本發(fā)明的實(shí)施方式涉及一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，且更具體地，涉及一種頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光顯示裝置。

背景技術(shù)：

有機(jī)發(fā)光顯示(OLED)裝置是自發(fā)光顯示裝置，它具有低功耗、響應(yīng)速度快、高發(fā)光效率、高亮度以及寬視角的優(yōu)點(diǎn)。

根據(jù)從有機(jī)發(fā)光器件發(fā)射的光的方向，OLED裝置可以主要被分類為頂部發(fā)光型和底部發(fā)光型。在底部發(fā)光型的情況下，電路裝置被設(shè)置在發(fā)光層與圖像顯示表面之間，從而由于電路裝置而可能會(huì)降低孔徑比。同時(shí)，在頂部發(fā)光型的情況下，在發(fā)光層與圖像顯示表面之間沒(méi)有設(shè)置電路裝置，從而孔徑比可以被提高。

圖1是現(xiàn)有技術(shù)的頂部發(fā)光型OLED裝置的截面圖。

如圖1所示，包括有源層11、柵絕緣膜12、柵極13、絕緣隔層14、源極15以及漏極16的薄膜晶體管層(T)被設(shè)置在基板10的有效顯示區(qū)上，且然后鈍化層20和平整層30被依次設(shè)置在薄膜晶體管層(T)上。

另外，陽(yáng)極40和輔助電極50被設(shè)置在平整層30上。設(shè)置輔助電極50是為了減小陰極80的電阻，這將稍后解釋。

在陽(yáng)極40和輔助電極50上，設(shè)置堤岸(bank)60來(lái)限定像素區(qū)域。另外，在由堤岸60限定的像素區(qū)域中設(shè)置有機(jī)發(fā)光層70，并在有機(jī)發(fā)光層70上設(shè)置陰極80。

在頂部發(fā)光型的情況下，從有機(jī)發(fā)光層70發(fā)射的光穿過(guò)陰極80。為此，陰極80由透明導(dǎo)電材料形成，這導(dǎo)致其中電阻的增大。為了減小陰極80的電阻，陰極80與輔助電極50連接。

柵絕緣膜12被設(shè)置在基板10的焊盤區(qū)上，第一信號(hào)焊盤90被設(shè)置在柵絕緣膜12上，并且絕緣隔層14被設(shè)置在第一信號(hào)焊盤90上。

第二信號(hào)焊盤95被設(shè)置在絕緣隔層14上。第二信號(hào)焊盤95經(jīng)由設(shè)置在絕緣隔 層14中的接觸孔與第一信號(hào)焊盤90連接。

鈍化層20被設(shè)置在第二信號(hào)焊盤95上，且在鈍化層20中設(shè)置孔。通過(guò)在鈍化層20中設(shè)置的孔，第二信號(hào)焊盤95被暴露在外。為了將第二信號(hào)焊盤95與外部驅(qū)動(dòng)電路連接，在鈍化層20中設(shè)置孔，并且第二信號(hào)焊盤95被暴露在外。

為了克服與在圖1中的現(xiàn)有技術(shù)的頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光顯示裝置中第二信號(hào)焊盤95的腐蝕有關(guān)的問(wèn)題，設(shè)置了用于覆蓋第二信號(hào)焊盤95的焊盤電極。然而，如果應(yīng)用焊盤電極，則焊盤區(qū)的接合工藝可能會(huì)很困難。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

因此，本發(fā)明的實(shí)施方式針對(duì)一種頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光顯示裝置，該有機(jī)發(fā)光顯示裝置基本上消除了由于現(xiàn)有技術(shù)的限制和缺陷所導(dǎo)致的一個(gè)或更多個(gè)問(wèn)題。

本發(fā)明的實(shí)施方式的一方面針對(duì)提供一種頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光顯示裝置，該有機(jī)發(fā)光顯示裝置有助于焊盤區(qū)中的接合工藝。

本發(fā)明的實(shí)施方式的另外的優(yōu)點(diǎn)和特征將在以下的描述中被部分地闡述，并且對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言在查閱下文之后將部分地變得顯而易見或者可以從本發(fā)明的實(shí)施方式的實(shí)踐中習(xí)得。通過(guò)在所撰寫的說(shuō)明書及其權(quán)利要求書以及附圖中具體指出的結(jié)構(gòu)可以實(shí)現(xiàn)并獲得本發(fā)明的實(shí)施方式的目的和其它優(yōu)點(diǎn)。

為了實(shí)現(xiàn)這些和其它優(yōu)點(diǎn)并且根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的目的，如本文中所實(shí)施和廣泛描述地，提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，該有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以包括在基板的焊盤區(qū)上的第一焊盤和第二焊盤，其中，該第一焊盤包括第一接合區(qū)域和第一鏈接區(qū)域，以及該第二焊盤包括第二接合區(qū)域、接觸區(qū)域和第二鏈接區(qū)域。

實(shí)施方式涉及一種顯示裝置，該顯示裝置包括：基板，所述基板具有有效顯示區(qū)和焊盤區(qū)；第一信號(hào)線和第二信號(hào)線，所述第一信號(hào)線和所述第二信號(hào)線位于所述有效顯示區(qū)中；以及第一焊盤，所述第一焊盤位于所述焊盤區(qū)中并且被電連接到所述第一信號(hào)線。所述第一焊盤包括：鏈接區(qū)域，所述鏈接區(qū)域被電連接到所述第一信號(hào)線；以及第一接合區(qū)域，所述第一接合區(qū)域具有用于接合到外部電路的第一接合電極。所述第一接合區(qū)域包括一個(gè)或更多個(gè)第一接觸孔，所述第一接合電極通過(guò)所述一個(gè)或更多個(gè)第一接觸孔被電連接到所述鏈接區(qū)域。所述顯示裝置還包括：第二焊盤，所述第二焊盤位于所述焊盤區(qū)中并且被電連接到所述第二信號(hào)線。所述第二焊盤包括：第二 接合區(qū)域，所述第二接合區(qū)域具有用于接合到所述外部電路的第二接合電極；以及接觸區(qū)域，所述接觸區(qū)域與所述第二接合區(qū)域電連接。所述接觸區(qū)域具有一個(gè)或更多個(gè)第二接觸孔，所述第二接合電極通過(guò)所述一個(gè)或更多個(gè)第二接觸孔被電連接到所述第二信號(hào)線。所述第二焊盤的所述接觸區(qū)域比所述第一焊盤的所述第一接合區(qū)域更靠近所述有效顯示區(qū)。

在一種實(shí)施方式中，所述第一焊盤的所述第一接合區(qū)域的寬度大于所述第二焊盤的所述接觸區(qū)域的寬度。

在一種實(shí)施方式中，所述第一接合區(qū)域中的所述第一接觸孔的數(shù)量大于所述第二焊盤的所述接觸區(qū)域中的所述第二接觸孔的數(shù)量。

在一種實(shí)施方式中，所述第二焊盤中的所述第二接合區(qū)域的寬度小于所述第二焊盤中的所述接觸區(qū)域的寬度。

在一種實(shí)施方式中，所述第二焊盤中的所述第二接合區(qū)域的寬度大于所述第一焊盤中的所述鏈接區(qū)域的寬度。

在一種實(shí)施方式中，所述第一接合區(qū)域的截面結(jié)構(gòu)與所述接觸區(qū)域的截面結(jié)構(gòu)大致相同。

在一種實(shí)施方式中，所述第二接合電極位于具有所述一個(gè)或更多個(gè)第二接觸孔的絕緣層上，并且所述第二接合電極通過(guò)所述絕緣層中的所述一個(gè)或更多個(gè)第二接觸孔被電連接到所述第二信號(hào)線。

在一種實(shí)施方式中，防短路層覆蓋所述第二焊盤的所述接觸區(qū)域。

在一種實(shí)施方式中，所述第二焊盤還包括：橋區(qū)域，所述橋區(qū)域?qū)⑺龅诙雍蠀^(qū)域與所述接觸區(qū)域電連接。

在一種實(shí)施方式中，所述橋區(qū)域的寬度小于所述第二接合區(qū)域的寬度。

在一種實(shí)施方式中，所述橋區(qū)域的寬度小于所述接觸區(qū)域的寬度。

在一種實(shí)施方式中，所述第一信號(hào)線和所述第二信號(hào)線中的至少一個(gè)為數(shù)據(jù)線、選通線、參考線和電源線中的至少一個(gè)。

在一種實(shí)施方式中，該顯示裝置還包括：薄膜晶體管，所述薄膜晶體管具有有源層、柵極、源極和漏極。所述第二焊盤的所述接觸區(qū)域的至少一部分位于與所述柵極、所述源極和所述漏極中的至少一個(gè)相同的層中，或者所述第一焊盤的所述第一接合區(qū)域的至少一部分位于與所述柵極、所述源極和所述漏極中的至少一個(gè)相同的層中。

在一種實(shí)施方式中，該顯示裝置還包括：陽(yáng)極、有機(jī)發(fā)光層和陰極。所述第二焊盤的所述接觸區(qū)域的至少一部分位于與所述陽(yáng)極相同的層中，或者所述第一焊盤的所述第一接合區(qū)域的至少一部分位于與所述陽(yáng)極相同的層中。

在一種實(shí)施方式中，該顯示裝置還包括像素。所述像素包括：薄膜晶體管，所述薄膜晶體管具有有源層、柵極、源極和漏極。它還包括：第一陽(yáng)極，所述第一陽(yáng)極被電連接到所述漏極；第二陽(yáng)極，所述第二陽(yáng)極被電連接到所述第一陽(yáng)極；陰極；有機(jī)發(fā)光層，所述有機(jī)發(fā)光層位于所述第二陽(yáng)極與所述陰極之間；第一輔助電極；以及第二輔助電極，所述第二輔助電極與所述第一輔助電極和所述陰極電連接。

在一種實(shí)施方式中，所述第二焊盤的所述接觸區(qū)域和所述第一焊盤的所述第一接合區(qū)域中的至少一個(gè)包括：第一信號(hào)焊盤，所述第一信號(hào)焊盤位于與所述柵極相同的層中；以及第二信號(hào)焊盤，所述第二信號(hào)焊盤位于與所述源極和所述漏極相同的層中。所述第二信號(hào)焊盤位于所述一個(gè)或更多個(gè)第二接觸孔中。第一焊盤電極被設(shè)置在與所述第一陽(yáng)極和所述第一輔助電極相同的層中；以及第二焊盤電極被設(shè)置在與所述第二陽(yáng)極和所述第二輔助電極相同的層中。

在一種實(shí)施方式中，該顯示裝置還包括像素。所述像素包括：薄膜晶體管，所述薄膜晶體管具有有源層、柵極、源極和漏極。陽(yáng)極被電連接到所述漏極；有機(jī)發(fā)光層被連接到所述陽(yáng)極；以及陰極被連接到所述有機(jī)發(fā)光層。所述第二焊盤的所述接觸區(qū)域和所述第一焊盤的所述第一接合區(qū)域中的至少一個(gè)包括：第一信號(hào)焊盤，所述第一信號(hào)焊盤位于與所述柵極相同的層中；第二信號(hào)焊盤，所述第二信號(hào)焊盤位于與所述源極和所述漏極相同的層中。所述第二信號(hào)焊盤位于所述一個(gè)或更多個(gè)第二接觸孔中。第一焊盤電極位于與所述陽(yáng)極相同的層中。

要理解的是，本發(fā)明的實(shí)施方式的以上概括性描述和以下詳細(xì)描述兩者都是示例性和說(shuō)明性的，并且旨在提供對(duì)所請(qǐng)求保護(hù)的本發(fā)明的進(jìn)一步解釋。

附記1.一種顯示裝置，該顯示裝置包括：

基板，所述基板具有有效顯示區(qū)和焊盤區(qū)；

第一信號(hào)線和第二信號(hào)線，所述第一信號(hào)線和所述第二信號(hào)線位于所述有效顯示區(qū)中；以及

第一焊盤，所述第一焊盤位于所述焊盤區(qū)中并且被連接到所述第一信號(hào)線，其中，所述第一焊盤包括：

鏈接區(qū)域，所述鏈接區(qū)域被電連接到所述第一信號(hào)線；以及

第一接合區(qū)域，所述第一接合區(qū)域具有用于接合到外部電路的第一接合電極，所述第一接合區(qū)域包括一個(gè)或更多個(gè)第一接觸孔，所述第一接合電極通過(guò)所述一個(gè)或更多個(gè)第一接觸孔被電連接到所述鏈接區(qū)域；以及

第二焊盤，所述第二焊盤位于所述焊盤區(qū)中并且被連接到所述第二信號(hào)線，其中，所述第二焊盤包括：

第二接合區(qū)域，所述第二接合區(qū)域具有用于接合到所述外部電路的第二接合電極；以及

接觸區(qū)域，所述接觸區(qū)域與所述第二接合區(qū)域電連接，所述接觸區(qū)域具有一個(gè)或更多個(gè)第二接觸孔，所述第二接合電極通過(guò)所述一個(gè)或更多個(gè)第二接觸孔被電連接到所述第二信號(hào)線，所述接觸區(qū)域比所述第一接合區(qū)域更靠近所述有效顯示區(qū)。

附記2.根據(jù)附記1所述的顯示裝置，其中，所述第一焊盤的所述第一接合區(qū)域的寬度大于所述第二焊盤的所述接觸區(qū)域的寬度。

附記3.根據(jù)附記1所述的顯示裝置，其中，所述第一接合區(qū)域中的所述第一接觸孔的數(shù)量大于所述第二焊盤的所述接觸區(qū)域中的所述第二接觸孔的數(shù)量。

附記4.根據(jù)附記1所述的顯示裝置，其中，所述第二焊盤中的所述第二接合區(qū)域的寬度小于所述第二焊盤中的所述接觸區(qū)域的寬度。

附記5.根據(jù)附記1所述的顯示裝置，其中，所述第二焊盤中的所述第二接合區(qū)域的寬度大于所述第一焊盤中的所述鏈接區(qū)域的寬度。

附記6.根據(jù)附記1所述的顯示裝置，其中，所述第一接合區(qū)域的截面結(jié)構(gòu)與所述接觸區(qū)域的截面結(jié)構(gòu)相同。

附記7.根據(jù)附記1所述的顯示裝置，其中，所述第二接合電極位于具有所述一個(gè)或更多個(gè)第二接觸孔的絕緣層上，并且所述第二接合電極通過(guò)所述絕緣層中的所述一個(gè)或更多個(gè)第二接觸孔被電連接到所述第二信號(hào)線。

附記8.根據(jù)附記1所述的顯示裝置，該顯示裝置還包括防短路層，所述防短路層覆蓋所述第二焊盤的所述接觸區(qū)域。

附記9.根據(jù)附記1所述的顯示裝置，其中，所述第二焊盤還包括：

橋區(qū)域，所述橋區(qū)域?qū)⑺龅诙雍蠀^(qū)域與所述接觸區(qū)域電連接。

附記10.根據(jù)附記9所述的顯示裝置，其中，所述橋區(qū)域的寬度小于所述第二接 合區(qū)域的寬度。

附記11.根據(jù)附記9所述的顯示裝置，其中，所述橋區(qū)域的寬度小于所述接觸區(qū)域的寬度。

附記12.根據(jù)附記1所述的顯示裝置，其中，所述第一信號(hào)線和所述第二信號(hào)線中的至少一個(gè)為數(shù)據(jù)線、選通線、參考線和電源線中的至少一個(gè)。

附記13.根據(jù)附記1所述的顯示裝置，該顯示裝置還包括：

薄膜晶體管，所述薄膜晶體管具有有源層、柵極、源極和漏極，

其中，所述第二焊盤的所述接觸區(qū)域的至少一部分位于與所述柵極、所述源極和所述漏極中的至少一個(gè)相同的層中，或者

其中，所述第一焊盤的所述第一接合區(qū)域的至少一部分位于與所述柵極、所述源極和所述漏極中的至少一個(gè)相同的層中。

附記14.根據(jù)附記1所述的顯示裝置，該顯示裝置還包括：

陽(yáng)極、有機(jī)發(fā)光層和陰極，

其中，所述第二焊盤的所述接觸區(qū)域的至少一部分位于與所述陽(yáng)極相同的層中，或者

其中，所述第一焊盤的所述第一接合區(qū)域的至少一部分位于與所述陽(yáng)極相同的層中。

附記15.根據(jù)附記14所述的顯示裝置，其中，所述第二焊盤的所述接觸區(qū)域的所述至少一部分或所述第一焊盤的所述第一接合區(qū)域的所述至少一部分包括第一焊盤電極和在所述第一焊盤電極上的第二焊盤電極，并且

其中，所述第一焊盤電極和所述第二焊盤電極中的每一個(gè)包括第一層、在所述第一層上的第二層以及在所述第二層上的第三層，所述第一層和所述第三層具有比所述第二層低的氧化度，并且所述第二層具有比所述第一層和所述第三層低的電阻。

附記16.根據(jù)附記1所述的顯示裝置，該顯示裝置還包括：

像素，所述像素包括：

薄膜晶體管，所述薄膜晶體管具有有源層、柵極、源極和漏極；

第一陽(yáng)極，所述第一陽(yáng)極被電連接到所述漏極；

第二陽(yáng)極，所述第二陽(yáng)極被電連接到所述第一陽(yáng)極；

陰極；

有機(jī)發(fā)光層，所述有機(jī)發(fā)光層位于所述第二陽(yáng)極與所述陰極之間；

第一輔助電極；以及

第二輔助電極，所述第二輔助電極與所述第一輔助電極和所述陰極電連接。

附記17.根據(jù)附記16所述的顯示裝置，其中，所述第二焊盤的所述接觸區(qū)域和所述第一焊盤的所述第一接合區(qū)域中的至少一個(gè)包括：

第一信號(hào)焊盤，所述第一信號(hào)焊盤位于與所述柵極相同的層中；

第二信號(hào)焊盤，所述第二信號(hào)焊盤位于與所述源極和所述漏極相同的層中，所述第二信號(hào)焊盤位于所述一個(gè)或更多個(gè)第二接觸孔中；

第一焊盤電極，所述第一焊盤電極位于與所述第一陽(yáng)極和所述第一輔助電極相同的層中；以及

第二焊盤電極，所述第二焊盤電極位于與所述第二陽(yáng)極和所述第二輔助電極相同的層中。

附記18.根據(jù)附記17所述的顯示裝置，其中，所述第二信號(hào)焊盤包括下部信號(hào)焊盤和在所述下部信號(hào)焊盤上的上部信號(hào)焊盤，所述下部信號(hào)焊盤具有比所述上部信號(hào)焊盤低的氧化度，并且所述上部信號(hào)焊盤具有比所述下部信號(hào)焊盤低的電阻；以及

其中，所述第一焊盤電極和所述第二焊盤電極中的每一個(gè)包括第一層、在所述第一層上的第二層以及在所述第二層上的第三層，所述第一層和所述第三層具有比所述第二層低的氧化度，并且所述第二層具有比所述第一層和所述第三層低的電阻。

附記19.根據(jù)附記1所述的顯示裝置，該顯示裝置還包括：

像素，所述像素包括：

薄膜晶體管，所述薄膜晶體管具有有源層、柵極、源極和漏極；

陽(yáng)極，所述陽(yáng)極被電連接到所述漏極；

有機(jī)發(fā)光層，所述有機(jī)發(fā)光層被連接到所述陽(yáng)極；

陰極，所述陰極被連接到所述有機(jī)發(fā)光層；

其中，所述第二焊盤的所述接觸區(qū)域和所述第一焊盤的所述第一接合區(qū)域中的至少一個(gè)包括：

第一信號(hào)焊盤，所述第一信號(hào)焊盤位于與所述柵極相同的層中；

第二信號(hào)焊盤，所述第二信號(hào)焊盤位于與所述源極和所述漏極相同的層中，所述第二信號(hào)焊盤位于所述一個(gè)或更多個(gè)第二接觸孔中；以及

第一焊盤電極，所述第一焊盤電極位于與所述陽(yáng)極相同的層中。

附記20.根據(jù)附記19所述的顯示裝置，其中，所述第二信號(hào)焊盤包括下部信號(hào)焊盤和在所述下部信號(hào)焊盤上的上部信號(hào)焊盤，所述下部信號(hào)焊盤具有比所述上部信號(hào)焊盤低的氧化度，并且所述上部信號(hào)焊盤具有比所述下部信號(hào)焊盤低的電阻；以及

其中，所述第一焊盤電極包括第一層、在所述第一層上的第二層以及在所述第二層上的第三層，所述第一層和所述第三層具有比所述第二層低的氧化度，并且所述第二層具有比所述第一層和所述第三層低的電阻。

附圖說(shuō)明

附圖被包括以提供對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式的進(jìn)一步理解，并且被并入本申請(qǐng)中且構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分，附圖例示了本發(fā)明的實(shí)施方式，并且與本描述一起用來(lái)解釋本發(fā)明的實(shí)施方式的原理。在附圖中：

圖1是現(xiàn)有技術(shù)的頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光顯示裝置的截面圖。

圖2是根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的示意圖。

圖3是根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的截面圖。

圖4是示出根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置中的焊盤區(qū)的平面圖。

圖5是示出根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置中的焊盤區(qū)的平面圖。

圖6是沿圖5中的線A-A的截面圖。

圖7是根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施方式的沿圖5中的線B-B或線C-C的截面圖。

圖8是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方式的沿圖5中的線B-B或線C-C的截面圖。

圖9是根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施方式的沿圖5中的線D-D的截面圖。

圖10是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方式的沿圖5中的線D-D的截面圖。

圖11是根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施方式的沿圖5中的線E-E的截面圖。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在將詳細(xì)地參照本發(fā)明的示例性實(shí)施方式，在附圖中例示了本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的示例。在任何可行的情況下，遍及整個(gè)附圖中將使用相同的附圖標(biāo)記來(lái)指代 相同或相似的部件。

將通過(guò)下面參照附圖描述的實(shí)施方式來(lái)闡明本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征及其實(shí)現(xiàn)方法。然而，本發(fā)明可以按照不同的形式來(lái)實(shí)現(xiàn)，并且不應(yīng)被解釋為受限于本文中闡述的實(shí)施方式。相反，提供這些實(shí)施方式以使得本公開將是透徹的和完整的，并且將向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分地傳達(dá)本發(fā)明的范圍。另外，本發(fā)明僅由權(quán)利要求書的范圍來(lái)限定。

在附圖中發(fā)明的用于描述本發(fā)明的實(shí)施方式的形狀、尺寸、比率、角度和數(shù)字僅是示例，并且因此本發(fā)明不限于所例示的細(xì)節(jié)。相似的附圖標(biāo)記全篇指代相似的元件。在以下描述中，當(dāng)相關(guān)的已知功能或配置的詳細(xì)描述被確定為使本發(fā)明的要點(diǎn)不必要地模糊時(shí)，將省略詳細(xì)描述。在使用了本說(shuō)明書中描述的“包括”、“具有”和“包含”的情況下，除非使用了“僅～”，否則可以添加另一部件。除非提到相反情況，否則單數(shù)形式的術(shù)語(yǔ)可以包括復(fù)數(shù)形式。在解釋元件時(shí)，雖然沒(méi)有明確的描述，但是該元件被解釋為包括誤差范圍。

在本發(fā)明的實(shí)施方式的描述中，當(dāng)結(jié)構(gòu)(例如，電極、線、布線、層或觸點(diǎn))被描述為形成在另一結(jié)構(gòu)的上部/下部處或形成在另一結(jié)構(gòu)上/下時(shí)，該描述應(yīng)被解釋為包括這些結(jié)構(gòu)彼此接觸的情況以及另外，包括它們之間設(shè)置有第三結(jié)構(gòu)的情況。

在描述時(shí)間關(guān)系時(shí)，例如，當(dāng)時(shí)間順序被描述為“在…之后”、“繼…之后”、“緊接著”和“在…之前”時(shí)，除非使用“剛好”或“直接”，否則可以包括不連續(xù)的情況。

將理解的是，盡管本文中可以使用術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”等來(lái)描述各種元件，但是這些元件不應(yīng)受這些術(shù)語(yǔ)限制。這些術(shù)語(yǔ)僅被用于將一個(gè)元件與另一元件區(qū)分開。例如，在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下，第一元件可以被稱作第二元件，并且類似地，第二元件可以被稱作第一元件。

本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施方式的特征可以部分地或整體地彼此聯(lián)接或彼此組合，并且可以在技術(shù)上彼此進(jìn)行各種互操作和被驅(qū)動(dòng)，如本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠充分理解的那樣。本發(fā)明的實(shí)施方式可以彼此獨(dú)立地被執(zhí)行，或者可以按照相互依存關(guān)系一同被執(zhí)行。

以下，將參照附圖來(lái)詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置。

圖2是根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的示意圖。

如圖2所示，根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以包括有效顯示區(qū)(AA)和焊盤區(qū)(PA)。焊盤區(qū)(PA)被設(shè)置在有效顯示區(qū)(AA)的外圍中。

在有效顯示區(qū)(AA)中，選通線(GL)和感測(cè)控制線(SCL)被設(shè)置在第一方向(例如，長(zhǎng)度方向)上，并且以固定的間隔來(lái)設(shè)置。另外，在有效顯示區(qū)(AA)中，電源線(VDD)、第一數(shù)據(jù)線(DL1)、第二數(shù)據(jù)線(DL2)以及參考線(Ref)被設(shè)置在第二方向(例如，寬度方向)上，并且以固定的間隔來(lái)設(shè)置。

第一像素(P1)通過(guò)設(shè)置在長(zhǎng)度方向上的選通線(GL)和感測(cè)控制線(SCL)與設(shè)置在寬度方向上的電源線(VDD)和第一數(shù)據(jù)線(DL1)的組合來(lái)限定。另外，第二像素(P2)通過(guò)設(shè)置在長(zhǎng)度方向上的選通線(GL)和感測(cè)控制線(SCL)與設(shè)置在寬度方向上的第二數(shù)據(jù)線(DL2)和參考線(Ref)的組合來(lái)限定。在這種結(jié)構(gòu)中，電源線(VDD)和參考線(Ref)被彼此相鄰的第一像素(P1)和第二像素(P2)共享，使得可以減少線的總數(shù)量。

第一像素(P1)和第二像素(P2)中的每一個(gè)被設(shè)置有開關(guān)薄膜晶體管(T1)、驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(T2)、感測(cè)薄膜晶體管(T3)、電容器(C)以及有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)。

開關(guān)薄膜晶體管(T1)通過(guò)供應(yīng)給選通線(GL)的選通信號(hào)而被切換，并且開關(guān)薄膜晶體管(T1)供應(yīng)數(shù)據(jù)電壓，該數(shù)據(jù)電壓從第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線(DL1、DL2)被供應(yīng)給驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(T2)。

驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(T2)通過(guò)從開關(guān)薄膜晶體管(T1)供應(yīng)的數(shù)據(jù)電壓而被切換，并且驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(T2)通過(guò)使用從電源線(VDD)供應(yīng)的電力來(lái)產(chǎn)生數(shù)據(jù)電流，并且向有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)供應(yīng)所產(chǎn)生的數(shù)據(jù)電流。

感測(cè)薄膜晶體管(T3)被設(shè)置成感測(cè)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(T2)的閾值電壓偏差，其中，該閾值電壓偏差可能會(huì)導(dǎo)致圖片質(zhì)量的下降。在感測(cè)模式中感測(cè)閾值電壓偏差。響應(yīng)于從感測(cè)控制線(SCL)供應(yīng)的感測(cè)控制信號(hào)，感測(cè)薄膜晶體管(T3)向參考線(Ref)供應(yīng)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(T2)的電壓。

電容器(C)在一幀內(nèi)維持供應(yīng)給驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(T2)的數(shù)據(jù)電壓，并且電容器(C)與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(T2)的柵極和源極中的每一個(gè)連接。

有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)根據(jù)從驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(T2)供應(yīng)的數(shù)據(jù)電流來(lái)發(fā)光。有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)可以包括第一電極、發(fā)光層和第二電極。第一電極與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(T2)的源極連接，且第二電極與低電源線(VSS)連接。此時(shí)，第一電極用作陽(yáng)極，且第二電極用作陰極。

圖3是根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的截面圖。

如圖3所示，根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以包括在基板100上的有效顯示區(qū)(AA)和焊盤區(qū)(PA)。

在基板100的有效顯示區(qū)(AA)中，具有薄膜晶體管層(T)、鈍化層165、第一平整層171、第二平整層172、第一陽(yáng)極180、第二陽(yáng)極200、第一輔助電極190、第二輔助電極210、堤岸(bank)220、間隔體(partition)230、有機(jī)發(fā)光層240和陰極250。

在薄膜晶體管層(T)中設(shè)置的薄膜晶體管與圖2中所示的上述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(T2)相對(duì)應(yīng)。薄膜晶體管層(T)可以包括有源層110、柵絕緣薄膜120、柵極130、絕緣隔層140、源極150和漏極160。

有源層110被設(shè)置在基板100上，并且有源層110與柵極130交疊。有源層110可以由基于硅的半導(dǎo)體材料或基于氧化物的半導(dǎo)體材料形成。盡管沒(méi)有示出，但遮光層可以被附加地設(shè)置在基板100與有源層110之間。在這種情況下，入射在基板100的下表面上的外部光被遮光層阻擋，使得可以防止有源層110被外部光損壞。

柵絕緣膜120被設(shè)置在有源層110上。柵絕緣膜120將有源層110與柵極130彼此絕緣。例如，柵絕緣膜120可以由無(wú)機(jī)絕緣材料形成，且更具體地，柵絕緣膜120可以被形成為諸如氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)的無(wú)機(jī)絕緣材料的單層結(jié)構(gòu)，或者以上氧化硅(SiOx)和氮化硅(SiNx)的多層結(jié)構(gòu)，但不限于這些結(jié)構(gòu)。柵絕緣膜120可以延伸至焊盤區(qū)(PA)。

柵極130被設(shè)置在柵絕緣膜120上。柵極130與有源層110交疊，并且柵絕緣膜120被插入在彼此交疊的柵極130和有源層110之間。柵極130可以被形成為鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銅(Cu)及其合金當(dāng)中的單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)，但不限于這些材料。

絕緣隔層140被設(shè)置在柵極130上。絕緣隔層140由與柵絕緣膜120的材料相同的材料形成。例如，絕緣隔層140可以被形成為諸如氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)的無(wú)機(jī)絕緣材料的單層結(jié)構(gòu)，或者以上氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)及其合金的多層結(jié)構(gòu)，但不限于這些材料。絕緣隔層140可以延伸至焊盤區(qū)(PA)。

彼此面對(duì)的源極150和漏極160被設(shè)置在絕緣隔層140上。用于暴露出有源層110的一端的第一接觸孔(CH1)被設(shè)置在上述柵絕緣膜120和絕緣隔層140中，并 且用于暴露出有源層110的另一端的第二接觸孔(CH2)被設(shè)置在上述柵絕緣膜120和絕緣隔層140中。源極150經(jīng)由第二接觸孔(CH2)與有源層110的另一端連接，并且漏極160經(jīng)由第一接觸孔(CH1)與有源層110的一端連接。

源極150可以包括下部源極151和上部源極152。

下部源極151被設(shè)置在絕緣隔層140與上部源極152之間，其中，下部源極151增強(qiáng)了絕緣隔層140與上部源極152之間的粘合強(qiáng)度。另外，下部源極151保護(hù)上部源極152的下表面，使得可以防止上部源極152的下表面被腐蝕。因此，下部源極151的氧化度可以低于上部源極152的氧化度。即，下部源極151的材料的抗腐蝕性可以優(yōu)于上部源極152的材料的抗腐蝕性。下部源極151用作粘附增強(qiáng)層或防腐蝕層。下部源極151可以由鉬(Mo)和鈦(Ti)的合金MoTi形成，但不限于這種材料。

上部源極152被設(shè)置在下部源極151的上表面上。上部源極152可以由諸如銅(Cu)的低電阻金屬材料形成，但不限于這種金屬材料。上部源極152可以由電阻相對(duì)低于下部源極151的電阻的金屬材料形成。為了降低源極150的總電阻，優(yōu)選地，上部源極152的厚度大于下部源極151的厚度。

按照與上述源極150相同的方式，漏極160可以包括下部漏極161和上部漏極162。

下部漏極161被設(shè)置在絕緣隔層140與上部漏極162之間，其中，下部漏極161增強(qiáng)了絕緣隔層140與上部漏極162之間的粘合強(qiáng)度。另外，下部漏極161防止上部漏極162的下表面被腐蝕。因此，下部漏極161的氧化度可以低于上部漏極162的氧化度。即，下部漏極161的材料的抗腐蝕性可以優(yōu)于上部漏極162的材料的抗腐蝕性。下部漏極161可以由鉬(Mo)和鈦(Ti)的合金MoTi形成，但不限于這種材料。

上部漏極162被設(shè)置在下部漏極161的上表面上。上部漏極162可以由與上述上部源極152的材料相同的材料形成，例如，銅(Cu)，但不限于這種材料。為了降低漏極160的總電阻，優(yōu)選地，上部漏極162的厚度大于下部漏極161的厚度。

上部漏極162可以由與上部源極152的材料相同的材料形成，并且上部漏極162可以按照與上部源極152的厚度相同的厚度來(lái)形成。下部漏極161可以由與下部源極151的材料相同的材料形成，并且下部漏極161可以按照與下部源極151的厚度相同的厚度來(lái)形成。在這種情況下，漏極160和源極150可以在同一工藝中同時(shí)被制造。

薄膜晶體管層(T)的結(jié)構(gòu)不限于以上結(jié)構(gòu)，即，薄膜晶體管層(T)的結(jié)構(gòu)可 以被改變成本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的各種形狀。例如，附圖示出了柵極130被設(shè)置在有源層110上的頂部柵結(jié)構(gòu)，但這并非必要。即，可以提供柵極130被設(shè)置在有源層110下面的底部柵結(jié)構(gòu)。

鈍化層165被設(shè)置在薄膜晶體管層(T)上，且更具體地，在源極150和漏極160的上表面上。鈍化層165保護(hù)薄膜晶體管層(T)。鈍化層165可以由無(wú)機(jī)絕緣材料形成，例如，氧化硅(SiOx)膜或氮化硅(SiNx)膜，但不限于這些材料。鈍化層165可以延伸至焊盤區(qū)(PA)。

第一平整層171被設(shè)置在鈍化層165上。第一平整層171被提供以平整化具有薄膜晶體管(T)的基板100的上表面。第一平整層171可以由有機(jī)絕緣材料形成，例如，丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、聚酰胺樹脂、聚酰亞胺樹脂等，但不限于這些材料。第一平整層171可以延伸至焊盤區(qū)(PA)。

第一陽(yáng)極180和第一輔助電極190被設(shè)置在第一平整層171上。即，第一陽(yáng)極180和第一輔助電極190被設(shè)置在同一層中。用于暴露出源極150的第三接觸孔(CH3)被設(shè)置在上述鈍化層165和第一平整層171中。源極150和第一陽(yáng)極180經(jīng)由第三接觸孔(CH3)彼此連接。

第一陽(yáng)極180可以包括第一下部陽(yáng)極181、第一上部陽(yáng)極182和第一覆蓋陽(yáng)極183。

第一下部陽(yáng)極181被設(shè)置在平整層171與第一上部陽(yáng)極182之間，其中，第一下部陽(yáng)極181增強(qiáng)了平整層171與第一上部陽(yáng)極182之間的粘合強(qiáng)度。另外，第一下部陽(yáng)極181保護(hù)第一上部陽(yáng)極182的下表面，使得可以防止第一上部陽(yáng)極182的下表面被腐蝕。因此，第一下部陽(yáng)極181的氧化度可以低于第一上部陽(yáng)極182的氧化度。即，第一下部陽(yáng)極181的材料的抗腐蝕性可以優(yōu)于第一上部陽(yáng)極182的材料的抗腐蝕性。另外，第一下部陽(yáng)極181保護(hù)上部源極152的上表面，使得可以防止上部源極152的上表面被腐蝕。因此，第一下部陽(yáng)極181的氧化度可以低于上部源極152的氧化度。即，第一下部陽(yáng)極181的材料的抗腐蝕性可以優(yōu)于上部源極152的材料的抗腐蝕性。第一下部陽(yáng)極181防止上部源極152的上表面被腐蝕，使得可以在源極150中設(shè)置上述雙層結(jié)構(gòu)。第一下部陽(yáng)極181用作粘附增強(qiáng)層或防腐蝕層。第一下部陽(yáng)極181可以由鉬(Mo)和鈦(Ti)的合金MoTi形成，但不限于這種材料。

第一上部陽(yáng)極182被設(shè)置在第一下部陽(yáng)極181與第一覆蓋陽(yáng)極183之間。第一上 部陽(yáng)極182可以由諸如銅(Cu)的低電阻金屬材料形成，但不限于這種金屬材料。第一上部陽(yáng)極182可以由電阻相對(duì)低于第一下部陽(yáng)極181和第一覆蓋陽(yáng)極183中的每一個(gè)的電阻的金屬材料形成。為了降低第一陽(yáng)極180的總電阻，優(yōu)選地，第一上部陽(yáng)極182的厚度大于第一下部陽(yáng)極181和第一覆蓋陽(yáng)極183中的每一個(gè)的厚度。

第一覆蓋陽(yáng)極183被設(shè)置在第一上部陽(yáng)極182上。第一覆蓋陽(yáng)極183覆蓋第一上部陽(yáng)極182的上表面和側(cè)表面，使得第一覆蓋陽(yáng)極183防止第一上部陽(yáng)極182被腐蝕。因此，第一覆蓋陽(yáng)極183的氧化度可以低于第一上部陽(yáng)極182的氧化度。即，第一覆蓋陽(yáng)極183的材料的抗腐蝕性可以優(yōu)于第一上部陽(yáng)極182的材料的抗腐蝕性。

第一覆蓋陽(yáng)極183也覆蓋第一下部陽(yáng)極181的側(cè)表面。在這種情況下，第一覆蓋陽(yáng)極183的氧化度可以低于第一下部陽(yáng)極181的氧化度。即，第一覆蓋陽(yáng)極183的材料的抗腐蝕性可以優(yōu)于第一下部陽(yáng)極181的材料的抗腐蝕性。第一覆蓋陽(yáng)極183可以由諸如銦錫氧化物(ITO)的透明導(dǎo)電材料形成，但不限于這種材料。

按照與上述第一陽(yáng)極180相同的方式，第一輔助電極190可以包括第一下部輔助電極191、第一上部輔助電極192和第一覆蓋輔助電極193。

第一下部輔助電極191被設(shè)置在第一平整層171與第一上部輔助電極192之間，其中，第一下部輔助電極191增強(qiáng)了第一平整層171與第一上部輔助電極192之間的粘合強(qiáng)度，并且還防止第一上部輔助電極192的下表面被腐蝕。因此，第一下部輔助電極191的氧化度可以低于第一上部輔助電極192的氧化度。即，第一下部輔助電極191的材料的抗腐蝕性可以優(yōu)于第一上部輔助電極192的材料的抗腐蝕性。第一下部輔助電極191可以由與上述第一下部陽(yáng)極181的材料相同的材料形成，即，鉬(Mo)和鈦(Ti)的合金MoTi，但不限于這種材料。

第一上部輔助電極192被設(shè)置在第一下部輔助電極191與第一覆蓋輔助電極193之間。第一上部輔助電極192可以由與上述第一上部陽(yáng)極182的材料相同的材料形成，即，銅(Cu)，但不限于這種材料。為了降低第一輔助電極190的總電阻，優(yōu)選地，具有相對(duì)較低電阻的第一上部輔助電極192的厚度大于具有相對(duì)較高電阻的第一下部輔助電極191和第一覆蓋輔助電極193中的每一個(gè)的厚度。

第一覆蓋輔助電極193被設(shè)置在第一上部輔助電極192上。第一覆蓋輔助電極193覆蓋第一上部輔助電極192的上表面和側(cè)表面，使得第一覆蓋輔助電極193防止第一上部輔助電極192被腐蝕。因此，第一覆蓋輔助電極193的氧化度可以低于第一 上部輔助電極192的氧化度。即，第一覆蓋輔助電極193的材料的抗腐蝕性可以優(yōu)于第一上部輔助電極192的材料的抗腐蝕性。

第一覆蓋輔助電極193也覆蓋第一下部輔助電極191的側(cè)表面。在這種情況下，第一覆蓋輔助電極193的氧化度可以低于第一下部輔助電極191的氧化度。即，第一覆蓋輔助電極193的材料的抗腐蝕性可以優(yōu)于第一下部輔助電極191的材料的抗腐蝕性。第一覆蓋輔助電極193可以由諸如銦錫氧化物(ITO)的透明導(dǎo)電材料形成，但不限于這種材料。

第一覆蓋輔助電極193可以由與第一覆蓋陽(yáng)極183的材料相同的材料形成，并且第一覆蓋輔助電極193可以按照與第一覆蓋陽(yáng)極183的厚度相同的厚度來(lái)形成。第一上部輔助電極192可以由與第一上部陽(yáng)極182的材料相同的材料形成，并且第一上部輔助電極192可以按照與第一上部陽(yáng)極182的厚度相同的厚度來(lái)形成。第一下部輔助電極191可以由與第一下部陽(yáng)極181的材料相同的材料形成，并且第一下部輔助電極191可以按照與第一下部陽(yáng)極181的厚度相同的厚度來(lái)形成。在這種情況下，第一輔助電極190和第一陽(yáng)極180可以在同一工藝中同時(shí)被制造。

第二平整層172被設(shè)置在第一輔助電極190和第一陽(yáng)極180上。第二平整層172與上述第一平整層171一起來(lái)平整化基板100的上表面。第二平整層172可以由有機(jī)絕緣材料形成，例如，丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、聚酰胺樹脂、聚酰亞胺樹脂等，但不限于這些材料。第二平整層172可以不延伸至焊盤區(qū)(PA)。

第四接觸孔和第五接觸孔(CH4、CH5)被設(shè)置在第二平整層172中。經(jīng)由第四接觸孔(CH4)來(lái)暴露第一陽(yáng)極180，以及經(jīng)由第五接觸孔(CH5)來(lái)暴露第一輔助電極190。

第二陽(yáng)極200被設(shè)置在第二平整層172上。第二陽(yáng)極200經(jīng)由第四接觸孔(CH4)與第一陽(yáng)極180連接。第二陽(yáng)極200向上部方向反射從有機(jī)發(fā)光層240發(fā)射的光。在這方面，第二陽(yáng)極200由具有良好反射率的材料形成。第二陽(yáng)極200可以包括第二下部陽(yáng)極201、第二中部陽(yáng)極202以及第二上部陽(yáng)極203。

第二下部陽(yáng)極201被設(shè)置在第一陽(yáng)極180與第二中部陽(yáng)極202之間。第二下部陽(yáng)極201保護(hù)第二中部陽(yáng)極202的下表面，使得可以防止第二中部陽(yáng)極202的下表面被腐蝕。因此，第二下部陽(yáng)極201的氧化度可以低于第二中部陽(yáng)極202的氧化度。即，第二下部陽(yáng)極201的材料的抗腐蝕性可以優(yōu)于第二中部陽(yáng)極202的材料的抗腐蝕性。 第二下部陽(yáng)極201可以由諸如銦錫氧化物(ITO)的透明導(dǎo)電材料形成，但不限于這種材料。

第二中部陽(yáng)極202被設(shè)置在第二下部陽(yáng)極201與第二上部陽(yáng)極203之間。第二中部陽(yáng)極202可以由與第二下部陽(yáng)極201和第二上部陽(yáng)極203相比具有相對(duì)低的電阻和相對(duì)高的反射率的金屬材料形成，例如，銀(Ag)，但不限于這種材料。為了降低第二陽(yáng)極200的總電阻，優(yōu)選地，具有相對(duì)低的電阻的第二中部陽(yáng)極202的厚度大于具有相對(duì)高的電阻的第二下部陽(yáng)極201和第二上部陽(yáng)極203中的每一個(gè)的厚度。

第二上部陽(yáng)極203被設(shè)置在第二中部陽(yáng)極202的上表面上，使得可以防止第二中部陽(yáng)極202的上表面被腐蝕。因此，第二上部陽(yáng)極203的氧化度可以低于第二中部陽(yáng)極202的氧化度。即，第二上部陽(yáng)極203的材料的抗腐蝕性可以優(yōu)于第二中部陽(yáng)極202的材料的抗腐蝕性。第二上部陽(yáng)極203可以由諸如銦錫氧化物(ITO)的透明導(dǎo)電材料形成，但不限于這種材料。

按照與第二陽(yáng)極200相同的方式，第二輔助電極210被設(shè)置在第二平整層172上。第二輔助電極210經(jīng)由第五接觸孔(CH5)與第一輔助電極190連接。第二輔助電極210與第一輔助電極190一起降低了陰極250的電阻。

第二輔助電極210可以包括第二下部輔助電極211、第二中部輔助電極212和第二上部輔助電極213。

第二下部輔助電極211被設(shè)置在第一輔助電極190與第二中部輔助電極212之間。第二下部輔助電極211保護(hù)第二中部輔助電極212的下表面，使得可以防止第二中部輔助電極212的下表面被腐蝕。因此，第二下部輔助電極211的氧化度可以低于第二中部輔助電極212的氧化度。即，第二下部輔助電極211的材料的抗腐蝕性可以優(yōu)于第二中部輔助電極212的材料的抗腐蝕性。第二下部輔助電極211可以由諸如銦錫氧化物(ITO)的透明導(dǎo)電材料形成，但不限于這種材料。

第二中部輔助電極212被設(shè)置在第二下部輔助電極211與第二上部輔助電極213之間。第二中部輔助電極212可以由與第二下部輔助電極211和第二上部輔助電極213相比具有相對(duì)低的電阻和相對(duì)高的反射率的材料形成，例如，銀(Ag)，但不限于這種材料。為了降低第二輔助電極210的總電阻，優(yōu)選地，具有相對(duì)低的電阻的第二中部輔助電極212的厚度大于具有相對(duì)高的電阻的第二下部輔助電極211和第二上部輔助電極213中的每一個(gè)的厚度。

第二上部輔助電極213被設(shè)置在第二中部輔助電極212的上表面上，使得可以防止第二中部輔助電極212的上表面被腐蝕。因此，第二上部輔助電極213的氧化度可以低于第二中部輔助電極212的氧化度。即，第二上部輔助電極213的材料的抗腐蝕性可以優(yōu)于第二中部輔助電極212的材料的抗腐蝕性。第二上部輔助電極213可以由諸如銦錫氧化物(ITO)的透明導(dǎo)電材料形成，但不限于這種材料。

第二上部輔助電極213可以由與第二上部陽(yáng)極203的材料相同的材料形成，并且第二上部輔助電極213可以按照與第二上部陽(yáng)極203的厚度相同的厚度來(lái)形成。第二中部輔助電極212可以由與第二中部陽(yáng)極202的材料相同的材料形成，并且第二中部輔助電極212可以按照與第二中部陽(yáng)極202的厚度相同的厚度來(lái)形成。第二下部輔助電極211可以由與第二下部陽(yáng)極201的材料相同的材料形成，并且第二下部輔助電極211可以按照與第二下部陽(yáng)極201的厚度相同的厚度來(lái)形成。在這種情況下，第二輔助電極210和第二陽(yáng)極200可以在同一工藝中同時(shí)被制造。

根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施方式，具有第一輔助電極190和第二輔助電極210這兩個(gè)輔助電極，這兩個(gè)輔助電極彼此連接以降低陰極250的電阻，這有助于對(duì)針對(duì)輔助電極所需的電阻特性的控制。

更具體地，第二輔助電極210與第二陽(yáng)極200形成在同一層中。因此，如果第二輔助電極210在其寬度上被增大，則必須減小第二陽(yáng)極200的寬度，從而減小顯示裝置中的像素區(qū)域。對(duì)第二輔助電極210的寬度的增加量有限制。根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施方式，與第二輔助電極210連接的第一輔助電極190被附加地設(shè)置在第二輔助電極210的下方，使得可以有效地降低陰極250的電阻，而不減小像素區(qū)域。

第一輔助電極190與第一陽(yáng)極180形成在同一層中。由于第一陽(yáng)極180將源極150與第二陽(yáng)極200彼此連接，因此可以減小第一陽(yáng)極180的寬度，從而增大第一輔助電極190的寬度。即，第一輔助電極190的寬度可以大于第一陽(yáng)極180的寬度，而且，增大了第一輔助電極190的寬度，以便與第二陽(yáng)極200交疊，使得可以有效地降低陰極250的電阻。

堤岸220被設(shè)置在第二陽(yáng)極200和第二輔助電極210上。

堤岸220暴露出第二陽(yáng)極200的上表面，它被設(shè)置在第二陽(yáng)極200的一側(cè)和與該一側(cè)相對(duì)的另一側(cè)上。由于堤岸220被設(shè)置成暴露出第二陽(yáng)極200的上表面，因此可以確保圖像顯示區(qū)域。另外，由于第二中部陽(yáng)極202的側(cè)表面相對(duì)容易腐蝕，因此堤 岸220被設(shè)置在第二陽(yáng)極200的一側(cè)和另一側(cè)上，使得可以防止第二中部陽(yáng)極202的側(cè)表面被暴露在外，從而防止第二中部陽(yáng)極202的側(cè)表面被腐蝕。

堤岸220暴露出第二輔助電極210的上表面，它被設(shè)置在第二輔助電極210的一側(cè)和另一側(cè)上。由于堤岸220被設(shè)置成暴露出第二輔助電極210的上表面，因此可以確保第二輔助電極210與陰極250之間的電連接空間。另外，由于第二中部輔助電極212的側(cè)表面相對(duì)容易腐蝕，因此堤岸220被設(shè)置在第二輔助電極210的一側(cè)和另一側(cè)上，使得可以防止第二中部輔助電極212的側(cè)表面被暴露在外，從而防止第二中部輔助電極212的側(cè)表面被腐蝕。

另外，堤岸220被設(shè)置在第二陽(yáng)極200與第二輔助電極210之間，從而將第二陽(yáng)極200與第二輔助電極210彼此絕緣。堤岸220可以由有機(jī)絕緣材料形成，例如，聚酰亞胺樹脂、丙烯酸樹脂、苯并環(huán)丁烯BCB等，但不限于這些材料。

間隔體230被設(shè)置在第二輔助電極210上。間隔體230被設(shè)置在距堤岸220的預(yù)定間隔處，并且第二輔助電極210和陰極250通過(guò)間隔體230與堤岸220之間的空間彼此電連接。第二輔助電極210和陰極250可以彼此電連接，而不形成間隔體230。然而，如果形成了間隔體230，則有助于有機(jī)發(fā)光層240的沉積工藝。下面將對(duì)此進(jìn)行詳細(xì)描述。

在沒(méi)有形成間隔體230的情況下，當(dāng)沉積有機(jī)發(fā)光層240時(shí)，為了防止第二輔助電極210的上表面被有機(jī)發(fā)光層240覆蓋，必須提供用于遮蓋第二輔助電極210的上表面的掩膜圖案。然而，如果形成了間隔體230，則間隔體230的上表面用作用于有機(jī)發(fā)光層240的沉積工藝的屋檐(eave)。因此，有機(jī)發(fā)光層240沒(méi)有被沉積在屋檐下面的區(qū)域中，使得不需要設(shè)置用于遮蓋第二輔助電極210的上表面的掩膜圖案。從前視圖看，如果用作屋檐的間隔體230的上表面被配置成遮蓋間隔體230與堤岸220之間的空間，則可以防止有機(jī)發(fā)光層240穿過(guò)間隔體230與堤岸220之間的空間。因此，第二輔助電極210可以被暴露在間隔體230與堤岸220之間的空間中。特別地，可以通過(guò)使用具有優(yōu)異線性的沉積材料的蒸發(fā)方法來(lái)制造有機(jī)發(fā)光層240。因此，有機(jī)發(fā)光層240在有機(jī)發(fā)光層240的沉積工藝期間沒(méi)有被沉積在間隔體230與堤岸220之間的空間中。

如上所述，為了設(shè)置用作屋檐的間隔體230，該間隔體230的上表面的寬度大于間隔體230的下表面的寬度。間隔體230可以包括下側(cè)的第一間隔體231和上側(cè)的第 二間隔體232。第一間隔體231被設(shè)置在第二輔助電極210的上表面上。第一間隔體231可以由與堤岸220的材料相同的材料形成，并且第一間隔體231和堤岸220可以在同一工藝中被制造。第二間隔體232被設(shè)置在第一間隔體231的上表面上。第二間隔體232的上表面的寬度大于第二間隔體232的下表面的寬度。特別地，第二間隔體232的上表面被配置成遮蓋間隔體230與堤岸220之間的空間，因此，間隔體230用作屋檐。

有機(jī)發(fā)光層240被設(shè)置在第二陽(yáng)極200上。有機(jī)發(fā)光層240可以包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層。有機(jī)發(fā)光層240的結(jié)構(gòu)可以被改變成本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的各種形狀。

有機(jī)發(fā)光層240可以延伸至堤岸220的上表面。然而，當(dāng)有機(jī)發(fā)光層240延伸至堤岸220的上表面時(shí)，第二輔助電極210的上表面沒(méi)有被有機(jī)發(fā)光層240覆蓋。如果第二輔助電極210的上表面被有機(jī)發(fā)光層240覆蓋，則難以將第二輔助電極210與陰極250彼此電連接。如上所述，可以在沉積工藝期間制造有機(jī)發(fā)光層240，而不使用用于覆蓋第二輔助電極210的上表面的掩膜。在這種情況下，有機(jī)發(fā)光層240可以被設(shè)置在間隔體230的上表面上。

陰極250被設(shè)置在有機(jī)發(fā)光層240上。由于陰極250被設(shè)置在發(fā)射光的表面上，因此陰極250由透明導(dǎo)電材料形成。因此，由于陰極250由透明導(dǎo)電材料形成，所以陰極250的電阻增大。為了降低陰極250的電阻，陰極250與第二輔助電極210連接。即，陰極250經(jīng)由間隔體230與堤岸220之間的空間與第二輔助電極210連接。陰極250可以通過(guò)濺射(即，使用具有較差線性的沉積材料的沉積工藝)被制造。因此，陰極250在陰極250的沉積工藝期間可以被沉積在間隔體230與堤岸220之間的空間中。

雖然沒(méi)有示出，但用于防止水分滲入的封裝層可以被附加地設(shè)置在陰極250上。封裝層可以由本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的各種材料形成。雖然沒(méi)有示出，但用于各個(gè)像素的濾色器可以被附加地設(shè)置在陰極250上。在這種情況下，可以從有機(jī)發(fā)光層240發(fā)射白光。

在基板100的焊盤區(qū)(PA)中，具有柵絕緣膜120、第一信號(hào)焊盤300、絕緣隔層140、第二信號(hào)焊盤400、鈍化層165、第一焊盤電極500和第二焊盤電極600。

柵絕緣膜120被設(shè)置在基板100上。從有效顯示區(qū)(AA)延伸的柵絕緣膜120 被形成在焊盤區(qū)(PA)的整個(gè)表面上。

第一信號(hào)焊盤300被設(shè)置在柵絕緣膜120上。第一信號(hào)焊盤300可以由與有效顯示區(qū)(AA)的柵極130的材料相同的材料形成，并且可以與有效顯示區(qū)(AA)的柵極130形成在同一層中。

絕緣隔層140被設(shè)置在第一信號(hào)焊盤300上。從有效顯示區(qū)(AA)延伸的絕緣隔層140被設(shè)置在焊盤區(qū)(PA)上。第六接觸孔(CH6)被設(shè)置在絕緣隔層140中，并且經(jīng)由第六接觸孔(CH6)來(lái)暴露出第一信號(hào)焊盤300。

第二信號(hào)焊盤400被設(shè)置在絕緣隔層140上。第二信號(hào)焊盤400經(jīng)由第六接觸孔(CH6)與第一信號(hào)焊盤300連接。第二信號(hào)焊盤400可以與有效顯示區(qū)(AA)的源極150和漏極160形成在同一層中。

第二信號(hào)焊盤400可以包括第二下部信號(hào)焊盤401和第二上部信號(hào)焊盤402。

第二下部信號(hào)焊盤401被設(shè)置在絕緣隔層140與第二上部信號(hào)焊盤402之間，其中，第二下部信號(hào)焊盤401增強(qiáng)了絕緣隔層140與第二上部信號(hào)焊盤402之間的粘合強(qiáng)度。另外，第二下部信號(hào)焊盤401防止第二上部信號(hào)焊盤402的下表面被腐蝕。因此，第二下部信號(hào)焊盤401的氧化度可以低于第二上部信號(hào)焊盤402的氧化度。即，第二下部信號(hào)焊盤401的材料的抗腐蝕性可以優(yōu)于第二上部信號(hào)焊盤402的材料的抗腐蝕性。第二下部信號(hào)焊盤401可以由與下部源極151或下部漏極161的材料相同的材料形成，例如，鉬(Mo)和鈦(Ti)的合金MoTi，但不限于這種材料。

第二上部信號(hào)焊盤402被設(shè)置在第二下部信號(hào)焊盤401的上表面上。第二上部信號(hào)焊盤402可以由諸如銅(Cu)的低電阻金屬材料形成，但不限于這種金屬材料。第二上部信號(hào)焊盤402可以由電阻相對(duì)低于第二下部信號(hào)焊盤401的電阻的金屬材料形成。為了降低第二信號(hào)焊盤400的總電阻，優(yōu)選地，第二上部信號(hào)焊盤402的厚度大于第二下部信號(hào)焊盤401的厚度。

第二上部信號(hào)焊盤402可以由與上部源極152和/或上部漏極162的材料相同的材料形成，并且可以按照與上部源極152和/或上部漏極162相同的厚度來(lái)形成。第二下部信號(hào)焊盤401可以由與下部源極151和/或下部漏極161的材料相同的材料形成，并且可以按照與下部源極151和/或下部漏極161相同的厚度來(lái)形成。在這種情況下，第二信號(hào)焊盤400與源極150和/或漏極160可以在同一工藝中同時(shí)被制造。

鈍化層165被設(shè)置在第二信號(hào)焊盤400上。鈍化層165從有效顯示區(qū)(AA)延 伸。用于暴露出第二信號(hào)焊盤400的預(yù)定部分的第七接觸孔(CH7)被設(shè)置在鈍化層165中。

第一焊盤電極500被設(shè)置在鈍化層165上。第一焊盤電極500經(jīng)由第七接觸孔(CH7)與第二信號(hào)焊盤400連接。

第一焊盤電極500保護(hù)第二信號(hào)焊盤400的上表面。第二信號(hào)焊盤400的上表面由相對(duì)容易腐蝕的第二上部信號(hào)焊盤402形成。為此，第一焊盤電極500被設(shè)置成覆蓋經(jīng)由第七接觸孔(CH7)暴露出的第二上部信號(hào)焊盤402的上表面，從而防止第二上部信號(hào)焊盤402被腐蝕。第一焊盤電極500防止第二上部信號(hào)焊盤402的上表面被腐蝕。因此，可以在第二信號(hào)焊盤400中設(shè)置上述雙層結(jié)構(gòu)。

第一焊盤電極500的氧化度(特別是第一覆蓋焊盤電極503的氧化度)可以低于第二上部信號(hào)焊盤402的氧化度。即，第一焊盤電極500(特別是第一覆蓋焊盤電極503)的材料的抗腐蝕性可以優(yōu)于第二上部信號(hào)焊盤402的材料的抗腐蝕性。

第一焊盤電極500可以由與第一陽(yáng)極180和/或第一輔助電極190的材料相同的材料形成，并且可以按照與第一陽(yáng)極180和/或第一輔助電極190相同的厚度來(lái)形成。在這種情況下，第一焊盤電極500與第一陽(yáng)極180和/或第一輔助電極190可以在同一掩膜工藝或同一層中同時(shí)被制造。

第一焊盤電極500可以包括第一下部焊盤電極501、第一上部焊盤電極502以及第一覆蓋焊盤電極503。

第一下部焊盤電極501被設(shè)置成經(jīng)由第七接觸孔(CH7)來(lái)覆蓋第二上部信號(hào)焊盤402的上表面，使得可以防止第二上部信號(hào)焊盤402被腐蝕。因此，第一下部焊盤電極501的氧化度低于第二上部信號(hào)焊盤402的氧化度。即，第一下部焊盤電極501的材料的抗腐蝕性可以優(yōu)于第二上部信號(hào)焊盤402的材料的抗腐蝕性。第一下部焊盤電極501防止第二上部信號(hào)焊盤402的上表面被腐蝕，使得可以在第二信號(hào)焊盤400中設(shè)置上述雙層結(jié)構(gòu)。而且，第一下部焊盤電極501保護(hù)第一上部焊盤電極502的下表面，使得可以防止第一上部焊盤電極502的下表面被腐蝕。因此，第一下部焊盤電極501的氧化度可以低于第一上部焊盤電極502的氧化度。

第一下部焊盤電極501可以由與第一下部陽(yáng)極181和/或第一下部輔助電極191的材料相同的材料形成，例如，鉬(Mo)和鈦(Ti)的合金MoTi，但不限于這種材料。第一下部焊盤電極501可以由與第一下部陽(yáng)極181和/或第一下部輔助電極191 的材料相同的材料形成，并且可以按照與第一下部陽(yáng)極181和/或第一下部輔助電極191的厚度相同的厚度來(lái)形成。在這種情況下，第一下部焊盤電極501與第一下部陽(yáng)極181和/或第一下部輔助電極191可以在同一掩膜工藝中同時(shí)被圖案化。

第一上部焊盤電極502被設(shè)置在第一下部焊盤電極501與第一覆蓋焊盤電極503之間。第一上部焊盤電極502可以由諸如銅(Cu)的低電阻材料形成，但不限于這種材料。第一上部焊盤電極502可以由電阻相對(duì)低于第一下部焊盤電極501和第一覆蓋焊盤電極503中的每一個(gè)的電阻的金屬材料形成。為了降低第一焊盤電極500的總電阻，優(yōu)選地，第一上部焊盤電極502的厚度大于第一下部焊盤電極501和第一覆蓋焊盤電極503中的每一個(gè)的厚度。第一上部焊盤電極502可以由與第一上部陽(yáng)極182和/或第一上部輔助電極192的材料相同的材料形成，并且可以按照與第一上部陽(yáng)極182和/或第一上部輔助電極192的厚度相同的厚度來(lái)形成。

第一覆蓋焊盤電極503被設(shè)置在第一上部焊盤電極502上。第一覆蓋焊盤電極503覆蓋第一上部焊盤電極502的上表面和側(cè)表面，使得第一覆蓋焊盤電極503防止第一上部焊盤電極502被腐蝕。即，第一覆蓋焊盤電極503防止第一上部焊盤電極502被暴露在外。因此，第一覆蓋焊盤電極503的氧化度可以低于第一上部焊盤電極502的氧化度。即，第一覆蓋焊盤電極503的材料的抗腐蝕性可以優(yōu)于第一上部焊盤電極502的材料的抗腐蝕性。

第一覆蓋焊盤電極503也覆蓋第一下部焊盤電極501的側(cè)表面。在這種情況下，第一覆蓋焊盤電極503的氧化度可以低于第一下部焊盤電極501的氧化度。即，第一覆蓋焊盤電極503的材料的抗腐蝕性可以優(yōu)于第一下部焊盤電極501的材料的抗腐蝕性。第一覆蓋焊盤電極503可以由諸如銦錫氧化物(ITO)的透明導(dǎo)電材料形成，但不限于這種材料。第一覆蓋焊盤電極503可以由與第一覆蓋陽(yáng)極183和/或第一覆蓋輔助電極193的材料相同的材料形成，并且可以按照與第一覆蓋陽(yáng)極183和/或第一覆蓋輔助電極193的厚度相同的厚度來(lái)形成。在這種情況下，第一覆蓋焊盤電極503與第一覆蓋陽(yáng)極183和/或第一覆蓋輔助電極193可以在同一掩膜工藝中同時(shí)被圖案化。

第二焊盤電極600被設(shè)置在第一焊盤電極500上。第二焊盤電極600與第一焊盤電極500的上表面直接接觸。第二焊盤電極600被暴露在外，并且與外部驅(qū)動(dòng)器連接。

第二焊盤電極600可以包括第二下部焊盤電極601、第二中部焊盤電極602以及 第二上部焊盤電極603。

第二焊盤電極600可以由與第二陽(yáng)極200和/或第二輔助電極210的材料相同的材料形成，并且可以按照與第二陽(yáng)極200和/或第二輔助電極210相同的厚度來(lái)形成。在這種情況下，第二焊盤電極600與第二陽(yáng)極200和/或第二輔助電極210可以在同一掩膜工藝或同一層中同時(shí)被制造。

第二下部焊盤電極601被設(shè)置在第一覆蓋焊盤電極503與第二中部焊盤電極602之間。第二下部焊盤電極601保護(hù)第二中部焊盤電極602的下表面，使得可以防止第二中部焊盤電極602的下表面被腐蝕。因此，第二下部焊盤電極601的氧化度可以低于第二中部焊盤電極602的氧化度。即，第二下部焊盤電極601的材料的抗腐蝕性可以優(yōu)于第二中部焊盤電極602的材料的抗腐蝕性。第二下部焊盤電極601可以由諸如銦錫氧化物(ITO)的透明導(dǎo)電材料形成，但不限于這種材料。

第二中部焊盤電極602被設(shè)置在第二下部焊盤電極601與第二上部焊盤電極603之間。第二中部焊盤電極602可以由與第二下部焊盤電極601和第二上部焊盤電極603相比具有相對(duì)低的電阻和相對(duì)高的反射率的材料形成，例如，銀(Ag)，但不限于這種材料。為了降低第二焊盤電極600的總電阻，優(yōu)選地，具有相對(duì)低的電阻的第二中部焊盤電極602的厚度大于具有相對(duì)高的電阻的第二下部焊盤電極601和第二上部焊盤電極603中的每一個(gè)的厚度。

第二上部焊盤電極603被設(shè)置在第二中部焊盤電極602的上表面上，使得可以防止第二中部焊盤電極602的上表面被腐蝕。因此，第二上部焊盤電極603的氧化度可以低于第二中部焊盤電極602的氧化度。即，第二上部焊盤電極603的材料的抗腐蝕性可以優(yōu)于第二中部焊盤電極602的材料的抗腐蝕性。第二上部焊盤電極603可以由諸如銦錫氧化物(ITO)的透明導(dǎo)電材料形成，但不限于這種材料。

第二上部焊盤電極603可以由與第二上部陽(yáng)極203和/或第二上部輔助電極213的材料相同的材料形成，并且可以按照與第二上部陽(yáng)極203和/或第二上部輔助電極213的厚度相同的厚度來(lái)形成。第二中部焊盤電極602可以由與第二中部陽(yáng)極202和/或第二中部輔助電極212的材料相同的材料形成，并且可以按照第二中部陽(yáng)極202和/或第二中部輔助電極212的相同的厚度來(lái)形成。第二下部焊盤電極601可以由與第二下部陽(yáng)極201和/或第二下部輔助電極211的材料相同的材料形成，并且可以按照與第二下部陽(yáng)極201和/或第二下部輔助電極211的厚度相同的厚度來(lái)形成。在這 種情況下，第二焊盤電極600、第二輔助電極210和第二陽(yáng)極200可以在同一工藝中同時(shí)被圖案化。

圖4是示出根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的焊盤區(qū)(PA)的平面圖。

如圖4所示，焊盤區(qū)(PA)被設(shè)置有第一焊盤(PAD1)、第二焊盤(PAD2)、第三焊盤(PAD3)以及第四焊盤(PAD4)。

第一焊盤(PAD1)與上述有效顯示區(qū)(AA)的電源線(VDD)連接，第二焊盤(PAD2)與上述有效顯示區(qū)(AA)的第一數(shù)據(jù)線(DL1)連接，第三焊盤(PAD3)與上述有效顯示區(qū)(AA)的第二數(shù)據(jù)線(DL2)連接，以及第四焊盤(PAD4)與上述有效顯示區(qū)(AA)的參考線(Ref)連接。

第一焊盤(PAD1)、第二焊盤(PAD2)、第三焊盤(PAD3)和第四焊盤(PAD4)中的每一個(gè)可以包括接合區(qū)域和鏈接區(qū)域。

接合區(qū)域被接合至外部驅(qū)動(dòng)電路，并且鏈接區(qū)域被設(shè)置成將接合區(qū)域與上述有效顯示區(qū)(AA)彼此連接。在接合區(qū)域中可以設(shè)置多個(gè)接觸孔(CH)區(qū)域。上述第六接觸孔(CH6)和第七接觸孔(CH7)被設(shè)置在多個(gè)接觸孔(CH)區(qū)域的每一個(gè)中。即，在圖4中，沿穿過(guò)接觸孔(CH)區(qū)域的線I-I的截面對(duì)應(yīng)于圖3中的焊盤區(qū)(PA)的截面。因此，多個(gè)接觸孔(CH)區(qū)域中的每一個(gè)被設(shè)置有第一信號(hào)焊盤300、經(jīng)由第六接觸孔(CH6)與第一信號(hào)焊盤300連接的第二信號(hào)焊盤400、經(jīng)由第七接觸孔(CH7)與第二信號(hào)焊盤400連接的第一焊盤電極500、以及與第一焊盤電極500連接的第二焊盤電極600，如圖3所示。因此，外部電路可以被接合至在焊盤的接合區(qū)域中的第一焊盤、第二焊盤、第三焊盤和第四焊盤的最上焊盤電極，并且該焊盤電極可以通過(guò)接合區(qū)域中的一個(gè)或更多個(gè)接觸孔被電連接到鏈接區(qū)域。鏈接區(qū)域被電連接到有效顯示區(qū)中的一個(gè)或更多個(gè)信號(hào)線。這些信號(hào)線可以是電源線、數(shù)據(jù)線、選通線和參考線中的至少一個(gè)。

在多個(gè)接觸孔(CH)區(qū)域中，第六接觸孔(CH6)和第七接觸孔(CH7)被設(shè)置在其中，并且第一信號(hào)焊盤300、第二信號(hào)焊盤400、第一焊盤電極500和第二焊盤電極600也依次被沉積在其中。因此，考慮到針對(duì)每一層的工藝余量，對(duì)接合區(qū)域的寬度的減小量有限制。因此，減小每一個(gè)接合區(qū)域之間的間隔(H)，使得針對(duì)將外部驅(qū)動(dòng)電路接合到接合區(qū)域的接合工藝，存在誤差的可能性。

因此，已存在對(duì)用于增大每一個(gè)接合區(qū)域之間的間隔(H)的方法的需求。下文中，下面將詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，該有機(jī)發(fā)光顯示裝置能使每一個(gè)接合區(qū)域之間的間隔(H)增大。

圖5是示出根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的焊盤區(qū)(PA)的平面圖。

如圖5所示，焊盤區(qū)(PA)被設(shè)置有第一焊盤(PAD1)、第二焊盤(PAD2)、第三焊盤(PAD3)以及第四焊盤(PAD4)。

第一焊盤(PAD1)與上述有效顯示區(qū)(AA)的電源線(VDD)連接，第二焊盤(PAD2)與上述有效顯示區(qū)(AA)的第一數(shù)據(jù)線(DL1)連接，第三焊盤(PAD3)與上述有效顯示區(qū)(AA)的第二數(shù)據(jù)線(DL2)連接，以及第四焊盤(PAD4)與上述有效顯示區(qū)(AA)的參考線(Ref)連接。

第一焊盤(PAD1)可以包括第一接合區(qū)域和第一鏈接區(qū)域。另外，第二焊盤(PAD2)、第三焊盤(PAD3)和第四焊盤(PAD4)中的每一個(gè)可以包括第二接合區(qū)域、橋區(qū)域、接觸區(qū)域以及第二鏈接區(qū)域。

第一接合區(qū)域和第二接合區(qū)域被接合至外部驅(qū)動(dòng)電路。即，外部驅(qū)動(dòng)電路可以被接合至第一接合區(qū)域中的第一焊盤(PAD1)的最上焊盤電極以及第二接合區(qū)域中的第二焊盤(PAD2)、第三焊盤(PAD3)和第四焊盤(PAD4)的最上焊盤電極。在這種情況下，在第一焊盤(PAD1)的第一接合區(qū)域中可以設(shè)置至少一個(gè)接觸孔(CH)區(qū)域。然而，如圖7所示，有可能在第二焊盤(PAD2)、第三焊盤(PAD3)和第四焊盤(PAD4)中的每一個(gè)的第二接合區(qū)域中不設(shè)置至少一個(gè)接觸孔(CH)區(qū)域。另外，如圖8所示，有可能在第二焊盤(PAD2)、第三焊盤(PAD3)和第四焊盤(PAD4)中的每一個(gè)的第二接合區(qū)域中設(shè)置第六接觸孔(CH6)，并且在第二焊盤(PAD2)、第三焊盤(PAD3)和第四焊盤(PAD4)中的每一個(gè)的第二接合區(qū)域中不設(shè)置第七接觸孔(CH7)。

因此，可以減小第二焊盤(PAD2)、第三焊盤(PAD3)和第四焊盤(PAD4)中的每一個(gè)的第二接合區(qū)域的寬度(W1)。結(jié)果，與圖4中所示的實(shí)施方式相比，圖5中所示的實(shí)施方式能使每一個(gè)第二接合區(qū)域之間的間隔(H)增大，使得可以在外部驅(qū)動(dòng)電路到第一接合區(qū)域和第二接合區(qū)域的接合工藝中防止誤差。

在第二焊盤(PAD2)、第三焊盤(PAD3)和第四焊盤(PAD4)中的每一個(gè)中包 括的橋區(qū)域被設(shè)置成將第二接合區(qū)域與接觸區(qū)域彼此電連接。如圖7所示，有可能在第二焊盤(PAD2)、第三焊盤(PAD3)和第四焊盤(PAD4)中的每一個(gè)的橋區(qū)域中不設(shè)置至少一個(gè)接觸孔(CH)區(qū)域。如圖8所示，有可能在第二焊盤(PAD2)、第三焊盤(PAD3)和第四焊盤(PAD4)中的每一個(gè)的橋區(qū)域中設(shè)置第六接觸孔(CH6)，并且在第二焊盤(PAD2)、第三焊盤(PAD3)和第四焊盤(PAD4)中的每一個(gè)的橋區(qū)域中不設(shè)置第七接觸孔(CH7)。因此，可以減小第二焊盤(PAD2)、第三焊盤(PAD3)和第四焊盤(PAD4)中的每一個(gè)的橋區(qū)域的寬度(W2)。特別地，橋區(qū)域的寬度(W2)可以小于第二接合區(qū)域的寬度(W1)或接觸區(qū)域的寬度。由于外部驅(qū)動(dòng)電路被接合至第二接合區(qū)域，因此第二接合區(qū)域的寬度(W1)應(yīng)為預(yù)定寬度或應(yīng)大于預(yù)定寬度。然而，由于橋區(qū)域被設(shè)置成將第二接合區(qū)域與接觸區(qū)域彼此連接，因此橋區(qū)域的寬度(W2)可以小于第二接合區(qū)域的寬度(W1)或接觸區(qū)域的寬度。如果需要，則可以省略橋區(qū)域。

在第二焊盤(PAD2)、第三焊盤(PAD3)和第四焊盤(PAD4)中的每一個(gè)中包括的接觸區(qū)域被設(shè)置在橋區(qū)域與第二鏈接區(qū)域之間。至少一個(gè)接觸孔(CH)區(qū)域被設(shè)置在第二焊盤(PAD2)、第三焊盤(PAD3)和第四焊盤(PAD4)中的每一個(gè)的接觸區(qū)域中，并且第六接觸孔和第七接觸孔(CH6、CH7)被設(shè)置在至少一個(gè)接觸孔(CH)區(qū)域中。根據(jù)圖5中所示的實(shí)施方式，至少一個(gè)接觸孔(CH)區(qū)域被設(shè)置在第二焊盤(PAD2)、第三焊盤(PAD3)和第四焊盤(PAD4)中的每一個(gè)的接觸區(qū)域中，使得可以減小第二接合區(qū)域的寬度(W1)，從而增大每一個(gè)第二接合區(qū)域之間的間隔(H)。即，根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施方式，在第二接合區(qū)域中設(shè)置的接觸孔的數(shù)量小于在接觸區(qū)域中設(shè)置的接觸孔的數(shù)量，因而可以減小第二接合區(qū)域的寬度(W1)，從而增大每一個(gè)第二接合區(qū)域之間的間隔(H)。在一種實(shí)施方式中，第一接合區(qū)域中的接觸孔的數(shù)量可以大于接觸區(qū)域中的接觸孔的數(shù)量。

由于第六接觸孔和第七接觸孔(CH6、CH7)被設(shè)置在接觸區(qū)域中，因此接觸區(qū)域的寬度(W3)大于第二接合區(qū)域的寬度(W1)。外部驅(qū)動(dòng)電路沒(méi)有被接合到接觸區(qū)域。因此，即使接觸區(qū)域的寬度(W3)大于第二接合區(qū)域的寬度(W1)，也不存在工藝誤差的可能性。在一種實(shí)施方式中，第一接合區(qū)域的寬度可以大于接觸區(qū)域的寬度。

第一鏈接區(qū)域和第二鏈接區(qū)域被設(shè)置成分別將第一接合區(qū)域和第二接合區(qū)域與 上述有效顯示區(qū)(AA)連接。第一鏈接區(qū)域和第二鏈接區(qū)域可以被電連接到有效顯示區(qū)中的一個(gè)或更多個(gè)信號(hào)線。例如，信號(hào)線可以是電源線、數(shù)據(jù)線、選通線和參考線中的任一個(gè)。第一焊盤(PAD1)的第一鏈接區(qū)域與第一接合區(qū)域電連接，并且在第二焊盤(PAD2)、第三焊盤(PAD3)和第四焊盤(PAD4)中的每一個(gè)中包括的第二鏈接區(qū)域與接觸區(qū)域電連接。在第二焊盤至第四焊盤(PAD2至PAD4)中，第二鏈接區(qū)域與接觸區(qū)域電連接，并且接觸區(qū)域經(jīng)由橋區(qū)域與第二接合區(qū)域電連接，使得可以增大接觸區(qū)域的寬度(W3)，并且也可以減小第二接合區(qū)域的寬度(W1)，從而能實(shí)現(xiàn)用于防止工藝誤差的結(jié)構(gòu)。

因此，外部電路可以被接合到第一焊盤(PAD1)的第一接合區(qū)域中的最上焊盤電極，并且第一焊盤(PAD1)的焊盤電極可以通過(guò)第一接合區(qū)域中的一個(gè)或更多個(gè)接觸孔被電連接到第一鏈接區(qū)域。第一鏈接區(qū)域被電連接到有效顯示區(qū)中的一個(gè)或更多個(gè)信號(hào)線。信號(hào)線可以是電源線、數(shù)據(jù)線、選通線和參考線中的至少一個(gè)。

外部電路也可以被接合到第二焊盤(PAD2)、第三焊盤(PAD3)和第四焊盤(PAD4)的第二接合區(qū)域中的最上焊盤電極。第二接合區(qū)域中的每一個(gè)焊盤電極可以通過(guò)接觸區(qū)域中的一個(gè)或更多個(gè)接觸孔被電連接到有效顯示區(qū)中的信號(hào)線。接觸區(qū)域可以比第一接合區(qū)域更靠近有效顯示區(qū)。附加的橋區(qū)域可以連接第二接合區(qū)域與接觸區(qū)域。

如上所述，根據(jù)圖5中所示的實(shí)施方式，第二焊盤(PAD2)、第三焊盤(PAD3)和第四焊盤(PAD4)中的每一個(gè)均包括第二接合區(qū)域、橋區(qū)域、接觸區(qū)域和第二鏈接區(qū)域，并且接觸孔(CH)區(qū)域被設(shè)置在接觸區(qū)域中，因而可以減小第二接合區(qū)域的寬度(W1)，從而增大每一個(gè)第二接合區(qū)域之間的間隔(H)。

圖5示出了第一焊盤(PAD1)的第一接合區(qū)域被設(shè)置有多個(gè)接觸孔(CH)區(qū)域，以及第二焊盤至第四焊盤(PAD2至PAD4)中的每一個(gè)的第二接合區(qū)域沒(méi)有被設(shè)置有多個(gè)接觸孔(CH)區(qū)域，但不限于這種結(jié)構(gòu)。例如，按照與第一焊盤(PAD1)相同的方式，第三焊盤(PAD3)可以包括具有多個(gè)接觸孔(CH)區(qū)域的第一接合區(qū)域和第一鏈接區(qū)域，因而多個(gè)接觸孔(CH)區(qū)域可以在第一焊盤至第四焊盤(PAD1至PAD4)的整個(gè)區(qū)域上被圖案化為之字形(zigzag)配置。

下文中，下面將詳細(xì)描述包括第一接合區(qū)域和第一鏈接區(qū)域的第一焊盤(PAD1)的截面結(jié)構(gòu)以及包括第二接合區(qū)域、橋區(qū)域、接觸區(qū)域和第二鏈接區(qū)域的第二焊盤 (PAD2)、第三焊盤(PAD3)和第四焊盤(PAD4)中的每一個(gè)的截面結(jié)構(gòu)。

圖6是沿圖5中的線A-A的截面圖，該截面圖與示出設(shè)置在第一焊盤(PAD1)中的第一接合區(qū)域的一種實(shí)施方式的截面結(jié)構(gòu)相對(duì)應(yīng)。

如圖6所示，柵絕緣膜120、第一信號(hào)焊盤300、絕緣隔層140、第二信號(hào)焊盤400、鈍化層165、第一焊盤電極500以及第二焊盤電極600被設(shè)置在第一焊盤(PAD1)的第一接合區(qū)域中。

柵絕緣膜120被設(shè)置在基板100上。

第一信號(hào)焊盤300被設(shè)置在柵絕緣膜120上。

絕緣隔層140被設(shè)置在第一信號(hào)焊盤300上。第六接觸孔(CH6)被設(shè)置在絕緣隔層140中，并且第一信號(hào)焊盤300經(jīng)由第六接觸孔(CH6)被暴露出。

第二信號(hào)焊盤400被設(shè)置在絕緣隔層140上。第二信號(hào)焊盤400經(jīng)由第六接觸孔(CH6)與第一信號(hào)焊盤300連接。第二信號(hào)焊盤400可以包括第二下部信號(hào)焊盤401和第二上部信號(hào)焊盤402。

鈍化層165被設(shè)置在第二信號(hào)焊盤400上。第七接觸孔(CH7)被設(shè)置在鈍化層165中，并且第二信號(hào)焊盤400經(jīng)由第七接觸孔(CH7)被暴露出。

第一焊盤電極500被設(shè)置在鈍化層165上。第一焊盤電極500經(jīng)由第七接觸孔(CH7)與第二信號(hào)焊盤400連接。第一焊盤電極500可以包括第一下部焊盤電極501、第一上部焊盤電極502以及第一覆蓋焊盤電極503。

第二焊盤電極600被設(shè)置在第一焊盤電極500上。第二焊盤電極600與第一焊盤電極500的上表面直接接觸。第二焊盤電極600被暴露在外，并且與外部驅(qū)動(dòng)器連接。第二焊盤電極600可以包括第二下部焊盤電極601、第二中部焊盤電極602以及第二上部焊盤電極603。

第一焊盤(PAD1)的第一接合區(qū)域的以上截面結(jié)構(gòu)與圖3中所示的焊盤區(qū)(PA)的截面結(jié)構(gòu)相同，因而將省略對(duì)相同部分的詳細(xì)描述。下文中，貫穿圖7至圖11的附圖，將使用相同的附圖標(biāo)記來(lái)指代相同或相似的部分，并且將省略對(duì)相同部分的詳細(xì)描述。

圖7是沿線B-B或線C-C的截面圖，它與示出在第二焊盤至第四焊盤(PAD2至PAD4)中設(shè)置的第二接合區(qū)域或橋區(qū)域的一種實(shí)施方式的截面結(jié)構(gòu)相對(duì)應(yīng)。

如圖7所示，柵絕緣膜120、第一信號(hào)焊盤300、絕緣隔層140、鈍化層165、第 一焊盤電極500以及第二焊盤電極600被依次設(shè)置在第二焊盤至第四焊盤(PAD2至PAD4)的第二接合區(qū)域或橋區(qū)域中。

在第二焊盤至第四焊盤(PAD2至PAD4)的第二接合區(qū)域或橋區(qū)域中，在絕緣隔層140中沒(méi)有形成第六接觸孔(CH6)，在鈍化層165中沒(méi)有形成第七接觸孔(CH7)，以及在其中沒(méi)有形成第二信號(hào)焊盤400。第二焊盤至第四焊盤(PAD2至PAD4)中的第二接合區(qū)域或橋區(qū)域的這種結(jié)構(gòu)與第一焊盤(PAD1)中的接合區(qū)域的結(jié)構(gòu)不同。如果需要，可以省略第一信號(hào)焊盤300。另外，可以省略第一焊盤電極500和第二焊盤電極600中的任一個(gè)。即，與外部驅(qū)動(dòng)電路連接的至少一個(gè)焊盤電極500和600可以足以用于第二焊盤至第四焊盤(PAD2至PAD4)中的第二接合區(qū)域和橋區(qū)域。

如果在第一焊盤(PAD1)的第一接合區(qū)域與第二焊盤至第四焊盤(PAD2至PAD4)的第二接合區(qū)域之間存在大的高度差，則對(duì)于接合工藝存在誤差的可能性。因此，期望防止在第一焊盤(PAD1)的第一接合區(qū)域與第二焊盤至第四焊盤(PAD2至PAD4)的第二接合區(qū)域之間的大的高度差。

圖8示出了第二焊盤至第四焊盤(PAD2至PAD4)的第二接合區(qū)域的截面結(jié)構(gòu)，它能夠最小化在第一焊盤(PAD1)的第一接合區(qū)域與第二焊盤至第四焊盤(PAD2至PAD4)的第二接合區(qū)域之間的差異。

圖8是沿圖5中的線B-B或線C-C的截面圖，它與示出在第二焊盤至第四焊盤(PAD2至PAD4)中設(shè)置的第二接合區(qū)域或橋區(qū)域的另一實(shí)施方式的截面結(jié)構(gòu)相對(duì)應(yīng)。

如圖8所示，柵絕緣膜120、第一信號(hào)焊盤300、絕緣隔層140、第二信號(hào)焊盤400、鈍化層165、第一焊盤電極500以及第二焊盤電極600被依次設(shè)置在第二焊盤至第四焊盤(PAD2至PAD4)的第二接合區(qū)域或橋區(qū)域中。

第六接觸孔(CH6)被設(shè)置在絕緣隔層140中，并且第二信號(hào)焊盤400和第一信號(hào)焊盤300經(jīng)由第六接觸孔(CH6)彼此連接。

在圖8的以上結(jié)構(gòu)中，在鈍化層165中沒(méi)有設(shè)置第七接觸孔(CH7)。在這方面，圖8中所示的第二焊盤至第四焊盤(PAD2至PAD4)的第二接合區(qū)域或橋區(qū)域與第一焊盤(PAD1)的第一接合區(qū)域不同。因此，與圖7中的結(jié)構(gòu)相比，圖8中的結(jié)構(gòu)使在第一焊盤(PAD1)的第一接合區(qū)域與第二焊盤至第四焊盤(PAD2至PAD4)的第二接合區(qū)域之間的差異最小化。

在圖7中所示的以上結(jié)構(gòu)的情況下，在第二焊盤至第四焊盤(PAD2至PAD4)的第二接合區(qū)域或橋區(qū)域中沒(méi)有設(shè)置接觸孔(CH)區(qū)域。同時(shí)，在圖8中所示的結(jié)構(gòu)的情況下，在第二焊盤至第四焊盤(PAD2至PAD4)的第二接合區(qū)域或橋區(qū)域中沒(méi)有設(shè)置第七接觸孔(CH7)，然而，在第二焊盤至第四焊盤(PAD2至PAD4)的第二接合區(qū)域或橋區(qū)域中設(shè)置了第六接觸孔(CH6)。

為了減小在第一焊盤(PAD1)的第一接合區(qū)域與第二焊盤至第四焊盤(PAD2至PAD4)的第二接合區(qū)域之間的高度差，在第二焊盤至第四焊盤(PAD2至PAD4)中設(shè)置的第二接合區(qū)域可以被配置成具有圖8中的結(jié)構(gòu)，并且在第二焊盤至第四焊盤(PAD2至PAD4)中設(shè)置的橋區(qū)域受到該差異的影響比較小，該橋區(qū)域可以被配置成具有圖7中的結(jié)構(gòu)。

圖9是沿圖5中的D-D線的截面圖，它與示出在第二焊盤至第四焊盤(PAD2至PAD4)中設(shè)置的接觸區(qū)域的一種實(shí)施方式的截面結(jié)構(gòu)相對(duì)應(yīng)。

如圖9所示，柵絕緣膜120、第一信號(hào)焊盤300、具有第六接觸孔(CH6)的絕緣隔層140、第二信號(hào)焊盤400、具有第七接觸孔(CH7)的鈍化層165、第一焊盤電極500以及第二焊盤電極600被依次設(shè)置在第二焊盤至第四焊盤(PAD2至PAD4)的接觸區(qū)域中。

圖9中所示的在第二焊盤至第四焊盤(PAD2至PAD4)中設(shè)置的接觸區(qū)域的截面結(jié)構(gòu)與圖6中所示的在第一焊盤(PAD1)中設(shè)置的第一接合區(qū)域的截面結(jié)構(gòu)相同，因而將省略對(duì)相同部分的詳細(xì)描述。

根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施方式，在第一焊盤(PAD1)中設(shè)置的第一接合區(qū)域的截面結(jié)構(gòu)與在第二焊盤至第四焊盤(PAD2至PAD4)中設(shè)置的第二接合區(qū)域的截面結(jié)構(gòu)不同，然而，在第一焊盤(PAD1)中設(shè)置的第一接合區(qū)域的截面結(jié)構(gòu)可以與在第二焊盤至第四焊盤(PAD2至PAD4)中設(shè)置的接觸區(qū)域的截面結(jié)構(gòu)相同。即，第一接合區(qū)域同時(shí)執(zhí)行接合和接觸功能兩者，第二接合區(qū)域僅執(zhí)行接合功能，以及接觸區(qū)域僅執(zhí)行接觸功能，使得可以減小第二接合區(qū)域的寬度(W1)。

圖10是沿圖5中的線D-D的截面圖，它與示出在第二焊盤至第四焊盤(PAD2至PAD4)中設(shè)置的接觸區(qū)域的另一實(shí)施方式的截面結(jié)構(gòu)相對(duì)應(yīng)。

除了設(shè)置在第二焊盤電極600上的防短路層700之外，圖10中的接觸區(qū)域與圖9中的接觸區(qū)域相同。

防短路層700被提供以防止第二焊盤至第四焊盤(PAD2至PAD4)中的每一個(gè)之間的短路。這將參照?qǐng)D5來(lái)進(jìn)行描述。為了將外部驅(qū)動(dòng)電路接合到第二接合區(qū)域，導(dǎo)電粘合劑被涂覆在第二接合區(qū)域上，并且外部驅(qū)動(dòng)電路被向下壓到導(dǎo)電粘合劑上，且然后被接合到第二接合區(qū)域。針對(duì)將外部驅(qū)動(dòng)電路壓到導(dǎo)電粘合劑上的工藝，如果導(dǎo)電粘合劑經(jīng)由橋區(qū)域流進(jìn)接觸區(qū)域中，則在相鄰的接觸區(qū)域之間可能會(huì)存在短路。

圖11是沿圖5中的線E-E的截面圖，它與示出在第一焊盤至第四焊盤(PAD1至PAD4)中設(shè)置的第一鏈接區(qū)域和第二鏈接區(qū)域的一種實(shí)施方式的截面結(jié)構(gòu)相對(duì)應(yīng)。

如圖11所示，柵絕緣膜120、第一信號(hào)焊盤300、絕緣隔層140以及鈍化層165被依次設(shè)置在基板100上的第一鏈接區(qū)域和第二鏈接區(qū)域中。第一信號(hào)焊盤300與有效顯示區(qū)(AA)的信號(hào)線連接。

根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施方式，第二焊盤(PAD2)包括第二接合區(qū)域、橋區(qū)域、接觸區(qū)域以及第二鏈接區(qū)域，使得可以減小第二接合區(qū)域中的接觸區(qū)域，且因此減小第二接合區(qū)域的寬度。因此，在每一個(gè)第二接合區(qū)域之間的間隔被增大，使得其有助于焊盤區(qū)中的接合工藝。

對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，將顯而易見的是，在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種修改和變型。因此，本發(fā)明旨在涵蓋本發(fā)明的這些修改和變型，只要它們出自于所附權(quán)利要求書及其等同物的范圍內(nèi)即可。

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)要求于2015年8月28日提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)No.10-2015-0122111的權(quán)益，將其通過(guò)引用結(jié)合于此，如同在此充分闡述一般。