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顯示裝置及制造該顯示裝置的裝置和方法與流程

文檔序號:12180596閱讀:266來源:國知局
本申請要求于2015年9月2日提交的第10-2015-0124228號韓國專利申請、于2016年1月18日提交的第10-2016-0005977號韓國專利申請和于2016年8月3日提交的第10-2016-0099067號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益,所述專利申請均出于所有目的通過援引特此并入,如同在本文中完整闡述一樣。
技術(shù)領(lǐng)域
:示例性實(shí)施方案涉及顯示裝置,以及制造所述顯示裝置的裝置和方法。
背景技術(shù)
::廣泛使用移動電子裝置,例如移動電話和平板電腦(tabletPC)。移動電子裝置可以包括顯示裝置,其向用戶提供諸如靜止圖像或移動圖像的視覺信息,從而支持各項(xiàng)功能。最近,驅(qū)動顯示裝置的組件已經(jīng)被小型化,允許顯示裝置占據(jù)電子裝置的更大的部分。在此背景部分中公開的上述信息僅是為了增強(qiáng)對發(fā)明構(gòu)思的背景的理解,因此,其可以包含不形成在本國內(nèi)對本領(lǐng)域技術(shù)人員而言是已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:示例性實(shí)施方案提供顯示裝置,以及制造所述顯示裝置的裝置和方法。另外的方面將在隨后的詳細(xì)描述中闡述,并且部分地將從本公開內(nèi)容而變得顯而易見,或可以通過本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)踐而獲悉。示例性實(shí)施方案公開了顯示裝置,其包括:布置在襯底上的發(fā)射部分,所述發(fā)射部分包括中間層;以及通過重疊所述發(fā)射部分而密封所述發(fā)射部分的封裝部分,其中所述中間層包含至少兩種有機(jī)材料,所述有機(jī)材料在5×10-4托至3×10-2托的范圍內(nèi)的第一飽和蒸氣壓下具有不同的相變溫度,并且所述相變溫度之間的差小于5℃或等于5℃。示例性實(shí)施方案還公開了用于制造顯示裝置的裝置,其包括:包括用于襯底的支撐件的室;以及被提供為面向所述襯底的沉積源供應(yīng)器,所述沉積源供應(yīng)器向所述襯底提供至少兩種有機(jī)材料,其中所述至少兩種有機(jī)材料在5×10-4托至3×10-2托的范圍內(nèi)的第一飽和蒸氣壓下具有不同的相變溫度,并且所述相變溫度之間的差小于5℃或等于5℃。另一示例性實(shí)施方案公開了制造顯示裝置的方法,其包括:使第一襯底進(jìn)入室;加熱沉積源供應(yīng)器以在所述室內(nèi)供應(yīng)至少兩種有機(jī)材料;在所述第一襯底上沉積所述至少兩種有機(jī)材料以形成中間層,其中所述至少兩種有機(jī)材料在5×10-4托至3×10-2托的范圍內(nèi)的第一飽和蒸氣壓下具有不同的相變溫度,并且所述相變溫度之間的差小于5℃或等于5℃。以上的一般描述和以下的詳細(xì)描述是示例性和解釋性的,并且旨在提供對要求保護(hù)的主題的進(jìn)一步解釋。附圖說明包括附圖以提供對本發(fā)明構(gòu)思的進(jìn)一步理解,并且所述附圖并入本說明書中且構(gòu)成本說明書的一部分,所述附圖例示出本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方案,并且所述附圖連同描述一起用于解釋本發(fā)明構(gòu)思的原理。圖1例示出根據(jù)一個或多個示例性實(shí)施方案的用于制造顯示裝置的裝置的示意圖。圖2是在圖1的裝置中使用的有機(jī)材料的飽和蒸氣壓相對于相變溫度的圖。圖3是圖2中所示的部分A的放大視圖。圖4是通過使用圖1的裝置制造的顯示裝置的示例性實(shí)施方案的一部分的橫截面視圖。具體實(shí)施方式在下文描述中,出于解釋的目的,闡述了多個具體細(xì)節(jié),從而提供對各種示例性實(shí)施方案的深入理解。然而,顯而易見的是,可以在沒有這些具體細(xì)節(jié)的情況下或用一個或多個等同布置來實(shí)踐各種示例性實(shí)施方案。在其他實(shí)例中,示出公知的結(jié)構(gòu)和裝置,從而避免不必要地混淆各種示例性實(shí)施方案。在附圖中,出于清楚和描述目的,可以放大層、膜、板、區(qū)域等的尺寸和相對尺寸。此外,相同的參考數(shù)字指代相同的元件。當(dāng)元件或?qū)颖环Q為在另一元件或?qū)印吧稀?、“連接到”另一元件或?qū)踊蛘摺榜罱拥健绷硪辉驅(qū)訒r,其可以直接在另一元件或?qū)由?、直接連接到另一元件或?qū)踊蛘咧苯玉罱拥搅硪辉驅(qū)?,或者可以存在介于中間的元件或?qū)?。然而,?dāng)元件或?qū)颖环Q為“直接在”另一元件或?qū)印吧稀薄ⅰ爸苯舆B接到”另一元件或?qū)踊蛘摺爸苯玉罱拥健绷硪辉驅(qū)訒r,不存在介于中間的元件或?qū)印3鲇诒竟_的目的,“X、Y和Z中的至少一個”以及“選自由X、Y和Z組成的組中的至少一個”可以解釋為僅有X、僅有Y、僅有Z,或X、Y和Z中的兩個或多于兩個的任何組合,例如,XYZ、XYY、YZ以及ZZ。全文中相同的數(shù)字指代相同的元件。如本文所用,術(shù)語“和/或”包括相關(guān)的列出項(xiàng)中的一個或多個項(xiàng)的任一項(xiàng)及所有組合。盡管術(shù)語第一、第二等在本文中可以用于描述各種元件、部件、區(qū)域、層和/或部分,但這些元件、部件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)受這些術(shù)語的限制。這些術(shù)語用于使一個元件、部件、區(qū)域、層和/或部分與另一元件、部件、區(qū)域、層和/或部分相區(qū)分。因此,以下討論的第一元件、部件、區(qū)域、層和/或部分在不背離本公開的教導(dǎo)的情況下可以稱為第二元件、部件、區(qū)域、層和/或部分。空間相對術(shù)語,例如“下方”、“之下”、“下”、“之上”、“上”等,在本文中可以用于描述目的,由此用于描述一個元件或特征與另一元件或特征的關(guān)系,如附圖中所例示的。除了附圖中描述的方向之外,空間相對術(shù)語旨在還包括在使用、操作和/或制造中的裝置的不同方向。例如,如果在附圖中的裝置被翻轉(zhuǎn),則被描述成在其他元件或特征“之下”或“下方”的元件會被定位在其他元件或特征“之上”。因此,示例性術(shù)語“之下”可以包括上和下的方向兩者。此外,裝置可以以其他方式定向(例如,旋轉(zhuǎn)90度或在其他方向上),并且如此,本文所用的空間相對描述被相應(yīng)地解釋。本文所用的術(shù)語是出于描述特定實(shí)施方案的目的,而不旨在進(jìn)行限制。如本文所用,單數(shù)形式旨在還包括復(fù)數(shù)形式,除非上下文明顯另有所指。此外,術(shù)語“包含”和/或“包括”,當(dāng)用于本說明書時,指明所闡明的特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、部件和/或它們的群組的存在,但不排除一個或多個其他的特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、部件和/或它們的群組的存在或增添。在本文中參考截面圖示來描述各種示例性實(shí)施方案,所述截面圖示是理想化的示例性實(shí)施方案和/或中間結(jié)構(gòu)的示意圖。如此,會預(yù)期到由于例如制造技術(shù)和/或容差而導(dǎo)致的該圖示的形狀的變化。因此,本文公開的示例性實(shí)施方案不應(yīng)解釋為限于特定例示的區(qū)域的形狀,而應(yīng)包括由例如制造所產(chǎn)生的形狀的偏差。例如,以矩形例示的植入?yún)^(qū)域通常會具有圓形或曲線形的特征和/或其邊緣處的植入物濃度的梯度,而非從植入?yún)^(qū)域到非植入?yún)^(qū)域的二元變化。同樣地,由植入形成的包埋區(qū)域可以產(chǎn)生在包埋區(qū)域與通過其而發(fā)生植入的表面之間的區(qū)域中的一些植入。因此,附圖中例示的區(qū)域在本質(zhì)上是示意性的,并且它們的形狀不旨在說明裝置的區(qū)域的實(shí)際形狀,并且不旨在進(jìn)行限制。除非另外定義,本文使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)術(shù)語和科學(xué)術(shù)語)均具有如本公開所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通常理解的相同含義。術(shù)語,諸如在常用詞典中定義的那些術(shù)語,應(yīng)解釋為具有與其在相關(guān)技術(shù)的上下文中的含義相符的含義,并且不會以理想化或過于正式的含義來解釋,除非本文明確如此定義。圖1示出根據(jù)一個或多個示例性實(shí)施方案的用于制造顯示裝置的裝置的示意圖。圖2是在圖1的裝置中使用的有機(jī)材料的飽和蒸氣壓相對于相變溫度的圖。圖3是圖2中所示的部分A的放大視圖。圖4是通過使用圖1的裝置制造的顯示裝置的一部分的橫截面視圖。參考圖1,用于制造顯示裝置的裝置100包括室110、支撐第一襯底11的襯底支撐件170、視覺單元120、掩模支撐件130、掩模組件140、沉積源供應(yīng)器150和壓力控制器160。室110可以具有帶有開口的部分,并且可以向室110的開口提供閘閥110a以選擇性地打開或關(guān)閉室110??梢砸愿鞣N形式提供襯底支撐件170。在一些實(shí)施方案中,可以以從室110的外部可移動至室110的內(nèi)部的梭子的形式提供襯底支撐件170。在一些實(shí)施方案中,可以以固定在室110的內(nèi)部中的框架的形式提供襯底支撐件170。在一些實(shí)施方案中,可以以在室110的內(nèi)部中的靜電形式提供襯底支撐件170。然而,襯底支撐件170不限于這些形式,并且可以是支撐第一襯底11或使第一襯底11固定在室110內(nèi)部的任何裝置或結(jié)構(gòu)。在下文中,為了便于解釋,本文中將假設(shè)襯底支撐件170是固定在室110的內(nèi)部中的框架的形式來描述實(shí)施方案??梢韵蚴?10提供視覺單元120。對此,可以將照相機(jī)用作視覺單元120以對第一襯底11和掩模組件140中的至少一個拍照??梢詫⒀谀=M件140安裝在掩模支撐件130上。安裝掩模組件140后,掩模支撐件130可以改變掩模組件140的位置。例如,掩模支撐件130可以包括用于在三個不同的方向移動并對準(zhǔn)掩模組件140的對準(zhǔn)裝置(未示出)。根據(jù)待沉積在襯底11上的層,掩模組件140的使用是任選的。然而,為了便于解釋,將詳細(xì)地描述其中可以通過使用掩模組件140進(jìn)行沉積過程的一個或多個實(shí)施方案。在一個或多個實(shí)施方案中,掩模組件140可以包括掩??蚣?41。在該實(shí)施方案中,掩模框架141可以具有開放的中央部分,并且可以單獨(dú)使用掩??蚣?41。在一個或多個實(shí)施方案中,掩模組件140可以包括掩模框架141和掩模片142。掩模組件140可以進(jìn)一步包括向掩??蚣?41提供的加強(qiáng)構(gòu)件(未示出)。為了便于解釋,將詳細(xì)地描述其中掩模組件140包括掩??蚣?41、掩模片142和加強(qiáng)構(gòu)件的實(shí)施方案。掩??蚣?41可以具有開口,并且可以與窗口-框架類似。在一些實(shí)施方案中,掩模片142可以具有包含開口的圖案。掩模片142可以具有板或多個細(xì)長的構(gòu)件,并且可以在被延伸的同時與掩??蚣?41組合??梢砸愿鞣N形式提供加強(qiáng)構(gòu)件。例如,向掩??蚣?41提供的加強(qiáng)構(gòu)件可以是棒或板的形式??梢蕴峁┒鄠€加強(qiáng)構(gòu)件,并且可以使一些加強(qiáng)構(gòu)件形成為橫跨掩??蚣?41的內(nèi)部部分以加強(qiáng)掩??蚣?41的剛度。在一些實(shí)施方案中,可以在掩??蚣?41上提供一些加強(qiáng)構(gòu)件并且可以隨后向所得的結(jié)構(gòu)提供掩模片142。在多種實(shí)施方案中,掩模組件140可以包括掩??蚣?41、掩模片142和在掩模框架141上提供的阻擋掩模(未示出)。掩??蚣?41和掩模片142可以與上文描述的基本相同??梢栽谘谀?蚣?41上提供阻擋掩模??梢砸跃Ц裥螤钐峁┳钃跹谀?。掩模片142可以在被延伸的同時與阻擋掩模組合。然而,在下文中,為了便于解釋,以下將假設(shè)掩模組件140包括掩??蚣?41和掩模片142并且將掩模片142直接提供在掩??蚣?41上來描述實(shí)施方案。沉積源供應(yīng)器150可以面向掩模組件140。然而,沉積源供應(yīng)器150的位置可以取決于有機(jī)材料而變化。例如,可以將沉積源供應(yīng)器150布置在室110的內(nèi)部的上部上或在室110的內(nèi)部的下部上。在一些實(shí)施方案中,可以將沉積源供應(yīng)器150布置在室110的內(nèi)部的側(cè)面上。然而,為了便于解釋,以下將假設(shè)將沉積源供應(yīng)器150布置在室110的內(nèi)部的下部上來描述實(shí)施方案。沉積源供應(yīng)器150可以具有為有機(jī)材料而保留的儲備(即,空的)部分。沉積源供應(yīng)器150可以包括用于加熱有機(jī)材料的加熱器(未示出)。沉積源供應(yīng)器150可以隨后通過加熱有機(jī)材料而使有機(jī)材料升華或蒸發(fā)。一旦被蒸發(fā),有機(jī)材料可以經(jīng)過掩模組件140,隨后沉積在第一襯底11的表面上。對此,可以在沉積源供應(yīng)器150和第一襯底11不移動的同時進(jìn)行沉積。在一個實(shí)施方案中,沉積源供應(yīng)器150和第一襯底11中的至少一個可以直線移動。例如,當(dāng)沉積源供應(yīng)器150在一個方向直線移動時,第一襯底11可以不移動。在一個實(shí)施方案中,當(dāng)?shù)谝灰r底11在一個方向直線移動(或往復(fù)運(yùn)動)時,沉積源供應(yīng)器150可以不移動。在一個實(shí)施方案中,沉積源供應(yīng)器150和第一襯底11中的每一個均可以往復(fù)運(yùn)動。在下文中,為了便于解釋,本文將假設(shè)在沉積源供應(yīng)器150在一個方向往復(fù)運(yùn)動的同時進(jìn)行沉積來提供實(shí)施方案。有機(jī)材料可以包括多種材料??梢詫⒂袡C(jī)材料沉積在襯底上以形成在圖4的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)18中示出的中間層18b。例如,可以在沉積源供應(yīng)器150中混合并儲存至少兩種不同的有機(jī)材料。在一個實(shí)施方案中,當(dāng)有機(jī)材料包括多種有機(jī)材料時,其至少一種有機(jī)材料可以具有0.1%至50%的濃度比率。在下文中,為了便于解釋,本文將假設(shè)在沉積源供應(yīng)器150中儲存兩種有機(jī)材料來提供實(shí)施方案。在本文中,所述兩種有機(jī)材料包括第一有機(jī)材料和與所述第一有機(jī)材料不同的第二有機(jī)材料。壓力控制器160可以包括連接管161和向連接管161提供的泵162??梢酝ㄟ^操作泵162來調(diào)整室110的內(nèi)部壓力。例如,當(dāng)進(jìn)行沉積過程時,泵162可以將室110的內(nèi)部壓力維持在接近真空狀態(tài)的水平。當(dāng)?shù)谝灰r底11和掩模組件140進(jìn)入室110時,泵162可以將室110的內(nèi)部壓力控制在與大氣壓力相同的水平。以下將描述裝置100的操作實(shí)例。當(dāng)泵162將室110的內(nèi)部壓力維持在與大氣壓力相同時,可以打開閘閥110a,并且第一襯底11和/或掩模組件140可以進(jìn)入室110。在室110的內(nèi)部或外部,例如,可以布置機(jī)械臂(未示出)或梭子(未示出)以將第一襯底11和掩模組件140移動至室110內(nèi)。在下文中,為了便于解釋,以下將假設(shè)將機(jī)械臂布置在室110的外部以將第一襯底11和掩模組件140移動至室110內(nèi)來提供實(shí)施方案。機(jī)械臂可以將第一襯底11移動至室110內(nèi),并隨后,可以將第一襯底11安裝在襯底支撐件170上。機(jī)械臂可以將掩模組件140移動至室110內(nèi)并隨后將掩模組件140安裝在掩模支撐件130上。一旦安裝了第一襯底11和掩模組件140,則視覺單元120可以捕獲第一襯底11和掩模組件140的圖像。第一襯底11和掩模組件140中的每一個均可以具有對準(zhǔn)標(biāo)記。視覺單元120可以將捕獲的圖像傳輸至控制器(未示出),控制器隨后確定第一襯底11和掩模組件140是否位于它們被設(shè)定所處的位置??刂破骺梢源_定第一襯底11和掩模組件140的相對位置是否準(zhǔn)確。可以將控制器形成為,例如,電子電路或者外部終端,例如計算機(jī)。一旦控制器比較了第一襯底11和掩模組件140彼此的位置并確定第一襯底11沒有對準(zhǔn)掩模組件140,則控制器可以開動掩模支撐件130并控制掩模組件140的位置。一旦控制器確定第一襯底11的位置已經(jīng)與掩模組件140的位置相匹配,則控制器可以開動沉積源供應(yīng)器150以在第一襯底11上沉積有機(jī)材料。在接收襯底之后且在開動沉積源供應(yīng)器之前的某一點(diǎn),控制器操作泵162以使室110達(dá)到用于沉積的期望的低壓。隨后可以加熱沉積源供應(yīng)器150以在室110內(nèi)部供應(yīng)至少兩種有機(jī)材料(例如,第一有機(jī)材料和第二有機(jī)材料)。第一襯底11和沉積源供應(yīng)器150中的至少一個可以直線移動。下文中,將詳細(xì)地描述其中沉積源供應(yīng)器150直線移動的實(shí)施方案。泵162可以將室110的內(nèi)部壓力維持在接近真空狀態(tài)的水平。例如,當(dāng)沉積源供應(yīng)器150開動時,在沉積源供應(yīng)器150中包含的第一有機(jī)材料和第二有機(jī)材料可以被升華或被蒸發(fā)。第一有機(jī)材料和第二有機(jī)材料中的至少一個可以包含通過蒸發(fā)從液態(tài)相變?yōu)闅鈶B(tài)的可蒸發(fā)的材料。第一有機(jī)材料和第二有機(jī)材料中的至少一個可以包含通過升華從固態(tài)相變?yōu)闅鈶B(tài)的升華材料。在下文中,為了便于解釋,以下將假設(shè)第一有機(jī)材料和第二有機(jī)材料中的每一種均包含升華材料來提供實(shí)施方案。第一有機(jī)材料和第二有機(jī)材料不限于此,并且可以各自變化。第一有機(jī)材料和第二有機(jī)材料可以各自包含組成OLED18的中間層18b的任何材料。因此,可以通過經(jīng)掩模組件140在第一襯底11上沉積至少兩種有機(jī)材料,從而形成中間層18b。在5×10-3托至3×10-2托的范圍內(nèi)的所選的飽和蒸氣壓(第一飽和蒸氣壓)下,第一有機(jī)材料和第二有機(jī)材料可以具有不同的相變溫度,并且相變溫度之間的差為5℃或小于5℃。例如,第一有機(jī)材料或第二有機(jī)材料可以為具有由式1表示的分子結(jié)構(gòu)的有機(jī)材料。另一種材料可以為具有由式2表示的分子結(jié)構(gòu)的有機(jī)材料。在下文中,為了便于解釋,以下將假設(shè)第一有機(jī)材料具有由式1表示的分子結(jié)構(gòu)并且第二有機(jī)材料具有由式2表示的分子結(jié)構(gòu)來提供實(shí)施方案:[式1][式2]圖2是具有由式1表示的分子結(jié)構(gòu)的第一有機(jī)材料和具有由式2表示的分子結(jié)構(gòu)的第二有機(jī)材料的飽和蒸氣壓相對于相變溫度的圖。參考圖2,在飽和蒸氣壓下第一有機(jī)材料的相變溫度將被稱為第一溫度(實(shí)線),并且在相同飽和蒸氣壓下第二有機(jī)材料的相變溫度將被稱為第二溫度(虛線)。例如,在3×10-3托的飽和蒸氣壓下,第一溫度可以為約324.2℃且第二溫度可以為約329℃。因此,第一有機(jī)材料的相變溫度與第二有機(jī)材料的相變溫度之間的差,即,第一溫度與第二溫度之間的差可以為約4.8℃。當(dāng)飽和蒸氣壓為1×10-2托時,第一溫度可以為約341℃且第二溫度可以為約343℃。因此,第一溫度與第二溫度之間的差可以為約2℃。如果第一有機(jī)材料的相變溫度與第二有機(jī)材料的相變溫度之間的差為5℃或小于5℃,則可以使第一有機(jī)材料與第二有機(jī)材料的濃度比率維持恒定。表1示出當(dāng)通過使用第一有機(jī)材料和第二有機(jī)材料進(jìn)行沉積過程且相變溫度差為5℃或小于5℃時第一有機(jī)材料和第二有機(jī)材料的濃度值。通過將第一有機(jī)材料的重量除以第一有機(jī)材料和第二有機(jī)材料的總和來計算第一有機(jī)材料的濃度。通過將第二有機(jī)材料的重量除以第一有機(jī)材料和第二有機(jī)材料的總和來計算第二有機(jī)材料的濃度。以%表示第一有機(jī)材料和第二有機(jī)材料的濃度值。[表1]參考以上所示結(jié)果,可以看出,最初,在沉積源供應(yīng)器150中包含的第一有機(jī)材料的濃度和第二有機(jī)材料的濃度分別為20%和80%。沉積后,在第一襯底11上形成的沉積層(或中間層18b)中的第一有機(jī)材料的濃度和第二有機(jī)材料的濃度分別為21.5%和78.5%。即,可以看出,最初在沉積源供應(yīng)器150中包含的第一有機(jī)材料的濃度和第二有機(jī)材料的濃度基本上與沉積后沉積層中的第一有機(jī)材料的濃度和第二有機(jī)材料的濃度相似。在這種情況下,最初在沉積源供應(yīng)器150中包含的第一有機(jī)材料的濃度與在沉積層中的第一有機(jī)材料的濃度之間的差在2%以內(nèi),即,在為裝置100設(shè)計的誤差范圍以內(nèi)。因此,即使重復(fù)使用裝置100以在各自與第一襯底11相同的多個襯底上沉積第一有機(jī)材料和第二有機(jī)材料,在時間流逝之后,可以將第一有機(jī)材料的濃度和第二有機(jī)材料的濃度保持為與第一有機(jī)材料的初始濃度和第二有機(jī)材料的初始濃度相似。更具體地,參考表1,例如,當(dāng)將裝置100開動200小時以在第一襯底11上沉積第一有機(jī)材料和第二有機(jī)材料時,在沉積源供應(yīng)器150中保留的第一有機(jī)材料的濃度和第二有機(jī)材料的濃度分別為21.6%和78.4%。這些結(jié)果與第一有機(jī)材料的初始濃度和第二有機(jī)材料的初始濃度相似,并且其誤差范圍可以在2%以內(nèi)。因此,甚至當(dāng)將有機(jī)材料沉積在第一襯底11上時,裝置100可以使第一有機(jī)材料和第二有機(jī)材料能夠沉積在第一襯底11上,并同時將第一有機(jī)材料與第二有機(jī)材料的濃度比率維持在基本上協(xié)同的水平。然而,當(dāng)飽和蒸氣壓為1×10-3托時,第一溫度為約301.4℃且第二溫度為約312℃。因此,第一溫度與第二溫度之間的差為約10.6℃,這是大于5℃的值。在這種情況下,在沉積期間,第一有機(jī)材料的濃度與第二有機(jī)材料的濃度之間的差變寬,因此,在第一襯底11上的中間層18b中包含的第一有機(jī)材料的濃度與第二有機(jī)材料的濃度之比可能變化。在這種情況下,當(dāng)時間流逝時,顯示裝置10的亮度或分辨率可能變化,因此,極有可能制造有缺陷的顯示裝置。因此,在3×10-3托至1×10-2托的范圍內(nèi)的飽和蒸氣壓范圍內(nèi),具有以上這類式的第一有機(jī)材料和第二有機(jī)材料可以是可用的。實(shí)施方案不限于此,并且可以將任何有機(jī)材料用作第一有機(jī)材料和第二有機(jī)材料,只要在5×10-4托至3×10-2托的范圍內(nèi)的飽和蒸氣壓下,有機(jī)材料具有5℃或小于5℃的相變溫度差即可。以下將描述確認(rèn)包含第一有機(jī)材料和第二有機(jī)材料的混合物是否能夠從單個沉積源供應(yīng)器150中被蒸發(fā)的方法的實(shí)例。首先,將第一有機(jī)材料提供至熱重分析儀(TGA),并隨后,設(shè)定TGA的每小時的溫度變化(例如,10℃/min的增長速率)。TGA可以包括,例如,用于接收樣品的坩堝、用于測量坩堝重量的重量測量單元、圍繞坩堝以加熱坩堝的加熱器、位于坩堝的外部的室,以及與該室連接且將該室的內(nèi)部壓力維持在幾乎為真空狀態(tài)(例如,約1×10-4托或小于1×10-4托)的進(jìn)入單元。在上述TGA的情況下,最初地,可以將相對于時間的溫度變化設(shè)定為5℃。在這種情況下,TGA可以測量第一有機(jī)材料的初始重量,以及第一有機(jī)材料的重量相對于溫度變化的變化,該溫度變化是相對于時間的溫度變化。即,TGA可以從第一有機(jī)材料的重量的變化計算重量變化速率,即,如下列等式中所示的相對于時間的重量變化。[等式1]其中W為有機(jī)材料的重量,t為時間,并且T為TGA的溫度。對此,如上所述那樣,可以最初設(shè)定dT/dt,其是等式1中相對于時間的溫度變化??梢酝ㄟ^使用經(jīng)使用TGA和已知的等式獲得的測量值來獲得基于重量變化速率,可以通過使用下列等式計算每單位面積的蒸發(fā)速率。[等式2]其中m為每單位面積的蒸發(fā)速率,并且U為TGA的坩堝的面積(不包括坩堝的開口的面積)。對于每單位面積的蒸發(fā)速率與有機(jī)材料的飽和蒸氣壓之間的關(guān)系,可以由已知的郎繆爾等式獲得下列等式。[等式3]其中a為1或小于1的蒸發(fā)系數(shù),M為有機(jī)材料的分子量,并且R為8.3145J/K·mol的氣體系數(shù)。蒸發(fā)系數(shù)a可以取決于蒸發(fā)壓力或取決于是否一起混合有其他材料。然而,當(dāng)一種有機(jī)材料在TGA中被蒸發(fā)時,因?yàn)槭业膬?nèi)部壓力幾乎為真空且沒有一起混合有其他材料,可以假設(shè)a為1。甚至對于相同的材料,因?yàn)閍是壓力的函數(shù),在1×10-4托或低于1×10-4托的壓力下,a可以通常為1。因此,僅僅需要考慮當(dāng)滿足該條件時飽和蒸氣壓相對于相變溫度的曲線。當(dāng)假設(shè)a為1時,可以根據(jù)基于這些結(jié)果獲得的有機(jī)材料的溫度與重量損失之間的關(guān)系來計算有機(jī)材料的每單位面積的蒸發(fā)速率。對此,可以通過使用等式1計算有機(jī)材料的溫度與重量損失之間的關(guān)系。圖2和圖3示出可以通過使用等式1、等式2和等式3計算飽和蒸氣壓與有機(jī)材料的溫度之間的關(guān)系。參考圖2和圖3,第一有機(jī)材料和第二有機(jī)材料可以僅在5×10-4托至3×10-2托的飽和蒸氣壓范圍內(nèi)具有系數(shù)關(guān)系。即,可以看出當(dāng)飽和蒸氣壓低于5×10-4托或高于3×10-4托時,飽和蒸氣壓與溫度之間的關(guān)系不是恒定的。除了第一有機(jī)材料和第二有機(jī)材料之外,其他材料也顯示出這種關(guān)系。參考圖2,第一有機(jī)材料具有在約360℃附近的拐點(diǎn),并且第二有機(jī)材料具有在約370℃附近的拐點(diǎn)。假設(shè)這些拐點(diǎn)由于第一有機(jī)材料和第二有機(jī)材料的熱分解而出現(xiàn)。當(dāng)圖2和圖3的飽和蒸氣壓在5×10-4托至3×10-2托以內(nèi)時,第一有機(jī)材料和第二有機(jī)材料中的每一種均可以相變。在飽和蒸氣壓范圍以內(nèi),如上所述,甚至當(dāng)將至少兩種不同的有機(jī)材料混合時,只要轉(zhuǎn)變溫度差在5℃以內(nèi),則可以在長時間段內(nèi)將至少兩種不同的有機(jī)材料的混合比率維持恒定。例如,在其中將除了第一有機(jī)材料和第二有機(jī)材料之外的兩種有機(jī)材料混合的一個實(shí)施方案中,可以獲得表2中示出的結(jié)果。表2的結(jié)果顯示當(dāng)在沉積源供應(yīng)器150中混合第三有機(jī)材料和第四有機(jī)材料并且隨后將該混合物沉積在第一襯底11上時,第三有機(jī)材料和第四有機(jī)材料的濃度的變化。對此,當(dāng)?shù)谌袡C(jī)材料和第四有機(jī)材料的飽和蒸氣壓為3×10-3托時,相變溫度差可以為3.4℃。第三有機(jī)材料可以為包含5p型分子的綠色主體,并且第四有機(jī)材料可以為包含5n型分子的綠色主體。[表2]材料蒸發(fā)(或升華)前的濃度(%)200小時的沉積后殘余的量(%)第三有機(jī)材料5049.6第四有機(jī)材料5050.4這些結(jié)果表明當(dāng)在相同的飽和蒸氣壓下相變溫度差為5℃或小于5℃時,甚至在沉積后殘余的量很少變化。除了所述材料,可以代替地使用各種其他有機(jī)材料。例如,在相同的飽和蒸氣壓下具有0.55℃的相變溫度差的兩種不同的有機(jī)材料(或用作綠色主體的兩種有機(jī)材料)的情況下,沉積前,所述兩種不同的有機(jī)材料可以分別具有69.9%和30.1%的濃度,并且在200小時沉積后,所述兩種不同的有機(jī)材料可以分別具有69.8%和30.2%的濃度。因此,以上述相同的方式,通過使用TGA分析所述至少兩種不同的有機(jī)材料中的每一種以確認(rèn)飽和蒸氣壓與轉(zhuǎn)變溫度之間的關(guān)系。從所獲得的結(jié)果,可以將各自具有5×10-4托至3×10-2托的飽和蒸氣壓和5℃的轉(zhuǎn)變溫度差的至少兩種不同的有機(jī)材料用于沉積??梢栽诒环胖迷诔练e源供應(yīng)器150中的同時,將所述至少兩種不同的有機(jī)材料同時沉積在第一襯底11上。一旦在第一襯底11上完全地進(jìn)行沉積過程,則開動泵162以將室110的內(nèi)部壓力維持在與大氣壓力相同。當(dāng)開動閘閥110a以打開室110時,機(jī)械臂可以將第一襯底11移至室110的外部。因此,裝置100和用于其的制造方法使得待混合的至少兩種有機(jī)材料的濃度能夠在誤差范圍以內(nèi),甚至當(dāng)將有機(jī)材料連續(xù)地、同時地沉積在第一襯底11上時。因此,裝置100和用于其的制造方法使得OLED18的中間層18b能夠均勻地形成,甚至當(dāng)在長時間段內(nèi)連續(xù)地進(jìn)行沉積過程時。因此,裝置100和用于其的制造方法可以使得能夠生產(chǎn)高品質(zhì)的顯示裝置,同時使缺陷率最小化。參考圖3,可以將裝置100用于形成中間層18b。其后,在中間層18b上形成相對的電極18c,并且隨后,在相對的電極18c上形成封裝部分以完成制造顯示裝置10。封裝部分可以包括薄膜封裝層E或第二襯底(未示出)。顯示裝置10可以包括第一襯底11和發(fā)射部分D。顯示裝置10可以在發(fā)射部分D上包括薄膜封裝層E或第二襯底。第二襯底與常規(guī)顯示裝置中使用的基本相同,并且因此,將省略對其的描述。為了便于解釋,將假設(shè)顯示裝置10包括薄膜封裝層E來提供實(shí)施方案。發(fā)射部分D可以包括薄膜晶體管TFT、覆蓋薄膜晶體管TFT的鈍化膜17以及在鈍化膜17上布置的OLED18。第一襯底11可以包括玻璃材料。然而,用于形成第一襯底11的材料不限于此。例如,第一襯底11可以包括塑料材料,或諸如SUS或Ti的金屬材料。在一些實(shí)施方案中,第一襯底11可以包括聚酰亞胺(PI)。在下文中,為了便于解釋,以下將假設(shè)第一襯底11包括玻璃材料來提供實(shí)施方案??梢栽诘谝灰r底11上形成緩沖層12。緩沖層12可以包含有機(jī)化合物和/或無機(jī)化合物。例如,緩沖層12可以包含SiOX(X≥1)或SiNX(X≥1)??梢栽诰彌_層12上形成具有某一圖案的有源層13,并且隨后,由柵絕緣層14覆蓋有源層13。有源層13包括源區(qū)13a、漏區(qū)13c和在源區(qū)13a與漏區(qū)13c之間的溝道區(qū)13b。有源層13可以包含多種材料。例如,有源層13可以包含無機(jī)半導(dǎo)體材料,例如非晶硅或晶體硅。在一些實(shí)施方案中,有源層13可以包含氧化物半導(dǎo)體。在一些實(shí)施方案中,有源層13可以包含有機(jī)半導(dǎo)體材料??梢砸栽诰彌_層12上形成非晶硅膜且隨后將非晶硅膜結(jié)晶以形成多晶硅膜,然后將多晶硅膜圖案化的這種方式形成有源層13。根據(jù)薄膜晶體管,即,根據(jù)薄膜晶體管是驅(qū)動薄膜晶體管(未示出)還是開關(guān)薄膜晶體管(未示出),用相應(yīng)的雜質(zhì)摻雜接觸TFT的源電極和漏電極的有源層13的源區(qū)13a和漏區(qū)13c。在柵絕緣層14上形成柵電極15,與有源層13相對應(yīng),并且層間絕緣層16覆蓋柵電極15。在層間絕緣層16和柵絕緣層14中的每一個中形成接觸孔H1,并且隨后,以源電極17a和漏電極17b分別接觸源區(qū)13a和漏區(qū)13c的這種方式在層間絕緣層16上形成源電極17a和漏電極17b。在薄膜晶體管TFT上形成鈍化膜17,并在鈍化膜17上形成OLED18的像素電極18a。像素電極18a經(jīng)由在鈍化膜17中形成的通孔H2接觸薄膜晶體管的漏電極17b。鈍化膜17可以包含無機(jī)材料和有機(jī)材料中的至少一種,并且可以具有單層結(jié)構(gòu)或包括兩層或多于兩層的多層結(jié)構(gòu)。在一些實(shí)施方案中,鈍化膜17可以為具有平坦頂表面的平整化層,盡管其下層是不平坦的。在一些實(shí)施方案中,鈍化膜17可以適形于其下層,所以如果下層是彎曲的,則鈍化膜17也是彎曲的。為了獲得共振效應(yīng),鈍化膜17可以包含透明絕緣材料。在鈍化膜17上形成像素電極18a之后,形成覆蓋像素電極18a和鈍化膜17的像素限定膜19。像素限定膜19可以包含有機(jī)材料和/或無機(jī)材料。像素限定膜19是敞開的,使得像素電極18a被暴露。在像素電極18a上形成中間層18b和相對的電極18c。像素電極18a可以充當(dāng)陽極并且相對的電極18c可以充當(dāng)陰極。然而,在一些實(shí)施方案中,像素電極18a可以充當(dāng)陰極并且相對的電極18c可以充當(dāng)陽極。像素電極18a和相對的電極18c可以通過中間層18b而彼此絕緣,并且對中間層18b施加具有不同極性的電壓以允許有機(jī)發(fā)射層發(fā)光。中間層18b可以包括有機(jī)發(fā)射層。在任選的實(shí)施方案中,中間層18b可以包括有機(jī)發(fā)射層,并且額外地包括作為公共層(未示出)的選自空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層和電子注入層中的至少一層。組成中間層18b的層可以各自包含至少兩種有機(jī)材料,例如第一有機(jī)材料和第二有機(jī)材料,其中所述有機(jī)材料以混合狀態(tài)存在。所述至少兩種有機(jī)材料可以具有不同的相變溫度,并且在5×10-4托至3×10-2托的某一飽和蒸氣壓(第一飽和蒸氣壓)下,相變溫度之間的差為5℃或小于5℃。例如,有機(jī)發(fā)射層和公共層中的至少一個可以包含處于混合狀態(tài)的至少兩種或多于兩種的有機(jī)材料。例如,僅有機(jī)發(fā)射層可以包含處于混合狀態(tài)的至少兩種或多于兩種的有機(jī)材料。例如,僅公共層可以包含處于混合狀態(tài)的至少兩種或多于兩種的有機(jī)材料。對此,從組成公共層的層中,至少一層可以包含處于混合狀態(tài)的至少兩種或多于兩種的有機(jī)材料。在一些實(shí)施方案中,有機(jī)發(fā)射層和公共層中的每一個均可以包含處于混合狀態(tài)的至少兩種或多于兩種的有機(jī)材料。然而,為了便于解釋,將假設(shè)有機(jī)發(fā)射層包含第一有機(jī)材料和第二有機(jī)材料來提供實(shí)施方案。單個單元像素包括多個子像素,所述子像素發(fā)射多種的光顏色。例如,子像素可以包括發(fā)射紅光的子像素、發(fā)射綠光的子像素和發(fā)射藍(lán)光的子像素,或者子像素可以包括發(fā)射紅光的子像素、發(fā)射綠光的子像素、發(fā)射藍(lán)光的子像素和發(fā)射白光的子像素。薄膜封裝層E可以包括多個無機(jī)層,或可以包括無機(jī)層和有機(jī)層。薄膜封裝層E的有機(jī)層可以包含聚合物。例如,有機(jī)層可以是包含選自聚對苯二甲酸乙二酯、聚酰亞胺、聚碳酸酯、環(huán)氧樹脂、聚乙烯和聚丙烯酸酯中的至少一種的單層膜或堆疊膜。例如,有機(jī)層可以包含聚丙烯酸酯,或通過聚合包含基于二丙烯酸酯的單體和基于三丙烯酸酯的單體的單體組合物而獲得的聚合物。單體組合物可以進(jìn)一步包含基于單丙烯酸酯的單體。單體組合物可以進(jìn)一步包含已知的光引發(fā)劑,例如2,4,6-三甲基苯甲?;趸?TPO)。然而,實(shí)施方案不限于此。薄膜封裝層E的無機(jī)層可以為包含金屬氧化物或金屬氮化物的單層膜或堆疊膜。例如,無機(jī)層可以包含SiNX、Al2O3、SiO2和TiO2中的任一種。從組成薄膜封裝層E的層中,暴露于顯示裝置10的外部的最上層可以包括無機(jī)層以防止水分滲入OLED18。薄膜封裝層E可以包括至少一個在至少兩個無機(jī)層之間包括至少一個有機(jī)層的夾層結(jié)構(gòu)。在一些實(shí)施方案中,薄膜封裝層E可以包括至少一個在至少兩個有機(jī)層之間包括至少一個無機(jī)層的夾層結(jié)構(gòu)。在一些實(shí)施方案中,薄膜封裝層E可以包括在至少兩個無機(jī)層之間包括至少一個有機(jī)層的夾層結(jié)構(gòu)和在至少兩個有機(jī)層之間包括至少一個無機(jī)層的夾層結(jié)構(gòu)。薄膜封裝層E可以包括第一無機(jī)層、第一有機(jī)層和第二無機(jī)層,這些以這種規(guī)定的順序依次形成在OLED18上。在一些實(shí)施方案中,薄膜封裝層E可以包括第一無機(jī)層、第一有機(jī)層、第二無機(jī)層、第二有機(jī)層和第三無機(jī)層,這些以這種規(guī)定的順序依次形成在OLED18上。在一些實(shí)施方案中,薄膜封裝層E可以包括第一無機(jī)層、第一有機(jī)層、第二無機(jī)層、第二有機(jī)層、第三無機(jī)層、第三有機(jī)層和第四無機(jī)層,這些以這種規(guī)定的順序依次形成在OLED18上。在OLED18與第一無機(jī)層之間可額外地包括含有LiF的鹵化金屬層。當(dāng)通過濺射形成第一無機(jī)層時,鹵化金屬層可以保護(hù)OLED18。第一有機(jī)層的面積可以小于第二無機(jī)層的面積,以及第二有機(jī)層的面積可以小于第三無機(jī)層的面積。因此,可以將顯示裝置10的品質(zhì)維持在高水平。此外,由于包括包含有機(jī)材料的中間層18b,其中所述有機(jī)材料的設(shè)計的濃度比率被維持恒定,因此顯示裝置10可以體現(xiàn)出高發(fā)光效率。根據(jù)實(shí)施方案的顯示裝置以及制造所述顯示裝置的裝置和方法允許顯示裝置準(zhǔn)確地體現(xiàn)出圖像。應(yīng)理解應(yīng)僅以描述性意義而不是為了限制的目的考慮本文所述的示例性實(shí)施方案。在各個示例性實(shí)施方案內(nèi)的特征或方面的描述應(yīng)通常被認(rèn)為可用于其他示例性實(shí)施方案中的其他類似的特征或方面。雖然在本文中已經(jīng)描述了某些示例性實(shí)施方案和實(shí)施,但是其他實(shí)施方案和修改從該描述中會變得顯而易見。因此,本發(fā)明構(gòu)思不限于此類實(shí)施方案,而相反地,限于所提出的權(quán)利要求和各種顯而易見的修改和等同布置的更寬的范圍。當(dāng)前第1頁1 2 3 當(dāng)前第1頁1 2 3 
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