反射層或透明導(dǎo)電層造成影響。此外，通過(guò)設(shè)置熒光粉涂層，能夠得到白光垂直結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管。

盡管上面已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實(shí)施例，可以理解的是，上述實(shí)施例是示例性的，不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的原理和宗旨的情況下在本發(fā)明的范圍內(nèi)可以對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行變化、修改、替換和變型。