技術(shù)領(lǐng)域

描述的技術(shù)總地涉及一種顯示裝置。

背景技術(shù)：

隨著便攜式顯示裝置獲得普及，針對(duì)柔性顯示裝置的需求存在甚至更快速的增長(zhǎng)。

當(dāng)制造期間產(chǎn)生基板裂紋時(shí)，水分會(huì)透過(guò)整個(gè)顯示區(qū)域。這導(dǎo)致劣化和最終的故障。因此，精確檢測(cè)裂紋形成的時(shí)刻和位置是非常重要的。

作為示例，裂紋會(huì)沿著覆蓋顯示區(qū)域以及圍繞顯示區(qū)域的非顯示區(qū)域的薄膜層的邊緣產(chǎn)生。

在該背景部分中公開(kāi)的上述信息僅用于增強(qiáng)對(duì)所描述的技術(shù)的背景的理解，因此它可能包含不構(gòu)成對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言在該國(guó)已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

一個(gè)發(fā)明方面涉及一種顯示裝置，該顯示裝置能夠通過(guò)容易地檢測(cè)裂紋來(lái)防止在薄膜層(覆蓋顯示區(qū)域以及作為顯示裝置的邊緣的非顯示區(qū)域)的邊緣的部分處產(chǎn)生的裂紋所導(dǎo)致的顯示裝置的劣化。

另一個(gè)方面是一種顯示裝置，該顯示裝置包括：基底，被配置為包括顯示區(qū)域和形成在顯示區(qū)域的外圍區(qū)域中的非顯示區(qū)域；多個(gè)像素，形成在基底的顯示區(qū)域中；多條信號(hào)線，形成在基底中并且連接到像素；以及包封部分(或包封層)，形成在基底上，其中，多條信號(hào)線包括：形成在基底上的多條柵極線和多條數(shù)據(jù)線，以及連接到數(shù)據(jù)線中的第一數(shù)據(jù)線并且形成在與包 封部分疊置的部分處的第一裂紋感測(cè)線。

包封部分可以形成在顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域中，第一裂紋感測(cè)線可以形成在非顯示區(qū)域中。

顯示裝置還可以包括形成在包封部分上的觸摸部分(或觸摸層)，第一裂紋感測(cè)線可以形成在與觸摸部分的觸摸布線的層相同的層處。

信號(hào)線還可以包括形成在基底的非顯示區(qū)域中的第一信號(hào)線和第二信號(hào)線，第一裂紋感測(cè)線可以連接到第一數(shù)據(jù)線并且沿著顯示區(qū)域的一個(gè)邊緣以半圓(semi-circular)的形狀行進(jìn)，數(shù)據(jù)線可以通過(guò)第一晶體管連接到第一信號(hào)線并且通過(guò)第二晶體管連接到第二信號(hào)線。

第一裂紋感測(cè)線可以連接在第二信號(hào)線與第二晶體管之間。

顯示裝置還可以包括：第一柵極線，形成在基底的非顯示區(qū)域中并且連接到第一晶體管；以及第二柵極線，連接到第二晶體管。當(dāng)?shù)谝粬艠O導(dǎo)通電壓供應(yīng)給第一柵極線時(shí)，數(shù)據(jù)線可以從第一信號(hào)線接收第一信號(hào)，當(dāng)?shù)诙艠O導(dǎo)通電壓供應(yīng)給第二柵極線時(shí)，數(shù)據(jù)線可以從第二信號(hào)線接收第二信號(hào)。

第二柵極導(dǎo)通電壓可以在第一柵極導(dǎo)通電壓施加之后施加，并且第一信號(hào)和第二信號(hào)可以包括不同的信號(hào)。

顯示裝置還可以包括第二裂紋感測(cè)線，其連接到數(shù)據(jù)線中的第二數(shù)據(jù)線，形成為不與包封部分疊置，并且形成在非顯示區(qū)域中。

第二裂紋感測(cè)線可以形成在與柵極線的層相同的層處。

顯示裝置還可以包括絕緣層，其形成在第二裂紋感測(cè)線和柵極線之間以具有用于暴露第二裂紋感測(cè)線的一部分的接觸孔，并且第二裂紋感測(cè)線可以通過(guò)接觸孔連接到第二數(shù)據(jù)線。

第二裂紋感測(cè)線可以形成在與柵極線的層相同的層處。

信號(hào)線還可以包括形成在基底的非顯示區(qū)域中的第一信號(hào)線和第二信號(hào)線，第一裂紋感測(cè)線可以連接到第一數(shù)據(jù)線并且沿著顯示區(qū)域的一個(gè)邊緣以半圓的形狀行進(jìn)，第二裂紋感測(cè)線可以沿著顯示區(qū)域的邊緣平行于第一裂紋感測(cè)線以半圓的形狀行進(jìn)，數(shù)據(jù)線可以通過(guò)第一晶體管連接到第一信號(hào)線并且通過(guò)第二晶體管連接到第二信號(hào)線。

第一裂紋感測(cè)線可以連接在第二信號(hào)線與第二晶體管之間，第二裂紋感測(cè)線可以連接在第二信號(hào)線與第二晶體管之間。

另一個(gè)方面是一種顯示裝置，包括：基底，包括顯示區(qū)域和圍繞顯示區(qū) 域的非顯示區(qū)域；多個(gè)像素，形成在顯示區(qū)域中；多條信號(hào)線，形成在基底上并且電連接到像素；以及包封層，形成在基底上，其中，信號(hào)線包括：多條柵極線和多條數(shù)據(jù)線，形成在基底上，以及第一裂紋感測(cè)線，電連接到數(shù)據(jù)線中的第一數(shù)據(jù)線并且在顯示裝置的深度維度上與包封層疊置。

在上述顯示裝置中，包封層形成在顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域中，其中，第一裂紋感測(cè)線形成在非顯示區(qū)域中。上述顯示裝置還包括：觸摸層，包括觸摸布線并且形成在包封層上，其中，第一裂紋感測(cè)線與觸摸層的觸摸布線形成在同一層上。在上述顯示裝置中，信號(hào)線還包括形成在非顯示區(qū)域中的第一信號(hào)線和第二信號(hào)線，其中，第一裂紋感測(cè)線電連接到第一數(shù)據(jù)線，并且沿著顯示區(qū)域的邊緣基本以半圓的形狀延伸，其中，數(shù)據(jù)線經(jīng)由第一晶體管電連接到第一信號(hào)線，并且經(jīng)由第二晶體管電連接到第二信號(hào)線。

在上述顯示裝置中，第一裂紋感測(cè)線被電連接到第二信號(hào)線和第二晶體管。上述顯示裝置還包括：第一柵極線，形成在非顯示區(qū)域中并且電連接到第一晶體管；以及第二柵極線，電連接到第二晶體管，其中，數(shù)據(jù)線被配置為基于施加到第一柵極線的第一柵極導(dǎo)通電壓而從第一信號(hào)線接收第一信號(hào)，其中，數(shù)據(jù)線被配置為基于施加到第二柵極線的第二柵極導(dǎo)通電壓而從第二信號(hào)線接收第二信號(hào)。在上述顯示裝置中，第二柵極導(dǎo)通電壓被配置為在第一柵極導(dǎo)通電壓施加之后施加，其中，第一信號(hào)和第二信號(hào)不同。

上述顯示裝置還包括：電連接到數(shù)據(jù)線中的第二數(shù)據(jù)線的第二裂紋感測(cè)線，其中，第二裂紋感測(cè)線形成在非顯示區(qū)域中，并且在顯示裝置的深度維度上不與包封層疊置。在上述顯示裝置中，第二裂紋感測(cè)線與柵極線形成在同一層上。上述顯示裝置還包括絕緣層，該絕緣層具有接觸孔并且置于第二裂紋感測(cè)線和柵極線之間，其中，第二裂紋感測(cè)線經(jīng)由接觸孔連接到第二數(shù)據(jù)線。

在上述顯示裝置中，信號(hào)線還包括形成在非顯示區(qū)域中的第一信號(hào)線和第二信號(hào)線，其中，第一裂紋感測(cè)線電連接到第一數(shù)據(jù)線并且沿著顯示區(qū)域的邊緣基本以半圓的形狀延伸，其中，第二裂紋感測(cè)線沿著顯示區(qū)域的邊緣基本平行于第一裂紋感測(cè)線延伸，其中，數(shù)據(jù)線經(jīng)由第一晶體管電連接到第一信號(hào)線并且經(jīng)由第二晶體管電連接到第二信號(hào)線。在上述顯示裝置中，第一裂紋感測(cè)線電連接到第二信號(hào)線和第二晶體管，其中，第二裂紋感測(cè)線電連接到第二信號(hào)線和第二晶體管。

上述顯示裝置還包括：第一柵極線，形成在非顯示區(qū)域中并且電連接到第一晶體管；以及第二柵極線，電連接到第二晶體管，其中，數(shù)據(jù)線被配置為基于施加到第一柵極線的第一柵極導(dǎo)通電壓而從第一信號(hào)線接收第一信號(hào)，其中，數(shù)據(jù)線被配置為基于施加到第二柵極線的第二柵極導(dǎo)通電壓而從第二信號(hào)線接收第二信號(hào)。在上述顯示裝置中，第二柵極導(dǎo)通電壓被配置為在第一柵極導(dǎo)通電壓施加之后施加，其中，第一信號(hào)和第二信號(hào)不同。

在上述顯示裝置中，第二裂紋感測(cè)線與柵極線形成在同一層上。在上述顯示裝置中，信號(hào)線還包括形成在基底的非顯示區(qū)域中的第一信號(hào)線和第二信號(hào)線，其中，第一裂紋感測(cè)線電連接到第一數(shù)據(jù)線，并且沿著顯示區(qū)域的邊緣以半圓的形狀延伸，其中，第二裂紋感測(cè)線沿著顯示區(qū)域的邊緣基本平行于第一裂紋感測(cè)線延伸，其中，數(shù)據(jù)線經(jīng)由第一晶體管電連接到第一信號(hào)線并且經(jīng)由第二晶體管電連接到第二信號(hào)線。在上述顯示裝置中，第一裂紋感測(cè)線電連接到第二信號(hào)線和第二晶體管，其中，第二裂紋感測(cè)線電連接到第二信號(hào)線和第二晶體管。

上述顯示裝置還包括：第一柵極線，形成在基底的非顯示區(qū)域中并且電連接到第一晶體管；以及第二柵極線，電連接到第二晶體管，其中，數(shù)據(jù)線被配置為基于施加到第一柵極線的第一柵極導(dǎo)通電壓而從第一信號(hào)線接收第一信號(hào)，其中，數(shù)據(jù)線被配置為基于施加到第二柵極線的第二柵極導(dǎo)通電壓而從第二信號(hào)線接收第二信號(hào)。上述顯示裝置中，第二柵極導(dǎo)通電壓被配置為在第一柵極導(dǎo)通電壓施加之后施加，其中，第一信號(hào)和第二信號(hào)包括不同的信號(hào)。上述顯示裝置還包括：觸摸層，該觸摸層包括觸摸布線并且形成在包封層上，其中，第一裂紋感測(cè)線與觸摸布線形成在同一層中。

另一個(gè)方面是一種顯示裝置，該顯示裝置包括：基底，包括顯示區(qū)域和圍繞顯示區(qū)域的非顯示區(qū)域；多個(gè)像素，形成在顯示區(qū)域中；包封層，形成在基底上；多條數(shù)據(jù)線，形成在基底上；以及第一裂紋感測(cè)線，形成在非顯示區(qū)域中并且電連接到數(shù)據(jù)線中的第一數(shù)據(jù)線，其中，第一裂紋感測(cè)線在顯示裝置的深度維度上與包封層疊置。

上述顯示裝置還包括：電連接到數(shù)據(jù)線中的第二數(shù)據(jù)線的第二裂紋感測(cè)線，其中，第二裂紋感測(cè)線形成在非顯示區(qū)域中，并且在顯示裝置的深度維度上不與包封層疊置。在上述顯示裝置中，第二裂紋感測(cè)線比包封層更遠(yuǎn)離第一裂紋感測(cè)線。

根據(jù)公開(kāi)的實(shí)施例中的至少一個(gè)，能夠容易地檢測(cè)覆蓋顯示裝置的顯示區(qū)域以及邊緣的薄膜層的裂紋，以防止顯示裝置的劣化。

附圖說(shuō)明

圖1是根據(jù)示例性實(shí)施例的顯示裝置的俯視圖。

圖2是根據(jù)示例性實(shí)施例的顯示裝置的電路圖。

圖3是示出根據(jù)示例性實(shí)施例的顯示裝置的信號(hào)的波形圖。

圖4A、圖4B和圖4C是在圖3的第一時(shí)間段和第二時(shí)間段期間供應(yīng)給像素的電壓的波形圖。

圖5是示出圖3中示出的測(cè)試晶體管和裂紋感測(cè)線之間以及測(cè)試晶體管和電阻器之間的連接結(jié)構(gòu)的俯視圖。

圖6是沿著圖5的線I-I’截取的剖視圖。

圖7是沿著圖5的線II-II’截取的剖視圖。

圖8是部分地示出圖2中示出的顯示裝置的剖視圖。

圖9是部分地示出根據(jù)另一個(gè)示例性實(shí)施例的圖2中示出的顯示裝置的剖視圖。

具體實(shí)施方式

在下文中，將參照示出所描述的技術(shù)的示例性實(shí)施例的附圖來(lái)更充分地描述所述的技術(shù)。本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到，在全部不脫離所描述的技術(shù)的精神或范圍的情況下，可以以各種不同的方式修改所描述的實(shí)施例。

在附圖中，為了清晰起見(jiàn)，夸大層、膜、面板、區(qū)域等的厚度。在整個(gè)說(shuō)明書中，相同的附圖標(biāo)記指示相同的元件。將理解，當(dāng)諸如層、膜、區(qū)域或基底的元件被稱為“在”另一元件“上”時(shí)，該元件可以直接在另一個(gè)元件上，或者也可以存在中間元件。相反，當(dāng)元件被稱為“直接在”另一個(gè)元件“上”時(shí)，不存在中間元件。在本公開(kāi)中，術(shù)語(yǔ)“基本上”包括完全、幾乎完全、或者在一些應(yīng)用下并對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)達(dá)到任何顯著程度的含義。此外，“形成在……上”也可指“形成在……上方”。術(shù)語(yǔ)“連接”可包括電連接。

首先，將參照?qǐng)D1描述根據(jù)示例性實(shí)施例的顯示裝置。

圖1是根據(jù)示例性實(shí)施例的顯示裝置的俯視圖。

參照?qǐng)D1，根據(jù)本示例性實(shí)施例的顯示裝置包括基底SUB、包封部分EN和觸摸部分TM。

基底SUB是包括玻璃、聚合物的絕緣基底或不銹鋼。基底SUB可以是柔性的、可伸縮的、可折疊的、可彎曲的或可卷曲的。由于基底SUB是柔性的、可伸縮的、可折疊的、可彎曲的或可卷曲的，所以顯示裝置可以是完全柔性的、可伸縮的、可折疊的、可彎曲的或可卷曲的。例如，基底SUB形成為包括諸如聚酰亞胺等樹(shù)脂的柔性膜。

基底SUB包括用于顯示圖像的顯示區(qū)域DA和形成為圍繞顯示區(qū)域DA的非顯示區(qū)域NDA。盡管在本示例性實(shí)施例中已經(jīng)將非顯示區(qū)域NDA描述為圍繞顯示區(qū)域DA，但是在根據(jù)另一個(gè)示例性實(shí)施例的顯示裝置中，非顯示區(qū)域NDA可以形成在顯示區(qū)域DA的相對(duì)側(cè)處。

基底SUB的顯示區(qū)域DA包括多個(gè)像素。一個(gè)像素是用于顯示圖像的最小單元。

包封部分(或包封層)EN遍布整個(gè)顯示區(qū)域DA和非顯示區(qū)域NDA地形成在基底SUB上，并且與基底SUB一起包封顯示區(qū)域DA的像素。包封部分EN可以形成為薄膜包封部分。包封部分EN包括形成在顯示區(qū)域DA上的有機(jī)層OL和形成在有機(jī)層OL上的無(wú)機(jī)層IL。根據(jù)另一個(gè)示例性實(shí)施例的包封部分EN可以包括交替堆疊的一個(gè)或多個(gè)有機(jī)層以及一個(gè)或多個(gè)無(wú)機(jī)層。例如，無(wú)機(jī)層和有機(jī)層分別包括多個(gè)無(wú)機(jī)層和多個(gè)有機(jī)層，無(wú)機(jī)層和有機(jī)層可以分別交替地堆疊。例如，包封部分EN包括在至少兩個(gè)無(wú)機(jī)層之間插入至少一個(gè)有機(jī)層的至少一個(gè)夾層結(jié)構(gòu)。

在下文中，將參照?qǐng)D1和圖2描述根據(jù)示例性實(shí)施例的顯示裝置的設(shè)置。圖2是根據(jù)示例性實(shí)施例的顯示裝置的電路圖。

參照?qǐng)D1和圖2，根據(jù)本示例性實(shí)施例的顯示裝置包括形成有多個(gè)像素RP的顯示區(qū)域DA和形成在顯示區(qū)域周圍的非顯示區(qū)域NDA。

根據(jù)示例性實(shí)施例的顯示裝置包括形成在基底SUB上的多個(gè)像素RP和多條信號(hào)線，像素RP形成在基底SUB的顯示區(qū)域DA中，信號(hào)線的至少一部分形成在基底SUB的非顯示區(qū)域NDA上。

信號(hào)線包括形成在基底SUB的顯示區(qū)域DA中的柵極線S1-Sn和數(shù)據(jù)線D1a-Dma以及形成在基底SUB的非顯示區(qū)域NDA中的第一裂紋感測(cè)線CD1、第二裂紋感測(cè)線CD2、第三裂紋感測(cè)線CD11和第四裂紋感測(cè)線CD22。應(yīng)當(dāng) 理解，信號(hào)線不限于此，信號(hào)線還可以包括設(shè)置在非顯示區(qū)域NDA中的未示出的其他信號(hào)線。

第一裂紋感測(cè)線CD1和第二裂紋感測(cè)線CD2形成在與在觸摸部分(或觸摸層)TM處形成的觸摸布線的層相同的層上。第一裂紋感測(cè)線CD1和第二裂紋感測(cè)線CD2形成在包封部分EN上。第三裂紋感測(cè)線CD11和第四裂紋感測(cè)線CD22與信號(hào)線的一部分(例如，柵極布線或數(shù)據(jù)布線)形成在同一層上。第三裂紋感測(cè)線CD11和第四裂紋感測(cè)線CD22形成在非顯示區(qū)域NDA中，并且在基底SUB的不與包封部分EN疊置的邊緣處。

形成有第一裂紋感測(cè)線CD1、第二裂紋感測(cè)線CD2、第三裂紋感測(cè)線CD11和第四裂紋感測(cè)線CD22的非顯示區(qū)域NDA可以彎曲。

數(shù)據(jù)焊盤DP1-DPo，初始化控制焊盤IP1、IP2和IP3，第一測(cè)試控制焊盤TP1，測(cè)試電壓焊盤TVP1和TVP2，初始化晶體管IT1、IT2和IT3，測(cè)試晶體管TT1和電阻器R形成在基底SUB的非顯示區(qū)域NDA中。這里，“o”表示大于m的正整數(shù)。

數(shù)據(jù)焊盤DP1-DPo通過(guò)初始化晶體管IT1、IT2和IT3連接到數(shù)據(jù)線D1a-Dma。在開(kāi)始時(shí)，可以將初始化電壓供應(yīng)給數(shù)據(jù)焊盤DP1-DPo。

盡管未示出，但是顯示裝置還可以包括源極驅(qū)動(dòng)IC。在這種情況下，數(shù)據(jù)焊盤DP1-DPo連接到源極驅(qū)動(dòng)IC。具體地，源極驅(qū)動(dòng)IC可以將數(shù)據(jù)電壓供應(yīng)給數(shù)據(jù)焊盤DP1-DPo，使得數(shù)據(jù)電壓被供應(yīng)給顯示裝置的數(shù)據(jù)線D1a-Dma。

在示出的示例性實(shí)施例中，形成了初始化控制焊盤IP1、IP2和IP3以及初始化晶體管IT1、IT2和IT3。在這種情況下，第一初始化控制焊盤IP1可以連接到第一初始化晶體管IT1的控制電極，第二初始化控制焊盤IP2可以連接到第二初始化晶體管IT2的控制電極，第三初始化控制焊盤IP3可以連接到第三初始化晶體管IT3的控制電極。第一初始化信號(hào)、第二初始化信號(hào)和第三初始化信號(hào)可以分別供應(yīng)給第一初始化控制焊盤IP1、第二初始化控制焊盤IP2和第三初始化控制焊盤IP3。

第一測(cè)試控制焊盤TP1連接到測(cè)試晶體管TT1的每個(gè)控制電極。測(cè)試控制信號(hào)供應(yīng)給第一測(cè)試控制焊盤TP1。

測(cè)試電壓焊盤TVP1和TVP2連接到測(cè)試晶體管TT1的第一電極。測(cè)試電壓供應(yīng)給測(cè)試電壓焊盤TVP1和TVP2。相同的測(cè)試電壓或不同的測(cè)試電壓 可以供應(yīng)給第一測(cè)試電壓焊盤TVP1和第二測(cè)試電壓焊盤TVP2。例如，第一測(cè)試電壓供應(yīng)給第一測(cè)試電壓焊盤TVP1，第二測(cè)試電壓供應(yīng)給第二測(cè)試電壓焊盤。在這一點(diǎn)上，第一測(cè)試電壓可以與第二測(cè)試電壓相同或不同。

初始化晶體管IT1、IT2和IT3連接在數(shù)據(jù)線D1a-Dma和數(shù)據(jù)焊盤DP1-DPo之間。第一初始化晶體管IT1的控制電極可以連接到第一初始化控制焊盤IP1，第二初始化晶體管IT2的控制電極可以連接到第二初始化控制焊盤IP2，第三初始化晶體管IT3的控制電極可以連接到第三初始化控制焊盤IP3。

例如，每個(gè)第一初始化晶體管IT1的控制電極連接到第一初始化控制焊盤IP1，其第一電極連接到數(shù)據(jù)線D1a-Dma中的相應(yīng)的一條數(shù)據(jù)線，其第二電極連接到數(shù)據(jù)焊盤DP1-DPo中的相應(yīng)的一個(gè)數(shù)據(jù)焊盤。每個(gè)第二初始化晶體管IT2的控制電極可以連接到第二初始化控制焊盤IP2，其第一電極可以連接到數(shù)據(jù)線D1a-Dma中的相應(yīng)的一條數(shù)據(jù)線，其第二電極可以連接到數(shù)據(jù)焊盤中DP1-DPo的相應(yīng)的一個(gè)數(shù)據(jù)焊盤。每個(gè)第三初始化晶體管IT3的控制電極可以連接到第三初始化控制焊盤IP3，其第一電極可以連接到數(shù)據(jù)線D1a-Dma中的相應(yīng)的一條數(shù)據(jù)線，其第二電極可以連接到數(shù)據(jù)焊盤DP1-DPo中的相應(yīng)的一個(gè)數(shù)據(jù)焊盤。

測(cè)試晶體管TT1可以連接在數(shù)據(jù)線D1a-Dma與測(cè)試電壓焊盤TVP1和TVP2之間。測(cè)試晶體管TT1的控制電極連接到第一測(cè)試控制焊盤TP1。例如，每個(gè)測(cè)試晶體管TT1的控制電極連接到第一測(cè)試控制焊盤TP1，第一電極連接到測(cè)試電壓焊盤TVP1和TVP2中的相應(yīng)的一個(gè)測(cè)試電壓焊盤，第二電極連接到數(shù)據(jù)線D1a-Dma中的相應(yīng)的一條數(shù)據(jù)線。另外，顯示裝置還可以包括位于非顯示區(qū)域NDA中的第一柵極線和第二柵極線，第一柵極線與初始化晶體管電連接，第二柵極線與測(cè)試晶體管電連接，如圖2中所示。

裂紋感測(cè)線可以形成在測(cè)試電壓焊盤與測(cè)試晶體管TT1的第一電極之間。

第一裂紋感測(cè)線CD1形成在第一測(cè)試電壓焊盤TVP1與連接到第一數(shù)據(jù)線D1b的測(cè)試晶體管TT1的第一電極之間，第二裂紋感測(cè)線CD2形成在第二測(cè)試電壓焊盤TVP2與連接到第二數(shù)據(jù)線Dmb的測(cè)試晶體管TT1的第一電極之間。第三裂紋感測(cè)線CD11形成在第二測(cè)試電壓焊盤TVP2與連接到第三數(shù)據(jù)線D1a的測(cè)試晶體管TT1的第一電極之間，第四裂紋感測(cè)線CD22形 成在第一測(cè)試電壓焊盤TVP1與連接到第四數(shù)據(jù)線Dma的測(cè)試晶體管TT1的第一電極之間。

第一裂紋感測(cè)線CD1、第二裂紋感測(cè)線CD2、第三裂紋感測(cè)線CD11和第四裂紋感測(cè)線CD22可以形成在非顯示區(qū)域NDA中，其中，非顯示區(qū)域NDA形成在顯示區(qū)域DA的外側(cè)。例如，第一裂紋感測(cè)線CD1和第三裂紋感測(cè)線CD11形成在顯示區(qū)域DA的外部左側(cè)，第二裂紋感測(cè)線CD2和第四裂紋感測(cè)線CD22形成在顯示區(qū)域DA的外部右側(cè)。此外，當(dāng)在形成在顯示區(qū)域DA的外側(cè)處的非顯示區(qū)域NDA中形成了柵極驅(qū)動(dòng)器(未示出)時(shí)，第一裂紋感測(cè)線CD1、第二裂紋感測(cè)線CD2、第三裂紋感測(cè)線CD11和第四裂紋感測(cè)線CD22可以形成在比柵極驅(qū)動(dòng)器更外側(cè)。

第一裂紋感測(cè)線CD1、第二裂紋感測(cè)線CD2、第三裂紋感測(cè)線CD11和第四裂紋感測(cè)線CD22中的每條裂紋感測(cè)線可以形成為在顯示區(qū)域DA的外側(cè)周圍行進(jìn)。

第一裂紋感測(cè)線CD1和第三裂紋感測(cè)線CD11可以形成為在顯示區(qū)域DA的外部左側(cè)周圍行進(jìn)，第二裂紋感測(cè)線CD2和第四裂紋感測(cè)線CD22可以形成為在顯示區(qū)域DA的外部右側(cè)周圍行進(jìn)。

電阻器R可以形成在測(cè)試電壓焊盤TVP1和TVP2與測(cè)試晶體管TT1的未連接到第一裂紋感測(cè)線CD1、第二裂紋感測(cè)線CD2、第三裂紋感測(cè)線CD11和第四裂紋感測(cè)線CD22的第一電極之間。通過(guò)電阻器R的活動(dòng)，能夠根據(jù)第一裂紋感測(cè)線CD1、第二裂紋感測(cè)線CD2、第三裂紋感測(cè)線CD11和第四裂紋感測(cè)線CD22的布線電阻來(lái)補(bǔ)償測(cè)試電壓差。

在示出的示例性實(shí)施例中，測(cè)試晶體管TT1和電阻器R示出為形成在非顯示區(qū)域NDA的上部分處。數(shù)據(jù)焊盤DP1-DPo，初始化控制焊盤IP1、IP2和IP3，第一測(cè)試控制焊盤TP1，測(cè)試電壓焊盤TVP1和TVP2，初始化晶體管IT1、IT2和IT3示出為形成在非顯示區(qū)域NDA的下部分處。然而，非顯示區(qū)域NDA的焊盤單元、晶體管和信號(hào)線的設(shè)置不限于此。例如，非顯示區(qū)域NDA中的信號(hào)線還可以包括與數(shù)據(jù)焊盤DP1-DPo連接的第一信號(hào)線(未示出)以及與測(cè)試電壓焊盤TVP1和TVP2連接的第二信號(hào)線(未示出)，從而數(shù)據(jù)線經(jīng)由數(shù)據(jù)焊盤連接到第一信號(hào)線以接收第一信號(hào)(例如，初始化電壓)，裂紋感測(cè)線經(jīng)由測(cè)試電壓焊盤電連接到第二信號(hào)線以接收第二信號(hào)(例如，測(cè)試電壓)。

在下文中，將參照?qǐng)D3描述供應(yīng)給顯示裝置的信號(hào)。圖3是示出根據(jù)示例性實(shí)施例的顯示裝置的信號(hào)的波形圖。

在圖3中，示出了供應(yīng)給初始化控制焊盤IP1、IP2和IP3的初始化信號(hào)IS1、IS2和IS3，供應(yīng)給第一測(cè)試控制焊盤TP1的測(cè)試控制信號(hào)TS，供應(yīng)給數(shù)據(jù)焊盤DP1-DPo的初始化電壓IV，供應(yīng)給測(cè)試電壓焊盤TVP1和TVP2的測(cè)試電壓TV，以及第一至第三和第n掃描信號(hào)SCAN1、SCAN2、SCAN3和SCANn。

參照?qǐng)D3，一個(gè)幀周期包括多個(gè)水平周期，一個(gè)水平周期包括第一時(shí)間段t1和第二時(shí)間段t2。一個(gè)幀周期表示將數(shù)據(jù)電壓供應(yīng)給顯示面板的所有像素的時(shí)間段，一個(gè)水平周期表示將數(shù)據(jù)電壓供應(yīng)給與一條掃描線連接的像素的時(shí)間段。

第一初始化信號(hào)IS1在奇數(shù)水平周期oh的第一時(shí)間段t1期間形成為具有第一柵極導(dǎo)通電壓Von1，并且在奇數(shù)水平周期oh的第二時(shí)間段t2和偶數(shù)水平周期eh期間形成為具有第一柵極截止電壓Voff1。第二初始化信號(hào)IS2在偶數(shù)水平周期eh的第一時(shí)間段t1期間形成為具有第一柵極導(dǎo)通電壓Von1，并且在偶數(shù)水平周期eh的第二時(shí)間段t2和奇數(shù)水平周期oh期間形成為具有第一柵極截止電壓Voff1。第三初始化信號(hào)IS3在每個(gè)水平周期的第一時(shí)間段t1期間形成為具有第一柵極導(dǎo)通電壓Von1，并且在第二時(shí)間段t2期間形成為具有第一柵極截止電壓Voff1。

測(cè)試控制信號(hào)TS在每個(gè)水平周期的第一時(shí)間段t1期間形成為具有第一柵極截止電壓Voff1，并且在每個(gè)水平周期的第二時(shí)間段t2期間形成為具有第一柵極導(dǎo)通電壓Von1。如圖3中所示，當(dāng)初始化晶體管IT1、IT2和IT3以及測(cè)試晶體管TT1被形成為P型時(shí)，第一柵極導(dǎo)通電壓Von1可以具有比第一柵極截止電壓Voff1的電壓電平低的電壓電平。即，測(cè)試控制信號(hào)TS和第三初始化信號(hào)IS3可以具有彼此相反的電平，如圖3中所示。

初始化電壓IV可以被設(shè)置為峰值白灰度電壓PWV(peak white gray voltage)，測(cè)試電壓TV可以被設(shè)置為峰值黑灰度電壓PBV(peak black gray voltage)。當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管DT被形成為P型時(shí)，峰值白灰度電壓PWV的電壓電平可以比峰值黑灰度電壓PBV的電壓電平低，如圖3所示。同時(shí)，圖3僅示出初始化電壓IV和測(cè)試電壓TV的示例，因此初始化電壓IV和測(cè)試電壓TV不限于此。

第一至第三和第n掃描信號(hào)SCAN1、SCAN2、SCAN3和SCANn可以在每個(gè)水平周期的第一時(shí)間段t1期間形成為具有第二柵極截止電壓Voff2并且可以在每個(gè)水平周期的第二時(shí)間段t2之內(nèi)形成為具有第二柵極導(dǎo)通電壓Von2。盡管圖3示出第一至第三和第n掃描信號(hào)SCAN1、SCAN2、SCAN3和SCANn在每個(gè)水平周期的第二時(shí)間段t2內(nèi)的比第二時(shí)間段t2短的時(shí)間段期間形成為具有第二柵極導(dǎo)通電壓Von2，但是本示例性實(shí)施例不限于此。例如，第一至第三和第n掃描信號(hào)SCAN1、SCAN2、SCAN3和SCANn在每個(gè)水平周期的第二時(shí)間段t2期間形成為具有第二柵極導(dǎo)通電壓Von2。當(dāng)掃描晶體管ST被形成為P型時(shí)，第二柵極導(dǎo)通電壓Von2可以具有比第二柵極截止電壓Voff2的電壓電平低的電壓電平，如圖3所示。

同時(shí)，當(dāng)像素RP的掃描晶體管ST被設(shè)計(jì)為與第一至第三初始化晶體管IT1、IT2和IT3及測(cè)試晶體管TT1具有相同的晶體管特性時(shí)，第二柵極導(dǎo)通電壓Von2可以與第一柵極導(dǎo)通電壓Von1具有基本相同的電壓電平，第二柵極截止電壓Voff2可以與第一柵極截止電壓Voff1具有相同的電壓電平。

在下文中，將參照?qǐng)D4A至圖4C以及圖2和圖3來(lái)詳細(xì)描述根據(jù)示例性實(shí)施例的顯示裝置的裂紋檢查方法。圖4A至圖4C是在圖3的第一時(shí)間段和第二時(shí)間段期間供應(yīng)給像素的電壓的波形圖。

首先，在奇數(shù)水平周期oh的第一時(shí)間段t1期間，第一初始化信號(hào)IS1和第三初始化信號(hào)IS3形成為具有第一柵極導(dǎo)通電壓Von1。第二初始化信號(hào)IS2和測(cè)試控制信號(hào)TS形成為具有第一柵極截止電壓Voff1。因此，第一初始化晶體管IT1和第三初始化晶體管IT3導(dǎo)通，第二初始化晶體管IT2和測(cè)試晶體管TT1截止。結(jié)果，初始化電壓IV通過(guò)第一初始化晶體管IT1和第三初始化晶體管IT3供應(yīng)給數(shù)據(jù)線D1a-Dma。

接著，在奇數(shù)水平周期oh的第二時(shí)間段t2期間，第一至第三初始化信號(hào)IS1、IS2和IS3形成為具有第一柵極截止電壓Voff1，測(cè)試控制信號(hào)TS形成為具有第一柵極導(dǎo)通電壓Von1。因此，第一至第三初始化晶體管IT1、IT2和IT3截止，測(cè)試晶體管TT1導(dǎo)通。結(jié)果，測(cè)試電壓TV通過(guò)測(cè)試晶體管TT1供應(yīng)給數(shù)據(jù)線D1a-Dma。

此外，當(dāng)?shù)谝粧呙栊盘?hào)SCAN1在奇數(shù)水平周期oh的第二時(shí)間段t2之內(nèi)形成為具有第二柵極導(dǎo)通電壓Von2時(shí)，數(shù)據(jù)線D1a-Dma的電壓被供應(yīng)到與第一掃描線S1連接的像素RP。

在初始化電壓IV為峰值白灰度電壓PWV并且測(cè)試電壓TV為峰值黑灰度電壓PBV的情況下，如圖4A所示，將要供應(yīng)給像素RP的電壓在第一時(shí)間段t1期間減小至峰值白灰度電壓PWV并且在第二時(shí)間段t2期間增大至峰值黑灰度電壓PBV。然而，當(dāng)顯示裝置中產(chǎn)生裂紋時(shí)，數(shù)據(jù)線D1a-Dma或第一至第四裂紋感測(cè)線CD1、CD2、CD11和CD22會(huì)斷開(kāi)，或者數(shù)據(jù)線D1a-Dma或第一至第四裂紋感測(cè)線CD1、CD2、CD11和CD22的布線電阻會(huì)增大。

例如，當(dāng)數(shù)據(jù)線D1a-Dma或第一至第四裂紋感測(cè)線CD1、CD2、CD11和CD22因顯示裝置中產(chǎn)生的裂紋而斷開(kāi)時(shí)，如圖4B中所示，在第二時(shí)間段t2期間沒(méi)有峰值黑灰度電壓PBV，將要供應(yīng)給像素RP的電壓在第一時(shí)間段t1期間減小至峰值白灰度電壓PWV并且在第二時(shí)間段t2期間保持為峰值白灰度電壓PWV。結(jié)果，由于與因裂紋而斷開(kāi)的數(shù)據(jù)線或裂紋感測(cè)線連接的像素RP顯示峰值白灰度，所以可以觀察到強(qiáng)亮線。

此外，在數(shù)據(jù)線D1a-Dma或第一至第四裂紋感測(cè)線CD1、CD2、CD11和CD22的布線電阻因顯示裝置中產(chǎn)生的裂紋而增大的情況下，雖然在第二時(shí)間段t2期間供應(yīng)峰值黑灰度電壓PBV，但是如圖4C中所示，由于布線電阻的增大，導(dǎo)致將要供應(yīng)給像素RP的電壓在第一時(shí)間段t1期間減小至其峰值白灰度電壓PWV，但是在第二時(shí)間段t2期間沒(méi)有增大至峰值黑灰度電壓PBV。結(jié)果，與因產(chǎn)生的裂紋導(dǎo)致布線電阻增大的數(shù)據(jù)線或裂紋感測(cè)線連接的像素RP顯示灰灰度，可以觀察到弱亮線。

如上所述，根據(jù)本示例性實(shí)施例，通過(guò)在每個(gè)水平周期的第一時(shí)間段t1期間借助初始化晶體管IT1、IT2和IT3供應(yīng)初始化電壓IV并且在每個(gè)水平周期的第二時(shí)間段t2期間借助測(cè)試晶體管TT1供應(yīng)測(cè)試電壓TV，能夠通過(guò)使用數(shù)據(jù)線D1a-Dma的斷開(kāi)或其布線電阻的變化以及在顯示區(qū)域DA的外面形成的裂紋感測(cè)線的斷開(kāi)或其布線電阻的變化，來(lái)確定顯示裝置中是否產(chǎn)生裂紋。結(jié)果，當(dāng)觀察到強(qiáng)或弱的亮線時(shí)，確定產(chǎn)生了裂紋。

如此，根據(jù)本示例性實(shí)施例的顯示裝置，當(dāng)在顯示區(qū)域DA周圍形成的非顯示區(qū)域NDA的形成包封部分EN的部分處產(chǎn)生裂紋時(shí)，從與包封部分EN疊置的第一裂紋感測(cè)線CD1和第二裂紋感測(cè)線CD2所連接的數(shù)據(jù)線相連的像素觀察到強(qiáng)或弱的亮線。

此外，當(dāng)形成在顯示區(qū)域DA周圍的非顯示區(qū)域NDA的最外部處產(chǎn)生裂紋時(shí)，損壞被施加到在顯示區(qū)域DA周圍形成的非顯示區(qū)域NDA的最外部 分處形成的第三裂紋感測(cè)線CD11和第四裂紋感測(cè)線CD22。因此，從與第三裂紋感測(cè)線CD11和第四裂紋感測(cè)線CD22所連接的數(shù)據(jù)線相連的像素觀察到強(qiáng)或弱的亮線。

如此，根據(jù)本示例性實(shí)施例的顯示裝置，能夠檢測(cè)從形成包封部分EN的區(qū)域以及未形成包封部分EN的非顯示區(qū)域NDA產(chǎn)生的裂紋。

在下文中，將參照?qǐng)D5至圖7描述測(cè)試晶體管與裂紋感測(cè)線之間和測(cè)試晶體管與電阻器之間的連接結(jié)構(gòu)。圖5是示出圖2中所示的測(cè)試晶體管與裂紋感測(cè)線之間和測(cè)試晶體管與電阻器之間的連接結(jié)構(gòu)的俯視圖，圖6是沿著圖5的線I-I’截取的剖視圖，圖7是沿著圖5的線II-II’截取的剖視圖。

為了便于描述，圖5中僅示出三條數(shù)據(jù)線D1、D2和D3以及與其連接的三個(gè)測(cè)試晶體管TT1。

在圖6中，與裂紋感測(cè)線CD連接的測(cè)試晶體管TT1被稱為第一測(cè)試晶體管TT1-1，與電阻器R連接的測(cè)試晶體管TT1分別被稱為第二測(cè)試晶體管TT1-2。

參照?qǐng)D5和圖6，第一測(cè)試晶體管TT1-1的控制電極TT_G在預(yù)定區(qū)域與第一有源層TT_ACT疊置。第一測(cè)試晶體管TT1-1的第一有源層TT_ACT的第一端通過(guò)第一接觸孔CNT1連接到數(shù)據(jù)線D1，并且第一有源層TT_ACT的第二端通過(guò)第二接觸孔CNT2連接到裂紋感測(cè)線CD的第一端。如圖2中所示，裂紋感測(cè)線CD形成為在顯示區(qū)域DA的外側(cè)周圍行進(jìn)。在這種情況下，裂紋感測(cè)線CD的第二端通過(guò)第三接觸孔CNT3連接到橋電極BE。橋電極BE可以通過(guò)第四接觸孔CNT4連接到測(cè)試電壓線TVL。測(cè)試電壓線TVL是與被供給測(cè)試電壓TV的測(cè)試電壓焊盤TVP1和TVP2中的任意一個(gè)測(cè)試電壓焊盤相連的線。

橋電極BE和第一測(cè)試晶體管TT1-1的控制電極TT_G可以形成在第一金屬圖案中，第一測(cè)試晶體管TT1-1的第一有源層TT_ACT可以形成在半導(dǎo)體圖案中，而數(shù)據(jù)線D1和測(cè)試電壓線TVL可以形成在第二金屬圖案中。在這里，第一金屬圖案可以是柵極金屬圖案，第二金屬圖案可以是源極/漏極金屬圖案。半導(dǎo)體圖案可以由多晶硅形成，但是本示例性實(shí)施例不限于此。例如，半導(dǎo)體圖案由單晶硅、非晶硅或氧化物半導(dǎo)體材料形成。柵極絕緣層GI可以形成在第一金屬圖案和半導(dǎo)體圖案之間，以使第一金屬圖案和半導(dǎo)體圖案彼此絕緣。此外，絕緣層IL可以形成在半導(dǎo)體圖案與第二金屬圖案之間以 使半導(dǎo)體圖案與第二金屬圖案彼此絕緣。在示出的示例性實(shí)施例中，已經(jīng)將裂紋感測(cè)線CD描述為形成在與數(shù)據(jù)線D1和測(cè)試電壓線TVL的層相同的層上。然而，根據(jù)另一個(gè)示例性實(shí)施例，第一裂紋感測(cè)線CD1和第二裂紋感測(cè)線CD2可以形成在與觸摸部分TM處形成的觸摸布線的層相同的層上，第三裂紋感測(cè)線CD11和第四裂紋感測(cè)線CD22可以形成在與顯示區(qū)域DA中形成的信號(hào)線的一部分(例如，柵極布線或數(shù)據(jù)布線)的層相同的層上。

參照?qǐng)D5和圖7，第二測(cè)試晶體管TT1-2的控制電極TT_G在預(yù)定區(qū)域處與第一有源層TT_ACT疊置。第二測(cè)試晶體管TT1-2的第一有源層TT_ACT的第一端通過(guò)第一接觸孔CNT1連接到兩條數(shù)據(jù)線D2和D3中的任意一條，第一有源層TT_ACT的第二端通過(guò)第五接觸孔CNT5連接到橋電極BE。橋電極BE可以通過(guò)第四接觸孔CNT4連接到測(cè)試電壓線TVL。

橋電極BE和第二測(cè)試晶體管TT1-2的控制電極TT_G可以形成在第一金屬圖案中，第二測(cè)試晶體管TT1-2的第一有源層TT_ACT可以形成在半導(dǎo)體圖案中，兩條數(shù)據(jù)線D2和D3以及測(cè)試電壓線TVL可以形成在第二金屬圖案中。這里，第一金屬圖案可以是柵極金屬圖案，第二金屬圖案可以是源極/漏極金屬圖案。半導(dǎo)體圖案可以由多晶硅形成，但是本示例性實(shí)施例不限于此。例如，半導(dǎo)體圖案由單晶硅、非晶硅或氧化物半導(dǎo)體材料形成。柵極絕緣層GI可以形成在第一金屬圖案和半導(dǎo)體圖案之間以使第一金屬圖案和半導(dǎo)體圖案彼此絕緣。此外，絕緣層IL可以形成在半導(dǎo)體圖案與第二金屬圖案之間以使半導(dǎo)體圖案與第二金屬圖案彼此絕緣。

同時(shí)，第二測(cè)試晶體管TT1-2的第一有源層TT_ACT被形成為比第一測(cè)試晶體管TT1-1的第一有源層TT_ACT長(zhǎng)。例如，被形成為比第一測(cè)試晶體管TT1-1的第一有源層TT_ACT長(zhǎng)的第二測(cè)試晶體管TT1-2的第一有源層TT_ACT用作電阻器R。例如，第二測(cè)試晶體管TT1-2的摻雜有雜質(zhì)的第一有源層TT_ACT起電阻器R的作用。在這種情況下，通過(guò)將電阻器R的電阻設(shè)計(jì)為與裂紋感測(cè)線CD的布線電阻基本相同，能夠使因裂紋感測(cè)線CD的布線電阻所導(dǎo)致的測(cè)試電壓的偏差最小化。

在下文中，除了圖1和圖2以外還將參照?qǐng)D8描述根據(jù)示例性實(shí)施例的顯示裝置的層結(jié)構(gòu)。圖8是部分地示出圖2中所示的顯示裝置的剖視圖。

參照?qǐng)D8以及圖1和圖2，顯示區(qū)域DA的每個(gè)像素包括有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)和與其連接的薄膜晶體管(TFT)。

TFT包括第二有源層AL、柵電極GE、源電極SE和漏電極DE。

第二有源層AL可以由多晶硅或氧化物半導(dǎo)體形成。氧化物半導(dǎo)體可以包括以下中的任意一種：諸如鈦(Ti)、鉿(Hf)、鋯(Zr)、鋁(Al)、鉭(Ta)、鍺(GE)、鋅(Zn)、鎵(Ga)、錫(Sn)或銦(In)的氧化物，以及諸如銦鎵鋅氧化物(InGaZnO₄)、銦鋅氧化物(Zn-In-O)、鋅錫氧化物(Zn-Sn-O)、銦鎵氧化物(In-Ga-O)、銦錫氧化物(In-Sn-O)、銦鋯氧化物(In-Zr-O)、銦鋯鋅氧化物(In-Zr-Zn-O)、銦鋯錫氧化物(In-Zr-Sn-O)、銦鋯鎵氧化物(In-Zr-Ga-O)、銦鋁氧化物(In-Al-O)、銦鋅鋁氧化物(In-Zn-Al-O)、銦錫鋁氧化物(In-Sn-Al-O)、銦鋁鎵氧化物(In-Al-Ga-O)、銦鉭氧化物(In-Ta-O)、銦鉭鋅氧化物(In-Ta-Zn-O)、銦鉭錫氧化物(In-Ta-Sn-O)、銦鉭鎵氧化物(In-Ta-Ga-O)、銦鍺氧化物(In-Ge-O)、銦鍺鋅氧化物(In-Ge-Zn-O)、銦鍺錫氧化物(In-Ge-Sn-O)、銦鍺鎵氧化物(In-Ge-Ga-O)、鈦銦鋅氧化物(Ti-In-Zn-O)和鉿銦鋅氧化物(Hf-In-Zn-O)的復(fù)合氧化物。

第二有源層AL包括未摻雜有雜質(zhì)的溝道區(qū)和通過(guò)被摻雜有雜質(zhì)而形成在溝道區(qū)的相對(duì)側(cè)上的源極區(qū)和漏極區(qū)。這里，這些雜質(zhì)可以根據(jù)薄膜晶體管的類型而變化，并且可以包括N型或P型雜質(zhì)。當(dāng)?shù)诙性磳覣L由氧化物半導(dǎo)體形成時(shí)，可以形成附加的鈍化層以保護(hù)易于受包括高溫處置的環(huán)境傷害的氧化物半導(dǎo)體。

柵電極GE形成在覆蓋第二有源層AL的第一絕緣層IL1上，源電極SE和漏電極DE形成在覆蓋柵電極GE的第二絕緣層IL2上，以通過(guò)第二絕緣層IL2和第一絕緣層IL1中形成的接觸孔而分別連接到第二有源層AL的源極區(qū)和漏極區(qū)。漏電極DE通過(guò)接觸孔連接到OLED的第一電極E1。

OLED包括連接到TFT的漏電極DE的第一電極E1、形成在第一電極E1上的有機(jī)發(fā)射層EL以及形成在有機(jī)發(fā)射層EL上的第二電極E2。

第一電極E1可以是用作空穴注入電極的陽(yáng)極，并且可以是光反射性的電極、光透反射性的電極和透射性的電極中的任意一種。同時(shí)，根據(jù)另一個(gè)示例性實(shí)施例，第一電極E1可以是用作電子注入電極的陰極。

有機(jī)發(fā)射層EL形成在第一電極E1上。有機(jī)發(fā)射層EL可以由低分子有機(jī)材料或諸如聚(3,4-乙撐二氧噻吩)(PEDOT)的高分子有機(jī)材料形成。此外，有機(jī)發(fā)射層EL可以包括用于發(fā)射紅光的紅有機(jī)發(fā)射層、用于發(fā)射綠光的綠有機(jī)發(fā)射層和用于發(fā)射藍(lán)光的藍(lán)有機(jī)發(fā)射層中的至少一種。紅有機(jī)發(fā)射 層、綠有機(jī)發(fā)射層和藍(lán)有機(jī)發(fā)射層分別形成在紅像素、綠像素和藍(lán)像素中以實(shí)現(xiàn)彩色圖像。有機(jī)發(fā)射層EL可以通過(guò)將紅有機(jī)發(fā)射層、綠有機(jī)發(fā)射層和藍(lán)有機(jī)發(fā)射層一起層壓在紅像素、綠像素和藍(lán)像素中并且針對(duì)每個(gè)像素形成紅濾色器、綠濾色器和藍(lán)濾色器來(lái)實(shí)現(xiàn)彩色圖像。作為另一個(gè)示例，在所有的紅像素、綠像素和藍(lán)像素中形成發(fā)射白光的白有機(jī)發(fā)射層并且針對(duì)每個(gè)像素形成紅濾色器、綠濾色器和藍(lán)濾色器，從而實(shí)現(xiàn)彩色圖像。在通過(guò)使用白有機(jī)發(fā)射層和彩色濾色器作為有機(jī)發(fā)射層EL來(lái)實(shí)現(xiàn)彩色圖像的情況下，不需使用用于在各個(gè)像素(即，紅像素、綠像素和藍(lán)像素)上沉積紅有機(jī)發(fā)射層、綠有機(jī)發(fā)射層和藍(lán)有機(jī)發(fā)射層的沉積掩模。在另一個(gè)示例中描述的白有機(jī)發(fā)射層可以由一個(gè)有機(jī)發(fā)射層來(lái)形成，并且可以包括被形成為通過(guò)層壓多個(gè)有機(jī)發(fā)射層來(lái)發(fā)射白光的構(gòu)造。例如，白有機(jī)發(fā)射層包括：通過(guò)結(jié)合至少一個(gè)黃有機(jī)發(fā)射層和至少一個(gè)藍(lán)光發(fā)射層來(lái)發(fā)射白光的構(gòu)造、通過(guò)結(jié)合至少一個(gè)青有機(jī)發(fā)射層和至少一個(gè)紅光發(fā)射層來(lái)發(fā)射白光的構(gòu)造、通過(guò)結(jié)合至少一個(gè)品紅有機(jī)發(fā)射層和至少一個(gè)綠光發(fā)射層來(lái)發(fā)射白光的構(gòu)造等。

第二電極E2形成在有機(jī)發(fā)射層EL上，并且可以是用作電子注入電極的陰極。第二電極E2可以是光反射性的電極、光透反射性的電極和透射性的電極中的任意一種。第二電極E2形成為遍布基底SUB的顯示區(qū)域DA以覆蓋有機(jī)發(fā)射層EL。在另一個(gè)示例性實(shí)施例中，第二電極E2是用作空穴注入電極的陽(yáng)極。

包封部分EN遍布顯示區(qū)域DA和非顯示區(qū)域NDA地形成在基底SUB上，并且與基底SUB一起包封顯示區(qū)域DA。包封部分EN包括形成在顯示區(qū)域DA上的有機(jī)層OL和形成在有機(jī)層OL上的無(wú)機(jī)層IL。

有機(jī)層OL由聚合物形成，可以是由例如聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亞胺、聚碳酸酯、環(huán)氧樹(shù)脂、聚乙烯和聚丙烯酸酯的任意一種形成的單層或堆疊的層。例如，有機(jī)層OL由聚丙烯酸酯(例如，通過(guò)使包括二丙烯酸酯類單體和三丙烯酸酯類單體的單體組分聚合而產(chǎn)生的材料)形成。這里，單體組分中還可以包括單丙烯酸酯類單體，并且單體組分中還可以包括諸如TPO的光引發(fā)劑，但是描述的技術(shù)不限于此。

無(wú)機(jī)層IL可以是由金屬氧化物或金屬氮化物形成的單層或多層。例如，無(wú)機(jī)層IL由SiNx、Al₂O₃、SiO₂和TiO₂中的任意一種形成。

作為包封部分EN的最上層的無(wú)機(jī)層IL被以比有機(jī)層OL更寬的區(qū)域來(lái) 層疊以覆蓋作為另一層的有機(jī)層OL的端部。例如，在基底SUB的非顯示區(qū)域NDA中，無(wú)機(jī)層IL覆蓋有機(jī)層OL的端部。即，層疊在比其他層的區(qū)域更寬的區(qū)域處的上無(wú)機(jī)層可以形成在包封部分EN的最上層上，以覆蓋其他層的端部。因此，滲入OLED的外部水分可以被無(wú)機(jī)層IL抑制。

觸摸部分TM包括形成在與基底SUB的顯示區(qū)域DA對(duì)應(yīng)的包封部分EN上的第一觸摸線TL1和第二觸摸線TL2。當(dāng)觸摸部分TM被觸摸而觸摸部分TM可以是電容型，并且電壓分別施加到第一觸摸線TL1和第二觸摸線TL2，因此電荷被充入第一觸摸線TL1和第二觸摸線TL2的每條中或者充入第一觸摸線TL1和第二觸摸線TL2之間時(shí)，作為第一觸摸線TL1和第二觸摸線TL2之一的觸摸部分的電容被改變，以檢測(cè)觸摸部分的位置。觸摸部分TM還可以包括覆蓋第一觸摸線TL1和第二觸摸線TL2的一個(gè)或多個(gè)絕緣層。第一觸摸線TL1和第二觸摸線TL2中的每條觸摸線可以由透明導(dǎo)電材料(諸如ITO、IZO、IGZO等)、被以網(wǎng)格形式圖案化的金屬網(wǎng)格、導(dǎo)電聚合物(諸如聚(3,4-乙撐二氧噻吩)(PEDOT)等)、納米尺寸的導(dǎo)電材料(諸如銀納米線(AGNW)等)等的一種或多種形成。

第一裂紋感測(cè)線CD1和第二裂紋感測(cè)線CD2形成在包封部分EN的最上層上形成的無(wú)機(jī)層IL的邊緣處。在這種情況下，第一裂紋感測(cè)線CD1和第二裂紋感測(cè)線CD2形成在與第一觸摸線TL1和第二觸摸線TL2的層相同的層上。第一裂紋感測(cè)線CD1和第二裂紋感測(cè)線CD2可以形成在與顯示區(qū)域DA相鄰的非顯示區(qū)域NDA中，并且可以形成在包封部分EN上。

第三裂紋感測(cè)線CD11和第四裂紋感測(cè)線CD22形成在非顯示區(qū)域NDA的未形成包封部分EN的最外部處。第三裂紋感測(cè)線CD11和第四裂紋感測(cè)線CD22可以形成在與顯示區(qū)域DA的柵電極GE的層相同的層上。

在下文中，將參照?qǐng)D9描述根據(jù)示例性實(shí)施例的顯示裝置。圖9是部分地示出根據(jù)另一個(gè)示例性實(shí)施例的在圖2中示出的顯示裝置的剖視圖。參照?qǐng)D1、圖2和圖9，顯示區(qū)域DA的每個(gè)像素包括發(fā)光的OLED以及與OLED連接的TFT。

TFT包括第二有源層AL、柵電極GE、源電極SE和漏電極DE。

OLED包括與TFT的漏電極DE連接的第一電極E1、形成在第一電極E1上的有機(jī)發(fā)射層EL以及形成在有機(jī)發(fā)射層EL上的第二電極E2。

包封部分EN遍布顯示區(qū)域DA和非顯示區(qū)域NDA地形成在基底SUB 上，并且與基底SUB一起包封顯示區(qū)域DA。包封部分EN包括形成在顯示區(qū)域DA上的有機(jī)層OL和形成在有機(jī)層OL上的無(wú)機(jī)層IL。

觸摸部分TM包括形成在與基底SUB的顯示區(qū)域DA對(duì)應(yīng)的包封部分EN上的第一觸摸線TL1和第二觸摸線TL2。

第一裂紋感測(cè)線CD1和第二裂紋感測(cè)線CD2形成在包封部分EN的最上層上形成的無(wú)機(jī)層IL的邊緣處。在這種情況下，第一裂紋感測(cè)線CD1和第二裂紋感測(cè)線CD2形成在與第一觸摸線TL1和第二觸摸線TL2的層相同的層上。第一裂紋感測(cè)線CD1和第二裂紋感測(cè)線CD2可以形成在與顯示區(qū)域DA相鄰的非顯示區(qū)域NDA中，并且可以形成在包封部分EN上。

第三裂紋感測(cè)線CD11和第四裂紋感測(cè)線CD22形成在非顯示區(qū)域NDA的未形成包封部分EN的最外部處。第三裂紋感測(cè)線CD11和第四裂紋感測(cè)線CD22形成在與顯示區(qū)域DA的源電極SE和漏電極DE以及數(shù)據(jù)線D的層相同的層上。

根據(jù)公開(kāi)實(shí)施例的至少一個(gè)，第三裂紋感測(cè)線CD11和第四裂紋感測(cè)線CD22已經(jīng)描述為形成在與顯示區(qū)域DA的柵電極GE的層或顯示區(qū)域DA的源電極SE和漏電極DE以及數(shù)據(jù)線D的層相同的層上。然而，根據(jù)另一個(gè)示例性實(shí)施例的顯示裝置，第三裂紋感測(cè)線CD11和第四裂紋感測(cè)線CD22可以形成為包括多個(gè)層，其中，所述多個(gè)層包括形成在與顯示區(qū)域DA的柵電極GE的層相同的層上的第一層，以及形成在與顯示區(qū)域DA的源電極SE和漏電極DE以及數(shù)據(jù)線D的層相同的層上的第二層。

在前述示例性實(shí)施例中，OLED顯示器已被描述為顯示裝置的示例，但是前述示例性實(shí)施例的許多特性適用于諸如包括用于顯示圖像的顯示區(qū)域和用于識(shí)別觸摸的觸摸部分的液晶顯示器(LCD)、等離子顯示器(PD)、場(chǎng)發(fā)射顯示器(FED)、電泳顯示器(EPD)和電潤(rùn)濕顯示器(EWD)的各種顯示裝置。

雖然已經(jīng)參照附圖描述了發(fā)明的技術(shù)，但是本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將理解的是，在不脫離由權(quán)利要求限定的精神和范圍的情況下，可以在其中做出形式和細(xì)節(jié)上的各種改變。