本發(fā)明是關于一種半導體封裝及其制作方法,尤其是關于一種具有天線的半導體封裝及其制作方法。
背景技術:
無線通信裝置,例如可穿戴點銷售終端(point-of-sale、POS),需要天線及具有多個無線元件(例如具有RF通信功能的無線IC)的無線功能電路,用以處理、傳送及接收RF信號。一般而言,無線通信裝置所包含的天線及無線功能電路,分別設置在系統電路板的不同部分。依據已知技法,天線及無線功能電路是分開制造,而且于被放置在系統電路板后彼此電連接。增加了制造成本,而且,已知技法很難完成小巧的產品設計。
再者,由于RF信號為高頻信號,因此容易發(fā)生電磁干擾(electromagnetic interference,EMI)或本地振蕩泄漏(local oscillator leakage,LO泄漏)。電磁干擾或本地振蕩泄漏可能會中斷、阻礙或以其他方式降低或限制電路的有效性能。如本領域已知的,可以使用電磁干擾遮蔽框覆蓋系統電路板,來實現電磁干擾保護。
因此,無線通信裝置設計必須考慮到天線和無線功能電路的無線元件的配置。然而,無線通信裝置沒有形成模塊或封裝,而且無線功能電路的多個無線元件被設計成設置在系統電路板上。眾所皆知,每一個無線通信裝置,其系統電路板的層數、厚度或材料會相異。因此,為了達到相同的無線性能,其中一個無線通信裝置中天線、電路布局(layout)及無線功能電路的多個無線元件等配置設計,不能夠共通性地套用到其他的無線通信裝置,每一個無線通信裝置都要重新設計。
技術實現要素:
本發(fā)明一目的在于,提供一種半導體封裝且可以視為一個封裝元件,能夠共通性 地應用于一般的無線通信裝置的系統電路板,并且可以通過調整PCB天線和無線功能電路間的隔離度,來輕易地減少或精確地控制本地振蕩泄漏。
依據本發(fā)明一態(tài)樣,一種半導體封裝包括:一基板,具有一頂側及一底側;多個的接腳墊片,設置在該基板的該底側;一射頻墊片,架構為接收或傳送一射頻信號,并且置于該基板的該頂側;一半導體元件,安裝于該基板的該頂側;一第一表面安裝裝置元件,安裝于該射頻墊片;一封裝材,設置于該基板的該頂側,用以覆蓋該半導體元件及該第一表面安裝裝置元件;一印刷電路板天線,設置于該封裝材上;及一第一導電焊料,設置于該封裝材上,其中該第一導電焊料與該第一表面安裝裝置元件彼此堆疊,且設置于該射頻墊片與該印刷電路板天線的一饋給結構(feeding structure)間。
依據本發(fā)明一態(tài)樣,一種制造具有一天線的一半導體封裝的方法,包括以下步驟。提供一基板。將一半導體元件和至少一第一SMD元件設置在基板上。在基板上形成一封裝材。在封裝材中形成至少一個開口,以暴露出第一SMD元件。在封裝材的一頂表面上形成一共形天線。
本發(fā)明的實施例揭示一種具有天線的半導體封裝。該具創(chuàng)造性的半導體封裝使用了設置在封裝材的PCB天線及共形天線。PCB天線(或共形天線)及無線功能電路被封裝在一起。因此,該半導體封裝被視為一個封裝元件,能夠依據一般電子元件的使用方式直接安裝到無線通信裝置的系統電路板,例如可穿戴點銷售終端(POS)或可攜式條碼掃描器。具有PCB天線或共形天線的半導體封裝,可以通過調整PCB天線(或共形天線)與無線功能電路間的隔離度,來輕易地減少或精確地控制該半導體封裝的LO泄漏。更具體而言,使用共形天線結構的半導體封裝的高度可以進一步減小。該制作方法可以容易地執(zhí)行,并制造出具有天線的半導體封裝,以降低成本且有較佳的生產良品率。
通過以下的詳細說明,使本發(fā)明的應用的進一步范圍更加明顯。然而,應了解的是,該詳細說明及具體示例,同時指示出本發(fā)明的較佳實施態(tài)樣,都僅是用以說明。因此,對于本領域相關技術人員而言,依據該些詳細說明,在本發(fā)明的精神和范圍內的各種變化和修正將變得明顯。
附圖說明
從以下的詳細說明及附圖,其僅是用以說明而非本發(fā)明所限定,能夠更全面地理解本發(fā)明。
圖1~圖4分別為顯示依據本發(fā)明實施例的具有天線的半導體封裝一結構的剖面圖。
圖5、圖6A及圖6B分別為顯示依據本發(fā)明實施例的具有天線的半導體封裝一結構的剖面圖及俯視圖。
圖7及圖8為依據本發(fā)明一實施例的具有天線的半導體封裝的俯視圖。
圖9為顯示組裝圖6A的具有天線的半導體封裝的制作方法流程圖。
圖10及圖11分別為顯示依據本發(fā)明實施例的具有天線的半導體封裝一結構的剖面圖及俯視圖。
圖12為顯示制造圖10的具有天線的半導體封裝的制作方法流程圖。
附圖標號:
100 半導體封裝 6172 饋給端子
101 基板 6173 短路端子
102 接腳墊片 621 第二SMD元件
102b 接腳墊片 622 第二SMD元件
103 射頻墊片 623 第三SMD元件
104 半導體元件 624 第三SMD元件
1051 第一SMD元件 625 屏蔽平面
1052 第一SMD元件 6251 接觸墊片
106 封裝材 626 第二導電焊料
1061 腔體 627 第三導電焊料
107 天線 628 接地墊片
108 第一導電焊料 628b 接地墊片
109 元件墊片 629 虛設墊片
110 接地平面布局 629b 虛設墊片
110b 接地平面布局 640 短路結構
111 導通孔 640 三角形輪廓
111b 導通孔 640b 三角形輪廓
112 導通孔 641 第四SMD元件
112b 導通孔 642 第四SMD元件
113 電路布局 650 第四導電焊料
114 導通孔 700 PCB天線
114b 導通孔 704 半導體元件
115 元件墊片 717 天線圖案
116 饋給結構 7173 短路端子
117 天線圖案 725 屏蔽平面
1172 饋給端子 800 PCB天線
118 隔離層 800 半導體封裝
119 虛設墊片 804 半導體元件
130 焊球 817 天線圖案
200 半導體封裝 825 屏蔽平面
203 射頻墊片 A00 半導體封裝
206 封裝材 A01 基板
300 半導體封裝 A051 第一SMD元件
400 半導體封裝 A06 封裝材
500 半導體封裝 A07 共形天線
507 PCB天線 A16 饋給結構
516 饋給結構 A17 天線圖案
517 天線圖案 A172 饋給端子
5172 饋給端子 A173 短路端子
5172b 饋給節(jié)點 A30 被動元件
518 隔離層 A40 短路結構
518b 保護層 A41 第四SMD元件
520 匹配元件 B00 半導體封裝
600 半導體封裝 B051 第一SMD元件
601 基板 B061 腔體
606 封裝材 B062 腔體
607 PCB天線 B16 饋給結構
616 饋給結構 B40 短路結構
617 天線圖案 B41 第四SMD元件
具體實施方式
將參照附圖,詳細地說明本發(fā)明,其中相同的標號將用于識別多個視點的相同或近似的元件。應注意的是,圖式應以標號的取向方向觀看。
圖1為顯示依據本發(fā)明一實施例的具有天線的半導體封裝一結構的剖面圖。如圖1所示,半導體封裝100包含一基板101、多個的接腳墊片102、一射頻墊片103、一半導體元件104、至少一第一表面安裝裝置元件1051(以下稱為第一SMD元件)、一封裝材106、一印刷電路板天線107(printed circuit board antenna以下稱為PCB天線)及一第一導電焊料108。該些接腳墊片102設置于基板101的底側。射頻墊片103及至少一元件墊片109設置于基板101的頂側。
基板101更包含電路布局及導通孔,電路布局及導通孔設置于基板101的頂側、底側或內部,用以使射頻墊片103、元件墊片109及該些接腳墊片102互相連接。例如,接地平面布局110埋設在基板101的內部,且通過導通孔111、112間接地被連接于元件墊片109及接腳墊片102。射頻墊片103和元件墊片115間的間接電連接,是通過基板101內部的電路布局113和導通孔114、114b來構成。相同地,半導體元件104和其他元件(未圖示)通過例如錫合金的焊料被安裝于元件墊片109、115。半導體封裝100還包括設置在接腳墊片102上的多個焊球130。
于一實施例中,兩第一SMD元件1051、1052的第一電極通過例如錫合金的焊料被安裝在射頻墊片103上,且從基板101的頂表面彼此向上堆疊,兩第一SMD元件1051、1052的第二電極被安裝在虛設墊片119上。一射頻信號由PCB天線107傳遞至射頻墊片103,依序通過PCB天線107的饋給結構116、及兩第一SMD元件1051、1052的第一電極。于一實施例中,封裝材106可以為環(huán)氧樹脂,且設置在基板101的頂側,以覆蓋半導體元件104和兩個第一SMD元件1051,1052。換句話說,在PCB天線107和基板101之間的空間填充有封裝材106。在一實施例中,兩個第一SMD元件1051,1052可以是單純的金屬結構。
在一些實施例中,PCB天線107是一個層疊結構,并包括有一天線圖案117、一饋給結構116和至少一個隔離層118。在一實施例中,PCB天線107是一軟性印刷電路板。天線圖案117設置在隔離層118的頂側或隔離層118的底部。饋給結構116與天線圖案117的饋給端子1172連接,并且穿過隔離層118。在PCB天線107被設置在封裝材106上。在這種結構中,PCB天線107的饋給結構116位于射頻墊片103對應的兩個第一SMD元件1051,1052的上方處。饋給結構116通過第一導電焊料108被電連接于兩個第一SMD元件1051、1052的至少一個電極。在本實施例中,饋給結構116通過第一導電焊料108被電連接于兩個第一SMD元件1051、1052的第一電極及第二電極。第一導電焊料108和兩個第一SMD元件1051、1052彼此堆疊,且位于射頻墊片103和PCB天線107的饋給結構116之間。天線圖案117設置在隔離層118的頂部,并與饋給結構116相連接。在一些實施例中,第一導電焊料108是由選自石墨、鎳、錫、銀、銅及它們的組合所構成的群組中的一材料所制成,例如錫合金。
在一些替代實施例中,天線圖案117設置在隔離層118的底部或在隔離層118的內部。PCB天線107的饋給結構116通過第一導電焊料108電連接于兩個第一SMD元件1051、1052。射頻信號可以被接收或發(fā)送于天線圖案117、饋給結構116、兩個第一SMD元件1051、1052和射頻墊片103中。
在一實施例中,半導體元件104是一個基頻芯片(baseband IC),并與位于基板101上的其他元件(未示出)形成無線功能電路。PCB天線107和無線功能電路封裝在一起,使得半導體封裝件100被視為一個封裝元件,可以依據一般電子元件的使用方式直接安裝到無線通信裝置的一系統電路板,例如可穿戴點銷售終端(POS)或可攜式條碼掃描器。具有PCB天線107的半導體封裝,可以通過調整PCB天線107和無線功能電路間的隔離度,來輕易地減少或精確地控制半導體封裝的LO泄漏。在一實施例中,PCB天線107和半導體元件104間的隔離距離,可以容易地減小并精確地控制,以便達到最佳的隔離。隔離距離包括PCB天線107、封裝材106及基板101的厚度W1、W2及W3。在一實施例中,PCB天線107、封裝材106及基板101的厚度W1、W2及W3,分別為1、0.7和0.28毫米(mm)。更尤其是,可以通過增加PCB天線107的厚度W1改善LO泄漏。
圖2為顯示依據本發(fā)明一實施例的具有天線的半導體封裝一結構的剖面圖。如圖 2所示,在本實施例中,半導體封裝200的結構相似于半導體封裝100的結構。半導體封裝200與半導體封裝100之間的區(qū)別在于,射頻墊片203從兩個第一SMD元件1051、1052的第一電極延伸至兩個第一SMD元件1051、1052的第二電極,以在電極被分開的方向完全覆蓋兩個第一SMD元件1051、1052。兩個第一SMD元件1051、1052的第一電極和第二電極,通過第一導電焊料108而設置在射頻墊片203上。
圖3為顯示依據本發(fā)明一實施例的具有天線的半導體封裝一結構的剖面圖。如圖3所示,在本實施例中,半導體封裝300的結構相似于半導體封裝100的結構。半導體封裝300與半導體封裝100之間的區(qū)別在于,PCB天線107的饋給結構116僅通過第一導電焊料108電連接于兩個第一SMD元件1051、1052的第一電極。兩個第一SMD元件1051、1052串聯連接于射頻墊片103和PCB天線107的饋給結構116,用于阻抗匹配。兩個第一SMD元件1051、1052的第一電極接觸于射頻墊片103,兩個第一SMD元件1051、1052的第二電極,經由第一導電焊料108與饋給結構116連接。在一實施例中,各個第一SMD元件1051、1052可以分別是電阻器、電容器、電感器、濾波器、雙頻段分頻器(Diplexer)、三頻段分頻器(Triplexer)或平衡不平衡轉換器(balun)、例如銅的導電元件。
圖4為顯示依據本發(fā)明一實施例的具有天線的半導體封裝一結構的剖面圖。如圖4所示,在本實施例中,半導體封裝400的結構相似于半導體封裝100的結構。半導體封裝400與半導體封裝100之間的區(qū)別在于,兩個第一SMD元件1051、1052包括至少一腔體1061,第一導電焊料108設置在腔體1061上,且位于兩個第一SMD元件1051、1052和PCB天線107的饋給結構116之間。相較于半導體封裝100的兩個第一SMD元件1051、1052,設有腔體1061的兩個第一SMD元件1051、1052,具有較大的表面積以接觸第一導電焊料108。
圖5為顯示依據本發(fā)明一實施例的具有天線的半導體封裝一結構的剖面圖及俯視圖。如圖5所示,于本實施例中,半導體封裝500的結構相似于半導體封裝100的結構。半導體封裝500與半導體封裝100之間的區(qū)別在于,半導體封裝500還包括一匹配元件520安裝在PCB天線507的頂層或底層,用于阻抗匹配。匹配元件520串聯連接于射頻墊片103和PCB天線507的天線圖案517的一終端(饋給結構516上方的饋給節(jié)點5172b或饋給端子5172)。
圖6A為顯示依據本發(fā)明一實施例的具有天線的半導體封裝一結構沿剖面線 A1-A2的剖面圖及俯視圖。如圖6A所示,于本實施例中,半導體封裝600的結構相似于半導體封裝100的結構。半導體封裝600與半導體封裝100之間的區(qū)別在于,半導體封裝600還包括至少一第二SMD元件621、622;至少一第三SMD元件623、624;第二導電焊料626和第三導電焊料627。PCB天線607還包括設置在PCB天線607的底層上的屏蔽平面625,以避免電磁干擾(EMI)對半導體元件104產生干擾。在一些實施例中,PCB天線607還包括設置在頂層和底層間的中間層。天線圖案617被設置在PCB天線607的頂層和中間層上。饋給結構616被連接到天線圖案617的饋給端子6172。PCB天線607的天線圖案617的不同層可以經由導通孔彼此連接。在一些實施例中,PCB天線607還包括保護層518b,保護層518b設置在PCB天線607的底部或PCB天線607的頂部,以覆蓋屏蔽平面625的主要部分、天線圖案617、或隔離層518的凹部。
于一實施例中,兩第二SMD元件621、622的至少一第一電極,通過例如錫合金的焊料,被安裝在接地墊片628上,且從基板601的頂表面彼此向上堆疊。屏蔽平面625的接觸墊片6251通過第二導電焊料626與兩個第二SMD元件621、622連接。相似地,兩第三SMD元件623、624的至少一第一電極,通過例如錫合金的焊料,分別被安裝在虛設墊片629或接地墊片(未圖示)上,且從基板601的頂表面彼此向上堆疊。第三導電焊料627接觸于PCB天線607的底部以及兩個第三SMD元件623、624。接地墊片628經由基板601內部的導通孔和電路布局,間接地連接于接腳墊片102。
圖6B為顯示依據本發(fā)明一實施例的具有天線的半導體封裝一結構沿剖面線B1-B2的剖面圖及俯視圖。如圖6B所示,剖面線B1-B2的剖面圖為半導體封裝600的另一剖面圖?;?01上的第三導電焊料627、兩第三SMD元件623、624及虛設墊片629b的連接結構,相似于圖6A的半導體封裝600的連接結構。PCB天線607還包含有一短路結構640,短路結構640連接于天線圖案617的短路端子6173并且穿過隔離層518。相似地,PCB天線607的短路結構640,位于接地墊片628b對應的第四SMD元件641、642的至少一電極上方處。短路結構640通第四導電焊料650電連接于第四SMD元件641、642的至少一電極。接地平面布局110b埋設在基板601的內部,且通過導通孔111b、112b間接地連接于接地墊片628b及接腳墊片102b。兩第一SMD元件1051、1052;兩第二SMD元件621、622;兩第三SMD元件623、 624及兩第四SMD元件641、642其中三個配置處之間的三條連接線,形成三角形輪廓640、640b,以平衡PCB天線607和封裝材606間的接觸力。
圖7為依據本發(fā)明一實施例的半導體封裝的俯視圖。如圖7所示,從半導體封裝的俯視角度,屏蔽平面725被直接設置在半導體元件704上方處,并且覆蓋半導體元件704及部分地重疊于天線圖案717(U字形)。天線圖案717還包括一短路端子7173,短路端子7173連接到基板(未圖示)上的接地墊片,并且穿過隔離層。基板上的PCB天線700的短路端子7173間的連接結構,相似于饋給端子及射頻墊片間的連接結構。PCB天線700的短路端子7173,位于基板上的接地墊片對應的至少一SMD元件的上方處。在一實施例中,兩個SMD元件的電極通過例如錫合金的焊料,安裝在接地墊片,且從基板的上表面彼此向上堆疊。短路端子7173通過導電焊料電連接到兩個SMD元件的至少一個電極。具有短路端子7173的天線圖案717,可以進一步形成屏蔽效果,例如將天線圖案717的收發(fā)頻段外的信號屏蔽,以增加EMI屏蔽性能。
圖8為依據本發(fā)明一實施例的半導體封裝的俯視圖。如圖8所示,從半導體封裝的俯視角度,PCB天線800的屏蔽平面825被直接設置在半導體元件804上方處,并且僅覆蓋半導體元件804。從半導體封裝800的俯視角度,天線圖案817(F形狀)位于屏蔽平面825的配置位置的外部。不具有重疊屏蔽平面825的PCB天線800的天線性能,優(yōu)于具有重疊屏蔽平面725的PCB天線700的天線性能。在一些實施例中,PCB天線的天線圖案可以是單極型,PFIA型,F型,U型或帶狀線類型。在一些實施例中,PCB天線的屏蔽平面直接設置在基板的所有元件上方處,其可能包括半導體元件但第一SMD元件、第三SMD元件或第四SMD元件除外。并且,從半導體封裝的俯視角度,天線圖案位于屏蔽平面825的配置位置的外部,藉以取得較佳的屏蔽性能。
圖9為顯示組裝圖6A的具有天線的半導體封裝的制作方法流程圖。該制作方法包含但不限于如下步驟:
步驟S901:提供基板601;
步驟S902:將半導體元件104和至少一個第一SMD元件放置及設置在基板601上;
步驟S903:形式封裝材606;
步驟S904:形成至少一個開口(鉆孔或鋸開),以暴露出第一、第二和第三SMD 元件;
步驟S905:利用第一導電焊料108至第三導電焊料627,組裝PCB天線607和封裝材606;以及
步驟S906:將焊球130放置在基板601的接腳墊片上。
于步驟S901中,提供基板601用以支撐電子元件。在步驟S902中,半導體元件104和至少一第一SMD元件放置和設置在基板601的頂側。在步驟S903中,例如環(huán)氧樹脂的封裝材606形成在基板601的頂側。在一實施例中,封裝材606完全覆蓋基板601的頂側,覆蓋區(qū)域包括安裝在基板601的頂側上的兩個第一SMD元件1051、1052及半導體元件104的區(qū)域。
于步驟S904中,鉆孔工藝采用激光來鉆出孔洞,并從孔洞(開口)暴露出第一、第二和第三SMD元件。鉆孔深度(開口深度)小于封裝材606的厚度W2。在一些替代實施例中,鋸切工藝(sawing process)使用的刀片鋸、線鋸、機械鉆或激光,形成開口,并從開口暴露出第一、第二和第三SMD元件。在步驟S905中,利用第一導電焊料108到第三導電焊料627,將PCB天線607和封裝材606加以組裝,第一導電焊料108到第三導電焊料627可以為例如銅膏、銀膏、錫、錫合金或導電性膏材,分別填充在位于第一、第二和第三SMD元件的正上方的鉆孔內。在步驟S906中,焊球130被放置在基板601的接腳墊片102上。在一些實施例中,可以在步驟S902至步驟S905其中之一步驟前,執(zhí)行步驟S906。
在一些實施例中,該制作方法還包括但不限于一個或多個下述步驟:
步驟S902b:清除基板601上的助焊劑(flux);
步驟S903b:固化封裝材606;及
步驟S906b:將基板601上的多個半導體封裝600,與其他半導體封裝600分離。
于步驟S902b中基板601上的助焊劑被清除后,再執(zhí)行步驟S903的封裝工藝,因此本制造流程可以避免基板601和封裝材606間的剝離(delamination)。在步驟S903b中,固化工藝,例如加熱,可減少封裝材606的固化時間。在步驟S906b中,可以將基板601上結構性相接的多個半導體封裝彼此分離成單獨的半導體封裝。在半導體封裝的制造程序的期間中,單個基板,在本例中為基板601,可以包括多個半導體封裝同時制作。在基板601上的所有的半導體封裝皆已被制作后,結構性相接的多個半導體封裝可以通過切割而彼此分離成單獨的半導體封裝。單一個基板601上制作 的半導體封裝的數量,會依據基板601的尺寸、制作半導體封裝所需的區(qū)域大小、單一個半導體封裝所安裝的元件的數量以及封裝材606的材料而有所不同。
圖10為顯示依據本發(fā)明實施例的具有天線的半導體封裝一結構的剖面圖及俯視圖。如圖10所示,在本實施例中,半導體封裝A00的結構相似于半導體封裝600的結構。半導體封裝A00與半導體封裝600之間的主要區(qū)別在于,利用絲網印刷(screen printing),將半導體封裝A00的天線結構從PCB天線607改變成共形天線A07(conformal antenna)。饋給結構A16的一端部電連接到天線圖案A17的饋給端子A172。饋給結構A16的另一端部被直接連接到第一SMD元件A051的至少一個電極。相似地,短路結構A40的一端部電連接到天線圖案A17的短路端子A173。短路結構A40的另一端直接連接到第四SMD元件A41的至少一個電極。半導體封裝A00的封裝材A06、基板A01及被動元件A30的結構,類似于半導體封裝600,不再重覆詳細的說明。
圖11為顯示依據本發(fā)明實施例的具有天線的半導體封裝一結構的剖面圖及俯視圖。如圖11所示,在本實施例中,半導體封裝B00的結構相似于半導體封裝A00的結構。半導體封裝B00與半導體封裝A00之間的區(qū)別在于,第一SMD元件B051及第四SMD元件B41包含至少一腔體B061、B062,并且饋給結構B16及短路結構B40分別接觸于腔體B061、B062。
圖12為顯示制造圖10的具有天線的半導體封裝的制作方法流程圖。該制作方法包含但不限于如下步驟:
步驟S201:提供基板A01;
步驟S202:將半導體元件104和至少一個第一SMD元件放置及設置在基板A01上;
步驟S203:將封裝材A06形式在基板A01上;
步驟S204:形成至少一個開口(鉆孔或鋸開),以暴露出第一和第四SMD元件;
步驟S205:將共形天線A07形成在封裝材A06的頂表面上;以及
步驟S206:將焊球130放置在基板A01的該些接腳墊片上。
于步驟S201中,提供基板A01用以支撐電子元件。在步驟S202中,半導體元件104、被動元件A30、第四SMD元件A41和至少一第一SMD元件放置和設置在基板A01的頂側。在步驟S203中,例如環(huán)氧樹脂的封裝材206形成在基板A01的頂 側。在一實施例中,封裝材A06完全覆蓋基板A01的頂側,覆蓋區(qū)域包括安裝在基板A01的頂側上的第一SMD元件A051、半導體元件104及被動元件A30的區(qū)域。于步驟S204中,鉆孔工藝采用激光來鉆出孔洞,并從孔洞(開口)暴露出第一和第四SMD元件。鉆孔深度(開口深度)小于封裝材A06的厚度W2。在步驟S205中,共形天線A07是通過涂布工藝、絲網印刷、光刻技術或光刻形成。例如,絲網印刷形成共形天線A07。液體狀態(tài)的導電材料穿過遮罩的天線圖案A17(U字狀)的開口,填入封裝材A06的部分頂表面和鉆孔。導電材料由選自石墨、鎳、錫、銀、銅及它們的組合所構成群組其中之一的材料所制成。在步驟S206中,焊球130被放置在基板A01的接腳墊片102上。在一些實施例中,可以在步驟S202至步驟S205其一之前,執(zhí)行步驟S206。
在一些實施例中,該制作方法還包括但不限于一個或多個下述步驟:
步驟S202b:清除基板A01上的助焊劑(flux);
步驟S203b:固化封裝材A06;
步驟S205b:固化共形天線A07;及
步驟S206b:將基板A01上的多個半導體封裝A00,與其他半導體封裝分離。
在步驟S202b中基板A01上的助焊劑被清除后,再執(zhí)行步驟S203的封裝工藝,因此本制造流程可以避免基板A01和封裝材A06間的剝離(delamination)。在步驟S203b及步驟S205b中,固化工藝,例如加熱,可減少封裝材A06及共形天線A07的固化時間。在步驟S206b中,可以將基板A01上結構性相接的多個半導體封裝彼此分離成單獨的半導體封裝。在半導體封裝的制造程序的期間中,單個基板,在本例中為基板A01,可以包括多個半導體封裝同時制作。在基板A01上的所有的半導體封裝皆已被制作后,結構性相接的多個半導體封裝可以通過切割而彼此分離成單獨的半導體封裝。
簡言之,本發(fā)明揭示一種具有天線的半導體封裝。本具創(chuàng)造性的半導體封裝使用了設置在封裝材的PCB天線及共形天線。PCB天線(或共形天線)及無線功能電路被封裝在一起。因此,本案的半導體封裝被視為一個封裝元件,能夠依據一般電子元件的使用方式直接安裝到無線通信裝置的系統電路板,例如可穿戴點銷售終端(POS)或可攜式條碼掃描器。具有PCB天線或共形天線的半導體封裝,可以通過調整PCB天線(或共形天線)與無線功能電路間的隔離度,來輕易地減少或精確地控制該半導 體封裝的LO泄漏。更具體而言,使用共形天線結構的半導體封裝的高度可以進一步減小。該制作方法可以容易地執(zhí)行,并制造出具有天線的半導體封裝,以降低成本且有較佳的生產良品率。
已詳細地說明本發(fā)明,上述的方法及結構還能夠用很多種變化態(tài)樣,這是很明顯的。該些變形不應視為脫離本發(fā)明的精神和范圍。所有該些對于本領域相關技術人員為明顯的修正,皆包含在本說明書的權利要求中。