本發(fā)明涉及OLED顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種應(yīng)用于AMOLED器件中的顯示器件結(jié)構(gòu)及其制備方法。

背景技術(shù)：

當(dāng)前，在觸控顯示器件的制備過(guò)程中，一般采用“In-cell”或“on-cell”方式將觸摸面板與液晶面板進(jìn)行一體化操作。

其中，on-cell觸控技術(shù)是指將觸摸屏嵌入到顯示屏的彩色濾光片基板和偏光片之間的方法，即在液晶面板上配觸摸傳感器；In-cell觸控技術(shù)是通過(guò)將觸摸面板功能嵌入至液晶像素中，即將整個(gè)的觸控元器件整合到顯示面板內(nèi)，以使得顯示設(shè)備與觸控設(shè)備結(jié)合為一體，進(jìn)而有效降低屏幕的厚度的同時(shí)，還能降低終端產(chǎn)品在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)上的難度。

但是，由于In-cell技術(shù)需要在薄膜晶體管(Thinfilmtransistor，簡(jiǎn)稱TFT)陣列基板上的像素內(nèi)部嵌入觸摸傳感器，進(jìn)而使得制造工藝較為復(fù)雜，降低了產(chǎn)品的成品率，同時(shí)還減少了用于顯示的區(qū)域面積，進(jìn)而會(huì)導(dǎo)致顯示器件的畫質(zhì)劣化。尤其在AMOLED(Active Matrix/Organic Light Emitting Diode，主動(dòng)矩陣有機(jī)發(fā)光二極體面板)顯示技術(shù)中，由于其像素驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)較為復(fù)雜，一般包括6T1C(6 個(gè)晶體管和1個(gè)電容組成的電路結(jié)構(gòu))或7TIC(7個(gè)晶體管和1個(gè)電容組成的電路結(jié)構(gòu))，進(jìn)而使得集成(IC)引線復(fù)雜，工藝難度更大，工藝成本更高。

另外，目前的AMOLED均是采用自發(fā)光技術(shù)，雖然也可通過(guò)在封裝玻璃上制備觸控感應(yīng)器(touch sensor)，但仍然會(huì)因光的相互干擾進(jìn)而造成顯示器件的顯示不均(Mura)、對(duì)位難度大等缺陷。

因此，亟需一種新型的技術(shù)解決方案以克服上述技術(shù)難題成為本領(lǐng)域技術(shù)人員致力于研究的方向。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

鑒于現(xiàn)有技術(shù)中的不足，本發(fā)明技術(shù)方案提供一種應(yīng)用于AMOLED器件中的顯示器件結(jié)構(gòu)及其制備方法，該技術(shù)方案可以有效的解決現(xiàn)有技術(shù)中的顯示器件對(duì)位難、顯示不均、集成引線復(fù)雜以及工藝成本較大等問(wèn)題缺陷。

本發(fā)明為解決上述技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案為：

一種顯示器件結(jié)構(gòu)，其中，包括：

基板，設(shè)置有顯示區(qū)和感應(yīng)區(qū)；

平坦層，設(shè)置于所述基板之上；

OLED模組，位于所述顯示區(qū)之上且設(shè)置于部分所述平坦層的上表面；

驅(qū)動(dòng)電極，位于所述感應(yīng)區(qū)之上且設(shè)置于部分所述平坦層的上表面；

像素定義層，覆蓋所述驅(qū)動(dòng)電極及未被所述驅(qū)動(dòng)電極覆蓋的所述平坦層；

介電層，位于所述像素定義層之上；以及

感測(cè)電極，設(shè)置于所述介電層之上，并與所述介電層和所述驅(qū)動(dòng)電極組合形成一感應(yīng)器。

較佳的，上述的顯示器件結(jié)構(gòu)，其中，所述介電層的材質(zhì)為絕緣材質(zhì)。

較佳的，上述的顯示器件結(jié)構(gòu)，其中，所述OLED模組包括：

陽(yáng)極，設(shè)置于所述顯示區(qū)中的所述平坦層之上；

OLED器件層，設(shè)置于所述陽(yáng)極之上；以及

陰極，設(shè)置于所述OLED器件層之上。

較佳的，上述的顯示器件結(jié)構(gòu)，其中，所述驅(qū)動(dòng)電極與所述陽(yáng)極的材質(zhì)相同。

較佳的，上述的顯示器件結(jié)構(gòu)，其中，所述顯示器件還包括光取出層；

所述光取出層設(shè)置于所述陰極的上表面之上。

較佳的，上述的顯示器件結(jié)構(gòu)，其中，所述光取出層的材質(zhì)為有機(jī)物。

較佳的，上述的顯示器件結(jié)構(gòu)，其中，所述基板為TFT陣列基板。

較佳的，上述的顯示器件結(jié)構(gòu)，其中，所述顯示器件為AMOLED。

一種顯示器件結(jié)構(gòu)的制備方法，其中，所述方法包括：

提供一半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底具有顯示區(qū)和感應(yīng)區(qū)；

于所述半導(dǎo)體襯底之上沉積一層平坦層；

在位于所述顯示區(qū)之上的所述平坦層的上表面制備一陽(yáng)極，同時(shí)在位于所述感應(yīng)區(qū)之上的所述平坦層的部分上表面制備一驅(qū)動(dòng)電極；

于所述陽(yáng)極的上表面制備一OLED器件層，并在所述驅(qū)動(dòng)電極與所述平坦層暴露的表面制備一像素定義層；

制備一陰極以將所述OLED器件層的上表面、所述像素定義層的上表面及其側(cè)壁予以覆蓋；以及

對(duì)所述陰極開(kāi)設(shè)開(kāi)口至所述像素定義層中后，繼續(xù)于所述開(kāi)口中按照由下之上的順序依次制備介電層和感測(cè)電極；

其中，所述驅(qū)動(dòng)電極、所述介電層和所述感測(cè)電極組合形成一感應(yīng)器。

較佳的，上述的顯示器件結(jié)構(gòu)的制備方法，其中，采用同一步刻蝕工藝制備所述驅(qū)動(dòng)電極與所述陽(yáng)極。

上述技術(shù)方案具有如下優(yōu)點(diǎn)或有益效果：

本發(fā)明公開(kāi)了一種顯示器件結(jié)構(gòu)及其制備方法，主要包括有基板、位于基板之上的平坦層、位于平坦層之上的OLED模組和驅(qū)動(dòng)電極以及在驅(qū)動(dòng)電極上的像素定義層的頂部設(shè)置有包括介電層和感測(cè)電極，本發(fā)明技術(shù)方案主要是通過(guò)在感應(yīng)區(qū)即制備感應(yīng)器的區(qū)域中，于平坦層與像素定義層之間形成驅(qū)動(dòng)電極，并在像素定義層頂部設(shè)置介電層及感測(cè)電極，進(jìn)而驅(qū)動(dòng)電極、介電層和感測(cè)電極形成嵌入式的感應(yīng)器，因此本發(fā)明技術(shù)方案可以有效解決對(duì)位難、顯示不均及集成引線負(fù)復(fù)雜等技術(shù)難題，一定程度上在降低屏幕的厚度的同時(shí)，還能 降低終端產(chǎn)品在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)上的難度。

附圖說(shuō)明

通過(guò)閱讀參照以下附圖對(duì)非限制性實(shí)施例所作的詳細(xì)描述，本發(fā)明及其特征、外形和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更明顯。在全部附圖中相同的標(biāo)記指示相同的部分。并未刻意按照比例繪制附圖，重點(diǎn)在于示出本發(fā)明的主旨。

圖1是本發(fā)明實(shí)施例中顯示器件的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例中顯示器件的制備方法流程圖。

具體實(shí)施方式

在下文的描述中，給出了大量具體的細(xì)節(jié)以便提供對(duì)本發(fā)明更為徹底的理解。然而，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見(jiàn)的是，本發(fā)明可以無(wú)需一個(gè)或多個(gè)這些細(xì)節(jié)而得以實(shí)施。在其他的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對(duì)于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進(jìn)行描述。

為了徹底理解本發(fā)明，將在下列的描述中提出詳細(xì)的步驟以及詳細(xì)的結(jié)構(gòu)，以便闡釋本發(fā)明的技術(shù)方案。本發(fā)明的較佳實(shí)施例詳細(xì)描述如下，然而除了這些詳細(xì)描述外，本發(fā)明還可以具有其他實(shí)施方式。

為解決現(xiàn)有技術(shù)中的顯示器件對(duì)位難、顯示不均、集成引線負(fù)復(fù)雜以及工藝成本較大等諸多問(wèn)題缺陷，本發(fā)明提供了一種新型的顯示器件結(jié)構(gòu)及其制備方法，該技術(shù)方案可以有效的解決顯示器件對(duì)位難、顯示不均及集成引線負(fù)復(fù)雜等技術(shù)難題，并且在有效降低屏幕的 厚度的同時(shí)，還能降低終端產(chǎn)品在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)上的難度。

實(shí)施例一：

本發(fā)明實(shí)施方式中所提供的一種顯示器件結(jié)構(gòu)，如AMOLED，其主要包括有：

基板，設(shè)置有顯示區(qū)和感應(yīng)區(qū)；

平坦層(Planarizing，簡(jiǎn)稱PLN層)，設(shè)置于基板之上；

OLED模組，位于顯示區(qū)之上且設(shè)置于部分平坦層的上表面；

驅(qū)動(dòng)電極(Tx)，位于感應(yīng)區(qū)之上且設(shè)置于部分平坦層的上表面；

像素定義層(pixel design layer，簡(jiǎn)稱PDL層)，覆蓋驅(qū)動(dòng)電極及未被驅(qū)動(dòng)電極覆蓋的平坦層；

介電層，位于像素定義層之上；

感測(cè)電極(Rx)，設(shè)置于介電層之上，并與介電層和驅(qū)動(dòng)電極組合形成一感應(yīng)器。

具體的，參照?qǐng)D1所示，該顯示器件結(jié)構(gòu)定義有封裝區(qū)A1和有源區(qū)(active area，或稱AA區(qū))A2，其中有源區(qū)A2的基板11上設(shè)置有顯示區(qū)B1和感應(yīng)區(qū)B2，該顯示區(qū)用于形成OLED模組，感應(yīng)區(qū)用于形成感應(yīng)器(sensor)。

在本發(fā)明一可選但非限制性的實(shí)施例中，優(yōu)選的，該基板11為TFT陣列基板。

基板11上設(shè)置有絕緣層19，且位于顯示區(qū)B1上的絕緣層19的上表面還設(shè)置有信號(hào)引線20，信號(hào)引線20分別垂直貫穿該絕緣層19至位于基板11上的源極(source)和漏極(drain)上，并形成電性 接觸。位于信號(hào)引線20的上表面以及剩余絕緣層19的上表面還覆蓋有PLN層22，如圖1所示，位于顯示區(qū)B1上的PLN層22上開(kāi)設(shè)有一凹槽結(jié)構(gòu)，該凹槽結(jié)構(gòu)貫穿該P(yáng)LN層22最終將信號(hào)引線20的上表面予以暴露，用于后續(xù)填充陽(yáng)極材料將信號(hào)引線20引出。

參照?qǐng)D1所示的結(jié)構(gòu)，位于顯示區(qū)B1上的PLN層22的上表面設(shè)置有OLED模組，且位于感應(yīng)區(qū)B2上的PLN層22的上表面設(shè)置有Tx15(即驅(qū)動(dòng)電極15)。其中，該OLED模組包括有：陽(yáng)極(anode)12、OLED器件層13以及陰極(catholic)14。

陽(yáng)極12設(shè)置在位于顯示區(qū)B1上的PLN層22的上表面，且該陽(yáng)極12還填充位于PLN層22中的凹槽結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步的將信號(hào)引線20引出；

OLED器件層13設(shè)置在陽(yáng)極12的上表面，其主要作為本發(fā)明實(shí)施例中的顯示器件的發(fā)光層；

陰極14設(shè)置在該OLED器件層13的上表面，進(jìn)而總體上與OLED器件層13以及陽(yáng)極12形成了上述的OLED模組結(jié)構(gòu)。

在本發(fā)明一可選但非限制性的實(shí)施例中，優(yōu)選的，陽(yáng)極12的材質(zhì)與Tx15的材質(zhì)相同。

位于感應(yīng)區(qū)上的PLN層22暴露的上表面、Tx的上表面及其側(cè)壁均被較厚的PDL層16所覆蓋，且該P(yáng)DL層16頂部具有一淺開(kāi)口，該開(kāi)口中設(shè)置有一介電層17，其中，該介電層17的厚度優(yōu)選的大于該開(kāi)口的深度，即部分介電層17突出于PDL層16的頂部，用于后續(xù)制備形成感應(yīng)器。在該介電層17之上還設(shè)置有Rx18(即感測(cè)電極18)， 該Rx18作為電容式觸控感應(yīng)器的另一個(gè)電極。

在本發(fā)明的實(shí)施例中，優(yōu)選的，上述介電層17的材質(zhì)為絕緣材質(zhì)。

另外，在本發(fā)明的實(shí)施例的顯示器件結(jié)構(gòu)中，PDL層16的側(cè)壁還被上述的陰極14所覆蓋，且該顯示器件中還包括有光取出層(index matching layer，簡(jiǎn)稱IMI)21，光取出層21覆蓋在陰極14的上表面上，優(yōu)選的，該光取出層21的材質(zhì)為有機(jī)物。

其中，在該顯示器件中，驅(qū)動(dòng)電極、介電層以及感測(cè)電極共同構(gòu)成了感應(yīng)器結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了在in-cell技術(shù)中將TFT陣列基板上的像素內(nèi)部嵌入觸摸傳感器功能，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)了顯示器件與觸控器件的集成。

實(shí)施例二：

本發(fā)明還提供了一種顯示器件結(jié)構(gòu)的制備方法，如圖2所示，其具體包括：

步驟S1、提供一半導(dǎo)體襯底，半導(dǎo)體襯底具有顯示區(qū)和感應(yīng)區(qū)。

其中，該半導(dǎo)體襯底主要包括有基板11上，其具有顯示區(qū)B1和感應(yīng)區(qū)B2，基板11設(shè)置有絕緣層19，且位于顯示區(qū)B1上的絕緣層19的上表面還設(shè)置有信號(hào)引線20，信號(hào)引線20分別垂直貫穿該絕緣層19至位于基板11上的源極(source)和漏極(drain)上，并形成電性接觸。

步驟S2、在半導(dǎo)體襯底之上沉積一層PLN層22，在位于顯示區(qū)B1上的PLN層22上繼續(xù)開(kāi)設(shè)以凹槽結(jié)構(gòu)。

步驟S3、在位于顯示區(qū)B1之上的PLN層22的上表面制備陽(yáng)極12，同時(shí)在位于感應(yīng)區(qū)之上的PLN層22的部分上表面制備Tx15。

其中，該陽(yáng)極12還填充位于PLN層22中的凹槽結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步的將信號(hào)引線20引出。

在該步驟中，采用同一步刻蝕工藝制備驅(qū)動(dòng)電極與陽(yáng)極，例如：采用金屬化學(xué)氣相沉積法(MOCVD)在PLN層22的上表面沉積一層金屬層，之后，進(jìn)行刻蝕該金屬層，最終形成位于顯示區(qū)B1上的PLN層22的上表面的陽(yáng)極12以及位于感應(yīng)區(qū)B2上的PLN層22的上表面的Tx15，其中該Tx15作為后續(xù)制備感應(yīng)器具體為電容式觸控感應(yīng)器的一個(gè)電極。

步驟S4、在陽(yáng)極12的上表面制備一OLED器件層13，并在Tx15與PLN層22暴露的表面制備一像素定義層16。

步驟S5、繼續(xù)制備一陰極14以將OLED器件層13的上表面、像素定義層16的上表面及其側(cè)壁予以覆蓋。

其中，陽(yáng)極12、OLED器件層13以及陰極14共同構(gòu)成了本發(fā)明實(shí)施例中的OLED模組。

步驟S6、對(duì)陰極14開(kāi)設(shè)開(kāi)口至PLN層16中后，繼續(xù)在開(kāi)口中按照由下之上的順序依次制備介電層17和Rx18，最終形成如圖1所示的結(jié)構(gòu)，其中，Tx、介電層以及Rx共同構(gòu)成了感應(yīng)器結(jié)構(gòu)。

在本發(fā)明的實(shí)施例中，還包括在陰極的上表面沉積光取出層21的步驟，之后在形成上述開(kāi)口，進(jìn)而制備出介電層17和Rx18。優(yōu)選的，光取出層的材質(zhì)為有機(jī)物。

當(dāng)然，在本發(fā)明的實(shí)施例中，其顯示器件結(jié)構(gòu)制備方法還可以理解為，在感應(yīng)器sensor形成的區(qū)域即感應(yīng)區(qū)的部位對(duì)陰極進(jìn)行開(kāi)口步驟，如采用FMM(fine metal mask，精細(xì)金屬掩膜)等方式，并沉積一層絕緣層作為介電層，同時(shí)利用AE2或AE3層金屬，在形成陽(yáng)極的同時(shí)形成Tx金屬層，最終制備出相應(yīng)的感應(yīng)器。因此本發(fā)明技術(shù)方案可在in-cell技術(shù)中將TFT陣列基板上的像素內(nèi)部嵌入觸摸傳感器功能，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)了顯示器件與觸控器件的集成，同時(shí)具有在改良顯示器件的屏幕纖薄化程度的同時(shí)，避免了集成引線以及設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)復(fù)雜的特點(diǎn)。

綜上所述，本發(fā)明公開(kāi)了一種顯示器件結(jié)構(gòu)及其制備方法，主要包括有基板、位于基板之上的平坦層、位于平坦層之上的OLED模組和驅(qū)動(dòng)電極以及在驅(qū)動(dòng)電極上的像素定義層的頂部設(shè)置有包括介電層和感測(cè)電極，本發(fā)明技術(shù)方案主要是通過(guò)在感應(yīng)區(qū)即制備感應(yīng)器的區(qū)域中，于平坦層與像素定義層之間形成驅(qū)動(dòng)電極，并在像素定義層頂部設(shè)置介電層及感測(cè)電極，進(jìn)而驅(qū)動(dòng)電極、介電層和感測(cè)電極形成嵌入式的感應(yīng)器，因此本發(fā)明技術(shù)方案可以有效解決對(duì)位難、顯示不均及集成引線復(fù)雜等技術(shù)難題，一定程度上在降低屏幕的厚度的同時(shí)，還能降低終端產(chǎn)品在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)上的難度。

本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，本領(lǐng)域技術(shù)人員結(jié)合現(xiàn)有技術(shù)以及上述實(shí)施例可以實(shí)現(xiàn)所述變化例，這樣的變化例并不影響本發(fā)明的實(shí)質(zhì)內(nèi)容，在此不予贅述。

以上對(duì)本發(fā)明的較佳實(shí)施例進(jìn)行了描述。需要理解的是，本發(fā)明 并不局限于上述特定實(shí)施方式，其中未盡詳細(xì)描述的設(shè)備和結(jié)構(gòu)應(yīng)該理解為用本領(lǐng)域中的普通方式予以實(shí)施；任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案做出許多可能的變動(dòng)和修飾，或修改為等同變化的等效實(shí)施例，這并不影響本發(fā)明的實(shí)質(zhì)內(nèi)容。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所做的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。