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具有改善的密封的功率半導體模塊的制作方法

文檔序號:12274897閱讀:來源:國知局
技術總結
本發(fā)明涉及一種功率半導體模塊,具有:襯底,用于導熱地固定在冷卻體處;至少一個半導體組件,布置在襯底上;至少一個連接元件,導電地與半導體組件連接,連接元件在其自由端處具有接觸部段;電絕緣的殼體,其中至少部分地容納有襯底和至少一個半導體組件,并且殼體具有用于連接元件的至少一個通孔;其中至少一個連接元件布置為貫穿通孔,并且其中在殼體外側上設置有與殼體外側鄰接并且圍繞連接元件的層,層由與殼體材料相比可塑性或彈性形變的材料制成;其中接觸部段布置為超出層和殼體外側。

技術研發(fā)人員:S·施瓦策爾;M·布施屈勒;U·M·G·施瓦策爾
受保護的技術使用者:英飛凌科技股份有限公司
文檔號碼:201610519975
技術研發(fā)日:2016.07.04
技術公布日:2017.02.22

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