1.一種半導(dǎo)體封裝件，該半導(dǎo)體封裝件包括：
第一管芯，所述第一管芯包括：第一芯片焊盤，所述第一芯片焊盤被設(shè)置在芯片上的第一芯片焊盤區(qū)域中；第一連接焊盤，所述第一連接焊盤被設(shè)置在位于所述第一管芯的角部處的第一連接焊盤區(qū)域中，并且與所述第一芯片焊盤區(qū)域間隔開預(yù)定距離；以及第一重分布層圖案，所述第一重分布層圖案將所述第一芯片焊盤連接到所述第一連接焊盤；
第二管芯，所述第二管芯包括：第二芯片焊盤，所述第二芯片焊盤被設(shè)置在所述芯片上的第二芯片焊盤區(qū)域中，并且在水平方向上與所述第一管芯間隔開；第二連接焊盤，所述第二連接焊盤被設(shè)置在位于所述第二管芯的角部處的第二連接焊盤區(qū)域中，并且與所述第二芯片焊盤區(qū)域間隔開預(yù)定距離；以及第二重分布層圖案，所述第二重分布層圖案將所述第二芯片焊盤連接到所述第二連接焊盤，所述第二連接焊盤區(qū)域被設(shè)置為在所述水平方向上與所述第一管芯的所述第一連接焊盤區(qū)域相鄰；
第三管芯，所述第三管芯包括：第三芯片焊盤，所述第三芯片焊盤被設(shè)置在所述芯片上的第三芯片焊盤區(qū)域中，并且在所述水平方向上與所述第二管芯間隔開預(yù)定距離；第三連接焊盤，所述第三連接焊盤被設(shè)置在位于所述第三管芯的角部處的第三連接焊盤區(qū)域中，并且與所述第三芯片焊盤區(qū)域間隔開預(yù)定距離；以及第三重分布層圖案，所述第三重分布層圖案將所述第三芯片焊盤連接到所述第三連接焊盤，所述第三連接焊盤區(qū)域被設(shè)置為在對(duì)角方向上面對(duì)所述第一管芯的所述第一連接焊盤區(qū)域；
第四管芯，所述第四管芯包括：第四芯片焊盤，所述第四芯片焊盤被設(shè)置在所述芯片上的第四芯片焊盤區(qū)域中，并且在所述水平方向上與所述第三管芯間隔開預(yù)定距離；第四連接焊盤，所述第四連接焊盤被設(shè)置在位于所述第四管芯的角部處的第四連接焊盤區(qū)域中，并且與所述第四芯片焊盤區(qū)域間隔開預(yù)定距離；以及第四重分布層圖案，所述第四重分布層圖案將所述第四芯片焊盤連接到所述第四連接焊盤，所述第四連接焊盤區(qū)域被設(shè)置為在對(duì)角方向上面對(duì)所述第二管芯的所述第二連接焊盤區(qū)域；以及
第一半導(dǎo)體芯片，所述第一半導(dǎo)體芯片被設(shè)置在所述第一管芯至所述第四管芯下方，并且在與所述第一連接焊盤區(qū)域至所述第四連接焊盤區(qū)域交疊的部分處分別電連 接到所述第一管芯至所述第四管芯。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述第一管芯至所述第四管芯的各個(gè)角部與所述第一半導(dǎo)體芯片的角部交疊。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述第一半導(dǎo)體芯片還包括硅穿孔，所述硅穿孔被設(shè)置在與所述第一連接焊盤區(qū)域至所述第四連接焊盤區(qū)域交疊的部分處。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述第一半導(dǎo)體芯片包括在垂直方向和所述水平方向上由與所述第一半導(dǎo)體芯片交叉的中心線劃分的四個(gè)部分，
其中，所述四個(gè)部分由位于第一象限中的第一部分、位于第二象限中的第二部分、位于第三象限中的第三部分以及位于第四象限中的第四部分組成，并且
其中，所述第一管芯至所述第四管芯分別被設(shè)置在所述第一部分至所述第四部分中。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述第一管芯與所述第一半導(dǎo)體芯片的所述第二部分交疊，
其中，所述第二管芯與所述第一半導(dǎo)體芯片的所述第一部分交疊，并且所述第二管芯的所述第二連接焊盤區(qū)域被設(shè)置在從設(shè)置有所述第一管芯的所述第一連接焊盤區(qū)域的位置相對(duì)于所述第一半導(dǎo)體芯片的中心旋轉(zhuǎn)90度的位置處，
其中，所述第三管芯與所述第一半導(dǎo)體芯片的所述第四部分交疊，并且所述第三管芯的所述第三連接焊盤區(qū)域被設(shè)置在從設(shè)置有所述第二管芯的所述第二連接焊盤區(qū)域的位置相對(duì)于所述第一半導(dǎo)體芯片的中心旋轉(zhuǎn)90度的位置處，并且
其中，所述第四管芯與所述第一半導(dǎo)體芯片的所述第三部分交疊，并且所述第四管芯的所述第四連接焊盤區(qū)域被設(shè)置在從設(shè)置有所述第三管芯的所述第三連接焊盤區(qū)域的位置相對(duì)于所述第一半導(dǎo)體芯片的中心旋轉(zhuǎn)90度的位置處。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，設(shè)置在所述第一管芯至所述第四管芯上的所述芯片焊盤、所述連接焊盤以及所述重分布層圖案具有相同的特征。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述第一芯片焊盤區(qū)域至所述第四芯片焊盤區(qū)域分別被設(shè)置在所述第一管芯至所述第四管芯的中心部分或邊緣部分處。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述第一重分布層圖案至所述 第四重分布層圖案按照直線形狀連接到靠近所述管芯的所述角部而設(shè)置的所述連接焊盤，并且所述第一重分布層圖案至所述第四重分布層圖案中的至少一些連接為朝向聚集在各個(gè)管芯的角部處的所述連接焊盤且遠(yuǎn)離各個(gè)管芯的這些角部彎曲至少一次。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述第一管芯至所述第四管芯中的一部分伸出到所述第一半導(dǎo)體芯片的外部。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，該半導(dǎo)體封裝件還包括：
封裝基板，所述封裝基板被設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體芯片下方，并且包括電連接到所述第一半導(dǎo)體芯片的基板焊盤；
支承構(gòu)件，所述支承構(gòu)件被設(shè)置在所述封裝基板上并且支承所述第一管芯至所述第四管芯，所述支承構(gòu)件包圍所述第一半導(dǎo)體芯片的各個(gè)外角部；以及
模制構(gòu)件，所述模制構(gòu)件覆蓋所述封裝基板、所述第一半導(dǎo)體芯片、所述支承構(gòu)件以及所述第一管芯至所述第四管芯。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述支承構(gòu)件包括虛設(shè)管芯或阻焊劑圖案。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述第一半導(dǎo)體芯片是包括微處理器或控制器的邏輯芯片，并且
其中，所述第一管芯至所述第四管芯包括執(zhí)行相同功能的存儲(chǔ)芯片。
13.一種半導(dǎo)體封裝，該半導(dǎo)體封裝件包括：
第一管芯，所述第一管芯包括：第一芯片焊盤，所述第一芯片焊盤被設(shè)置在芯片上的第一芯片焊盤區(qū)域中；第一連接焊盤，所述第一連接焊盤與所述第一芯片焊盤區(qū)域間隔開預(yù)定距離，并且聚集在位于所述第一管芯的角部處的第一連接焊盤區(qū)域中；以及第一重分布層圖案，所述第一重分布層圖案將所述第一芯片焊盤連接到所述第一連接焊盤；
第二管芯，所述第二管芯包括：第二芯片焊盤，所述第二芯片焊盤被設(shè)置在所述芯片上的第二芯片焊盤區(qū)域中；第二連接焊盤，所述第二連接焊盤與所述第二芯片焊盤區(qū)域間隔開預(yù)定距離，并且被設(shè)置在位于所述第二管芯的角部處的第二連接焊盤區(qū)域中；以及第二重分布層圖案，所述第二重分布層圖案將所述第二芯片焊盤連接到所述第二連接焊盤，并且所述第二連接焊盤區(qū)域被設(shè)置在與所述第一連接焊盤區(qū)域相鄰的位置處；以及
第一半導(dǎo)體芯片，所述第一半導(dǎo)體芯片被設(shè)置在所述第一管芯和所述第二管芯下方，并且電連接到所述第一連接焊盤和所述第二連接焊盤。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述第一半導(dǎo)體芯片還包括穿透所述第一半導(dǎo)體芯片的硅穿孔，并且
其中，所述硅穿孔被設(shè)置在所述第一管芯或所述第二管芯與所述第一半導(dǎo)體芯片交疊的位置處，并且連接到所述第一連接焊盤或所述第二連接焊盤。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體封裝件，
其中，所述第一半導(dǎo)體芯片包括在水平方向和垂直方向上由與所述第一半導(dǎo)體芯片交叉的中心線劃分的四個(gè)部分，
其中，所述四個(gè)部分由位于第一象限中的第一部分、位于第二象限中的第二部分、位于第三象限中的第三部分以及位于第四象限中的第四部分組成，并且
其中，所述第一管芯或所述第二管芯被設(shè)置在從所述四個(gè)部分中選擇的一個(gè)部分中。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述第一管芯被設(shè)置在所述第一部分或所述第二部分中，并且所述第二管芯被設(shè)置在對(duì)角地面對(duì)所述第一部分的所述第三部分中或者設(shè)置在對(duì)角地面對(duì)所述第二部分的所述第四部分中。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述第一管芯被設(shè)置在所述第二部分中，并且所述第二管芯被設(shè)置在沿所述水平方向與所述第二部分平行的所述第一部分中。
18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述第二管芯的所述第二芯片焊盤、所述第二連接焊盤和所述第二重分布層圖案分別具有與所述第一管芯的所述第一芯片焊盤、所述第一連接焊盤和所述第一重分布層圖案相同的特征。
19.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述第二管芯的第二連接焊盤被設(shè)置在從設(shè)置有所述第一管芯的所述第一連接焊盤的位置相對(duì)于所述第一半導(dǎo)體芯片的中心旋轉(zhuǎn)180度的位置處。
20.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述第二管芯的所述第二連接焊盤被設(shè)置在從設(shè)置有所述第一管芯的所述第一連接焊盤的位置相對(duì)于所述第一半導(dǎo)體芯片的中心旋轉(zhuǎn)90度的位置處。
21.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述第一芯片焊盤區(qū)域或所 述第二芯片焊盤區(qū)域被設(shè)置在所述第一管芯或所述第二管芯的中心部分或邊緣部分中。
22.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述第一重分布層圖案和所述第二重分布層圖案按照直線形狀連接到靠近所述管芯的角部而設(shè)置的連接焊盤，并且所述第一重分布層圖案和所述第二重分布層圖案中的至少一些連接為朝向聚集在各個(gè)管芯的角部處的所述連接焊盤且遠(yuǎn)離各個(gè)管芯的所述角部彎曲至少一次。
23.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述第一管芯或所述第二管芯的各個(gè)角部與所述第一半導(dǎo)體芯片的角部交疊。
24.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體封裝件，
其中，所述第一管芯與所述第一半導(dǎo)體芯片的一側(cè)交疊，并且所述第一芯片焊盤區(qū)域與所述第一半導(dǎo)體芯片的一側(cè)平行地設(shè)置，并且
其中，所述第二管芯與所述第一半導(dǎo)體芯片的相反側(cè)交疊，所述第二連接焊盤區(qū)域被設(shè)置在從設(shè)置有所述第一連接焊盤區(qū)域的位置相對(duì)于所述第一半導(dǎo)體芯片的中心旋轉(zhuǎn)180度的位置處。
25.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述第一管芯的一部分或所述第二管芯的一部分伸出到所述第一半導(dǎo)體芯片的外部。
26.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體封裝件，該半導(dǎo)體封裝還包括：
封裝基板，所述封裝基板被設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體芯片下方，并且包括電連接到所述第一半導(dǎo)體芯片的基板焊盤；
支承構(gòu)件，所述支承構(gòu)件被設(shè)置在所述封裝基板上并且支承所述第一管芯和所述第二管芯，所述支承構(gòu)件包圍所述第一半導(dǎo)體芯片的各個(gè)外角部；以及
模制構(gòu)件，所述模制構(gòu)件覆蓋所述封裝基板、所述第一半導(dǎo)體芯片以及所述第一管芯和所述第二管芯。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述支承構(gòu)件包括虛設(shè)管芯或阻焊劑圖案。