技術(shù)總結(jié)
本公開(kāi)涉及一種功率模塊封裝及其制造方法。所述功率模塊封裝包括其上形成有圖案的下基板，彼此以預(yù)定距離分隔開(kāi)從而安裝在下基板的上表面上的功率半導(dǎo)體元件和帶，通過(guò)第一粘合層連接至所述功率半導(dǎo)體元件的上部的第一間隔物，通過(guò)第二粘合層連接至所述帶的上部的第二間隔物，和通過(guò)第三粘合層連接至所述第一間隔物和所述第二間隔物每個(gè)的上部的上基板。

技術(shù)研發(fā)人員：高在鉉
受保護(hù)的技術(shù)使用者：現(xiàn)代摩比斯株式會(huì)社
文檔號(hào)碼：201610563409
技術(shù)研發(fā)日：2016.07.18
技術(shù)公布日：2017.06.13