技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種薄膜晶體管陣列基板，其第二導(dǎo)電層為多層結(jié)構(gòu)，所述第二導(dǎo)電層形成為間隔設(shè)置的源極和漏極，多層結(jié)構(gòu)的第二導(dǎo)電層包含：第一子層；第二子層，其位于所述第一子層上；第三子層，其位于所述第二子層上；至少一個(gè)附加子層，該至少一個(gè)附加子層位于所述第一子層和所述第二子層之間；所述第一子層、第三子層和附加子層均包含含有銦和鋅的金屬氧化物材料；所述第二導(dǎo)電層中形成有一凹槽位于所述源極和所述漏極之間，所述凹槽貫穿第一子層、第二子層、第三子層和附加子層。

技術(shù)研發(fā)人員：施博理;高逸群;林欣樺;李志隆;張煒熾;陸一民
受保護(hù)的技術(shù)使用者：鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司;鴻海精密工業(yè)股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.09.08
技術(shù)公布日：2017.07.21