本發(fā)明涉及顯示器件技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種顯示模組的封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法。

背景技術(shù)：

在電子設(shè)備的顯示器件中，用于產(chǎn)生光源的諸如無極發(fā)光二極管(LED)或有機發(fā)光二極管(OLED)等顯示電子器件是顯示器件能否正常工作的關(guān)鍵器件，但上述的電子器件極易受到外部環(huán)境中的濕氣及氧氣等的侵蝕，故為了確保電子器件的正常運行需要對顯示電子器件進行隔離保護。

目前，主要是利用玻璃膠(Frit)將蓋板玻璃固定在陣列基板上，以將設(shè)置在陣列基板上的顯示電子器件予以密封；如圖1所示，傳統(tǒng)的顯示模組的封裝結(jié)構(gòu)中，陣列基板11上設(shè)置有顯示模組12，通過利用玻璃膠13將蓋板玻璃14黏貼在陣列基板11之上，以將顯示模組12予以密封。

但是，由于玻璃膠13本身的特性及蓋板玻璃14與陣列基板11之間具有空隙等缺陷，使得圖1中所示的封裝結(jié)構(gòu)的機械強度較弱，當遇到外部沖力時極易產(chǎn)生破損，尤其是在使用壽命測試時上述的封裝結(jié)構(gòu)極易產(chǎn)生縫隙而使得外部的環(huán)境中的破壞性氣體侵入至封裝 結(jié)構(gòu)中，致使上述的顯示模組12受到侵蝕，甚至會直接導致顯示模組12在外部沖擊時受到損傷，進而致使顯示器件無法正常工作。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

鑒于上述技術(shù)問題，本申請?zhí)峁┮环N顯示模組封裝結(jié)構(gòu)，可應(yīng)用于顯示器件中，所述顯示模組封裝結(jié)構(gòu)包括：

陣列基板，所述陣列基板表面設(shè)置有顯示模組；

凸起結(jié)構(gòu)，設(shè)置于所述陣列基板的表面上并位于所述顯示模組周邊；

第一薄膜層，覆蓋所述顯示模組及所述陣列基板的部分表面，以將所述顯示模組密封；

第二薄膜層，覆蓋所述第一薄膜層及部分所述凸起結(jié)構(gòu)的表面；

第三薄膜層，覆蓋所述第二薄膜層和所述凸起結(jié)構(gòu)的部分表面；

第四薄膜層，覆蓋所述第三薄膜層的部分表面；以及

第五薄膜層，覆蓋所述第四薄膜層的部分表面及所述第三薄膜層的表面，以將所述第四薄膜層密封于所述第三薄膜層之上；

其中，所述第五薄膜層還覆蓋所述凸起結(jié)構(gòu)暴露的部分表面和所述陣列基板的部分表面。

作為一個優(yōu)選的實施例，上述的顯示模組封裝結(jié)構(gòu)中：

所述陣列基板上還設(shè)置有與所述顯示模組連接的薄膜晶體管顯示電路，用以驅(qū)動所述顯示模組工作。

作為一個優(yōu)選的實施例，上述的顯示模組封裝結(jié)構(gòu)中：

所述陣列基板為低溫多晶硅基板。

作為一個優(yōu)選的實施例，上述的顯示模組封裝結(jié)構(gòu)中：

所述顯示模組具有用于光線射出的發(fā)光表面及相對于所述發(fā)光表面的背光表面，而

所述顯示模組的背光表面貼合于所述陣列基板表面上，所述第一薄膜層覆蓋所述顯示模組的發(fā)光表面。

作為一個優(yōu)選的實施例，上述的顯示模組封裝結(jié)構(gòu)中：

所述顯示模組為OLED顯示模組。

作為一個優(yōu)選的實施例，上述的顯示模組封裝結(jié)構(gòu)中：

所述凸起結(jié)構(gòu)為多層薄膜疊加結(jié)構(gòu)。

作為一個優(yōu)選的實施例，上述的顯示模組封裝結(jié)構(gòu)中：

所述凸起結(jié)構(gòu)的材質(zhì)為含有亞胺基團和苯環(huán)的雜環(huán)聚合物。

作為一個優(yōu)選的實施例，上述的顯示模組封裝結(jié)構(gòu)中：

所述凸起結(jié)構(gòu)的厚度大于所述第一薄膜層與所述第二薄膜層的厚度之和。

作為一個優(yōu)選的實施例，上述的顯示模組封裝結(jié)構(gòu)中：

所述第一薄膜層、所述第三薄膜層和所述第五薄膜層的材質(zhì)均為無機材料，所述第二薄膜層和所述第四薄膜層的材質(zhì)均為有機材料。

作為一個優(yōu)選的實施例，上述的顯示模組封裝結(jié)構(gòu)中：

所述第一薄膜層的材質(zhì)為具有阻水氧及透明特性的金屬氧化物或氮化硅。

作為一個優(yōu)選的實施例，上述的顯示模組封裝結(jié)構(gòu)中：

所述第二薄膜層和所述第四薄膜層的材質(zhì)均為具有緩沖及平坦表面且透明特性的丙烯酸樹脂類化合物。

作為一個優(yōu)選的實施例，上述的顯示模組封裝結(jié)構(gòu)中：

所述第三薄膜層和所述第五薄膜層的材質(zhì)均為氮化硅。

本申請還提供了一種顯示模組封裝結(jié)構(gòu)的制備方法，可應(yīng)用于顯示器件的制備工藝中，所述方法包括：

于陣列工藝后形成表面設(shè)置有顯示模組的陣列基板，

于所述陣列基板上且位于所述顯示模組的周邊處形成有凸起結(jié)構(gòu)；

制備第一薄膜層于所述陣列基板上并覆蓋所述顯示模組及位于所述顯示模組與所述凸起結(jié)構(gòu)之間所述陣列基板的表面，以將所述顯示模組密封；

于所述第一薄膜層的表面上形成第二薄膜層，所述第二薄膜層覆蓋所述凸起結(jié)構(gòu)的部分表面；

制備第三薄膜層將所述第二薄膜層和所述凸起結(jié)構(gòu)的部分表面均予以覆蓋；以及

于所述第三薄膜層之上形成第四薄膜層，所述第四薄膜層覆蓋部分所述第三薄膜層；

制備第五薄膜層覆蓋所述第四薄膜層及所述第三薄膜層的部分表面，以將所述第四薄膜層密封于所述第三薄膜層之上；

其中，所述第五薄膜層還覆蓋所述凸起結(jié)構(gòu)的部分表面和所述陣列基板的部分表面。作為一個優(yōu)選的實施例，上述的方法還包括：

于所述陣列基板上制備與所述顯示模組連接的薄膜晶體管顯示電路，用以驅(qū)動所述顯示模組工作。

作為一個優(yōu)選的實施例，上述的方法中：

所述陣列基板為低溫多晶硅基板。

作為一個優(yōu)選的實施例，上述的方法中：

所述顯示模組具有用于光線射出的發(fā)光表面及相對于所述發(fā)光表面的背光表面；以及

將所述顯示模組的背光表面貼合于所述陣列基板表面上，于所述顯示模組的發(fā)光表面上制備所述第一薄膜層。

作為一個優(yōu)選的實施例，上述的方法中：

所述顯示模組為OLED顯示模組。

作為一個優(yōu)選的實施例，上述的方法中：

于所述陣列工藝中通過多層薄膜疊加形成所述凸起結(jié)構(gòu)。

作為一個優(yōu)選的實施例，上述的方法中：

所述凸起結(jié)構(gòu)的材質(zhì)為含有亞胺基團和苯環(huán)的雜環(huán)聚合物。

作為一個優(yōu)選的實施例，上述的方法中：

所述凸起結(jié)構(gòu)的厚度大于所述第一薄膜層與所述第二薄膜層的厚度之和。

作為一個優(yōu)選的實施例，上述的方法中：

采用無機材料沉積工藝制備所述第一薄膜層、所述第三薄膜層和所述第五薄膜層；以及

采用有機材質(zhì)印刷工藝制備所述第二薄膜層和所述第四薄膜層。

作為一個優(yōu)選的實施例，上述的方法中：

采用噴墨印刷工藝噴涂具有緩沖及平坦表面且透明特性的丙烯酸樹脂類化合物來制備所述第二薄膜層和所述第四薄膜層。

作為一個優(yōu)選的實施例，上述的方法中：

采用原子層沉積工藝或化學氣相沉積工藝或等離子體增強化學氣相沉積工藝沉積氮化硅來制備所述第三薄膜層和所述第五薄膜層。

上述技術(shù)方案具有如下優(yōu)點或有益效果：

本申請中的技術(shù)方案中的顯示模組的封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法，可用于制備AMOLED等相關(guān)的顯示器件，主要是通過利用薄膜封裝結(jié)構(gòu)(Thin Film Encapsulation Structure)將顯示模組(如OLED顯示模組)予以密封保護，即利用具有阻水氧特性且透明的無機薄膜層將顯示模組予以密封，并通過在無機薄膜層之外制備有機模組來緩沖膜層內(nèi)外部應(yīng)力，制作柔性器件時，可抑制因彎曲應(yīng)力造成膜層脫落。同時多層疊加形成的凸起結(jié)構(gòu)能夠有效抑制無機層鍍膜擴散效應(yīng)，增加薄膜器件側(cè)面阻水擋墻的數(shù)量，可有效提升封裝效果。且在鍍膜工藝中起支撐金屬掩膜版作用，防止其損傷到基板面圖案。再者，利用薄膜封裝代替玻璃Frit膠封裝技術(shù)而言，整個顯示器件的機械強度得到有效提升。

附圖說明

參考所附附圖，以更加充分的描述本發(fā)明的實施例。然而，所附附圖僅用于說明和闡述，并不構(gòu)成對本發(fā)明范圍的限制。

圖1為常規(guī)顯示模組的封裝結(jié)構(gòu)；

圖2～7為本申請實施例中制備顯示模組封裝結(jié)構(gòu)的流程示意圖。

具體實施方式

本申請中提供的顯示模組的封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法，主要是通過利用薄膜封裝技術(shù)(Thinning Film Encapsulation)對設(shè)置在陣列基板上的顯示模組(如OLED顯示等)進行封裝，即利用具有阻擋水氧的無機薄膜層對顯示模組進行密封后，再利用具有緩沖性能的有機薄膜層覆蓋上述的無機薄膜層，以緩沖膜層內(nèi)外部應(yīng)力，利于柔性器件制作；同時，在顯示模組的外圍還設(shè)置有用于一定強度的凸起結(jié)構(gòu)，阻擋無機層鍍膜擴散效應(yīng)，增加薄膜器件側(cè)面阻水效果。且在鍍膜工藝中起支撐金屬掩膜版作用，防止其損傷到基板面圖案。再者，利用薄膜封裝代替玻璃Frit膠封裝技術(shù)而言，整個顯示器件的機械強度得到有效提升。

下面結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明的音視頻轉(zhuǎn)換裝置進行詳細說明。

實施例一

圖2～7為本申請實施例中制備顯示模組封裝結(jié)構(gòu)的流程示意圖；如圖2～5所示，本申請?zhí)峁┝艘环N顯示模組封裝結(jié)構(gòu)的制備方法，可 包括如下步驟：

首先，如圖1所示，基于一襯底基板(如低溫多晶硅(Low Temperature Poly Silicon，簡稱LTPS)基板)的基礎(chǔ)上進行顯示器件的陣列(array)工藝，以形成陣列基板21；上述的陣列基板21上可設(shè)置有顯示區(qū)和鄰接顯示區(qū)而設(shè)定的非顯示區(qū)中，在顯示區(qū)的陣列基板21上主要用于顯示器件的貼附和制備；同時，在陣列基板21之上或之中還可設(shè)置有薄膜晶體管顯示電路，以用于驅(qū)動后續(xù)制備的顯示模組工作。

另外，在上述陣列工藝的過程中還在緊鄰顯示區(qū)的非顯示區(qū)中的陣列基板21的表面上形成凸起結(jié)構(gòu)23(如可在位于顯示區(qū)的周邊位置區(qū)域處設(shè)置凸起結(jié)構(gòu)23)，該凸起結(jié)構(gòu)23可為多層薄膜疊置結(jié)構(gòu)(Bank)，如可在上述陣列工藝的過程中通過利用曝光、顯影、蝕刻等工藝制備出的具有一定高度的凸起圖形(pattern)，且該凸起結(jié)構(gòu)23可為條柱狀或帶柱狀等形狀。

優(yōu)選的，上述的凸起結(jié)構(gòu)23的材質(zhì)可為主要成分含碳(C)、氮(N)、氧(O)的物質(zhì)，如含有亞氨基團和苯環(huán)的雜環(huán)聚合物；較佳的，該凸起結(jié)構(gòu)23的材質(zhì)為聚醚酰亞胺等。

其次，于上述的陣列基板21的顯示區(qū)中貼附顯示模組(如OLED顯示模組等發(fā)光模組)22，且該顯示模組22與上述的薄膜晶體管顯示電路連接，即上述的凸起結(jié)構(gòu)23設(shè)置在顯示模組22的周側(cè)，可用于顯示后續(xù)制備的第一、二薄膜層等結(jié)構(gòu)，以形成圖2所示的結(jié)構(gòu)；該顯示模組22與凸起結(jié)構(gòu)23之間具有一定的間隙(相互不接觸)， 即在位于顯示模組22與凸起結(jié)構(gòu)23之間陣列基板21的表面予以暴露。

優(yōu)選的，上述的顯示模組22可包括陰極、陽極及設(shè)置在陰極與陽極之間的有機發(fā)光層等結(jié)構(gòu)；同時，上述的顯示模組22還具有用于光線射出的發(fā)光表面(即圖3中所示的上表面)及相對于所述發(fā)光表面的背光表面(即圖3中所示的下表面)，即該顯示模組22通過上述的背光表面貼附于陣列基板21的表面上。

之后，采用薄膜封裝工藝依次制備第一薄膜層24、第二薄膜層25、第三薄膜層26、第四薄膜層27和第五薄膜層28，具體的：

先通過采用諸如原子沉積(Atomic Layer Deposition，簡稱ALD)等工藝沉積諸如氧化鋁(AlO_x)、氮化硅(SiN_x)、氧化鈦(TiO₂)等無機材料，以形成具有阻水氧且透明特性的無極薄膜層，即形成上述的第一薄膜層24，且該第一薄膜層24覆蓋上述的顯示模組22及陣列基板21的部分表面(第一薄膜層24覆蓋在凸起結(jié)構(gòu)23所限定的顯示模組22的區(qū)域中，其并未延伸至凸起結(jié)構(gòu)23遠離顯示模組22一側(cè)的區(qū)域中)。

優(yōu)選的，為了使得制備的第一薄膜層24具有較佳的密封及透明特性，可選用氧化鋁制備300～500埃厚度的無機薄膜層；同時，該無機薄膜層在覆蓋陣列基板21暴露表面的同時可與少部分的凸起結(jié)構(gòu)23接觸。

然后采用諸如噴墨印帥(Ink Jet Printer，簡稱IJP)等工藝噴涂如丙烯酸樹脂類化合物等有機材料，以在上述第一薄膜層24之上形 成有機薄膜層(monomer)，即第二薄膜層25；該第二薄膜層25可起到諸如包裹缺陷顆粒(particle)以減輕DP等問題(issue)、消除應(yīng)力以提升顯示器件的機械強度及改善第一薄膜層24薄膜的平整度(類似平坦層的功能)等作用；較佳的，為了使得第二薄膜層25具有良好的上述減輕DP、消除應(yīng)力及提升平整度等性能，可使得該第二薄膜層25的厚度選定在15000～20000埃的范圍內(nèi)。

需要注意的是，第二薄膜層25與上述陣列基板21不接觸，且該第二薄膜層25僅覆蓋上述凸起結(jié)構(gòu)23臨近顯示模組一側(cè)的部分表面，即此時凸起結(jié)構(gòu)23的頂端表面、遠離顯示模組的一側(cè)表面及臨近顯示模組的一側(cè)的部分表面均予以暴露，即凸起結(jié)構(gòu)23的高度(圖5沿垂直于顯示模組發(fā)光表面方向的厚度)大于第一薄膜層24與第二薄膜層25的厚度之和(即圖5沿垂直于顯示模組發(fā)光表面方向的厚度)。

之后可采用諸如化學氣相沉積(chemical vapor deposition，簡稱CVD)、原子層沉積工藝(ALD)或等離子體增強化學氣相沉積(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，簡稱PECVD)等工藝沉積諸如氮化硅(SiN_x)、氧化鋁(AlO_x)、氧化硅(SiO_x)等無機材料，以形成覆蓋第二薄膜層25表面及凸起結(jié)構(gòu)23暴露的部分表面的無機薄膜層，即第三薄膜層26，且該第三薄膜層26將上述的第二薄膜層層25包裹于凸起結(jié)構(gòu)23與第一薄膜層24之間。

需要注意的是，第三薄膜層26不與上述陣列基板21相接觸，且該第三薄膜層26不僅覆蓋上述第二薄膜層25暴露的表面(即部分表 面)，還覆蓋上述凸起結(jié)構(gòu)23暴露的部分表面。

較佳的，為了使得第三薄膜層26具有良好的阻水氧特性及膜層厚度，可采用氧化鋁來制備5000～10000埃厚度的無機薄膜作為上述的第三薄膜層26，即該第三薄膜層26跨越上述的凸起結(jié)構(gòu)23同時覆蓋在第二薄膜層25的表面和陣列基板21的非顯示區(qū)的表面上。

之后，可采用與第二薄膜層25相同的工藝于第三薄膜層26之上制備第四薄膜層27，即可采用諸如噴墨印帥(Ink Jet Printer，簡稱IJP)等工藝噴涂如丙烯酸樹脂類化合物等有機材料，以在上述第三薄膜層26之上形成有機薄膜層(monomer)，即第四薄膜層27；該第四薄膜層27也可起到諸如包裹缺陷顆粒(particle)以減輕DP等問題(issue)、消除應(yīng)力以提升顯示器件的機械強度及改善第三薄膜層26薄膜的平整度(類似平坦層的功能)等作用，即圖6所示的結(jié)構(gòu)；較佳的，為了使得第四薄膜層27具有良好的上述減輕DP、消除應(yīng)力及提升平整度等性能，可使得該第四薄膜層27的厚度也選定在15000～20000埃的范圍內(nèi)。

需要注意的是，第四薄膜層27與上述陣列基板21也不接觸，即該第四薄膜層27僅覆蓋上述第三薄膜26的部分表面，且將該第三薄膜26臨近陣列基板21位置處的表面均予以暴露，以便于后續(xù)制備的第五薄膜層28將該第四薄膜層27密封在第三薄膜層26的表面上。

最后，如圖7所示，之后也可采用諸如化學氣相沉積(chemical vapor deposition，簡稱CVD)、原子層沉積工藝(ALD)或等離子體增強化學氣相沉積(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，簡 稱PECVD)等工藝沉積諸如氮化硅(SiN_x)、氧化鋁(AlO_x)、氧化硅(SiO_x)等無機材料，以形成覆蓋第四薄膜層27表面、第三薄膜層26暴露的表面及凸起結(jié)構(gòu)23暴露的剩余表面的無機薄膜層，即第五薄膜層28，且該第五薄膜層28將上述的第四薄膜層27密封于第三薄膜層26的表面上的同時，還覆蓋凸起結(jié)構(gòu)23遠離顯示模組22一側(cè)的陣列基板21的部分表面(即非顯示區(qū))，以使得由第一薄膜層24、第二薄膜層25、第三薄膜層26、第四薄膜層27和第五薄膜層28構(gòu)成的薄膜封裝結(jié)構(gòu)將上述的凸起結(jié)構(gòu)23予以包裹。

需要注意的是，第五薄膜層28與上述陣列基板21的表面相接觸，且該第五薄膜層28不僅覆蓋上述第四薄膜層27暴露的表面及上述的第三薄膜層26暴露的表面，還可覆蓋凸起結(jié)構(gòu)23暴露的剩余表面及陣列基板21上臨近第三薄膜層26位置處的部分表面(即非顯示區(qū))，以使得由第一薄膜層24、第二薄膜層25、第三薄膜層26、第四薄膜層27和第五薄膜層28構(gòu)成的薄膜封裝結(jié)構(gòu)將上述的凸起結(jié)構(gòu)23予以包裹。

較佳的，為了使得第五薄膜層28具有良好的阻水氧特性及膜層厚度，可采用氧化鋁來制備5000～10000埃厚度的無機薄膜作為上述的第五薄膜層28。

本實施例中，在完成上述薄膜封裝結(jié)構(gòu)(即第一薄膜層24、第二薄膜層25、第三薄膜層26、第四薄膜層27和第五薄膜層28)的制備工藝后，后續(xù)可將用于形成顯示器件的蓋板玻璃等器件結(jié)構(gòu)粘貼固定于上述的形成的薄膜封裝結(jié)構(gòu)上，以最終完成顯示器件的制備工 藝。

在本實施例中，由于上述的無機薄膜(即第一薄膜層24、第三薄膜層26和第五薄膜層28)具有阻水氧密封性能，且透光性能優(yōu)異，故可將顯示模組能夠得到有效的密封隔離使其不會受到外部環(huán)境中的水氧等侵蝕氣體的侵害；而設(shè)置在無機薄膜之間的有機薄膜(即第二薄膜層25和第四薄膜層27)又能有效的緩沖內(nèi)部應(yīng)力及外部應(yīng)力，同時被薄膜封裝結(jié)構(gòu)包裹的凸起結(jié)構(gòu)又能抑制無機鍍膜工藝擴散，同時支撐整個顯示器件，所以基于本實施例制備的顯示模組的封裝結(jié)構(gòu)及顯示器件具有優(yōu)異的密封性能及較強的整體機械強度和柔性程度。

實施例二

可基于上述實施例一的基礎(chǔ)上，如圖7所示，本申請實施例中還提供了一種顯示模組封裝結(jié)構(gòu)，且該顯示模組封裝結(jié)構(gòu)可用于制備各種顯示器件(如OLED顯示器件等)，上述顯示模組封裝結(jié)構(gòu)包括：

陣列基板21，可為完成陣列(array)工藝的基板，可包括但不局限于LTPS基板等；該陣列基板21可具有用于設(shè)置器件的正面表面(即圖5中所示的上表面)及相對于該上表面的下表面(即圖5、6中所示的下表面)；該基板的材質(zhì)可選為玻璃，也可以用硬質(zhì)基底或柔性基底來形成該陣列基板21，且該陣列基板21中或之上可設(shè)置有用于驅(qū)動顯示模組發(fā)光的驅(qū)動電路等器件結(jié)構(gòu)。

另外，上述陣列基板21設(shè)置有用于設(shè)置顯示器件結(jié)構(gòu)的顯示區(qū)及臨近該顯示區(qū)的非顯示區(qū)，且與顯示區(qū)的陣列基板21的正面表面 上設(shè)置有顯示模組(如OLED顯示模組)22，該顯示模組22具有用于光線射出的發(fā)光表面(即圖5所示的上表面)及相對于該發(fā)光表面的背光表面(即圖5所示的下表面)，即上述的顯示模組22的背光表面貼合于基板21的正面表面上。

優(yōu)選的，上述OLED顯示模組22可為有機發(fā)光(OLED)模組也可為其他類型的發(fā)光模組，如可包括陰極、陽極及設(shè)置在陰極與陽極之間的有機發(fā)光層等結(jié)構(gòu)，且該顯示模組22與上述的驅(qū)動電路連接。

同時，在上述陣列基板22的正面表面上還設(shè)置有包括多層薄膜疊加薄膜(bank)的凸起結(jié)構(gòu)23(如條柱狀或帶柱狀等形狀的凸起)，且凸起結(jié)構(gòu)23可為在上陣列工藝中通過曝光、顯影、刻蝕等工藝制備的具有一定高度的凸起圖形，且其材質(zhì)可為主要成分包括碳、氮、氧等具有一定硬度的物質(zhì)，如含有亞氨基團和苯環(huán)的雜環(huán)聚合物，較佳的為聚醚酰亞胺等物質(zhì)，且該凸起結(jié)構(gòu)23可設(shè)置在位于顯示模組22的周邊區(qū)域位置處。

第一薄膜層24，覆蓋上述顯示模組22暴露的表面及位于顯示模組22與凸起結(jié)構(gòu)23之間陣列基板21所暴露的表面，以將顯示模組22予以密封；該第一薄膜層24可為無機薄膜層，如其材質(zhì)可為氧化鋁、氧化鈦或氮化硅等無機材料，其要具有優(yōu)良的阻水氧及透明特性；例如該第一薄膜層24可為300～500埃厚度氧化鋁薄膜，且該第一薄膜層24要與上述陣列基板21的表面予以接觸(相應(yīng)的，在凸起結(jié)構(gòu)23與顯示模組22之間具有一定的間隙，且上述的第一薄膜層24填充并覆蓋該間隙所暴露的陣列基板21的表面上)。

第二薄膜層25，覆蓋上述第一薄膜層24暴露的表面及部分凸起結(jié)構(gòu)23的表面；該第二薄膜層25可為諸如丙烯酸樹脂類化合物等有機材料薄膜，其可包裹缺陷顆粒(particle)減輕DP問題的同時，還能消除應(yīng)力提升器件機械強度，同時還可改善上述第一薄膜層24的表面平整度(類似平坦化層)；但是，該第二薄膜層25(厚度可在15000～20000埃之間)被凸起結(jié)構(gòu)23所阻擋不與上述的陣列基板21接觸，且凸起結(jié)構(gòu)23的厚度要大于第一薄膜層24和第二薄膜層25的厚度之和。

第三薄膜層26，覆蓋第二薄膜層25暴露的表面和凸起結(jié)構(gòu)23暴露的部分表面；該第三薄膜層26也可為諸如氮化硅、氧化鋁或氧化硅等無機材料薄膜，并與上述的第一薄膜層24、第二薄膜層25一起將上述的凸起結(jié)構(gòu)23包裹于陣列基板21的正面表面上。

優(yōu)選的，為了使得顯示器件具有良好的密封性能，上述的第三薄膜層的材質(zhì)可為厚度約5000～10000埃厚度的氮化硅(SiN)薄膜。

第四薄膜層27，覆蓋上述第三薄膜層26的部分表面上，且將該第三薄膜層26表面的邊緣區(qū)域(即該第三薄膜層26表面上臨近陣列基板11的區(qū)域)均予以暴露。

第五薄膜層28，覆蓋上述第四薄膜層27暴露的表面及第三薄膜層26暴露的表面，以將第四薄膜層27密封于第三薄膜層26的表面上；同時，該第五薄膜層28還覆蓋凸起結(jié)構(gòu)23剩余暴露的表面和臨近凸起結(jié)構(gòu)23且遠離顯示模組22一側(cè)的陣列基板21的表面。

優(yōu)選的，上述的第四薄膜層27的材質(zhì)及膜層結(jié)構(gòu)尺寸等特性可 與上述的第二薄膜層25近似或相同，如該第四薄膜層27也可為諸如丙烯酸樹脂類化合物等有機材料薄膜，其可包裹缺陷顆粒(particle)減輕DP問題的同時，還能消除應(yīng)力提升器件機械強度，同時也還可改善上述的第三薄膜層26的表面平整度(類似平坦化層)；但是，該第四薄膜層27(厚度也可在15000～20000埃之間)也不與上述的陣列基板21接觸。

同樣的，上述的第五薄膜層28的材質(zhì)及膜層結(jié)構(gòu)尺寸等特性則可與上述的第三薄膜層26近似或相同，如該第五薄膜層28的材質(zhì)也可為諸如氮化硅、氧化鋁或氧化硅等無機材料薄膜，并與上述的第一薄膜層24、第二薄膜層25、第三薄膜層26及第四薄膜層27一起將上述的凸起結(jié)構(gòu)23包裹于陣列基板21的正面表面上，而為了使得顯示器件具有良好的密封性能，上述的第五薄膜層28的材質(zhì)也可為厚度約5000～10000埃厚度的氮化硅(SiN)薄膜。

需要注意的是，本實施例中所提供的結(jié)構(gòu)可基于上述實施例一中記載的方法來制備，故在實施例一中描述的制備工藝、膜層材質(zhì)及膜層之間的位置關(guān)系等技術(shù)特征均可適用于本實施的結(jié)構(gòu)中，故在此便不予累述。

綜上，本申請實施例中顯示模組封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法，通過利用薄膜封裝工藝形成的顯示模組封裝結(jié)構(gòu)直接將顯示模組封裝于基板之上，且該模組封裝結(jié)構(gòu)同時兼具阻水氧特性及緩沖性能，進而在確保顯示模組密封效果的同時，又能有效的緩沖內(nèi)部應(yīng)力及外部應(yīng) 力，可避免制作柔性器件時膜層脫落，也可使得成品后所形成的顯示器件結(jié)構(gòu)在摔落、受到碰撞等所產(chǎn)生外部沖擊力也能得到有效的緩沖，以大大降低顯示模組因受外部沖擊力而致使的應(yīng)力集中等所造成的裂屏、碎屏等缺陷的產(chǎn)生，進而提高了顯示器件整體的結(jié)構(gòu)強度，以有效地提高制備顯示器件的性能及良率。同時，被薄膜封裝結(jié)構(gòu)包裹的凸起結(jié)構(gòu)又能抑制無機鍍膜工藝擴散，同時支撐整個顯示器件，所以基于本實施例制備的顯示模組的封裝結(jié)構(gòu)及顯示器件具有優(yōu)異的密封性能及較強的整體機械強度和柔性程度。

對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，閱讀上述說明后，各種變化和修正無疑將顯而易見。因此，所附的權(quán)利要求書應(yīng)看作是涵蓋本發(fā)明的真實意圖和范圍的全部變化和修正。在權(quán)利要求書范圍內(nèi)任何和所有等價的范圍與內(nèi)容，都應(yīng)認為仍屬本發(fā)明的意圖和范圍內(nèi)。