1.一種顯示器件結構，其特征在于，包括：
基板，設置有顯示區(qū)和感應區(qū)；
平坦層，設置于所述基板之上；
OLED模組，位于所述顯示區(qū)之上且設置于部分所述平坦層的上表面；
驅動電極，位于所述感應區(qū)之上且設置于部分所述平坦層的上表面；
像素定義層，覆蓋所述驅動電極及未被所述驅動電極覆蓋的所述平坦層；
介電層，位于所述像素定義層之上；以及
感測電極，設置于所述介電層之上，并與所述介電層和所述驅動電極組合形成一感應器。
2.如權利要求1所述的顯示器件結構，其特征在于，所述介電層的材質為絕緣材質。
3.如權利要求1所述的顯示器件結構，其特征在于，所述OLED模組包括：
陽極，設置于所述顯示區(qū)中的所述平坦層之上；
OLED器件層，設置于所述陽極之上；以及
陰極，設置于所述OLED器件層之上。
4.如權利要求3所述的顯示器件結構，其特征在于，所述驅動電極與所述陽極的材質相同。
5.如權利要求3所述的顯示器件結構，其特征在于，所述顯示 器件還包括光取出層；
所述光取出層設置于所述陰極的上表面之上。
6.如權利要求5所述的顯示器件結構，其特征在于，所述光取出層的材質為有機物。
7.如權利要求1所述的顯示器件結構，其特征在于，所述基板為TFT陣列基板。
8.如權利要求1所述的顯示器件結構，其特征在于，所述顯示器件為AMOLED。
9.一種顯示器件結構的制備方法，其特征在于，所述方法包括：
提供一半導體襯底，所述半導體襯底具有顯示區(qū)和感應區(qū)；
于所述半導體襯底之上沉積一層平坦層；
在位于所述顯示區(qū)之上的所述平坦層的上表面制備一陽極，同時在位于所述感應區(qū)之上的所述平坦層的部分上表面制備一驅動電極；
于所述陽極的上表面制備一OLED器件層，并在所述驅動電極與所述平坦層暴露的表面制備一像素定義層；
制備一陰極以將所述OLED器件層的上表面、所述像素定義層的上表面及其側壁予以覆蓋；以及
對所述陰極開設開口至所述像素定義層中后，繼續(xù)于所述開口中按照由下之上的順序依次制備介電層和感測電極；
其中，所述驅動電極、所述介電層和所述感測電極組合形成一感應器。
10.如權利要求9所述的顯示器件結構的制備方法，其特征在于， 采用同一步刻蝕工藝制備所述驅動電極與所述陽極。