1.一種半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置包括：
基底；
去耦電容器，設(shè)置在基底上；
第一連接焊盤(pán)，與去耦電容器豎直地疊置；
鈍化層，暴露第一連接焊盤(pán)的一部分；以及
第一焊料凸塊，設(shè)置在第一連接焊盤(pán)上并覆蓋鈍化層的頂表面的一部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置還包括：
電路，形成在基底上；
其中，第一焊料凸塊和第一連接焊盤(pán)是電連接到電路的接地路徑或電源路徑的部分。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中：
鈍化層具有暴露第一連接焊盤(pán)的頂表面的一部分的第一開(kāi)口；
第一焊料凸塊完全覆蓋第一連接焊盤(pán)的頂表面的暴露部分。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其中，
第一焊料凸塊填充第一開(kāi)口并且從第一連接焊盤(pán)延伸到鈍化層的頂表面上方。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其中：
第一開(kāi)口具有沿一個(gè)方向的第一寬度；
第一焊料凸塊沿所述方向的寬度大于第一寬度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置還包括：
第二連接焊盤(pán)，從去耦電容器橫向偏移；以及
第二焊料凸塊，設(shè)置在第二連接焊盤(pán)上。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其中，第一焊料凸塊的寬度大于第二焊料凸塊的寬度。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其中，第二焊料凸塊從形成在基底上的任何去耦電容器橫向偏移。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，第一連接焊盤(pán)電連接到去耦電容器。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中：
第一焊料凸塊包括支柱和焊料；
支柱接觸鈍化層的頂表面。
11.一種半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置包括：
基底；
去耦電容器，設(shè)置在基底上；
第一焊料凸塊，與去耦電容器豎直地疊置；以及
第二焊料凸塊，從去耦電容器橫向偏移，
其中，第一焊料凸塊的寬度大于第二焊料凸塊的寬度。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置還包括：
電路，設(shè)置在基底上；
其中：第一焊料凸塊是電連接到電路的接地路徑或電源路徑的部分；并且第二焊料凸塊是電連接到電路的信號(hào)路徑的部分。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其中：
基底包括單元區(qū)和外圍電路區(qū)；
去耦電容器形成在外圍電路區(qū)中；
半導(dǎo)體裝置還包括在單元區(qū)中設(shè)置在基底上的存儲(chǔ)元件。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置還包括：
鈍化層，具有暴露第一連接焊盤(pán)的第一開(kāi)口；
其中，第一焊料凸塊填充第一開(kāi)口并且與鈍化層接觸。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體裝置，其中：
第一開(kāi)口具有沿一個(gè)方向的第一寬度；
第一焊料凸塊從第一連接焊盤(pán)延伸到鈍化層的頂表面上方；
第一焊料凸塊沿所述方向的寬度大于第一寬度。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體裝置，其中：
鈍化層包括暴露第二連接焊盤(pán)的第二開(kāi)口；
第二焊料凸塊設(shè)置在第二連接焊盤(pán)上的第二開(kāi)口中并與鈍化層分隔開(kāi)。
17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其中，第一焊料凸塊和去耦電容器通過(guò)金屬互連彼此電連接。
18.一種半導(dǎo)體封裝件，所述半導(dǎo)體封裝件包括：
封裝基底；
半導(dǎo)體芯片，包括去耦電容器和鈍化層；
多個(gè)焊料凸塊，將半導(dǎo)體芯片電連接到封裝基底，
其中：焊料凸塊中的第一焊料凸塊與去耦電容器豎直地對(duì)齊并延伸到鈍化層上方；焊料凸塊中的第二焊料凸塊與鈍化層分隔開(kāi)。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，第二焊料凸塊從半導(dǎo)體芯片的任何去耦電容器橫向偏移。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，第一焊料凸塊的寬度大于第二焊料凸塊的寬度。