本申請要求于2015年8月6日提交至韓國知識產權局的第10-2015-0111207號韓國專利申請的優(yōu)先權和權益，該韓國專利申請的全部內容通過引用并入本文。

技術領域

一個或多個示例性實施方式涉及基板切割設備以及通過利用基板切割設備制造顯示裝置的方法。

背景技術：

近來，顯示裝置已經逐漸被外形纖薄的平板顯示裝置所替代。顯示裝置可包括多個薄膜，多個薄膜包括無機層或有機層等。同時，為了提高顯示裝置的制造效率，通過在基板上形成多個顯示區(qū)域并且通過隨后切割基板的顯示區(qū)域之間的部分，可同時形成多個顯示裝置。然而，由于傳統(tǒng)的基板切割設備切割基板使得基板的剖面在切割后具有豎直剖面，所以在基板的切割過程期間可能損壞形成于基板上的無機層等。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的一個或多個示例性實施方式包括基板切割設備以及通過使用基板切割設備制造顯示裝置的方法。

另外的方面在以下說明中部分闡明，并且部分根據(jù)該說明將是容易理解的，或者可以通過實施所描述的實施方式而習得。

根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實施方式，基板切割設備包括：臺，配置為支撐基板，并且包括沿著第一方向延伸的至少一個彎曲部分和分別位于彎曲部分的側邊且與彎曲部分連續(xù)的平坦部分；以及切割部分，在臺之上，并且配置為在第二方向上且在與彎曲部分的中心線在第三方向上間隔開的位置沿著第一方向切割基板。

切割部分可配置為在與彎曲部分交疊的位置切割基板。

彎曲部分可具有從平坦部分向外凸出的凸面形狀。

彎曲部分可具有從平坦部分向內凹陷的凹面形狀。

彎曲部分可具有關于中心線的雙側對稱性。

彎曲部分的垂直于第一方向的剖面可包括曲線，該曲線包括分別在中心線的相對側的兩個拐點。

曲線在兩個拐點之間可具有第一曲率。

切割部分可配置為在兩個拐點之間切割基板。

臺可包括多個真空孔。

基板可包括柔性基板，并且由切割部分切割的基板的剖面可具有傾斜表面。

切割部分可配置為在中心線的相對側切割基板。

至少一個彎曲部分可包括相互間隔開的多個彎曲部分。

根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實施方式，制造顯示裝置的方法包括：在柔性基板上形成顯示裝置；將柔性基板布置在臺上；以及通過使用切割部分切割柔性基板，其中臺包括沿著第一方向延伸的至少一個彎曲部分以及平坦部分，該平坦部分分別在彎曲部分的相對側且與彎曲部分連續(xù)，并且其中切割部分在與彎曲部分交疊的位置在第二方向上切割柔性基板。

該方法可包括：通過由臺限定的真空孔將柔性基板緊密附接至彎曲部分和平坦部分。

該方法可包括：用切割部分在與彎曲部分的中心線在第三方向上間隔開的位置沿著第一方向切割柔性基板。

該方法可包括用切割部分在中心線的兩側切割柔性基板。

彎曲部分可具有從平坦部分向外凸出的凸面形狀。

彎曲部分可具有從平坦部分向內凹陷的凹面形狀。

通過使用切割部分切割柔性基板可以使柔性基板的剖面具有傾斜表面。

顯示裝置的形成可包括在柔性基板上的多個顯示區(qū)域中形成顯示裝置，并且柔性基板的切割可包括切割多個顯示區(qū)域之間的部分。

根據(jù)示例性實施方式，能夠防止基板在基板切割操作期間損壞或者降低損壞的可能性。

附圖說明

結合附圖，根據(jù)對示例性實施方式進行的以下描述，這些和/或其它方面將變得顯而易見且更容易理解，在附圖中：

圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實施方式的基板切割設備的示意性立體圖；

圖2是示出了沿圖1的基板切割設備的線I-I'所取得的剖面的示意性剖視圖；

圖3是示出了通過圖1的基板切割設備切割的基板的示意性剖視圖；

圖4是示出了圖1的基板切割設備的修改示例的示意性剖視圖；

圖5是示出了圖1的基板切割設備的另一修改示例的示意性剖視圖；

圖6是示出了通過基板切割設備制造的顯示裝置的示意性剖視圖；以及

圖7是示出了圖6的部分F的示意性放大圖。

具體實施方式

因為本發(fā)明構思考慮了各種改變和多個實施方式，所以在附圖中圖示了示例性實施方式并在書面說明中詳細描述了示例性實施方式。然而，這不旨在將本發(fā)明構思限制到具體的實施方式，而且，應當理解的是，不脫離本發(fā)明構思的精神和技術范圍的所有改變、等同以及替換都包含在本發(fā)明構思中。在本發(fā)明構思的描述中，相關技術的某些詳細解釋在被認定為其會不必要地使本發(fā)明構思的本質不清楚時可以省略。

雖然例如“第一”、“第二”等詞語可用于描述各種元件、部件、區(qū)域、層和/或段，但是這些元件、部件、區(qū)域、層和/或段不應受限于上述術語。上述詞語僅用于將一個元件、部件、區(qū)域、層和/或段與另一元件、部件、區(qū)域、層和/或段區(qū)分開。因此，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，以下描述的第一元件、部件、區(qū)域、層或段可稱為第二元件、部件、區(qū)域、層或段。

在本說明書中所使用的術語僅用于描述示例性實施方式，并且不旨在限制本發(fā)明構思。以單數(shù)形式使用的表達包含復數(shù)的表達，除非其在上下文中具有明顯不同的含義。還應進一步理解的是，詞語“包括(comprises)”、“包括(comprising)”、“包括(includes)”和“包括(including)”在本說明書中使用時指明存在所陳述的特征、整體、步驟、操作、元件和/或部件，但是不排除存在或添加一個或多個其它特征、整體、步驟、操作、元件、部件和/或它們的組合。當在本文中使用時，詞語“和/或”包括一個或多個所列的相關項目的任意和所有的組合。諸如“至少一個”的表達在一列元件之前時，修飾整列元件，而并不是修飾該列原件中的個別元件。此外，在附圖中，為了便于說明并且為了清楚，部件可能被放大或省略或者示意性地圖示，并且每個部件的尺寸不必反映實際尺寸。

當在本文中使用時，詞語“大體上”、“大約”以及類似的詞語用作近似的詞語，而非用作程度的詞語，并且旨在說明本領域普通技術人員所承認的在測量值或計算值中的固有偏差。而且，“可以(may)”的使用在描述本發(fā)明的實施方式時指的是“本發(fā)明的一個或多個實施方式”。當在本文中使用時，詞語“使用(ues)”、“使用(uesing)”和“被使用(used)”可被認為分別與詞語“利用(utilize)”、“利用(utilizing)”和“被利用(utilized)”同義。此外，詞語“示例性”旨在指代示例或圖例。

為了便于解釋，可在本文中使用空間相對術語，例如“在……下方”、“在……下面”、“下”、“在……之下”、“在……之上”、“上”等等，以描述如附圖中示出的一個元件或特征與另一元件或特征(其他多個元件或特征)的關系。應當理解的是，除了附圖中描述的方向以外，空間相對術語旨在包括裝置在使用時或操作時的不同方向。例如，如果附圖中的裝置倒置，則描述成在其他元件或特征“下面(below)”或在其他元件或特征“下方(beneath)”或在其他元件或特征“之下(under)”的元件將定向成位于其他元件或特征“之上(above)”。因此，示例術語“在……下面”和“在……之下”可包括“在……之上”和“在……下面”的兩個定向。裝置可以以其它方式定向(例如，轉動90度或處于其它定向)，并且本文中所使用的空間相對描述語應被相應地解釋。

在描述每個部件時，當部件被稱為形成在另一部件“上”或“之下”時，其可以直接位于該另一部件上或位于該另一部件之下，或者可以存在一個或多個介于中間的部件。另外，還應理解的是，當部件被稱為在兩個部件“之間”時，其可以是兩個部件之間的唯一部件，或者也可以存在一個或多個介于中間的部件。當在本文中使用時，參照附圖對術語“在……上”和“在……之下”進行描述。

x軸、y軸和z軸不限于直角坐標系的三個軸，并且可以以更廣的含義進行解釋。例如，x軸、y軸和z軸可以互相垂直，或可以代表不互相垂直的不同方向。

在下文中，將參照附圖詳細描述示例性實施方式。除非另外指出，相同的參考標號在全部的附圖以及書面說明中指代相同的元件，并且因此將不重復其的描述。

圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實施方式的基板切割設備10的示意性立體圖，圖2是示出了沿圖1的基板切割設備10的線I'-I'所取得的剖面的示意性剖視圖，以及圖3是示出了由圖1的基板切割設備10切割的基板的示意性剖視圖。

參照圖1至圖3，根據(jù)一個或多個示例性實施方式的基板切割設備10可包括臺100和切割部分190，基板S布置在臺100上，切割部分190位于臺100之上以用于切割基板S。

基板S是在制備顯示裝置的過程中所使用的物體，其可以是柔性基板。多個顯示區(qū)域DA可以形成在基板S中(或在基板S上)。顯示區(qū)域DA可包括有機發(fā)光裝置或液晶裝置等等。另外，基板S可以用夾具等固定在臺100上，以使得可以固定基板S在臺100上的位置。

臺100可包括至少一個彎曲部分110，并且臺100在彎曲部分110的兩側(或相對側)上可包括與彎曲部分110連續(xù)形成的平坦部分120。在彎曲部分110的兩側上的平坦部分120的高度可以相同，并且形成在基板S中(或在基板S上)的多個顯示區(qū)域DA可以在平坦部分120上。

彎曲部分110可以沿第一方向(例如，z軸方向)延伸。彎曲部分110可包括沿第一方向(z軸方向)延伸的中心線C(見圖2)，并且彎曲部分110可具有關于中心線C的雙側對稱的形狀。中心線C可以是將彎曲部分110劃分以使得彎曲部分110具有雙側對稱性的平面上的任何線，但是在下文中，為了便于描述，在彎曲部分110的至少一部分具有預定的曲率半徑的假定之下，中心線C被認為是穿過彎曲中心的線。

多個真空孔130可形成在臺100中(或者可由臺100限定)。具有柔性的基板S通過真空孔130可以緊密附接至彎曲部分110和平坦部分120。

切割部分190可在第二方向(例如，豎直方向或x軸方向)上穿透基板S切割。切割部分190可包括照射激光束的激光振蕩器，或者可包括切割輪。

切割部分190可沿彎曲部分110延伸的第一方向(z軸方向)切割基板S，并且可位于在第三方向(例如，水平方向或y軸方向)上與彎曲部分110的中心線C間隔開的位置。由此，在一些實施方式中，臺100的位置可以是固定的，并且切割部分190可沿第一方向(z軸方向)移動，以切割基板S。在一些實施方式中，切割部分190的位置可以是固定的，并且臺100可以移動。

切割部分190可在與彎曲部分110交疊的位置切割基板S。由此，基板S的切割表面可包括傾斜表面。在下文中，參照圖2和圖3對切割基板S的方法更詳細地進行描述。

彎曲部分110可具有例如相對于平坦部分120向外側凸出的凸面形狀。此外，彎曲部分110的垂直于第一方向(z軸方向)的剖面(例如，x-y平面)可包括曲線CL。曲線CL可包括分別形成于中心線C的相對側的兩個拐點P1。也就是說，曲線CL在拐點P1處可以從凸面形狀連續(xù)地變成(例如，沿z軸方向連續(xù)改變)凹面形狀，并且因此可以防止在緊密附接至臺100的基板S處發(fā)生折疊等(或者可以降低其可能性)。

在兩個拐點P1之間，曲線CL可形成為具有曲率半徑(例如，預定的曲率半徑)。而且，當切割部分190在兩個拐點之間在第二方向(x軸方向)上切割基板S時，基板S的切割表面可具有傾斜表面DS，并且可以容易地調整基板S的切割角θ1。

例如，如圖2中所示，當基板S緊密附接至彎曲部分110時，當從彎曲部分110的中心線C到基板S的外表面的最短距離形成曲率半徑R1時，并且當切割部分190的位置在第三方向(y軸方向)上與彎曲部分110的中心線C以距離“a”間隔開時，連接基板S的切割開始的點和中心線C的線段可以與水平方向(y軸方向)形成角度θ1。在這種情況下，由在基板S的切割開始的點處的切線L1和第二方向(x軸方向)形成的角度變成θ1，其中在第二方向(x軸方向)上，由切割部分190切割基板S。換言之，θ1是基板S的切割表面的切割角θ1。

因此，在不使臺100或切割部分190傾斜的情況下，僅通過在豎直方向上切割基板S，基板S可以被傾斜地切割，從而具有傾斜表面DS(見圖3)，并且通過這樣做，能夠防止形成在基板S上的無機層等處發(fā)生損壞(或者降低其可能性)。而且，可以根據(jù)距離a容易地調整基板S的切割角θ1。

切割部分190可以在中心線C的兩側切割基板S。雖然圖2示出了切割部分190在與中心線C在第三方向上間隔開的位置切割基板S的示例，但是在一些實施方式中，切割部分190可以在中心線C的相對側在第三方向上間隔開的位置處切割基板S。在這種情況下，切割部分190可以在中心線C的兩側順序地切割基板S，和/或切割部分190可以設置多個，并且可在中心線C的兩側同時切割基板S。

而且，即使當切割部分190在中心線C的相對側在第三方向上間隔開的位置處切割基板S時，可以根據(jù)切割部分190的與中心線C間隔開的位置容易地調整基板S的切割角θ1。

圖4是示出了圖1的基板切割設備的修改示例的示意性剖視圖。

參照圖4，基板切割設備20可包括臺200和切割部分190，基板S位于臺200上，切割部分190位于臺200之上以用于切割基板S。與圖1的基板切割設備10相比，圖4的基板切割設備20包括多個彎曲部分210和多個切割部分190。

基板S具有柔性并且可以按照由多個彎曲部分210和平坦部分220形成的形狀布置在臺200上。

多個彎曲部分210可沿著第一方向(z軸方向)平行地延伸，并且可相互間隔開。與多個彎曲部分210連續(xù)地形成的多個平坦部分220可形成于多個彎曲部分210之間。

多個彎曲部分210中的每個可包括中心線C，并且可具有關于對應的中心線C的雙側對稱性。

多個切割部分190可在對應于多個彎曲部分210的位置分別切割基板S。多個切割部分190可以并發(fā)驅動、同時驅動或者獨立地驅動。多個切割部分190中的每個可以在與對應的彎曲部分110的中心線C在第三方向(y軸方向)上間隔開的位置在第二方向(x軸方向)上切割基板S。因此，基板S的切割表面可具有傾斜表面DS。

而且，圖4的基板切割設備20可以在包括在多個彎曲部分210中的各自中心線C的兩側并發(fā)地或順序地切割基板S。

圖5是示出了圖1的基板切割設備的另一修改示例的示意性剖視圖。

參照圖5，基板切割設備30可包括臺300和切割部分190，基板S布置在臺300上，切割部分190位于臺300之上以用于切割基板S。因為圖5中示出的基板S和切割部分190與參照圖1至圖3所示出和所描述的那些大體上相同，所以可以省略其重復的描述。

臺300可包括沿著第一方向(z軸方向)延伸的至少一個彎曲部分310以及在彎曲部分310的兩側與彎曲部分310連續(xù)地形成的平坦部分320。

彎曲部分310可具有例如與平坦部分320相比凹陷至臺300中的凹面形狀(例如，從平坦部分320向內凹陷)，并且沿著第一方向(z軸方向)延伸的、凹面形狀的彎曲部分310可包括中心線C。而且，彎曲部分310垂直于第一方向(z軸方向)的剖面(例如，關于x-y平面)可包括曲線CL。

曲線CL可包括分別形成于中心線C的相對側的兩個拐點P2。曲線CL在拐點P2處可從凹面形狀連續(xù)地變?yōu)?例如，沿著z軸方向)凸面形狀。因此，可以防止在臺300上的基板S處發(fā)生折疊等，或者可以降低其可能性。

在兩個拐點P2之間，曲線CL可形成為具有曲率半徑(例如，預定的曲率半徑)。例如，如圖5中所示出的，當基板S緊密附接至彎曲部分310時，當從彎曲部分310的中心線C到彎曲部分310的表面的最短距離形成曲率半徑R2時，并且當切割部分190在與彎曲部分310的中心線C在第三方向(y軸方向)上以距離b間隔開的位置處切割基板S時，連接基板S的切割結束的點與中心線C的線段與第三方向(y軸方向)形成角度θ2。在這種情況下，θ2是由在基板S的切割結束的點處的切線L2和基板S的切割方向(例如，x軸方向)形成的角，以使得θ2可以變成基板S的切割表面的切割角θ2。

因此，當切割部分190在兩個拐點P2之間在第二方向(x軸方向)上切割基板S時，基板S可以被傾斜地切割，而且可以通過調整距離b容易地調整切割角θ2。

切割部分190可以在中心線C的兩側切割基板S。雖然圖5示出了切割部分190在與中心線C在第三方向上間隔開的位置切割基板S的示例，但是切割部分190可以在中心線C的相對側在第三方向上間隔開的位置切割基板S。在這種情況下，切割部分190可以在中心線C的兩側順序地切割基板S，和/或切割部分190可以設置為多個，并且可在中心線C的兩側并發(fā)地切割基板S。

在下文中，參考圖1至圖3對通過使用根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實施方式的基板切割設備制造顯示裝置的方法簡要地進行描述。

根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實施方式制造顯示裝置的方法包括在柔性基板S上形成顯示裝置、將柔性基板S布置在臺100上以及通過使用切割部分190切割柔性基板S。

臺100可包括沿著第一方向(z軸方向)延伸的至少一個彎曲部分110以及分別布置于彎曲部分110的兩側且與彎曲部分110連續(xù)地形成的平坦部分120。多個真空孔130可以形成在臺100中。由此，根據(jù)彎曲部分110的形狀和平坦部分120的形狀，柔性基板S可以緊密附接至彎曲部分110和平坦部分120，并且因此可以固定柔性基板S的位置。

如上所述，切割部分190在與彎曲部分110交疊的位置在第二方向(例如，豎直方向或x軸方向)上切割柔性基板S。在這種情況下，切割部分190在從彎曲部分110的中心線C在第三方向上移動的位置切割柔性基板S，并且因此柔性基板S可切割成具有傾斜表面DS。

通過利用圖4的基板切割設備20、圖5的基板切割設備30和/或圖1和圖2的基板切割設備10，可以以相同的效果對柔性基板S進行切割。

形成顯示裝置的操作是在柔性基板S上的多個顯示區(qū)域DA中形成顯示裝置的操作，并且切割柔性基板S的操作是切割多個顯示區(qū)域DA之間的部分的操作，從而可以形成多個顯示裝置。

圖6是示出了通過基板切割設備制造的顯示裝置的示意性剖視圖，以及圖7是示出了圖6的部分F的示意性放大圖。雖然圖6和圖7示出了包括作為示例的有機發(fā)光裝置的顯示裝置，但是本發(fā)明構思的示例性實施方式不限于此，并且顯示裝置可包括例如液晶裝置。

參考圖6和圖7，有機發(fā)光顯示裝置400形成在基板430上。基板430可包括具有柔性的材料。例如，基板430可包括聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亞胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯、聚酰亞胺、聚碳酸酯(PC)、三醋酸纖維素(TAC)、醋酸丙酸纖維素(CAP)等等。

可在基板430上形成緩沖層431，緩沖層431在基板430的上部上提供平坦表面并且包括防止或大體上防止水分和外來物質滲入基板430中的絕緣材料。

薄膜晶體管(TFT)440、電容器450和有機發(fā)光裝置460可形成在緩沖層431上。TFT 440大致包括有源層441、柵電極442和源/漏電極443。有機發(fā)光裝置460包括第一電極461、第二電極462和中間層463。電容器450包括第一電容器電極451和第二電容器電極452。

具體地，具有圖案(例如，以預定圖案形成的圖案)的有源層441在緩沖層431的上部上。有源層441可包括例如硅的無機半導體材料、有機半導體材料和/或氧化物半導體材料，并且可通過注入p型或n型摻雜物形成。柵絕緣層432形成在有源層441的上部上。柵電極442形成在柵絕緣層432的上部上，以對應于有源層441。第一電容器電極451形成在形成有柵電極442的層中，并且可包括與柵電極442的材料相同的材料。

層間絕緣層433形成為覆蓋柵電極442，并且源/漏電極443形成在層間絕緣層433上并且形成在有源層441的接觸區(qū)域(例如，預定的區(qū)域)上。第二電容器電極452形成于形成有源/漏電極443的層，并且可包括與源/漏電極443的材料相同的材料。

鈍化層434形成為覆蓋源/漏電極443，并且用于使TFT 440平坦化的獨立絕緣層可進一步形成在鈍化層434的上部上。

第一電極461形成在鈍化層434上，并且與源/漏電極443中的一個電連接。此外，像素限定層435形成為覆蓋第一電極461。預定開口464形成在像素限定層435中，并且，然后包括有機發(fā)射層的中間層463形成在由開口464限定的區(qū)域內。第二電極462形成在中間層463上(并且在例如像素限定層435上)。

封裝層470形成在第二電極462上。封裝層470可包括有機材料或無機材料，并且可具有有機材料和無機材料依次堆疊的結構。

例如，封裝層470可包括無機層471和有機層472，其中，無機層471包括多個層471a、471b和471c，并且有機層472包括多個層472a、472b和472c。

如上所述，形成在基板430上的有機發(fā)光顯示部分包括多個薄膜，并且薄膜之中的緩沖層431、柵絕緣層432、層間絕緣層433、封裝層470等等可包括無機層或包括無機層的層。這些層可形成在多個顯示區(qū)域DA之間(見圖1)。因此，這些層可以由基板切割設備10、基板切割設備20或基板切割設備30切割。

因為無機層具有易受外部沖擊傷害的特性，所以當切割無機層以使無機層具有豎直的剖面時，可能損壞無機層。然而，在根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實施方式的基板切割設備10、基板切割設備20或基板切割設備30中，雖然切割部分190在第二方向(例如，豎直方向或x軸方向)上切割基板430，但是基板430被切割為使得基板430具有傾斜的(例如，斜向傾斜的)表面。而且，可以容易地調整基板430的切割角。因此，因為不需要使其上布置有基板430的臺傾斜或者調整切割部分的切割角來傾斜地切割基板430，所以可以簡化制造顯示裝置的過程，并且防止形成在基板430上的無機層損壞。

雖然已參照附圖對一個或多個示例性實施方式進行了描述，但是將由本領域普通技術人員理解的是，在不背離由所附權利要求及其等同限定的精神和范圍的情況下，可以在示例性實施方式中作出形式和細節(jié)上的各種改變。