本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管的技術領域，特別是指一種正裝覆晶LED芯片封裝提、封裝工藝及其應用。

背景技術：

目前，常見的LED 燈內(nèi)部的芯片有兩種，一種是正裝芯片，另一種是倒裝芯片。

正裝芯片電極在上方，從上至下材料為：P 電極，發(fā)光層，N 電極，襯底。現(xiàn)有正裝LED 芯片需要進行金線焊接制程，其成本高，且制程會因封裝的熱脹冷縮導致金線易虛焊斷路， 金線遮光發(fā)光亮度較低 ，同時由于金線的焊點較小，會使導熱性較差。

為了提高芯片的發(fā)光效率，技術人員研發(fā)了倒裝芯片。倒裝芯片的襯底被剝?nèi)?，芯片材料是透明的，使發(fā)光層激發(fā)出的光直接從電極的另一面發(fā)出。倒裝芯片雖然在發(fā)光效率上存在優(yōu)勢，但倒裝芯片的價格較高，制備LED 燈絲的工藝也更復雜，造成生產(chǎn)成本的大幅上升。

目前，市面上一些已有的正裝倒置芯片的LED，其需要先在線路及芯片電極進行錫膏點焊后拋光，同時由于芯片電極面小，如此點焊制程良率均勻性不高，且在貼附時，很容易發(fā)生錫膏與電極點未接觸的情況，導致芯片與電路之間無法導通，進而導致LED 芯片出現(xiàn)次品，依然使生產(chǎn)成本難以降低，另外該制程較為耗時，不利大量生產(chǎn)。

有鑒于此，本設計人針對上述LED芯片設計上未臻完善所導致的諸多缺失及不便，而深入構(gòu)思，且積極研究改良試做而開發(fā)設計出本發(fā)明。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種制程簡單，導熱性好，封裝成本較低，可利于快速大量化生產(chǎn)的正裝覆晶LED芯片封裝體、封裝方法及其應用。

為了達成上述目的，本發(fā)明的解決方案是：

一種正裝覆晶LED芯片封裝體，其包括設于底部的線路基板、外延芯片、及熒光膠膜，所述線路基板上印刷有導電銀膠或錫膏，所述外延芯片具有透明襯底、N電子層及P電子層，所述N電子層設于透明襯底上，該N電子層具有高端及低端，所述P電子層設于該N電子層的高端上，該P電子層上設有P電極，N電極的低端上設有N電極，該P電極的頂端與N電極的頂端平齊，所述P電極及所述N電極的面積分別占該外延芯片光罩面積的1/8-1/3，該外延芯片的P電極及N電極覆晶在線路基板的導電銀膠或錫膏上，所述熒光膠膜貼覆在線路基板及外延芯片的透明襯底頂部。

進一步，所述N電極及P電極為方形。

進一步，所述N電極及P電極的材料為金屬：金、銀、鎳、鋁中的任意一種。

一種如所述正裝覆晶LED芯片封裝體的應用，該正裝覆晶LED芯片封裝體應用于點狀光源、條狀光源或面狀光源中的任意一種。

一種正裝覆晶LED芯片封裝體的封裝方法，包括以下步驟：

A：于透明基板對應LED芯片大小的線路寬度焊盤上，進行銀膠或錫膏的涂覆，銀膠或錫膏的涂覆面積為外延芯片光罩面積的1/8-1/3；

B：利用固晶機將外延權芯片覆晶在相應對位涂有銀膠或錫膏的線路上，該外延芯片的P電極及N電極的電極面積為該外延芯片光罩面積的1/8-1/3；

C：進行預成型支架的貼合；

D：進行回焊或烘烤；

E：進行熒光粉的涂布；

F：進行烘烤；

G：將烘烤完成的基板進行裁切。

進一步，步驟B中，所述銀膠或錫膏是通過印刷或者涂布的方式涂覆在基板上。

進一步，步驟E、F中，所述熒光粉的涂布是利用貼膜壓合、熱轉(zhuǎn)印、點膠、膜頂或印刷中的任意一種方式。

進一步，步驟G中，所述烘烤是利用紅外線或者智能控烤箱進行烘烤。

進一步，步驟H中，所述切割是利用激光或者鉆石刀切割機進行切割。

采用上述結(jié)構(gòu)后，本發(fā)明正裝覆晶LED芯片封裝體、封裝方法與應用主要是利用特別設計的加大電極的外延芯片及把該外延芯片具有電極高度差的一端電極進行電極化鍍金制程，讓外延芯片電極具有較大的面積及同一高度，如此直接利用印刷方式可以快速的將導電的連接材料覆上，增加制程簡易化，同時芯片的大電極配合，解決了現(xiàn)有正裝封裝的制程繁復，且導熱較差等缺點，并可利于快速大量化生產(chǎn)，與現(xiàn)有芯片的小電極構(gòu)造需要金線焊接的封裝方式完全不同。

附圖說明

圖1為本發(fā)明外延芯片的正視圖。

圖2為本發(fā)明外延芯片的側(cè)視圖。

圖3為本發(fā)明線路基板的側(cè)視圖。

圖4為本發(fā)明線路基板的俯視圖。

圖5為圖4的局部放大圖。

圖6為本發(fā)明于線路基板上印刷銀膠或錫膏的側(cè)視圖。

圖7為圖6的局部俯視放大圖。

圖8為本發(fā)明覆晶外延芯片的側(cè)視圖。

圖9為圖8的局部俯視放大圖。

圖10為本發(fā)明覆熒光膠膜的側(cè)視圖。

圖11為圖10的局部放大示意圖。

具體實施方式

為了進一步解釋本發(fā)明的技術方案，下面通過具體實施例來對本發(fā)明進行詳細闡述。

如圖1至圖11所示，本發(fā)明揭示了一種正裝覆晶LED芯片封裝體，其包括具有線路11的基板1（如圖3至圖5所示）、外延芯片2（如圖1及圖2所示）、及熒光膠膜3（如圖10及圖11所示），所述線路基板1上印刷有導電銀膠或錫膏4，所述外延芯片2具有透明襯底21、N電子層22及P電子層23，所述N電子層22設于透明襯底21上，該N電子層22具有高端及低端，所述P電子層23設于該N電子層22的高端上，該P電子層23上設有P電極231，N電極221的低端上設有N電極221，該P電極231的頂端與N電極221的頂端平齊，如圖所示，N電極221與P電極231可呈對角線設置，且分別為方形，所述N電極221及P電極231的材料為金屬：金、銀、鎳、鋁中的任意一種，電極221、231的設置位置及形狀，并不以此為限，所述P電極231及所述N電極221的面積分別占該外延芯片2光罩面積的1/8-1/3，該外延芯片2的P電極231及N電極221覆晶在線路基板1的導電銀膠或錫膏4上，所述熒光膠膜3貼覆在線路基板1及外延芯片2的透明襯底21頂部。

上述正裝覆晶LED芯片封裝體可應用于點狀光源（單個LED芯片封裝體）、條狀光源（即線性光源，將多個LED芯片封裝體排成一行）或面狀光源（按照不同排列組合形式多行多列，發(fā)出各種形狀面的光,，形成一個面）。

一種正裝覆晶LED芯片封裝體的封裝方法，包括以下步驟：

A：于透明基板對應LED芯片大小的線路寬度焊盤上，進行銀膠或錫膏的涂覆，銀膠或錫膏的涂覆面積為外延芯片光罩面積的1/8-1/3；

B：利用固晶機將外延芯片覆晶在相應對位涂有銀膠或錫膏的線路上，該外延芯片的P電極及N電極的電極面積為該外延芯片光罩面積的1/8-1/3；

C：進行預成型支架的貼合；

D：進行回焊或烘烤；

E：進行熒光粉的涂布；

F：進行烘烤；

G：將烘烤完成的基板進行裁切。

步驟B中，所述銀膠或錫膏是通過印刷或者涂布的方式涂覆在基板上。

步驟F中，所述熒光粉的涂布是利用貼膜壓合、熱轉(zhuǎn)印、點膠、膜頂或印刷中的任意一種方式。

步驟G中，所述烘烤是利用紅外線或者智能控烤箱進行烘烤。

步驟H中，所述切割是利用激光或者鉆石刀切割機進行切割。

本發(fā)明正裝覆晶LED芯片封裝體、封裝方法與應用主要是利用特別設計的加大電極的外延芯片及把該外延芯片具有電極高度差的一端電極進行電極化鍍金制程，讓外延芯片電極具有較大的面積及同一高度，如此直接利用印刷方式可以快速的將導電的連接材料覆上，增加制程簡易化，同時芯片的大電極配合，解決了現(xiàn)有封裝的成本高，制程繁復，且導熱較差等缺點，并可利于快速大量化生產(chǎn)，與現(xiàn)有芯片的小電極構(gòu)造需要金線焊接的封裝方式完全不同。

上述實施例和圖式并非限定本發(fā)明的產(chǎn)品形態(tài)和式樣，任何所屬技術領域的普通技術人員對其所做的適當變化或修飾，皆應視為不脫離本發(fā)明的專利范疇。