1.一種正裝覆晶LED芯片封裝體，其包括設(shè)于底部的線路基板、外延芯片、及熒光膠膜，所述線路基板上印刷有導(dǎo)電銀膠或錫膏，所述外延芯片具有透明襯底、N電子層及P電子層，所述N電子層設(shè)于透明襯底上，該N電子層具有高端及低端，所述P電子層設(shè)于該N電子層的高端上，該P(yáng)電子層上設(shè)有P電極，N電極的低端上設(shè)有N電極，該P(yáng)電極的頂端與N電極的頂端平齊，所述P電極及所述N電極的面積分別占該外延芯片光罩面積的1/8-1/3，該外延芯片的P電極及N電極覆晶在線路基板的導(dǎo)電銀膠或錫膏上，所述熒光膠膜貼覆在線路基板及外延芯片的透明襯底頂部。
2.如權(quán)利要求1所述的正裝覆晶LED芯片封裝體，其特征在于：所述N電極及P電極的材料為金屬：金、銀、鎳、鋁中的任意一種。
3.一種如權(quán)利要求1所述的正裝覆晶LED芯片封裝體的應(yīng)用，其特征在于：該正裝覆晶LED芯片封裝體應(yīng)用于點(diǎn)狀光源、條狀光源或面狀光源中的任意一種。
4.一種如權(quán)利要求1所述的正裝覆晶LED芯片封裝體的封裝方法，包括以下步驟：
A：于透明基板對應(yīng)LED芯片大小的線路寬度焊盤上，進(jìn)行銀膠或錫膏的涂覆，銀膠或錫膏的涂覆面積為外延芯片光罩面積的1/8-1/3；
B：利用固晶機(jī)將外延芯片覆晶在相應(yīng)對位涂有銀膠或錫膏的線路上，該外延芯片的P電極及N電極的電極面積為該外延芯片光罩面積的1/8-1/3；
C：進(jìn)行預(yù)成型支架的貼合；
D：進(jìn)行回焊或烘烤；
E：進(jìn)行熒光粉的涂布；
F：進(jìn)行烘烤；
G：將烘烤完成的基板進(jìn)行裁切。
5.如權(quán)利要求4所述的正裝覆晶LED芯片封裝體的封裝方法，其特征在于：步驟B中，所述銀膠或錫膏是通過印刷或者涂布的方式涂覆在基板上。
6.如權(quán)利要求4所述的正裝覆晶LED芯片封裝體的封裝方法，其特征在于：步驟E 、F中，所述熒光粉的涂布是利用貼膜壓合、熱轉(zhuǎn)印、點(diǎn)膠、膜頂或印刷中的任意一種方式。
7.如權(quán)利要求4所述的正裝覆晶LED芯片封裝體的封裝方法，其特征在于：步驟G中，所述烘烤是利用紅外線或者智能控烤箱進(jìn)行烘烤。
8.如權(quán)利要求4所述的正裝覆晶LED芯片封裝體的封裝方法，其特征在于：步驟H中，所述切割是利用激光或者鉆石刀切割機(jī)進(jìn)行切割。