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碳載PGM基催化劑內(nèi)孔結(jié)構(gòu)的氧化控制的制作方法

文檔序號:11136952閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

1.一種用于形成碳載催化劑的方法,所述方法包括:

提供第一碳載催化劑,所述第一碳載催化劑具有負(fù)載在第一碳載體上的鉑族金屬,所述第一碳載體具有第一平均孔徑和第一平均比表面積;以及

在預(yù)定時(shí)間段內(nèi)在低于約250℃的溫度下將所述第一碳載催化劑與含氧氣體相接觸,以形成第二碳載催化劑,所述第二碳載催化劑包括具有第二平均孔徑和第二平均比表面積的不同的碳載體,所述第二平均孔徑大于所述第一平均孔徑并且所述第二平均比表面積小于所述第一平均比表面積。

2.如權(quán)利要求1所述的方法,其中所述第一平均孔徑小于70埃而所述第二平均孔徑大于70埃。

3.如權(quán)利要求1所述的方法,所述第二平均比表面積小于500cm2/g。

4.如權(quán)利要求1所述的方法,其中所述第一碳載體具有第一平均孔容以及所述更改的碳載體具有第二平均孔容,所述第二平均孔容小于所述第一平均孔容。

5.如權(quán)利要求1所述的方法,其中所述鉑族金屬選自由Pt、Pd、Au、Ru、Ir、Rh和Os組成的組。

6.如權(quán)利要求1所述的方法,其中所述第一碳載體是碳粉。

7.如權(quán)利要求1所述的方法,其中所述第一碳載體是碳粉。

8.如權(quán)利要求1所述的方法,其中所述碳載體包括選自由納米棒、納米管、納米筏、非導(dǎo)電性顆粒、球形顆粒及其組合組成的所述組的顆粒。

9.如權(quán)利要求1所述的方法,其中所述第一碳載體為高比表面積碳(HSC)粉末。

10.一種通過權(quán)利要求1所述的方法制備的碳載催化劑。

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