亚洲成年人黄色一级片,日本香港三级亚洲三级,黄色成人小视频,国产青草视频,国产一区二区久久精品,91在线免费公开视频,成年轻人网站色直接看

半導(dǎo)體裝置和半導(dǎo)體封裝件的制作方法

文檔序號(hào):12680359閱讀:241來源:國知局
半導(dǎo)體裝置和半導(dǎo)體封裝件的制作方法

技術(shù)領(lǐng)域

實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體裝置,更具體地,涉及一種包括與集成電路豎直地疊置的焊料凸塊的半導(dǎo)體裝置。



背景技術(shù):

由于半導(dǎo)體裝置的集成度增加,所以正需要高容量且高速的半導(dǎo)體裝置。

半導(dǎo)體裝置的操作電路的數(shù)目可以與半導(dǎo)體裝置的集成度成比例地增加。在這種情況下,在半導(dǎo)體裝置的讀操作和寫操作期間,在電源電壓和接地電壓中會(huì)出現(xiàn)起伏噪聲。要解決這個(gè)問題,半導(dǎo)體裝置可以包括用于過濾在諸如電源電壓和接地電壓的工作電壓中存在的噪聲的電源去耦電容器。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

實(shí)施例包括半導(dǎo)體裝置,所述半導(dǎo)體裝置包括:基底;去耦電容器,設(shè)置在基底上;第一連接焊盤,與去耦電容器豎直地疊置;鈍化層,暴露第一連接焊盤的一部分;以及第一焊料凸塊,設(shè)置在第一連接焊盤上并覆蓋鈍化層的頂表面的一部分。

實(shí)施例包括半導(dǎo)體裝置,所述半導(dǎo)體裝置包括:基底;去耦電容器,設(shè)置在基底上;第一焊料凸塊,與去耦電容器豎直地疊置;以及第二焊料凸塊,從去耦電容器偏移,其中,第一焊料凸塊的寬度大于第二焊料凸塊的寬度。

實(shí)施例包括半導(dǎo)體封裝件,所述半導(dǎo)體封裝件包括:封裝基底;半導(dǎo)體芯片,包括去耦電容器和鈍化層;多個(gè)焊料凸塊,將半導(dǎo)體芯片電連接到封裝基底,其中:焊料凸塊中的第一焊料凸塊與去耦電容器豎直地對(duì)齊并延伸到鈍化層上方;焊料凸塊中的第二焊料凸塊與鈍化層分隔開。

附圖說明

基于附圖和隨附的具體實(shí)施方式,實(shí)施例將變得更加明顯。

圖1是示出根據(jù)一些實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的平面圖。

圖2是沿圖1的線A-A’和B-B’截取的剖視圖。

圖3是沿圖1的線A-A’和B-B’截取的剖視圖。

圖4是示出根據(jù)一些實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的平面圖。

圖5是沿圖4的線C-C’和D-D’截取的剖視圖。

圖6是沿圖4的線C-C’和E-E’截取的剖視圖。

圖7是示出根據(jù)一些實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的剖視圖。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在將參照其中示出具體實(shí)施例的附圖在下文中更加充分地描述實(shí)施例。

圖1是示出根據(jù)一些實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的平面圖。參照?qǐng)D1,半導(dǎo)體裝置1可以包括單元區(qū)CR和外圍電路區(qū)PR。存儲(chǔ)單元可以設(shè)置在單元區(qū)CR中。字線驅(qū)動(dòng)器、感測放大器、行解碼器、列解碼器和控制電路可以設(shè)置在外圍電路區(qū)PR中。在一些實(shí)施例中,單元區(qū)CR可以包括動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)(DRAM)單元、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)(SRAM)單元、閃存單元、相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)(PRAM)單元、電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)(ReRAM)單元、鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)(FeRAM)單元或磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)(MRAM)單元。在某些實(shí)施例中,單元區(qū)CR可以包括嵌入在諸如專用集成電路(ASIC)、圖形處理單元(GPU)或中央處理單元(CPU)的邏輯電路中的存儲(chǔ)單元。

焊料凸塊110和130可以設(shè)置在外圍電路區(qū)PR中。焊料凸塊110和130可以包括第一焊料凸塊110和第二焊料凸塊130。第一焊料凸塊110和第二焊料凸塊130可以設(shè)置在外圍電路區(qū)PR的中心區(qū)中。第一焊料凸塊110和第二焊料凸塊130可以在第一方向x上彼此分隔開??梢栽O(shè)置多個(gè)第一焊料凸塊110,可以設(shè)置多個(gè)第二焊料凸塊130。第一焊料凸塊110和第二焊料凸塊130可以沿與第一方向x垂直的第二方向y布置,以構(gòu)成與第二方向y平行的多個(gè)列。然而,實(shí)施例不限于第一焊料凸塊110和第二焊料凸塊130的這種布置。

圖2是沿圖1的線A-A’和B-B’截取的剖視圖。參照?qǐng)D1和圖2,半導(dǎo)體裝置1可以包括基底10、層間絕緣層20a和20b、金屬互連30a和30b、過孔40、去耦電容器DC、連接焊盤70a和70b、鈍化層80以及焊料凸塊110和130。將一起描述外圍電路區(qū)PR和單元區(qū)CR,來詳細(xì)描述半導(dǎo)體裝置1。

基底10可以包括由第一器件隔離層18限定的第一有源區(qū)ACT1和由第二器件隔離層19限定的第二有源區(qū)ACT2。第一器件隔離層18和第一有源區(qū)ACT1可以設(shè)置在外圍電路區(qū)PR中,第二器件隔離層19和第二有源區(qū)ACT2可以設(shè)置在單元區(qū)CR中。源區(qū)/漏區(qū)(未示出)可以設(shè)置在第一有源區(qū)ACT1中和第二有源區(qū)ACT2中?;?0可以是體硅基底、絕緣體上硅(SOI)基底、鍺基底、絕緣體上鍺(GOI)基底、硅鍺基底或具有通過執(zhí)行選擇性外延生長(SEG)工藝獲得的外延薄層的基底等。

至少一個(gè)第一晶體管TR1和至少一個(gè)第二晶體管TR2可以設(shè)置在基底10上。第一晶體管TR1可以設(shè)置在外圍電路區(qū)PR中,第二晶體管TR2可以設(shè)置在單元區(qū)CR中。第一晶體管TR1可以是包括在設(shè)置在外圍電路區(qū)PR中的控制電路中的開關(guān)元件,第二晶體管TR2可以是包括在設(shè)置在單元區(qū)CR中的存儲(chǔ)單元中的開關(guān)元件。

第一層間絕緣層20a和第二層間絕緣層20b可以設(shè)置在基底10上。第一層間絕緣層20a可以設(shè)置在外圍電路區(qū)PR中。第一層間絕緣層20a可以包括在基底10上順序堆疊的第一下部層間絕緣層21a和第一上部層間絕緣層22a。第二層間絕緣層20b可以設(shè)置在單元區(qū)CR中。第二層間絕緣層20b可以包括在基底10上順序堆疊的第二下部層間絕緣層21b和第二上部層間絕緣層22b。第一層間絕緣層20a和第二層間絕緣層20b中的每個(gè)可以包括氧化硅層、氮化硅層或氮氧化硅層等。另外,第一下部層間絕緣層21a、第一上部層間絕緣層22a、第二下部層間絕緣層21b和第二上部層間絕緣層22b可以由相同或不同的材料形成。

第一金屬互連30a可以設(shè)置在第一上部層間絕緣層22a上,第二金屬互連30b可以設(shè)置在第二上部層間絕緣層22b上。第一金屬互連30a可以包括至少一個(gè)第一下部金屬互連31和至少一個(gè)第一上部金屬互連32。第一下部金屬互連31和第一上部金屬互連32可以被構(gòu)造為將可以從外部系統(tǒng)提供的電源電壓和/或數(shù)據(jù)傳輸?shù)絾卧獏^(qū)CR。第一金屬互連30a和第二金屬互連30b可以包括金(Au)、鋁(Al)、鉻(Cr)、鎳(Ni)、鎢(W)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鎢化鈦(TiW)、鉻化鎳(NiCr)、氮化鋁(AlNx)、氮化鈦(TiNx)、氮化鈦鋁(TiAlxNy)、氮化鉭(TaNx)、硅化鎢(WSix)、硅化鈦(TiSix)、硅化鈷(CoSix)以及它們的任何合金等中的至少一種。

過孔40可以被構(gòu)造為使第一金屬互連30a、去耦電容器DC以及連接焊盤70a和70b彼此電連接。過孔40可以包括將去耦電容器DC連接到第一下部金屬互連31中的一個(gè)的第一過孔41、將第一下部金屬互連31連接到第一上部金屬互連32的第二過孔42以及將第一上部金屬互連32中的一個(gè)連接到連接焊盤70a和70b中的每個(gè)的第三過孔43。第一過孔41、第二過孔42和第三過孔43可以電連接到第一金屬互連30a以及連接焊盤70a和70b,因此從外部系統(tǒng)提供的電源電壓和/或數(shù)據(jù)可以通過連接焊盤70a和70b、第一金屬互連30a以及過孔41、42和43傳輸?shù)絾卧獏^(qū)CR。第一過孔41、第二過孔42和第三過孔43可以包括諸如鋁(Al)、銅(Cu)和/或鎢(W)的導(dǎo)電金屬。雖然過孔和金屬互連的具體數(shù)目已經(jīng)被用作示例,但是在其它實(shí)施例中,每個(gè)的數(shù)目可以不同。

去耦電容器DC可以設(shè)置在外圍電路區(qū)PR的第一下部層間絕緣層21a中。去耦電容器DC可以通過第一過孔41電連接到第一下部金屬互連31。去耦電容器DC可以通過第一接觸插塞55電連接到第一有源區(qū)ACT1的源區(qū)/漏區(qū)(未示出)。去耦電容器DC可以包括上電極51、介電層52和下電極53。介電層52可以設(shè)置在上電極51和下電極53之間。上電極51和下電極53中的每個(gè)可以包括摻雜的半導(dǎo)體材料(例如,摻雜的硅)、導(dǎo)電金屬氮化物(例如,氮化鈦、氮化鉭或氮化鎢)、金屬(例如,釕、銥、鈦或鉭)和導(dǎo)電金屬氧化物(例如,氧化銥)中的至少一種。上電極51可以包括與下電極53的導(dǎo)電材料相同的導(dǎo)電材料,或者可以包括與下電極53的導(dǎo)電材料不同的導(dǎo)電材料。介電層52可以包括氧化物(例如,氧化硅)、氮化物(例如,氮化硅)、氮氧化物(例如,氮氧化硅)、高k介電材料以及鐵電材料等中的至少一種。

在一些實(shí)施例中,可以在半導(dǎo)體裝置1的外圍電路區(qū)PR中設(shè)置多個(gè)去耦電容器DC。當(dāng)半導(dǎo)體裝置1運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí),去耦電容器DC可以過濾存在于諸如電源電壓和接地電壓的工作電壓中或所述工作電壓之間的噪聲。因此,即使半導(dǎo)體裝置1以高速運(yùn)轉(zhuǎn),去耦電容器DC也可以提高施加到半導(dǎo)體裝置1的工作電壓的穩(wěn)定性。

至少一個(gè)存儲(chǔ)元件60可以設(shè)置在單元區(qū)CR的第二下部層間絕緣層21b中。存儲(chǔ)元件60可以通過第二接觸插塞65電連接到第二有源區(qū)ACT2的源區(qū)/漏區(qū)(未示出)。位線BL可以設(shè)置在存儲(chǔ)元件60和第二晶體管TR2之間。存儲(chǔ)元件60可以包括用于DRAM單元的電容器、用于PRAM單元的相變元件、用于ReRAM單元的可變電阻元件、用于FeRAM單元的電容器、用于MRAM單元的磁性元件(例如,磁性隧道結(jié)(MTJ)元件)或其他類型的存儲(chǔ)單元。可選擇地,閃存單元或邏輯元件可以設(shè)置在單元區(qū)CR中。

連接焊盤70a和70b可以設(shè)置在外圍電路區(qū)PR的第一上部層間絕緣層22a上。連接焊盤70a和70b可以包括第一連接焊盤70a和第二連接焊盤70b。第一連接焊盤70a可以與去耦電容器豎直地疊置。第二連接焊盤70b可以不與去耦電容器DC豎直地疊置,而是可以從去耦電容器DC橫向偏移。第一連接焊盤70a和第二連接焊盤70b可以連接到第三過孔43。連接焊盤70a和70b可以包括諸如銅(Cu)、鋁(Al)、鎳(Ni)和它們的任何合金等的各種金屬材料中的至少一種。

鈍化層80可以設(shè)置在外圍電路區(qū)PR的第一上部層間絕緣層22a上。鈍化層80可以具有暴露在半導(dǎo)體裝置1外面的頂表面80a、暴露第一連接焊盤70a的第一開口81和暴露第二連接焊盤70b的第二開口82。第一開口81可以具有第一寬度d1,第二開口82可以具有第二寬度d2。第一開口81可以暴露第一連接焊盤70a的頂表面的一部分,第二開口82可以暴露第二連接焊盤70b的頂表面的一部分。例如,鈍化層80可以包括聚酰亞胺。鈍化層80可以保護(hù)第一連接焊盤70a和第二連接焊盤70b免受外部污染,并且可以防止在第一連接焊盤70a和第二連接焊盤70b之間電短路。

焊料凸塊110和130可以設(shè)置在連接焊盤70a和70b上。焊料凸塊110和130可以包括設(shè)置在第一連接焊盤70a上的第一焊料凸塊110和設(shè)置在第二連接焊盤70b上的第二焊料凸塊130。第一焊料凸塊110可以與去耦電容器DC豎直地疊置。第二焊料凸塊130可以不與去耦電容器DC豎直地疊置,而是可以從去耦電容器DC橫向偏移。第一焊料凸塊110可以從第一連接焊盤70a的頂表面向鈍化層80的頂表面80a延伸,以覆蓋鈍化層80的頂表面80a的一部分。第一焊料凸塊110可以設(shè)置在鈍化層80的第一開口81中并且可以填充第一開口81。第二焊料凸塊130可以與鈍化層80分隔開并且可以設(shè)置在第二連接焊盤70b上。第二焊料凸塊130可以設(shè)置在鈍化層80的第二開口82中??梢韵虻谝缓噶贤箟K110施加電源電壓或接地電壓,可以向第二焊料凸塊130施加數(shù)據(jù)信號(hào)。因此,形成在基底10上電路(無論在單元區(qū)CR中還是在外圍電路區(qū)PR中)可以電連接到第一焊料凸塊110并被構(gòu)造為通過包括第一焊料凸塊110的路徑接收電力。另外,所述電路可以電連接到第二焊料凸塊130并被構(gòu)造為通過包括第二焊料凸塊130的路徑接收數(shù)據(jù)信號(hào)。

第一焊料凸塊110可以包括第一支柱112和第一焊料114,第二焊料凸塊130可以包括第二支柱132和第二焊料134。第一支柱112和第二支柱132中的每個(gè)可以具有圓柱形形狀或其它形狀。第一支柱112可以從第一連接焊盤70a的頂表面向鈍化層80的頂表面80a延伸,以覆蓋鈍化層80的頂表面80a的一部分。例如,第一支柱112和第二支柱132可以包括銅(Cu),第一焊料114和第二焊料134可以包括包含錫(Sn)、銀(Ag)、銅(Cu)、鎳(Ni)、鉍(Bi)、銦(In)、銻(Sb)和鈰(Ce)等中的至少一種的合金。第一支柱112可以具有第三寬度d3,第二支柱132可以具有第四寬度d4。第三寬度d3可以大于第四寬度d4。第三寬度d3可以大于第一開口81的第一寬度d1,第四寬度d4可以小于第二開口82的第二寬度d2。

當(dāng)安裝半導(dǎo)體裝置1時(shí),可以向第一焊料凸塊110和第二焊料凸塊130施加壓力。通過施加到第一焊料凸塊110和第二焊料凸塊130的壓力,會(huì)向設(shè)置在半導(dǎo)體裝置1內(nèi)的去耦電容器DC施加應(yīng)力。根據(jù)一些實(shí)施例,第一焊料凸塊110可以大于第二焊料凸塊130,因此,能夠減小或最小化施加到與第一焊料凸塊110豎直疊置的去耦電容器DC的應(yīng)力。另外,由于第一焊料凸塊110覆蓋鈍化層80的頂表面80a的一部分,所以施加到第一焊料凸塊110的壓力可以分散到鈍化層80中。因此,能夠保護(hù)與第一焊料凸塊110豎直疊置的去耦電容器DC。

圖3是沿圖1的線A-A’和B-B’截取的剖視圖。在下文中,為了容易和方便解釋的目的,將省略或簡要提及對(duì)與圖2的實(shí)施例中相同的元件的描述。

參照?qǐng)D1和圖3,第一焊料凸塊110’可以設(shè)置在第一連接焊盤70a上,第二焊料凸塊135可以設(shè)置在第二連接焊盤70b上。第一焊料凸塊110’和第二焊料凸塊135中的每個(gè)可以是可控塌陷芯片連接(C4)凸塊。第一焊料凸塊110’可以從第一連接焊盤70a的頂表面向鈍化層80的頂表面80a延伸,以覆蓋鈍化層80的頂表面80a的一部分。例如,第一焊料凸塊110’和第二焊料凸塊135可以包括包含錫(Sn)、銀(Ag)、銅(Cu)、鎳(Ni)、鉍(Bi)、銦(In)、銻(Sb)和鈰(Ce)等中的至少一種的合金。

第一焊料凸塊110’的最大寬度可以是第五寬度d5,第二焊料凸塊135的最大寬度可以是第六寬度d6。第五寬度d5可以大于第六寬度d6。另外,第五寬度d5可以大于第一開口81的第一寬度d1,第六寬度d6可以小于第二開口82的第二寬度d2。其寬度大于第二焊料凸塊135的寬度的第一焊料凸塊110’可以設(shè)置為與去耦電容器DC豎直地疊置,從而減小或最小化施加到去耦電容器DC的應(yīng)力。

圖4是示出根據(jù)一些實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的平面圖。圖5是沿圖4的線C-C’和D-D’截取的剖視圖,圖6是沿圖4的線C-C’和E-E’截取的剖視圖。在下文中,為了容易和方便解釋的目的,將省略或簡要提及對(duì)與圖1和圖2的實(shí)施例中相同的元件的描述。

參照?qǐng)D4至圖6,半導(dǎo)體裝置2可以包括其中設(shè)置有第一焊料凸塊110的第一橫截面(即,沿線D-D’截取的橫截面)和其中設(shè)置有第二焊料凸塊130的第二橫截面(即,沿線E-E’截取的橫截面)。第一焊料凸塊110和第二焊料凸塊130可以布置為在外圍電路區(qū)PR中構(gòu)成一列。可以包括多個(gè)第一焊料凸塊110和多個(gè)第二焊料凸塊130。第一焊料凸塊110和第二焊料凸塊130可以彼此分隔開并可以沿第二方向y交替地布置??梢韵虻谝缓噶贤箟K110施加電源電壓或接地電壓,可以向第二焊料凸塊130施加數(shù)據(jù)信號(hào)。

在示出(沿線D-D’截取的)第一橫截面的圖5中,半導(dǎo)體裝置2可以包括與第一焊料凸塊110豎直地疊置的第一去耦電容器DC1和不與第一焊料凸塊110豎直地疊置的第二去耦電容器DC2。第二去耦電容器DC2可以從第一焊料凸塊110橫向偏移。在示出(沿線E-E’截取的)第二橫截面的圖6中,半導(dǎo)體裝置2可以包括不與第二焊料凸塊130豎直地疊置而是從第二焊料凸塊130橫向偏移的第三去耦電容器DC3。

根據(jù)一些實(shí)施例,半導(dǎo)體裝置2可以包括從第一焊料凸塊110橫向偏移的第二去耦電容器DC2和設(shè)置在第一焊料凸塊110下方的第一去耦電容器DC1。換句話說,可以在具有有限區(qū)域的外圍電路區(qū)PR中設(shè)置多個(gè)去耦電容器,因此能夠有效地過濾當(dāng)施加工作電壓(例如,電源電壓和接地電壓)時(shí)產(chǎn)生的噪聲。因此,即使半導(dǎo)體裝置2以高速運(yùn)轉(zhuǎn),也可以通過去耦電容器DC1、DC2和DC3來提高施加到半導(dǎo)體裝置2的工作電壓的穩(wěn)定性。

雖然具有關(guān)于圖2描述的結(jié)構(gòu)的焊料凸塊110已經(jīng)被描述為包括在半導(dǎo)體裝置2中,但是在其它實(shí)施例中,可以使用具有關(guān)于圖3描述的結(jié)構(gòu)的焊料凸塊110’。同樣地,在一些實(shí)施例中,半導(dǎo)體裝置2中可以包括具有關(guān)于圖3描述的結(jié)構(gòu)的焊料凸塊135。

圖7是示出根據(jù)一些實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的剖視圖。圖7示出根據(jù)一些實(shí)施例的包括半導(dǎo)體裝置的半導(dǎo)體封裝件。參照?qǐng)D7,半導(dǎo)體封裝件P可以包括封裝基底100、半導(dǎo)體芯片200和模層300。

封裝基底100可以是印刷電路板(PCB)或其上可以安裝半導(dǎo)體芯片200的其它基底,封裝基底100具有頂表面100a和與頂表面100a相對(duì)的底表面100b??梢栽诜庋b基底100的頂表面100a上設(shè)置至少一個(gè)基底焊盤102,可以在封裝基底100的底表面100b上設(shè)置至少一個(gè)外部端子104。例如,外部端子104可以是焊球。例如,外部端子104可以包括包含錫(Sn)、銀(Ag)、銅(Cu)、鎳(Ni)、鉍(Bi)、銦(In)、銻(Sb)和鈰(Ce)等中的至少一種的合金。

半導(dǎo)體芯片200可以通過第一焊料凸塊110和第二焊料凸塊130安裝在封裝基底100的頂表面100a上。例如,半導(dǎo)體芯片200可以是根據(jù)各種實(shí)施例的圖1至圖6的半導(dǎo)體裝置1和半導(dǎo)體裝置2中的一個(gè)。半導(dǎo)體芯片200可以是邏輯芯片、存儲(chǔ)芯片或它們的組合。第一焊料凸塊110的尺寸可以大于第二焊料凸塊130的尺寸??梢韵虻谝缓噶贤箟K110施加電源電壓,可以向第二焊料凸塊130施加數(shù)據(jù)信號(hào)。

模層300可以覆蓋封裝基底100的頂表面100a和半導(dǎo)體芯片200。模層300可以包括諸如環(huán)氧樹脂塑封料(EMC)的絕緣聚合物材料。

由于第一焊料凸塊110的尺寸大于第二焊料凸塊130的尺寸,所以能夠減小或最小化當(dāng)半導(dǎo)體芯片200安裝在封裝基底100上時(shí)施加到包括在半導(dǎo)體芯片200中的去耦電容器的應(yīng)力。因此,可以保護(hù)包括在半導(dǎo)體芯片200中的元件。

然而,實(shí)施例不限于在以上實(shí)施例中描述的第一焊料凸塊110和第二焊料凸塊130的布置和數(shù)目。另外,可以對(duì)單元區(qū)CR的結(jié)構(gòu)進(jìn)行各種修改。

根據(jù)一些實(shí)施例,可以在與去耦電容器豎直地疊置的連接焊盤上設(shè)置大于另一焊料凸塊的焊料凸塊,從而減小或最小化施加到去耦電容器的應(yīng)力。

根據(jù)一些實(shí)施例,可以在與去耦電容器豎直地疊置的連接焊盤上設(shè)置鈍化層,焊料凸塊可以覆蓋鈍化層的一部分和連接焊盤。因此,施加到焊料凸塊的應(yīng)力可以在鈍化層中被分散。

盡管已經(jīng)參照具體的實(shí)施例描述了實(shí)施例,但是對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員將明顯的是,可以在不脫離所述精神和范圍的情況下做出各種改變和修改。因此,應(yīng)當(dāng)理解的是,以上描述的具體實(shí)施例不是限制性的而是說明性的。因此,所述范圍將由權(quán)利要求書和其等同物的最寬可允許解釋來確定,不應(yīng)被前面的描述約束或限制。

當(dāng)前第1頁1 2 3 
網(wǎng)友詢問留言 已有0條留言
  • 還沒有人留言評(píng)論。精彩留言會(huì)獲得點(diǎn)贊!
1