本申請要求2015年8月31日提交的韓國專利申請No.10-2015-0123257的優(yōu)先權(quán)，在此援引該專利申請作為參考，如同在這里完全闡述一樣。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開內(nèi)容的實施方式涉及一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，尤其涉及一種頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法。

背景技術(shù)：

作為自發(fā)光顯示裝置的有機(jī)發(fā)光顯示(OLED)裝置具有低功耗、快速響應(yīng)速度、高發(fā)光效率、高亮度和寬視角的優(yōu)點。

根據(jù)從有機(jī)發(fā)光裝置發(fā)射的光的方向，OLED裝置可大體上分為頂部發(fā)光型和底部發(fā)光型。在底部發(fā)光型的情形中，電路裝置設(shè)置在發(fā)光層與圖像顯示面之間，因此由于電路裝置而降低了開口率。同時，在頂部發(fā)光型的情形中，在發(fā)光層與圖像顯示面之間未設(shè)置電路裝置，因此可提高開口率。

圖1是現(xiàn)有技術(shù)的頂部發(fā)光型OLED裝置的剖面圖。

如圖1中所示，包括有源層11、柵極絕緣膜12、柵極電極13、絕緣中間層14、源極電極15和漏極電極16的薄膜晶體管層T設(shè)置在基板10上，然后在薄膜晶體管層T上按順序設(shè)置鈍化層20和平坦化層30。

此外，在平坦化層30上設(shè)置陽極電極40和輔助電極50。設(shè)置輔助電極50是為了減小下文所述的陰極電極80的電阻。

在陽極電極40和輔助電極50上，設(shè)置堤部60以界定像素區(qū)域。此外，在由堤部60界定的像素區(qū)域中設(shè)置有機(jī)發(fā)光層70，并在有機(jī)發(fā)光層70上設(shè)置陰極電極80。

在頂部發(fā)光型的情形中，從有機(jī)發(fā)光層70發(fā)射的光穿過陰極電極80。由于該原因，陰極電極80由透明導(dǎo)電材料形成，這導(dǎo)致陰極電極80中的電 阻增加。為了減小陰極電極80的電阻，陰極電極80與輔助電極50連接。

為了使陰極電極80與輔助電極50連接，輔助電極50的上表面未被有機(jī)發(fā)光層70覆蓋。就是說，在形成有機(jī)發(fā)光層70之后，暴露輔助電極50的上表面，以使陰極電極80與輔助電極50的上表面連接。為了防止輔助電極50的上表面被有機(jī)發(fā)光層70覆蓋，在輔助電極50的上表面中設(shè)置具有倒錐形結(jié)構(gòu)的分隔部65。

由于具有倒錐形結(jié)構(gòu)的分隔部65，在堤部60與分隔部65之間設(shè)置有空間。在該情形中，具有倒錐形結(jié)構(gòu)的分隔部65充當(dāng)屋檐，由此有機(jī)發(fā)光層70不沉積在所述空間中。就是說，可通過使用具有出色直線性的沉積材料的沉積工藝，例如蒸鍍，制造有機(jī)發(fā)光層70。因而，對于有機(jī)發(fā)光層70的沉積工藝來說，分隔部65充當(dāng)屋檐，使得可防止有機(jī)發(fā)光層70沉積在堤部60與分隔部65之間的空間中。

同時，可通過使用具有較差直線性的沉積材料的沉積工藝，例如濺射，制造陰極電極80。因而，對于陰極電極80的沉積工藝來說，陰極電極80可沉積在堤部60與分隔部65之間的空間中，以使陰極電極80可與輔助電極50電連接。

然而，因為現(xiàn)有技術(shù)的頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光顯示裝置必須包括具有倒錐形結(jié)構(gòu)的分隔部65，所以其具有下列問題。

為了構(gòu)圖具有倒錐形結(jié)構(gòu)的分隔部65，必須執(zhí)行PEB(Post Exposure Bake，曝光后烘烤)。然而，很難控制PEB工藝來獲得理想的倒錐形結(jié)構(gòu)。如果沒有產(chǎn)生理想的倒錐形結(jié)構(gòu)，則分隔部65可能坍塌或剝落。在該情形中，陰極電極80與輔助電極50之間的電連接可能是困難的。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

因此，本公開內(nèi)容的實施方式旨在提供一種基本上克服了由于現(xiàn)有技術(shù)的限制和缺點而導(dǎo)致的一個或多個問題的頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光顯示裝置。

本公開內(nèi)容的實施方式的一個方面旨在提供一種在不使用具有倒錐形結(jié)構(gòu)的分隔部的情況下，有助于陰極電極與輔助電極之間的電連接的頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光顯示裝置。

在下面的描述中將部分列出本公開內(nèi)容的實施方式的附加優(yōu)點和特征，這些優(yōu)點和特征的一部分根據(jù)下面的解釋對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將變得顯而易見或者可通過本發(fā)明實施方式的實踐領(lǐng)會到。通過說明書、權(quán)利要求書以及附圖中具體指出的結(jié)構(gòu)可實現(xiàn)和獲得本發(fā)明實施方式的這些目的和其他優(yōu)點。

為了實現(xiàn)這些和其他優(yōu)點并根據(jù)本公開內(nèi)容的實施方式的意圖，如在此具體化和概括描述的，提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，可包括：位于基板上的陽極電極；位于所述陽極電極上的有機(jī)發(fā)光層；位于所述有機(jī)發(fā)光層上的陰極電極；與所述陰極電極電連接的輔助電極；和接觸電極，所述接觸電極位于與所述輔助電極相同的層上，所述接觸電極在橫向上與所述輔助電極分隔開，所述接觸電極與所述輔助電極和所述陰極電極二者直接連接，以將所述輔助電極和位于與所述輔助電極相同層上的所述陰極電極的一部分連接在一起。

在本公開內(nèi)容實施方式的另一個方面中，提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法，可包括：在基板上方形成接觸電極，所述接觸電極包括第一接觸電極、位于所述第一接觸電極上的第二接觸電極、以及位于所述第二接觸電極上的第三接觸電極，所述第一接觸電極形成有在橫向上延伸越過所述第三接觸電極的端部的端部；在所述接觸電極上方形成平坦化層，所述平坦化層包括暴露所述接觸電極的接觸孔；在所述平坦化層上形成保護(hù)電極，所述保護(hù)電極經(jīng)由所述平坦化層中的所述接觸孔連接至所述接觸電極；形成堤部，所述堤部與所述保護(hù)電極的一部分、所述第一接觸電極的一部分、所述第二接觸電極的一部分、以及所述第三接觸電極的所述端部重疊；蝕刻未與所述堤部重疊的所述保護(hù)電極的一部分和所述第二接觸電極的一部分，以在與所述堤部重疊的所述第二接觸電極的所述一部分與所述第一接觸電極的所述一部分之間產(chǎn)生中空空間；和形成陰極電極，所述陰極電極延伸至所述中空空間并且在所述中空空間處連接至所述第一接觸電極。

應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明實施方式前面的一般性描述和下面的詳細(xì)描述都是例示性的和解釋性的，意在對要求保護(hù)的本發(fā)明提供進(jìn)一步的解釋。

附圖說明

給本發(fā)明實施方式提供進(jìn)一步理解并并入本申請組成本申請一部分的附圖圖解了本公開內(nèi)容的實施方式，并與說明書一起用于解釋本發(fā)明實施方式的原理。在附圖中：

圖1是圖解現(xiàn)有技術(shù)的頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光顯示裝置的剖面圖；

圖2是圖解根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的剖面圖；

圖3A到3J是圖解根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法的剖面圖。

具體實施方式

現(xiàn)在將詳細(xì)描述本發(fā)明的典型實施方式，在附圖中圖示了這些實施方式的一些例子。盡可能地在整個附圖中使用相同的參考標(biāo)記表示相同或相似的部分。

將通過參照附圖描述的下列實施方式闡明本發(fā)明的優(yōu)點和特征以及其實現(xiàn)方法。然而，本發(fā)明可以以不同的形式實施，不應(yīng)解釋為限于在此列出的實施方式。而是，提供這些實施方式是為了使該公開內(nèi)容全面和完整，并將本發(fā)明的范圍充分地傳遞給本領(lǐng)域技術(shù)人員。此外，本發(fā)明僅由權(quán)利要求書的范圍限定。

為了描述本發(fā)明的實施方式而在附圖中公開的形狀、尺寸、比例、角度和數(shù)量僅僅是示例，因而本發(fā)明不限于圖示的細(xì)節(jié)。相似的參考標(biāo)記通篇表示相似的元件。在下面的描述中，當(dāng)確定對相關(guān)的已知功能或構(gòu)造的詳細(xì)描述會不必要地使本發(fā)明的重點模糊不清時，將省略該詳細(xì)描述。在本說明書中使用“包括”、“具有”和“包含”的情況下，可添加其他部件，除非使用了“僅”。單數(shù)形式的術(shù)語可包括復(fù)數(shù)形式，除非有相反指示。在解釋一要素時，盡管沒有明確說明，但該要素應(yīng)解釋為包含誤差范圍。

在本公開內(nèi)容實施方式的描述中，當(dāng)一結(jié)構(gòu)(例如，電極、線、配線、層或接觸)被描述為形成在另一結(jié)構(gòu)的上部/下部處或者形成在其他結(jié)構(gòu)上/ 下時，這種描述應(yīng)當(dāng)解釋為包括這些結(jié)構(gòu)彼此接觸的情形，而且還包括在它們之間設(shè)置第三結(jié)構(gòu)的情形。

在描述時間關(guān)系時，例如，當(dāng)時間順序描述為“在……之后”、“隨后”、“接下來”和“在……之前”時，可包括不連續(xù)的情況，除非使用了“正好”或“直接”。

將理解到，盡管在本文中可使用術(shù)語“第一”、“第二”等來描述各種元件，但這些元件不應(yīng)被這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅僅是用來彼此區(qū)分元件。例如，在不背離本發(fā)明的范圍的情況下，第一元件可能被稱為第二元件，相似地，第二元件可能被稱為第一元件。

本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠充分理解，本發(fā)明各實施方式的特征可彼此部分或整體地結(jié)合或組合，且可在技術(shù)上彼此進(jìn)行各種互操作和驅(qū)動。本發(fā)明的實施方式可彼此獨立實施，或者以相互依賴的關(guān)系共同實施。

下文中，將參照附圖詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明實施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置。

圖2是圖解根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的剖面圖。

如圖2中所示，根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置可包括基板100、薄膜晶體管層T、鈍化層165、第一平坦化層171、第二平坦化層172、第一陽極電極180、第二陽極電極200、輔助電極190、接觸電極190a、保護(hù)電極210、堤部220、有機(jī)發(fā)光層240和陰極電極250。

基板100可由玻璃或透明塑料形成。

薄膜晶體管層T可包括有源層110、柵極絕緣膜120、柵極電極130、絕緣中間層140、源極電極150和漏極電極160。

有源層110設(shè)置在基板100上，其中有源層110與柵極電極130重疊。有源層110可由基于硅的半導(dǎo)體材料或基于氧化物的半導(dǎo)體材料形成。盡管未示出，但可在基板100與有源層110之間額外設(shè)置遮光層。在該情形中，入射到基板100的下表面上的外部光被遮光層阻擋，使得可防止有源層110被外部光損壞。

在有源層110上設(shè)置有柵極絕緣膜120。柵極絕緣膜120將有源層110與柵極電極130彼此絕緣。例如，柵極絕緣膜120可由無機(jī)絕緣材料形成，更特別地，柵極絕緣膜120可以形成為諸如氧化硅SiOx或氮化硅SiNx之類的無機(jī)絕緣材料的單層結(jié)構(gòu)、或者上述氧化硅SiOx和氮化硅SiNx的多層結(jié)構(gòu)，但不限于這些結(jié)構(gòu)。

在柵極絕緣膜120上形成有柵極電極130。柵極電極130與有源層110重疊，并且柵極絕緣膜120夾在彼此重疊的柵極電極130與有源層110之間。柵極電極130可以形成為包括鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銅(Cu)和它們的合金的單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)，但并不限于這些材料。

在柵極電極130上形成有絕緣中間層140。絕緣中間層140由與柵極絕緣膜120相同的材料形成。例如，絕緣中間層140可以形成為諸如氧化硅SiOx或氮化硅SiNx之類的無機(jī)絕緣材料的單層結(jié)構(gòu)、或者上述氧化硅SiOx、氮化硅SiNx的多層結(jié)構(gòu)，但不限于這些材料。

在絕緣中間層140上形成有彼此面對的源極電極150和漏極電極160。在前述柵極絕緣膜120和絕緣中間層140中設(shè)置有用于暴露有源層110的一個端部的第一接觸孔CH1，并且在前述柵極絕緣膜120和絕緣中間層140中設(shè)置有用于暴露有源層110的另一個端部的第二接觸孔CH2。源極電極150經(jīng)由第二接觸孔CH2與有源層110的所述另一個端部連接，并且漏極電極160經(jīng)由第一接觸孔CH1與有源層110的所述一個端部連接。

源極電極150可包括下部源極電極151和上部源極電極152。

下部源極電極151設(shè)置在絕緣中間層140與上部源極電極152之間，其中下部源極電極151增強(qiáng)絕緣中間層140與上部源極電極152之間的粘結(jié)強(qiáng)度。此外，下部源極電極151保護(hù)上部源極電極152的下表面，使得可防止上部源極電極152的下表面被腐蝕。因而，下部源極電極151的氧化度可低于上部源極電極152的氧化度。就是說，下部源極電極151的材料中的抗腐蝕性可優(yōu)于上部源極電極152的材料中的抗腐蝕性。下部源極電極151起粘結(jié)增強(qiáng)層或腐蝕防止層的作用。下部源極電極151可由鉬和鈦的合金MoTi形成，但并不限于該材料。

上部源極電極152設(shè)置在下部源極電極151的上表面上。上部源極電極152可由諸如銅Cu之類的低電阻金屬材料形成，但并不限于該金屬材料。上部源極電極152可由電阻相對低于下部源極電極151的金屬材料形成。為了降低源極電極150的總電阻，上部源極電極152的厚度優(yōu)選可大于下部源極電極151的厚度。

以與前述源極電極150相同的方式，漏極電極160可包括下部漏極電極161和上部漏極電極162。

下部漏極電極161設(shè)置在絕緣中間層140與上部漏極電極162之間，其中下部漏極電極161增強(qiáng)絕緣中間層140與上部漏極電極162之間的粘結(jié)強(qiáng)度。此外，下部漏極電極161防止上部漏極電極162的下表面被腐蝕。因而，下部漏極電極161的氧化度可低于上部漏極電極162的氧化度。就是說，下部漏極電極161的材料中的抗腐蝕性可優(yōu)于上部漏極電極162的材料中的抗腐蝕性。下部漏極電極161可由鉬和鈦的合金MoTi形成，但并不限于該材料。

上部漏極電極162設(shè)置在下部漏極電極161的上表面上。上部漏極電極162可由與前述上部源極電極152相同的材料，例如銅Cu形成，但并不限于該材料。為了降低漏極電極160的總電阻，上部漏極電極162的厚度優(yōu)選可大于下部漏極電極161的厚度。

上部漏極電極162可由與上部源極電極152相同的材料形成，并且上部漏極電極162可以以與上部源極電極152相同的厚度形成。下部漏極電極161可由與下部源極電極151相同的材料形成，并且下部漏極電極161可以以與下部源極電極151相同的厚度形成。在該情形中，可在同一工藝中同時制造漏極電極160和源極電極150。

薄膜晶體管層T的結(jié)構(gòu)不限于上述結(jié)構(gòu)，就是說，薄膜晶體管層T的結(jié)構(gòu)可變?yōu)楸绢I(lǐng)域技術(shù)人員通常已知的各種形狀。例如，附圖顯示了其中柵極電極130設(shè)置在有源層110上方的頂柵結(jié)構(gòu)，但不是必須的。就是說，可提供其中柵極電極130設(shè)置在有源層110下方的底柵結(jié)構(gòu)。

在薄膜晶體管層T上，更具體地說是在源極電極150和漏極電極160的上表面上設(shè)置有鈍化層165。鈍化層165保護(hù)薄膜晶體管層T。鈍化層165 可由無機(jī)絕緣材料，例如氧化硅膜SiOx或氮化硅膜SiNx形成，但并不限于這些材料。

在鈍化層165上設(shè)置有第一平坦化層171。設(shè)置第一平坦化層171是為了使具有薄膜晶體管層T的基板100的上表面平坦。第一平坦化層171可由有機(jī)絕緣材料，例如壓克力樹脂、環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、聚酰胺樹脂、聚酰亞胺樹脂等形成，但并不限于這些材料。

在第一平坦化層171上設(shè)置有第一陽極電極180和輔助電極190。就是說，第一陽極電極180和輔助電極190設(shè)置在同一層中。在前述鈍化層165和第一平坦化層171中設(shè)置有用于暴露源極電極150的第三接觸孔CH3。源極電極150和第一陽極電極180經(jīng)由第三接觸孔CH3彼此連接。

第一陽極電極180可包括第一下部陽極電極181、第一上部陽極電極182和第一蓋部(cover)陽極電極183。

第一下部陽極電極181設(shè)置在第一平坦化層171與第一上部陽極電極182之間，其中第一下部陽極電極181增強(qiáng)第一平坦化層171與第一上部陽極電極182之間的粘結(jié)強(qiáng)度。此外，第一下部陽極電極181保護(hù)第一上部陽極電極182的下表面，使得可防止第一上部陽極電極182的下表面被腐蝕。因而，第一下部陽極電極181的氧化度可低于第一上部陽極電極182的氧化度。就是說，第一下部陽極電極181的材料中的抗腐蝕性可優(yōu)于第一上部陽極電極182的材料中的抗腐蝕性。此外，第一下部陽極電極181保護(hù)上部源極電極152的上表面，使得可防止上部源極電極152的上表面被腐蝕。因而，第一下部陽極電極181的氧化度可低于上部源極電極152的氧化度。就是說，第一下部陽極電極181的材料中的抗腐蝕性可優(yōu)于上部源極電極152的材料中的抗腐蝕性。第一下部陽極電極181防止上部源極電極152的上表面被腐蝕，使得可在源極電極150中設(shè)置前述雙層結(jié)構(gòu)。第一下部陽極電極181起粘結(jié)增強(qiáng)層或腐蝕防止層的作用。第一下部陽極電極181可由氧化銦錫(ITO)形成，但并不限于該材料。

第一上部陽極電極182設(shè)置在第一下部陽極電極181與第一蓋部陽極電極183之間。第一上部陽極電極182可由諸如銅Cu之類的低電阻金屬材料形成，但并不限于該金屬材料。第一上部陽極電極182可由電阻相對低于第 一下部陽極電極181和第一蓋部陽極電極183每一個的金屬材料形成。為了降低第一陽極電極180的總電阻，第一上部陽極電極182的厚度優(yōu)選可大于第一下部陽極電極181和第一蓋部陽極電極183每一個的厚度。

第一蓋部陽極電極183設(shè)置在第一上部陽極電極182上。第一蓋部陽極電極183覆蓋第一上部陽極電極182的上表面和側(cè)表面，使得第一蓋部陽極電極183防止第一上部陽極電極182被腐蝕。因而，第一蓋部陽極電極183的氧化度可低于第一上部陽極電極182的氧化度。就是說，第一蓋部陽極電極183的材料中的抗腐蝕性可優(yōu)于第一上部陽極電極182的材料中的抗腐蝕性。第一蓋部陽極電極183還覆蓋第一下部陽極電極181的側(cè)表面。第一蓋部陽極電極183可由諸如氧化銦錫(ITO)之類的透明導(dǎo)電材料形成，但并不限于該材料。

輔助電極190與第一陽極電極180分隔開。以與前述第一陽極電極180相同的方式，輔助電極190可包括下部輔助電極191、上部輔助電極192和蓋部輔助電極193。

下部輔助電極191設(shè)置在第一平坦化層171與上部輔助電極192之間，其中下部輔助電極191增強(qiáng)第一平坦化層171與上部輔助電極192之間的粘結(jié)強(qiáng)度，并且也防止上部輔助電極192的下表面被腐蝕。因而，下部輔助電極191的氧化度可低于上部輔助電極192的氧化度。就是說，下部輔助電極191的材料中的抗腐蝕性可優(yōu)于上部輔助電極192的材料中的抗腐蝕性。下部輔助電極191可由與前述第一下部陽極電極181相同的材料，即氧化銦錫(ITO)形成，但并不限于該材料。

上部輔助電極192設(shè)置在下部輔助電極191與蓋部輔助電極193之間。上部輔助電極192可由與前述第一上部陽極電極182相同的材料，即銅Cu形成，但并不限于該材料。為了降低輔助電極190的總電阻，具有相對低電阻的上部輔助電極192的厚度優(yōu)選可大于具有相對高電阻的下部輔助電極191和蓋部輔助電極193每一個的厚度。

蓋部輔助電極193設(shè)置在上部輔助電極192上。蓋部輔助電極193覆蓋上部輔助電極192的上表面和側(cè)表面(即側(cè)面)，使得蓋部輔助電極193防止上部輔助電極192被腐蝕。因而，蓋部輔助電極193的氧化度可低于上部 輔助電極192的氧化度。就是說，蓋部輔助電極193的材料中的抗腐蝕性可優(yōu)于上部輔助電極192的材料中的抗腐蝕性。蓋部輔助電極193還覆蓋下部輔助電極191的側(cè)表面。蓋部輔助電極193可由諸如氧化銦錫(ITO)之類的透明導(dǎo)電材料形成，但并不限于該材料。

蓋部輔助電極193可由與第一蓋部陽極電極183相同的材料形成，并且蓋部輔助電極193可以以與第一蓋部陽極電極183相同的厚度形成。上部輔助電極192可由與第一上部陽極電極182相同的材料形成，并且上部輔助電極192可以以與第一上部陽極電極182相同的厚度形成。下部輔助電極191可由與第一下部陽極電極181相同的材料形成，并且下部輔助電極191可以以與第一下部陽極電極181相同的厚度形成。在該情形中，可在同一工藝中同時制造輔助電極190和第一陽極電極180。

根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實施方式，輔助電極190設(shè)置在與第一陽極電極180相同的層中，而不是與第二陽極電極200相同的層中，使得可有效降低陰極電極250的電阻，而不減小像素區(qū)域。詳細(xì)地說，如果輔助電極190形成在與第二陽極電極200相同的層中，輔助電極190尺寸增加以降低陰極電極250的電阻，因而第二陽極電極200尺寸減小，由此減小了像素區(qū)域。

同時，根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實施方式，如果輔助電極190形成在與第一陽極電極180相同的層中，則輔助電極190尺寸增加以降低陰極電極250的電阻。在該情形中，即使第一陽極電極180尺寸減小，像素區(qū)域也不減小。就是說，第一陽極電極180將源極電極150和第二陽極電極200彼此連接。因而，即使第一陽極電極180寬度減小，像素區(qū)域也不減小。像素區(qū)域取決于第二陽極電極200。

根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實施方式，可增加輔助電極190的寬度而不減小像素區(qū)域。詳細(xì)地說，如圖中所示，增加輔助電極190的寬度以使輔助電極190與第二陽極電極200重疊，使得可有效降低陰極電極250的電阻。

以與第一陽極電極180和輔助電極190相同的方式，在第一平坦化層171上設(shè)置接觸電極190a。就是說，接觸電極190a設(shè)置在與第一陽極電極180和輔助電極190相同的層中。

接觸電極190a將輔助電極190與陰極電極250連接。因而，接觸電極190a與輔助電極190電連接，并且還與陰極電極250電連接。尤其是，接觸電極190a與輔助電極190、陰極電極250直接連接。

接觸電極190a可包括下部接觸電極191a和蓋部接觸電極193a。

下部接觸電極191a設(shè)置在第一平坦化層171上。下部接觸電極191a與下部輔助電極191直接連接。尤其是，下部接觸電極191a可由與下部輔助電極191相同的材料形成，并且下部接觸電極191a可以以與下部輔助電極191相同的厚度形成為一體。在該情形中，可在同一工藝中同時制造下部接觸電極191a和下部輔助電極191。此外，下部接觸電極191a可與陰極電極250直接連接。更詳細(xì)地說，陰極電極250與下部接觸電極191a的上表面接觸。

蓋部接觸電極193a設(shè)置在下部接觸電極191a上。蓋部接觸電極193a與下部接觸電極191a連接，并且還與蓋部輔助電極193連接。尤其是，蓋部接觸電極193a可由與蓋部輔助電極193相同的材料形成，并且蓋部接觸電極193a可以以與蓋部輔助電極193相同的厚度形成為一體。在該情形中，可在同一工藝中同時制造蓋部接觸電極193a和蓋部輔助電極193。接觸電極190a和輔助電極190可在橫向上彼此分隔開并且經(jīng)由中間電極170彼此連接。中間電極170包括第一中間電極170a和第二中間電極170b。第一中間電極170a直接連接至下部接觸電極191a和下部輔助電極191。第二中間電極170b直接連接至蓋部接觸電極193a和蓋部輔助電極193。

在距下部接觸電極191a的不與輔助電極190面對的端部B一預(yù)定間隔處，設(shè)置蓋部接觸電極193a的不與輔助電極190面對的端部A，由此在蓋部接觸電極193a與下部接觸電極191a之間制備出中空空間C。在中空空間C中，下部接觸電極191a和陰極電極250彼此連接。為了制備中空空間C，下部接觸電極191a的端部B優(yōu)選比蓋部接觸電極193a的端部A延伸更多。這是為了在下文所述的圖3H的隨后工藝中，使蝕刻劑更容易滲透到蓋部接觸電極193a與下部接觸電極191a之間的空間中。

形成下部接觸電極191a和蓋部接觸電極193a的材料，可不被能夠蝕刻用于上部輔助電極192的材料的蝕刻劑蝕刻，所述下部接觸電極191a和蓋部接觸電極193a的材料例如為結(jié)晶的氧化銦錫(ITO)。

在第一陽極電極180、輔助電極190和接觸電極190a上設(shè)置有第二平坦化層172。第二平坦化層172與前述第一平坦化層171一起使基板100的上表面平坦。第二平坦化層172可由有機(jī)絕緣材料，例如壓克力樹脂、環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、聚酰胺樹脂、聚酰亞胺樹脂等形成，但并不限于這些材料。

在第二平坦化層172中設(shè)置有第四接觸孔CH4和第五接觸孔CH5。經(jīng)由第四接觸孔CH4暴露第一陽極電極180，并且經(jīng)由第五接觸孔CH5暴露接觸電極190a。第五接觸孔CH5與中空空間C接觸，由此陰極電極250可經(jīng)由第五接觸孔CH5延伸至中空空間C，因而陰極電極250可在中空空間C中與接觸電極190a連接。

在第二平坦化層172上設(shè)置有第二陽極電極200。第二陽極電極200經(jīng)由第四接觸孔CH4與第一陽極電極180連接。第二陽極電極200將從有機(jī)發(fā)光層240發(fā)射的光反射到向上的方向。由于該原因，第二陽極電極200包括具有良好反射率的材料。第二陽極電極200可包括第二下部陽極電極201、第二中部陽極電極202和第二上部陽極電極203。

第二下部陽極電極201設(shè)置在第一陽極電極180與第二中部陽極電極202之間。第二下部陽極電極201保護(hù)第二中部陽極電極202的下表面，使得可防止第二中部陽極電極202的下表面被腐蝕。因而，第二下部陽極電極201的氧化度可低于第二中部陽極電極202的氧化度。就是說，第二下部陽極電極201的材料中的抗腐蝕性可優(yōu)于第二中部陽極電極202的材料中的抗腐蝕性。第二下部陽極電極201可由諸如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)之類的透明導(dǎo)電材料形成，但并不限于這些材料。

第二中部陽極電極202設(shè)置在第二下部陽極電極201與第二上部陽極電極203之間。與第二下部陽極電極201和第二上部陽極電極203相比，第二中部陽極電極202可由具有相對低電阻和相對高反射率的材料，例如銀Ag形成，但并不限于該材料。為了降低第二陽極電極200的總電阻，具有相對 低電阻的第二中部陽極電極202的厚度優(yōu)選可大于具有相對高電阻的第二下部陽極電極201和第二上部陽極電極203每一個的厚度。

第二上部陽極電極203設(shè)置在第二中部陽極電極202的上表面上，使得可防止第二中部陽極電極202的上表面被腐蝕。因而，第二上部陽極電極203的氧化度可低于第二中部陽極電極202的氧化度。就是說，第二上部陽極電極203的材料中的抗腐蝕性可優(yōu)于第二中部陽極電極202的材料中的抗腐蝕性。第二上部陽極電極203可由諸如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)之類的透明導(dǎo)電材料形成，但并不限于該材料。

保護(hù)電極210與第二陽極電極200分隔開。同第二陽極電極200一樣，保護(hù)電極210設(shè)置在第二平坦化層172上。保護(hù)電極210保護(hù)接觸電極190a。詳細(xì)地說，保護(hù)電極210配置成在蓋部接觸電極193a與下部接觸電極191a之間制備出中空空間C。為此，與保護(hù)電極210的不與第二陽極電極200面對的端部D相比，下部接觸電極191a的端部B優(yōu)選延伸更多。就是說，在與下文所述的制造工藝相關(guān)的圖3H的蝕刻工藝之后，保護(hù)電極210保留下來。因而，如圖2中所示，下部接觸電極191a的端部B比保護(hù)電極210的端部D延伸更多。

保護(hù)電極210經(jīng)由設(shè)置在第二平坦化層172中的第五接觸孔CH5與接觸電極190a連接。尤其是，保護(hù)電極210與蓋部接觸電極193a的上表面接觸。保護(hù)電極210與輔助電極190和接觸電極190a電連接，使得可降低陰極電極250的電阻。

保護(hù)電極210可包括下部保護(hù)電極211、中部保護(hù)電極212和上部保護(hù)電極213。

下部保護(hù)電極211設(shè)置在接觸電極190a與中部保護(hù)電極212之間。下部保護(hù)電極211保護(hù)中部保護(hù)電極212的下表面，使得下部保護(hù)電極211防止中部保護(hù)電極212的下表面被腐蝕。因此，下部保護(hù)電極211的氧化度可低于中部保護(hù)電極212的氧化度。就是說，下部保護(hù)電極211的材料中的抗腐蝕性可優(yōu)于中部保護(hù)電極212的材料中的抗腐蝕性。下部保護(hù)電極211可由諸如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)之類的透明導(dǎo)電材料形成，但并不限于該材料。優(yōu)選地，形成下部保護(hù)電極211的材料易于被能夠蝕刻用 于上部輔助電極192的材料的蝕刻劑蝕刻。因而，下部保護(hù)電極211由具有高結(jié)晶溫度的氧化銦鋅(IZO)形成。這通過隨后所述的制造工藝的下列描述很容易理解。

中部保護(hù)電極212設(shè)置在下部保護(hù)電極211與上部保護(hù)電極213之間。與下部保護(hù)電極211和上部保護(hù)電極213相比，中部保護(hù)電極212可由具有相對低電阻和相對高反射率的材料，例如銀Ag形成，但并不限于該材料。為了降低保護(hù)電極210的總電阻，具有相對低電阻的中部保護(hù)電極212的厚度優(yōu)選可大于具有相對高電阻的下部保護(hù)電極211和上部保護(hù)電極213每一個的厚度。

上部保護(hù)電極213設(shè)置在中部保護(hù)電極212的上表面上，使得可防止中部保護(hù)電極212的上表面被腐蝕。因而，上部保護(hù)電極213的氧化度可低于中部保護(hù)電極212的氧化度。就是說，上部保護(hù)電極213的材料中的抗腐蝕性可優(yōu)于中部保護(hù)電極212的材料中的抗腐蝕性。上部保護(hù)電極213可由諸如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)之類的透明導(dǎo)電材料形成，但并不限于該材料。同前述下部保護(hù)電極211一樣，形成上部保護(hù)電極213的材料優(yōu)選易于被能夠蝕刻用于上部輔助電極192的材料的蝕刻劑蝕刻。因而，上部保護(hù)電極213優(yōu)選由具有高結(jié)晶溫度的氧化銦鋅(IZO)形成。這通過隨后所述的制造工藝的下列描述很容易理解。

上部保護(hù)電極213可由與第二上部陽極電極203相同的材料形成，并且上部保護(hù)電極213可以以與第二上部陽極電極203相同的厚度形成。中部保護(hù)電極212可由與第二中部陽極電極202相同的材料形成，并且中部保護(hù)電極212可以以與第二中部陽極電極202相同的厚度形成。下部保護(hù)電極211可由與第二下部陽極電極201相同的材料形成，并且下部保護(hù)電極211可以以與第二下部陽極電極201相同的厚度形成。在該情形中，可在同一工藝中同時制造保護(hù)電極210和第二陽極電極200。

在第二陽極電極200和保護(hù)電極210上設(shè)置有堤部220。

暴露第二陽極電極200的上表面的堤部220設(shè)置在第二陽極電極200的一側(cè)和另一側(cè)上。因為堤部220設(shè)置成暴露第二陽極電極200的上表面，所以可確保圖像顯示區(qū)域。此外，堤部220設(shè)置在第二陽極電極200與保護(hù)電 極210之間，使得第二陽極電極200和保護(hù)電極210通過堤部220彼此絕緣。堤部220可由有機(jī)絕緣材料，例如聚酰亞胺樹脂、壓克力樹脂、苯并環(huán)丁烯BCB等形成，但并不限于這些材料。

堤部220被構(gòu)圖為覆蓋保護(hù)電極210的上表面。因而，被堤部220覆蓋的保護(hù)電極210在蝕刻工藝之后保留下來。此外，堤部220被構(gòu)圖為暴露接觸電極190a，更具體地說是暴露下部接觸電極191a。就是說，堤部220被構(gòu)圖為經(jīng)由前述第五接觸孔CH5暴露下部接觸電極191a。

堤部220的預(yù)定部分沿著第二平坦化層172的側(cè)面延伸至第五接觸孔CH5，使得堤部220與保護(hù)電極210、上部接觸電極193a重疊。如果堤部220的預(yù)定部分延伸至第五接觸孔CH5，則陰極電極250沿著延伸的堤部220的上表面很容易與下部接觸電極191a連接。就是說，如圖中所示，第五接觸孔CH5左側(cè)的堤部220延伸至第五接觸孔CH5且與保護(hù)電極210、上部接觸電極193a重疊，第五接觸孔CH5右側(cè)的堤部220延伸至第五接觸孔CH5而未與下部接觸電極191a的上表面接觸，且有機(jī)發(fā)光層240和陰極電極250按順序沉積在延伸的堤部220的上表面上。結(jié)果，形成在位于接觸孔CH5右側(cè)的堤部220上的陰極電極250與暴露到外側(cè)而未與堤部220接觸的下部接觸電極191a的上表面接觸。如果接觸孔CH5左側(cè)的堤部220不延伸至第五接觸孔CH5以與保護(hù)電極210、上部接觸電極193a重疊，則延伸至第五接觸孔CH5的陰極電極250可能不會連接至下部接觸電極191a。

在第二陽極電極200上設(shè)置有有機(jī)發(fā)光層240。有機(jī)發(fā)光層240可包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層。有機(jī)發(fā)光層240的結(jié)構(gòu)可變?yōu)楸绢I(lǐng)域技術(shù)人員通常已知的各種形狀。

有機(jī)發(fā)光層240可延伸至堤部220的上表面。此外，沿著延伸至第五接觸孔CH5的堤部220的預(yù)定部分的上表面，有機(jī)發(fā)光層240可延伸至第五接觸孔CH5，然后與下部接觸電極191a的上表面的預(yù)定部分接觸。然而，有機(jī)發(fā)光層240不延伸到在蓋部接觸電極193a與下部接觸電極191a之間制備出的中空空間C中。就是說，有機(jī)發(fā)光層240設(shè)置成暴露位于中空空間C中的下部接觸電極191a的上表面，使得陰極電極250與在中空空間C中暴露的下部接觸電極191a連接。

可通過使用具有出色直線性的沉積材料的蒸鍍方法制造有機(jī)發(fā)光層240。因而，由于對于有機(jī)發(fā)光層240的沉積工藝來說，堤部220充當(dāng)屋檐，所以有機(jī)發(fā)光層240不沉積在中空空間C中。

在有機(jī)發(fā)光層240上設(shè)置有陰極電極250。由于陰極電極250設(shè)置在發(fā)光面中，所以陰極電極250由透明導(dǎo)電材料形成。因為陰極電極250由透明導(dǎo)電材料形成，所以陰極電極的電阻增加。為了降低陰極電極250的電阻，陰極電極250經(jīng)由接觸電極190a與輔助電極190連接。更詳細(xì)地說，陰極電極250延伸至中空空間C的內(nèi)部，并且與下部接觸電極190a的上表面接觸。根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實施方式，陰極電極250經(jīng)由設(shè)置有中空空間C的下部接觸電極190a與輔助電極190電連接，由此不需要現(xiàn)有技術(shù)的具有倒錐形結(jié)構(gòu)的分隔部。就是說，不存在與分隔部的剝落或坍塌有關(guān)的問題。

可通過濺射，即，使用具有較差直線性的沉積材料的沉積工藝，制造陰極電極250。因此，對于陰極電極250的沉積工藝來說，陰極電極250可沉積在中空空間C中。

盡管未示出，但可在陰極電極250上額外設(shè)置封裝層，從而防止?jié)駳獾臐B透。封裝層可由本領(lǐng)域技術(shù)人員通常已知的各種材料形成。此外，盡管未示出，但可在陰極電極250上針對每一像素額外設(shè)置濾色器。在該情形中，可從有機(jī)發(fā)光層240發(fā)射白色光。

圖3A到3J是圖解根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法的剖面圖，其與圖2中所示的有機(jī)發(fā)光顯示裝置相關(guān)。因而，將在整個附圖中使用相同的參考數(shù)字表示相同或相似的部分，并將省略相同部分的詳細(xì)描述。

首先，如圖3A中所示，在基板100上設(shè)置薄膜晶體管層T，薄膜晶體管層T包括有源層110、柵極絕緣膜120、柵極電極130、絕緣中間層140、源極電極150和漏極電極160。

更詳細(xì)地說，在基板100上設(shè)置有源層110，在有源層110上設(shè)置柵極絕緣膜120，在柵極絕緣膜120上設(shè)置柵極電極130，在柵極電極130上設(shè)置絕緣中間層140，在柵極絕緣膜120和絕緣中間層140中設(shè)置第一接觸孔CH1和第二接觸孔CH2，設(shè)置經(jīng)由第一接觸孔CH1與有源層110的一個端 部連接的漏極電極160，并且設(shè)置經(jīng)由第二接觸孔CH2與有源層110的另一個端部連接的源極電極150。

源極電極150包括下部源極電極151和上部源極電極152。漏極電極160包括下部漏極電極161和上部漏極電極162?？稍谕还に囉赏徊牧贤瑫r構(gòu)圖出源極電極150和漏極電極160。

然后，如圖3B中所示，在源極電極150和漏極電極160上設(shè)置鈍化層165，并且在鈍化層165上設(shè)置第一平坦化層171。

鈍化層165和第一平坦化層171設(shè)置成包括第三接觸孔CH3，其中源極電極150經(jīng)由第三接觸孔CH3暴露到外部。

然后，如圖3C中所示，在第一平坦化層171上設(shè)置第一陽極電極180、輔助電極190和接觸電極190a。

第一陽極電極180經(jīng)由第三接觸孔CH3與源極電極150連接。第一陽極電極180可包括第一下部陽極電極181、第一上部陽極電極182和第一蓋部陽極電極183。

輔助電極190在橫向上與第一陽極電極180分隔開并且與接觸電極190a連接。輔助電極190可包括下部輔助電極191、上部輔助電極192和蓋部輔助電極193。

接觸電極190a與輔助電極190連接。接觸電極190a可包括下部接觸電極191a、上部接觸電極192a和蓋部接觸電極193a。

下部接觸電極191a和下部輔助電極191彼此連接并且形成為一體。蓋部接觸電極193a和蓋部輔助電極193彼此連接并且形成為一體。然而，上部接觸電極192a與上部輔助電極192分隔開。

在該情形中，下部接觸電極191a的端部B比蓋部接觸電極193a的端部A延伸更多，由此可暴露出上部接觸電極192a的一個預(yù)定部分。因為上部接觸電極192a的一個預(yù)定部分被暴露，所以上部接觸電極192a可被圖3H的蝕刻工藝去除，并且可在上部接觸電極192a被去除的區(qū)域中制備出中空空間C。

可通過各種構(gòu)圖工藝同時形成第一陽極電極180、輔助電極190和接觸電極190a，由此不需要額外的工藝。例如，在第一平坦化層171的整個表 面上沉積第一ITO層；在第一ITO層上構(gòu)圖出第一上部陽極電極182、上部輔助電極192和上部接觸電極192a；在整個表面上沉積第二ITO層；然后將第一ITO層和第二ITO層同時構(gòu)圖，從而形成第一ITO層的第一下部陽極電極181、下部輔助電極191和下部接觸電極191a，并且還形成第二ITO層的第一蓋部陽極電極183、蓋部輔助電極193和蓋部接觸電極193a。另一種方式，可在第一平坦化層171上構(gòu)圖出第一下部陽極電極181、下部輔助電極191和下部接觸電極191a；可在其上構(gòu)圖出第一上部陽極電極182、上部輔助電極192和上部接觸電極192a；然后可在其上構(gòu)圖出第一蓋部陽極電極183、蓋部輔助電極193和蓋部接觸電極193a。

然后，如圖3D中所示，在第一陽極電極180、輔助電極190和接觸電極190a上設(shè)置第二平坦化層172。

第二平坦化層172設(shè)置成包括第四接觸孔CH4和第五接觸孔CH5。第一陽極電極180經(jīng)由第四接觸孔CH4暴露到外部，并且接觸電極190a經(jīng)由第五接觸孔CH5暴露到外部。

如圖3E中所示，在第二平坦化層172上設(shè)置第二陽極電極200和保護(hù)電極210。

第二陽極電極200經(jīng)由第四接觸孔CH4與第一陽極電極180連接，并且保護(hù)電極210經(jīng)由第五接觸孔CH5與接觸電極190a連接。保護(hù)電極210與第二陽極電極200分隔開。

第二陽極電極200覆蓋第四接觸孔CH4的所有部分。然而，保護(hù)電極210不覆蓋第五接觸孔CH5的所有部分，就是說，第五接觸孔CH5的預(yù)定部分暴露到外部。因為第五接觸孔CH5的預(yù)定部分被暴露，所以在圖3F的隨后工藝，接觸孔CH5右側(cè)的堤部220延伸至暴露的第五接觸孔CH5。

第二陽極電極200可包括第二下部陽極電極201、第二中部陽極電極202和第二上部陽極電極203。保護(hù)電極210可包括下部保護(hù)電極211、中部保護(hù)電極212和上部保護(hù)電極213。

可在同一工藝由同一材料同時構(gòu)圖出第二陽極電極200和保護(hù)電極210，由此不需要額外的工藝。

然后，如圖3F中所示，在第二陽極電極200和保護(hù)電極210上設(shè)置第五接觸孔CH5左側(cè)的堤部220。

第五接觸孔CH5左側(cè)的堤部220被構(gòu)圖為暴露第二陽極電極200的上表面。此外，第五接觸孔CH5左側(cè)的堤部220被構(gòu)圖為暴露第五接觸孔CH5中的保護(hù)電極210的預(yù)定部分。在該情形中，第五接觸孔CH5右側(cè)的堤部220的預(yù)定部分沿著第二平坦化層172的側(cè)面延伸至第五接觸孔CH5。

如圖3G中所示，在由堤部220暴露的第二陽極電極200的上表面上構(gòu)圖出光刻膠300。因此，第二陽極電極200的上表面被光刻膠300覆蓋，使得可防止第二陽極電極200被圖3H的工藝蝕刻。然而，光刻膠300不構(gòu)圖在第五接觸孔CH5中，由此保護(hù)電極210的預(yù)定部分暴露到外部。

然后，如圖3H中所示，未被光刻膠300覆蓋的保護(hù)電極210的預(yù)定部分被去除，并且上部接觸電極192a同時也被去除。因此，可完整地形成包括下部接觸電極191a和蓋部接觸電極193a的接觸電極190a并且可在下部接觸電極191a與蓋部接觸電極193a之間制備出中空空間C。就是說，在上部接觸電極192a被去除的區(qū)域中制備出中空空間C。

如果下部接觸電極191a和蓋部接觸電極193a由氧化銦錫(ITO)形成，并且下部保護(hù)電極211和上部保護(hù)電極213由氧化銦鋅(IZO)形成，則在形成堤部220的高溫固化工藝中，氧化銦錫(ITO)結(jié)晶化并且變?yōu)榻Y(jié)晶ITO，然而由于高結(jié)晶溫度，氧化銦鋅(IZO)未結(jié)晶化并且作為非晶IZO保留下來。因而，在圖3H的蝕刻工藝，非晶IZO的下部保護(hù)電極211和上部保護(hù)電極213可被蝕刻，然而結(jié)晶ITO的下部接觸電極191a和蓋部接觸電極193a可保留下來而未被蝕刻。因為通過蝕刻工藝僅去除了上部接觸電極192a，所以在下部接觸電極191a與蓋部接觸電極193a之間制備出中空空間C。

然后，如圖3I中所示，在第二陽極電極200上設(shè)置有機(jī)發(fā)光層240?？赏ㄟ^使用具有出色直線性的沉積材料的沉積工藝，例如蒸鍍，制造有機(jī)發(fā)光層240。因而，有機(jī)發(fā)光層240沉積在堤部220的上表面以及第五接觸孔CH5中的下部接觸電極191a的上表面的預(yù)定部分上。然而，有機(jī)發(fā)光層 240未沉積在中空空間C中。就是說，對于有機(jī)發(fā)光層240的沉積工藝來說，堤部220充當(dāng)屋檐，使得可防止有機(jī)發(fā)光層240沉積在中空空間C中。結(jié)果，有機(jī)發(fā)光層240設(shè)置成暴露位于中空空間C中的下部接觸電極191a的上表面。

然后，如圖3J中所示，在有機(jī)發(fā)光層240上設(shè)置陰極電極250。

因為形成在位于第五接觸孔CH5右側(cè)的堤部220上的陰極電極250在中空空間C中與接觸電極190a連接，所以陰極電極250與輔助電極190電連接。

可通過使用具有較差直線性的沉積材料的沉積工藝，例如濺射，制造陰極電極250。因而，陰極電極250可沉積在中空空間C中。結(jié)果，陰極電極250在中空空間C中與下部接觸電極191a連接。

本發(fā)明實施方式的前述說明顯示了頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光顯示裝置。然而，頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光顯示裝置可在能實現(xiàn)本發(fā)明的技術(shù)特性的范圍內(nèi)以各種形式進(jìn)行變化。例如，可在像素區(qū)域的整個區(qū)域中進(jìn)行光發(fā)射，或者可僅在像素區(qū)域的預(yù)定部分中進(jìn)行光發(fā)射。就是說，如果在像素區(qū)域的整個區(qū)域中進(jìn)行光發(fā)射，則在整個像素區(qū)域中布置用于光發(fā)射的多個像素。同時，如果僅在像素區(qū)域的預(yù)定部分中進(jìn)行光發(fā)射，則僅在像素區(qū)域的預(yù)定部分中布置用于光發(fā)射的像素，并且在其余部分中不布置用于光發(fā)射的像素，由此構(gòu)成透明有機(jī)發(fā)光顯示裝置。在透明有機(jī)發(fā)光顯示裝置的情形中，在不進(jìn)行光發(fā)射的像素區(qū)域中不設(shè)置前述晶體管T、第一陽極電極180、第二陽極電極200、輔助電極190、接觸電極190a、保護(hù)電極210和有機(jī)發(fā)光層240，但并不限于該結(jié)構(gòu)。

根據(jù)本發(fā)明，陰極電極250通過額外的接觸電極190a與輔助電極190電連接，由此不需要具有倒錐形結(jié)構(gòu)的分隔部。因而，不存在與分隔部的剝落或坍塌有關(guān)的問題。

在不背離本公開內(nèi)容的精神或范圍的情況下，本發(fā)明可進(jìn)行各種修改和變化，這對于所屬領(lǐng)域技術(shù)人員來說是顯而易見的。因而，本發(fā)明意在覆蓋落入所附權(quán)利要求書范圍及其等同范圍內(nèi)的本發(fā)明的修改和變化。