技術(shù)總結(jié)
公開了一種半導(dǎo)體裝置和一種半導(dǎo)體封裝件。所述半導(dǎo)體裝置包括：基底；去耦電容器，設(shè)置在基底上；第一連接焊盤，與去耦電容器豎直地疊置；鈍化層，暴露第一連接焊盤的一部分；以及第一焊料凸塊，設(shè)置在第一連接焊盤上并覆蓋鈍化層的頂表面的一部分。

技術(shù)研發(fā)人員：李燦浩;鄭顯秀;樸明洵
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三星電子株式會社
文檔號碼：201611025660
技術(shù)研發(fā)日：2016.11.16
技術(shù)公布日：2017.06.13