本發(fā)明涉及OLED顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種智能窗的制備方法。

背景技術(shù)：

常規(guī)的智能窗(Smart Window)只能進(jìn)行光透過率調(diào)節(jié)，無(wú)法實(shí)現(xiàn)自主顯示；若將智能窗與其它顯示器集成一體，雖然能夠進(jìn)行自主顯示，但存在結(jié)構(gòu)復(fù)雜、功耗大、厚度大等不足。透明有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode，簡(jiǎn)稱：OLED)雖然具有更低的功耗、較高的透過率，但無(wú)法實(shí)現(xiàn)光截止作用，不利于在某些場(chǎng)所，特別是隱私保護(hù)場(chǎng)所的應(yīng)用；如在汽車內(nèi)部更換衣服時(shí)，需要隔絕外界觀看。

因此，需研制出不僅能夠減少OLED陰極出光面的全反射損失，還能實(shí)現(xiàn)OLED透射和反射轉(zhuǎn)換功能，并且透過率可調(diào)節(jié)的智能窗。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是提供一種智能窗的制備方法，使得制備的智能窗不僅可以在透射和反射之間實(shí)現(xiàn)自由轉(zhuǎn)換，且能夠調(diào)節(jié)透過率、實(shí)現(xiàn)自主顯示。

本發(fā)明通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：

本發(fā)明涉及一種智能窗的制備方法，所述智能窗包括基于被動(dòng)矩陣有機(jī)發(fā)光二極管的智能窗和基于主動(dòng)矩陣有機(jī)發(fā)光二極管的智能窗，包括：

陽(yáng)極沉積步驟：在基板上沉積透明導(dǎo)電薄膜，作為透射陽(yáng)極；

基板圖案制作步驟：將沉積有透射陽(yáng)極的基板依次進(jìn)行清洗、陽(yáng)極圖案制作、絕緣層圖案制作和陰極隔離柱圖案制作過程；

有機(jī)材料蒸鍍步驟：將制作有圖案的基板送入蒸鍍腔，在經(jīng)過氧氣等離子體預(yù)處理后，依次蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、發(fā)光層、空穴阻擋層、電子傳輸層；

電子注入層制作步驟：采用電子注入材料制作電子注入層；

陰極制作步驟：采用透明導(dǎo)電材料制作陰極；

保護(hù)層制作步驟：在透明陰極上沉積一層透明絕緣保護(hù)層；

平坦化層及液晶掃描電極制作步驟：在透明絕緣保護(hù)層上方制作平坦化層，液晶掃描電極采用透明導(dǎo)電材料為陰極；

液晶控制單元制作步驟：在后蓋上制作薄膜晶體管陣列；

灌注液晶步驟：灌注液晶材料；

封裝步驟：對(duì)基板和后蓋進(jìn)行封裝。

進(jìn)一步地，當(dāng)所述智能窗為基于主動(dòng)矩陣有機(jī)發(fā)光二極管的智能窗時(shí)，在所述陽(yáng)極沉積步驟之前，還包括：薄膜晶體管陣列制備步驟：在基板上制備薄膜晶體管陣列。

進(jìn)一步地，所述基板為玻璃基板或柔性基板，所述后蓋為玻璃后蓋或柔性后蓋。

更進(jìn)一步地，當(dāng)所述基板為柔性基板時(shí)，在所述陽(yáng)極沉積步驟中，在基板上沉積透明導(dǎo)電薄膜之前，先沉積水汽阻隔層。

又進(jìn)一步地，在所述水汽阻隔層之間添加有機(jī)物層。

進(jìn)一步地，當(dāng)所述基板為玻璃基板、所述后蓋為玻璃后蓋時(shí)，采用熔接密封或斷面密封封裝方式，或者采用柔性封裝方式；

當(dāng)所述基板為柔性基板、所述后蓋為柔性后蓋時(shí)，采用薄膜封裝或混合式封裝方式，封裝結(jié)構(gòu)為阻水層與緩沖層間隔設(shè)置的結(jié)構(gòu)。

更進(jìn)一步地，采用混合式封裝方式時(shí)，在阻水層上通過光學(xué)膠貼附有一層阻隔膜。

本發(fā)明的有益效果在于：本發(fā)明通過結(jié)合透明OLED的顯示功能與液晶材料的光透過調(diào)節(jié)功能，在透明OLED陰極和后蓋之間填充特定的液晶材料，不僅能夠減少OLED陰極出光面的全反射損失，還能通過液晶的通電和斷電實(shí)現(xiàn)OLED透射和反射的自由轉(zhuǎn)換，達(dá)到智能控制出光及自主顯示的目的，從而使得制備的智能窗口結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、厚度薄、功耗低，具有隱私保護(hù)、自主顯示的功能，在車載、商場(chǎng)、航空等眾多場(chǎng)景具有很大的應(yīng)用潛力。

附圖說明

圖1-1、1-2是PMOLED的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明中的薄膜封裝層結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明中的混合式封裝層結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本發(fā)明中基于PMOLED的智能窗口的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是AMOLED的像素結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6是本發(fā)明中基于AMOLED的智能窗口的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行清楚的描述，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。

實(shí)施例1：

智能窗口包括兩大類，分別基于不同的有機(jī)發(fā)光二極管OLED結(jié)構(gòu)：被動(dòng)矩陣有機(jī)發(fā)光二極管(Passive Matrix Organic Light Emitting Diode，簡(jiǎn)稱：PMOLED)和主動(dòng)矩陣有機(jī)發(fā)光二極管(Active Matrix Organic Light Emitting Diode，簡(jiǎn)稱AMOLED)。

圖1-1示出了被動(dòng)矩陣有機(jī)發(fā)光二極管PMOLED的結(jié)構(gòu)，包括陽(yáng)極部分11、陽(yáng)極透明導(dǎo)電薄膜ITO 12、絕緣層(PR或PI)13、陰極部分21、陰極透明導(dǎo)電薄膜ITO 22、陰極分離器或側(cè)壁23及陰極接觸器24、陰極金屬條(薄膜)25、多個(gè)有機(jī)層30；圖1-2為圖1-1中A橫截面的示意圖。

本實(shí)施例涉及的智能窗口的制備方法說明如下：

(1)結(jié)合被動(dòng)矩陣有機(jī)發(fā)光二極管PMOLED與高分子散布型液晶(Polymer Dispersed Liquid Crystal，簡(jiǎn)稱：PDLC)制備，包括如下步驟：

1)陽(yáng)極沉積步驟：在基板上沉積透明導(dǎo)電薄膜，作為透射陽(yáng)極，厚度范圍為20-200nm，方阻范圍為0.1-50Ω/□；透明導(dǎo)電薄膜為ITO、IZO、ITO/Ag/ITO、IZO/Ag/IZO、碳納米管、石墨烯、納米銀等。

所述基板為玻璃基板或柔性基板，其中，柔性基板為PI、PES、PEN、PET、PC、PMMA等；當(dāng)所述基板為柔性基板時(shí)，在所述陽(yáng)極沉積步驟中，在基板上沉積透明導(dǎo)電薄膜之前，先沉積水汽阻隔層。水汽阻隔層由SiOx、SiNx、SiOxNy、AlOx、TiOx、ZrOx、ZnO、HfOx中的一種或幾種組成，采用Sputter、CVD(Chemical Vapor Deposition，化學(xué)氣相沉積)、ALD(Atomic Layer Deposition，原子層沉積)等方式制作，厚度在10nm-10um之間；也可以在上述水汽阻隔層之間添加有機(jī)物層，如聚烯、聚酯類材料，采用噴墨印刷(Ink-jet Printing)、絲網(wǎng)印刷(Screen printing)、蒸鍍(Evaporation)、CVD(chemical vapor deposition，化學(xué)氣相沉積)、MLD(Molecular Layer Deposition，分子層沉積)等方式制作，厚度在10nm-100um之間。

2)基板圖案制作步驟：將沉積有透射陽(yáng)極的基板依次進(jìn)行清洗、陽(yáng)極圖案制作、絕緣層(Insulator)圖案制作和陰極隔離柱RIB圖案制作等過程；在進(jìn)行絕緣層(Insulator)圖案制作和陰極隔離柱RIB圖案制作時(shí)，采用高透光率的絕緣層材料和RIB材料。

3)有機(jī)材料蒸鍍步驟：將制作有圖案的基板送入蒸鍍腔，在經(jīng)過氧氣O₂等離子體預(yù)處理后，依次蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、發(fā)光層、空穴阻擋層、電子傳輸層；

4)電子注入層制作步驟：采用電子注入材料制作電子注入層，電子注入材料采用LaB6、LiF、LiQ、Li2O、Ca、Al2O3、MgO、12CaO·7H2O等材料，制作方法包括熱絲蒸鍍、電子束蒸鍍、濺射、離子束輔助沉積等；

5)陰極制作步驟：采用透明導(dǎo)電材料制作陰極，透明導(dǎo)電材料采用ITO、IZO、ITO/Ag/ITO、IZO/Ag/IZO、碳納米管、石墨烯、納米銀等材料，制備方法包括熱絲蒸鍍、電子束蒸鍍、濺射、離子束輔助沉積、化學(xué)氣相沉積CVD、原子層沉積ALD等；

6)保護(hù)層制作步驟：在透明陰極上沉積一層透明絕緣保護(hù)層，透明絕緣保護(hù)層為L(zhǎng)iF、Li2O、CaF2、MgF2、MgO、Al2O3、ZrO2、TiO2、SiNx、SiOx、SiOxNy、ZnO、HfOx等；

7)平坦化層及液晶掃描Common電極制作步驟：在透明絕緣保護(hù)層上方制作平坦化層，平坦化層材料為聚烯、聚酯類，厚度范圍為3-10um，制作平坦化層采用噴墨印刷(Ink-jet Printing)、絲網(wǎng)印刷(Screen printing)、狹縫涂布(slit coating)、蒸鍍(Evaporation)、CVD(chemical vapor deposition，化學(xué)氣相沉積)、MLD(Molecular Layer Deposition，分子層沉積)等方式；

液晶掃描Common電極采用透明導(dǎo)電材料為陰極，透明導(dǎo)電材料為ITO、IZO、ITO/Ag/ITO、IZO/Ag/IZO、碳納米管、石墨烯、納米銀等，制備方法包括熱絲蒸鍍、電子束蒸鍍、濺射、離子束輔助沉積、化學(xué)氣相沉積CVD、原子層沉積ALD等；

8)液晶控制單元制作步驟：在后蓋上制作薄膜晶體管TFT陣列；后蓋為玻璃后蓋或柔性后蓋，柔性后蓋采用PI、PES、PEN、PET、PC等材料制備；薄膜晶體管TFT可為非晶硅TFT、多晶硅TFT、氧化物TFT和有機(jī)物TFT，優(yōu)先選擇氧化物TFT和有機(jī)物TFT。

9)灌注液晶步驟：灌注液晶材料；

10)封裝步驟：對(duì)基板和后蓋進(jìn)行封裝。

當(dāng)所述基板為玻璃基板、所述后蓋為玻璃后蓋時(shí)，采用熔接密封(Frit sealing)或斷面密封(Face seal)封裝方式；采用斷面密封封裝方式時(shí)，可以采用濺射(Sputter)、化學(xué)氣相沉積CVD、原子層沉積ALD等方法沉積封裝材料，封裝材料為SiOx、SiNx、SiOxNy、AlOx、TiOx、ZrOx中的一種或幾種，每種材料厚度在10nm-10um之間，總厚度在10nm-10um之間。

當(dāng)所述基板為柔性基板、所述后蓋為柔性后蓋時(shí)，采用薄膜封裝(Thin Film Encapsulation)或混合式封裝(Hybrid Encapsultion)方式，封裝結(jié)構(gòu)為阻水層與緩沖層間隔設(shè)置的結(jié)構(gòu)；阻水層可以采用濺射(Sputter)、化學(xué)氣相沉積CVD、原子層沉積ALD等方法沉積封裝材料，封裝材料為SiOx、SiNx、SiOxNy、AlOx、TiOx、ZrOx中的一種或幾種，每種材料厚度在10nm-10um之間；緩沖層可以采用無(wú)機(jī)材料或有機(jī)材料，可與阻水層材料相同或不同。若緩沖層材料與阻水層材料相同，則需改變緩沖層制備工藝。有機(jī)緩沖層可采用聚烯、聚酯類材料，利用噴墨印刷(Ink-jet Printing)、絲網(wǎng)印刷(Screen printing)、蒸鍍(Evaporation)、CVD(化學(xué)氣相沉積)、MLD(分子層沉積)等方式制作，厚度在10nm-100um之間。薄膜封裝可只采用一層阻水層，也可以采用多層阻水層和緩沖層。薄膜封裝結(jié)構(gòu)如圖2所示。

相較于薄膜封裝，混合式封裝需要在阻水層上加一層阻隔膜(Barrier Film)來(lái)增強(qiáng)阻水效果。阻隔膜采用光學(xué)膠貼附，光學(xué)膠可以采用OCA(Optical Clear Adhesive，光學(xué)透明膠)或OCR(Optical Clear Resin，光學(xué)膠)，如圖3所示。

設(shè)有玻璃基板和玻璃后蓋的智能窗口也可采用柔性封裝，以減少智能窗口的整體厚度。

圖4示出了本發(fā)明中基于PMOLED的智能窗口的結(jié)構(gòu)，包括基板10、透射陽(yáng)極11、有機(jī)材料層30、陰極隔離柱RIB圖案41、PI圖案42、半透射陰極21、液晶5、封膠6、后蓋7及后蓋內(nèi)的驅(qū)動(dòng)LCD的TFT背板71。

實(shí)施例2：

圖5是AMOLED的像素結(jié)構(gòu)示意圖；AMOLED的像素結(jié)構(gòu)包括陽(yáng)極、陰極、有機(jī)層、TFT陣列。

本實(shí)施例涉及的智能窗口的制備方法說明如下：

(1)結(jié)合主動(dòng)矩陣有機(jī)發(fā)光二極管AMOLED與高分子散布型液晶(Polymer Dispersed Liquid Crystal，簡(jiǎn)稱：PDLC)制備，包括如下步驟：

1)薄膜晶體管陣列制備步驟：在基板上制備薄膜晶體管TFT陣列，TFT陣列包括非晶硅TFT、多晶硅TFT、氧化物TFT、有機(jī)物TFT之一種或多種混合，優(yōu)選氧化物TFT和有機(jī)物TFT。

TFT結(jié)構(gòu)可以為底柵底接觸、底柵頂接觸、頂柵底接觸、頂柵頂接觸、雙柵中的一種或多種。若為底柵型TFT，既可采用BCE(Back Channel Etch，反向通道蝕刻)結(jié)構(gòu)，也可采用ESL(Etch Stop Layer，蝕刻停止層)結(jié)構(gòu)。

所有電極材料，包括柵電極(Gate electrode)、源/漏電極(Source/Drain electrode)、電容用電極、陽(yáng)極、陰極等，均采用ITO、IZO、ITO/Ag/ITO、IZO/Ag/IZO、碳納米管、石墨烯、納米銀等透明材料制作。

2)陽(yáng)極沉積步驟：在基板上沉積透明導(dǎo)電薄膜，作為透射陽(yáng)極，厚度范圍為20-200nm，方阻范圍為0.1-50Ω/□；透明導(dǎo)電薄膜為ITO、IZO、ITO/Ag/ITO、IZO/Ag/IZO、碳納米管、石墨烯、納米銀等。

所述基板為玻璃基板或柔性基板，其中，柔性基板為PI、PES、PEN、PET、PC、PMMA等；當(dāng)所述基板為柔性基板時(shí)，在所述陽(yáng)極沉積步驟中，在基板上沉積透明導(dǎo)電薄膜之前，先沉積水汽阻隔層。水汽阻隔層由SiOx、SiNx、SiOxNy、AlOx、TiOx、ZrOx等中的一種或幾種組成，采用Sputter、CVD(Chemical Vapor Deposition，化學(xué)氣相沉積)、ALD(Atomic Layer Deposition，原子層沉積)等方式制作，厚度在10nm-10um之間；也可以在上述水汽阻隔層之間添加有機(jī)物層，如聚烯、聚酯類材料，采用噴墨印刷(Ink-jet Printing)、絲網(wǎng)印刷(Screen printing)、蒸鍍(Evaporation)、CVD(chemical vapor deposition，化學(xué)氣相沉積)、MLD(Molecular Layer Deposition，分子層沉積)等方式制作，厚度在10nm-100um之間。

3)基板圖案制作步驟：將沉積有透射陽(yáng)極的基板依次進(jìn)行清洗、陽(yáng)極圖案制作、絕緣層(Insulator)圖案制作和陰極隔離柱RIB圖案制作等過程；在進(jìn)行絕緣層(Insulator)圖案制作和陰極隔離柱RIB圖案制作時(shí)，采用高透光率的絕緣層材料和RIB材料。

4)有機(jī)材料蒸鍍步驟：將制作有圖案的基板送入蒸鍍腔，在經(jīng)過氧氣O₂等離子體預(yù)處理后，依次蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層；

5)電子注入層制作步驟：采用電子注入材料制作電子注入層，電子注入材料采用LaB6、LiF、LiQ、Li2O、Ca、Al2O3、MgO、12CaO·7H2O等材料，制作方法包括熱絲蒸鍍、電子束蒸鍍、濺射、離子束輔助沉積等；

6)陰極制作步驟：采用透明導(dǎo)電材料制作陰極，透明導(dǎo)電材料采用ITO、IZO、ITO/Ag/ITO、IZO/Ag/IZO、碳納米管、石墨烯、納米銀等材料，制備方法包括熱絲蒸鍍、電子束蒸鍍、濺射、離子束輔助沉積、化學(xué)氣相沉積CVD、原子層沉積ALD等；

7)保護(hù)層制作步驟：在透明陰極上沉積一層透明絕緣保護(hù)層，如LiF、Li2O、CaF2、MgF2、MgO、Al2O3、ZrO2、TiO2、SiNx、SiOx、SiOxNy等；

8)平坦化層及液晶Common電極制作步驟：在透明絕緣保護(hù)層上方制作平坦化層，平坦化層材料為聚烯、聚酯類，厚度范圍為3-10um，制作平坦化層采用噴墨印刷(Ink-jet Printing)、絲網(wǎng)印刷(Screen printing)、蒸鍍(Evaporation)、CVD(chemical vapor deposition，化學(xué)氣相沉積)、MLD(Molecular Layer Deposition，分子層沉積)等方式。

液晶掃描Common電極采用透明導(dǎo)電材料為陰極，透明導(dǎo)電材料為ITO、IZO、ITO/Ag/ITO、IZO/Ag/IZO、碳納米管、石墨烯、納米銀等，制備方法包括熱絲蒸鍍、電子束蒸鍍、濺射、離子束輔助沉積、化學(xué)氣相沉積CVD、原子層沉積ALD等；

9)液晶控制單元制作步驟：在后蓋上制作薄膜晶體管TFT陣列；后蓋為玻璃后蓋或柔性后蓋，柔性后蓋采用PI、PES、PEN、PET、PC等材料制備；薄膜晶體管TFT可為非晶硅TFT、多晶硅TFT、氧化物TFT和有機(jī)物TFT，優(yōu)先選擇氧化物TFT和有機(jī)物TFT。

10)灌注液晶步驟：灌注液晶材料；

11)封裝步驟：對(duì)基板和后蓋進(jìn)行封裝。

當(dāng)所述基板為玻璃基板、所述后蓋為玻璃后蓋時(shí)，采用熔接密封(Frit sealing)或斷面密封(Face seal)封裝方式；采用斷面密封封裝方式時(shí)，可以采用濺射(Sputter)、化學(xué)氣相沉積CVD、原子層沉積ALD等方法沉積封裝材料，封裝材料為SiOx、SiNx、SiOxNy、AlOx、TiOx、ZrOx中的一種或幾種，每種材料厚度在10nm-10um之間，總厚度在10nm-10um之間。

當(dāng)所述基板為柔性基板、所述后蓋為柔性后蓋時(shí)，采用薄膜封裝(Thin Film Encapsulation)或混合式封裝(Hybrid Encapsultion)方式，封裝結(jié)構(gòu)為阻水層與緩沖層間隔設(shè)置的結(jié)構(gòu)；阻水層可以采用濺射(Sputter)、化學(xué)氣相沉積CVD、原子層沉積ALD等方法沉積封裝材料，封裝材料為SiOx、SiNx、SiOxNy、AlOx、TiOx、ZrOx中的一種或幾種，每種材料厚度在10nm-10um之間；緩沖層可以采用無(wú)機(jī)材料或有機(jī)材料，可與阻水層材料相同或不同。若緩沖層材料與阻水層材料相同，則需改變緩沖層制備工藝。有機(jī)緩沖層可采用聚烯、聚酯類材料，利用噴墨印刷(Ink-jet Printing)、絲網(wǎng)印刷(Screen printing)、蒸鍍(Evaporation)、CVD(化學(xué)氣相沉積)、MLD(分子層沉積)等方式制作，厚度在10nm-100um之間。薄膜封裝可只采用一層阻水層，也可以采用多層阻水層和緩沖層。薄膜封裝結(jié)構(gòu)如圖2所示。

相較于薄膜封裝，混合式封裝需要在阻水層上加一層阻隔膜(Barrier Film)來(lái)增強(qiáng)阻水效果。阻隔膜采用光學(xué)膠貼附，光學(xué)膠可以采用OCA(Optical Clear Adhesive，光學(xué)透明膠)或OCR(Optical Clear Resin，光學(xué)膠)，如圖3所示。

設(shè)有玻璃基板和玻璃后蓋的智能窗口也可采用柔性封裝，以減少智能窗口的整體厚度。

在上述實(shí)施例中，OLED的陽(yáng)極和陰極均采用透明材料，如ITO、IZO、金屬薄膜(Ag、Al等)制作，可以得到透明OLED。PDLC在不通電的狀態(tài)下是透明的，通電時(shí)呈現(xiàn)白色反射態(tài)。

本發(fā)明的實(shí)施例將透明有機(jī)發(fā)光二極管OLED和高分子散布型液晶PDLC結(jié)合起來(lái)，在透明有機(jī)發(fā)光二極管OLED上制作高分子散布型液晶PDLC的Vcom電極，通過對(duì)OLED驅(qū)動(dòng)陣列、PDLC驅(qū)動(dòng)陣列的控制，實(shí)現(xiàn)OLED在透射和反射之間的切換。

圖6示出了本發(fā)明中基于AMOLED的智能窗口的結(jié)構(gòu)，包括基板10及基板內(nèi)的驅(qū)動(dòng)LCD的TFT背板101、透射陽(yáng)極11、有機(jī)材料層30、陰極隔離柱RIB圖案41、PI圖案42、半透射陰極21、液晶5、封膠6、后蓋7及后蓋內(nèi)的驅(qū)動(dòng)LCD的TFT背板71。

本發(fā)明智能窗的制備方法的實(shí)施例獲得的效果為：

1)透明OLED和液晶集成一體式結(jié)構(gòu)，整體厚度與透明OLED相等，實(shí)現(xiàn)透過率從0至100％內(nèi)任意可調(diào)，并能自主顯示；

2)透明陰極及其制作方法，優(yōu)選IXO/Ag/IYO復(fù)合薄膜(X和Y為Sn、Zn等，X和Y可相同或不同)，采用特殊的濺射設(shè)備沉積IXO、IYO等薄膜；IXO、IYO薄膜沉積的起始階段，采用低功率、高氣體壓力；減少高能粒子對(duì)有機(jī)材料的破壞；

3)透明絕緣保護(hù)層，如LiF、Li2O、CaF2、MgF2、MgO、Al2O3、ZrO2、TiO2、SiNx、SiOx、SiOxNy等，避免有機(jī)發(fā)光材料及透明陰極在平坦化層制作過程中受到水汽等破壞；

4)平坦化層及其制作，通過對(duì)透明OLED器件進(jìn)行平坦化處理，可以在其上方原位制作PDLC的Vcommon電極，無(wú)需新增Vcommon基板；

如上述實(shí)施例為本發(fā)明較佳的實(shí)施方式，但本發(fā)明的實(shí)施方式并不受上述實(shí)施例的限制，其他的任何未背離本發(fā)明的精神實(shí)質(zhì)與原理下所作的改變、修飾、替代、組合、簡(jiǎn)化，均應(yīng)為等效的置換方式，都包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。