技術(shù)編號(hào)：12680438
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。功率模塊封裝及其制造方法相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用本申請(qǐng)要求于2015年12月07日提交的申請(qǐng)?zhí)枮?0-2015-0173010的韓國(guó)專利申請(qǐng)的權(quán)益，該申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用并入本文。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及一種功率模塊封裝及其制造方法，具體涉及一種能夠保持封裝的厚度恒定，防止質(zhì)量和產(chǎn)品壽命降低，并促進(jìn)過(guò)程穩(wěn)定性和生產(chǎn)力提高的功率模塊封裝，以及一種用于制造所述功率模塊封裝的方法。背景技術(shù)功率模塊封裝是指其中在一個(gè)基板上集成有一個(gè)或多個(gè)開(kāi)關(guān)元件的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，所述開(kāi)關(guān)元件包括絕緣柵雙極晶體管(IGBT)、二極...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。