背景技術：

通常，集成電路中的電容器結構可為平坦平行板電容器結構或溝槽電容器結構。這些平坦平行板電容器結構或溝槽電容器結構的每單位面積的電容基于該電容器結構的電介質厚度。這不同于電容取決于重疊的導電段的金屬氧化物金屬(MOM)指狀(finger)電容器結構。

MOM指狀電容器結構為集成電路內的常用電路組件。MOM指狀電容器結構能夠被用在環(huán)路濾波器電路、電感-電容電壓控制器振蕩器(LCVCO)電路、模數(shù)轉換器(ADC)電路、數(shù)模轉換器(DAC)電路、電源去耦電路或接地去耦電路中。這些電路中的大多數(shù)需要小尺寸但精確設計的MOM指狀電容器結構(例如，ADC電路)。

然而，制造小尺寸但精確設計的MOM指狀電容器結構很困難。原因之一是由于后端(BEOL)工藝的變化。另一個原因是特定電路的電容要求可隨著制造工藝的成熟而變化。上述原因以及新生成工藝所產生的限制，特別是每個金屬層可具有僅在單個方向上被路由(route)的導電段，使得難以在集成電路內制造MOM指狀電容器結構。

技術實現(xiàn)要素：

本文所述的實施例包含可縮放(scalable)的固定占用面積電容器結構和用于縮放電容器結構的電容的方法。應理解，所述實施例能夠以多種方式，諸如工藝、裝置、系統(tǒng)、器件或方法來實施。下面描述幾個實施例。

在一個實施例中，電容器結構包括基板、電介質疊層、第一導體段、第二導體段和屏蔽導體段。電介質疊層在基板上形成。電介質疊層的第一層包括僅在第一方向上被路由的多個導體段。在多個導體段之中的第一導體段可被偏置到第一電壓。在多個導體段之中的第二導體段可被偏置到第二電壓。屏蔽導體段可被偏置到第二電壓并在第一導體段的端部形成。電介質疊層也可包括第二層。

第二層可包括僅在第二方向上被路由的附加導體段。在一個實施例中，第二方向不同于第一方向。形成多個附加導體段的一部分的第四導體段可被偏置到第一電壓。形成多個導體段的一部分的第五導體段可被偏置到第二電壓。導電通孔可被聯(lián)接至與第四導體段的一部分重疊的第一導體段的一部分。

在另一實施例中，提供調整固定占用面積電容器結構的電容的方法。電容在包括在第一方向上被路由的第一和第二導體段和在第一方向上被路由的屏蔽導體段的金屬層中形成。屏蔽導體段中的每者與第一和第二導體段相鄰定位。本方法包含比較固定占用面積電容器結構的電容值和預定義電容值的步驟。本方法還包括一旦比較步驟被執(zhí)行就調整第一和第二導體段的長度的步驟。

根據(jù)優(yōu)選實施例的附圖和詳細描述，本發(fā)明的進一步特征、本質和各種優(yōu)點將更加明顯。

附圖說明

圖1為根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的例示性集成電路的橫截面?zhèn)纫晥D。

圖2為根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的例示性電容器結構的分解圖。

圖3A-3C示出根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的在每一金屬層M1-M3的電容器結構的例示性頂部平面視圖。

圖4A-4C示出根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的例示性電容器結構配置的橫截面。

圖5為根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的用于縮放固定占用面積電容器結構的例示性步驟的流程圖。

具體實施方式

下面的實施例包含可縮放的固定占用面積電容器結構和用于電容器結構的縮放電容的方法。示例性實施例可在沒有這些具體細節(jié)的全部或一部分的情況下實施對于本領域的技術人員來說是顯而易見的。在其它實例中，公知的操作并沒有被詳細描述，以免不必要地模糊本實施例。

在整個本說明書，在元件被稱為“連接”或“聯(lián)接”到另一元件時，其可被直接連接或聯(lián)接到另一元件或通過插置在其間的另一元件被電氣或間接連接或聯(lián)接到另一元件。

圖1示出根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的集成電路的橫截面?zhèn)纫晥D，但該圖為例示性而非限制性的。集成電路100包括一起堆疊在半導體基板(例如，基板101)頂部上的六個電介質層D1至D6和六個金屬層M1至M6。

應理解，集成電路100可為專用集成電路(ASIC)、專用標準產品(ASSP)電路或可編程邏輯電路。一般來講，ASIC和ASSP執(zhí)行固定和專用功能，而可編程邏輯電路是可編程的以執(zhí)行各種功能?？删幊踢壿嬰娐返氖纠蔀楝F(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)器件。

如圖1的實施例所示，堆疊的電介質層D1至D6和金屬層M1至M6可被統(tǒng)一稱為電介質疊層105或互連疊層。電解質疊層105在基板101的頂部上直接形成。電介質疊層105可包括用于在基板101上的兩個有源結構(例如，兩個晶體管結構)之間路由信號的或用于從基板101上的結構向外部電路(即，集成電路100的外面)路由信號的信號路由通路組。

電介質疊層105也可包括電路結構。該電路結構可為無源電路結構，諸如電容器結構、電感器結構和電阻結構。在一個實施例中，電介質疊層105可包括金屬氧化物金屬(MOM)指狀電容器結構。應理解，MOM指狀電容器結構可以被用作環(huán)路濾波器電路、電感-電容電壓控制器振蕩器(LCVCO)電路、模數(shù)轉換器(ADC)電路、數(shù)模轉換器(DAC)電路、電源去耦電路或接地去耦電路的一部分。電容器結構可在電介質疊層105的區(qū)域20中形成。在一個實施例中，電容器結構可包括在相應金屬層M1至M6中形成的導電段(未示出)。

如圖1的實施例所示，每個金屬層M1至M6可被嵌在它們相應的電介質層D1至D6之間(例如，電介質層D1-D6中的相應一個電介質層有時候被稱為“通孔”層，其可被插置在每對相鄰金屬層之間)。應理解，電介質層D1至D6可被用于使金屬層M1-M6彼此電隔離。例如，電介質層D1覆蓋基板101并使基板101與金屬層M1隔離。電介質層D2覆蓋金屬層M1并使金屬層M1與金屬層M2隔離。類似地，電介質層D3覆蓋金屬層M2并使金屬層M2與金屬層M3隔離。電介質層D4覆蓋金屬層M3并使金屬層M3與金屬層M4隔離。電介質層D5覆蓋金屬層M4并使金屬層M4與金屬層M5隔離。電介質層D6覆蓋金屬層M5并使金屬層M5與金屬層M6隔離。

金屬層M1-M6可包括信號路由路徑。信號路由路徑被用于從金屬層M1-M6上的一個位置向金屬層M1-M6上的另一位置傳送信號。在一個實施例中，信號路由路徑可為金屬路由路徑。因此，金屬層M1-M6也可被稱為金屬路由層。每個金屬層M1-M6可包括在特定方向上路由的信號路由路徑。例如，金屬層M1上的信號路由路徑在類似方向上被路由。類似地，金屬層M2上的信號路由路徑也在類似方向上被路由。

然而，信號路由路徑可在每個不同的金屬層的不同方向上被路由。例如，與在金屬層M2上的信號路由路徑相比，在金屬層M1上的信號路由路徑可在不同方向上被路由。類似地，與在金屬層M3上的信號路由路徑相比，在金屬層M2上的信號路由路徑可在不同方向上被路由。在一個實施例中，金屬層M1可包括僅在水平方向上被路由信號路由路徑(例如，類似于如圖3A所示的實施例)，金屬層M2可包括僅在垂直方向上的信號路由路徑(例如，類似于如圖3B所示的實施例)，金屬層M3可包括僅在水平方向上的信號路由路徑(例如，類似于如圖3C的實施例)，等等。

應理解，電介質層和金屬層的數(shù)量可根據(jù)集成電路100的復雜程度而改變。例如，復雜集成電路100(例如，可編程邏輯電路)可包括不止十個電介質層和不止十個金屬層。另選地，簡單集成電路100(例如，電源電路)可包括少于兩個電介質層和兩個金屬層。

導電通孔結構(未在圖1中示出)可被定位在電介質層D1至D6中的指定位置，以便可在金屬層之間形成電接觸。電介質層D1至D6有時候可被稱為通孔層，因為每個電介質層D1至D6可包括通孔結構。在一個實施例中，通孔結構可為電鍍通孔、導電柱、導電棒等。

圖2示出根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的電容器結構的分解圖，但該圖為例示性而非限制性的。電容器結構200可包括導電段210、220、230、240、250、260和270。電容器結構200可類似于在圖1中引用的被內置在圖1的電介質疊層105的區(qū)域20中的電容器結構。電容器結構200可具有固定占用面積(即，涵蓋電容器結構的面積是固定的)。如圖2中的實施例所示，電容器結構200的占用面積具有矩形的形狀。

如圖2的實施例所示，導體段210在金屬層M1中形成，導體段220、230和240在金屬層M2中形成以及導體段250、260和270在金屬層M3中形成。此外，導體段210、220、230、240、250、260和270可被偏置到它們的相應電壓。例如，導體段210、230、240、260和270可被偏置到電壓V1，而導體段220和250可被偏置到電壓V2。在一個實施例中，電壓V1可為接地電壓電平Vss，而電壓V2可為電源電壓電平Vcc。在一個實施例中，導體段210、220、230、240、250、260和270可形成MOM指狀電容器的指狀結構。因此，電容器結構200可被稱為MOM指狀電容器結構。

五個導體段210在金屬層M1上在彼此相同方向上被路由。形成電容器結構200的第一層的五個導體段210可為電容器結構200的基部。該基部可防止在半導體基板(例如，圖1的基板101)上的電容器結構200和其它電路結構之間的信號干擾(即，信號串擾)。在一個實施例中，導體段210也可被稱為電容器結構200的屏蔽結構。

導體段220、230和240也在金屬層M2上在彼此相同方向上被路由。然而，導體段220、230和240在垂直于金屬層M1上的導體段210的方向上被路由。導體段230可形成電容器結構200的邊緣。因此，導體段230可被用作對通過在電容器結構200外部形成的電路的信號干擾的屏蔽。導體段220被定位在電容器結構200的中間部分中，而導體段240被定位在導電段220的兩個邊緣。

在一個實施例中，多種不同類型的電容可在導體段210、220、230和240之間形成。例如，邊緣(或邊)電容可在金屬層M2上在導體段220的邊緣和導體段240的相應相鄰邊緣之間形成。并聯(lián)電容可在金屬層M2上在導體段220和相應相鄰導體段230之間形成。重疊電容可在金屬層M1和M2之間，具體地，在與導體段210的部分重疊的導體段230的部分之間形成。

導體段250、260和270在金屬層M3上在彼此相同方向上被路由。如圖2的實施例所示，導體段250、260和270可與在金屬層M1上的導體段210相同方向上被路由。然而，導體段250、260和270在在垂直于金屬層M2上的導體段220、230和240的方向上被路由。導體段260在金屬層M3上形成電容器結構200的邊緣。因此，類似于在金屬層M2上的導體段230，導體段260可被用作對通過電容器結構200的外部電路的信號干擾的屏蔽。導體段250被定位在電容器結構200的中間部分中，而導體段270被定位在導電段250的兩個邊緣。

類似于在金屬層M2中的金屬結構，金屬層M3也可包括在導體段220、230、240、250、260和270之間的多個不同電容。邊緣電容可在金屬層M3上在導體段250的邊緣和導體段270的邊緣之間形成。并聯(lián)電容可在金屬層M3上在導體段250和它們的相應導體段260之間形成。重疊電容可在金屬層M2和M3之間，具體地，在與導體段250的部分重疊的導體段230的部分和與導體段220的部分重疊的導體段260的部分之間形成。

圖3A-3C示出根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的相應金屬層M1-M3和它們的導電通孔結構的頂部平面視圖，但是該圖為例示性而非限制性的。

圖3A示出金屬層M1的頂部平面視圖。類似于圖2，金屬層M1包括五個導體段210。除此之外，導體段210包括多個導電通孔結構310。如圖1所示，導電通孔結構310可被用于從金屬層(例如，金屬層M1)向另一金屬層(例如，金屬層M2)路由信號。在圖3A的實施例中，導電通孔結構310可被用于將導體段210聯(lián)接至金屬層M2上的導體段230和240。

圖3B示出金屬層M2的頂部平面視圖。類似于圖2，金屬層M2包括導體段220、230和240。導體段220、230和240可在與圖3A的導體段210不同的方向上被路由。如圖3B的實施例所示，導體段220、230和240在垂直于導體段210的方向上被路由。類似于金屬層M1，金屬層M2也包括多個導電通孔結構310。導電通孔結構310可被用于將信號從金屬層M2路由至金屬層M1或從金屬層M2路由至金屬層M3。在圖3B的實施例中，導電通孔結構310可被用于將金屬層M2上的導體段230和240聯(lián)接至金屬層M1上的導體段210并聯(lián)接至金屬層M3上的導體段260和270。此外，導電通孔結構也可被用于將金屬層M2上的導體段220聯(lián)接至金屬層M3上的導體段250。

圖3C示出金屬層M3的頂部平面視圖。金屬層M3包括導體段250、260和270。導體段250、260和270可在與金屬層M1上的導體段210相同方向上被路由，以及在與金屬層M2上的導體段220、230和240不同方向上被路由。如圖3C的實施例所示，導體段250、260和270在垂直于導體段220、230和240的方向上被路由。類似于金屬層M1和M2，金屬層M3也包括多個導電通孔結構310。導電通孔結構310可被用于在金屬層M2和M3之間路由信號。

圖4A示出根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的例示性電容器結構配置的橫截面，但該圖為例示性而非限制性的。在一個實施例中，電容器結構400A可類似于圖2的電容器結構200。電容器結構400A可在三個金屬層M1-M3中形成并且示出在導體結構之間的多個電容。

電容C1可為跨不同金屬層的導體段形成的電容(例如，在金屬層M1和M2的導體段之間的電容或在金屬層M2和M3的導體段之間的電容)。在一個示例性實施例中，并且一起參考圖2中的實施例，電容C1可在以下部分之間形成：(i)與導體段210的部分重疊的導體段230的部分，(ii)與導體段250的部分重疊的導體段230的部分，以及(iii)與導體段220的部分重疊的導體段260的部分。電容C1也可被稱為重疊電容。

電容C2可為跨類似金屬層的導體段形成的電容(例如，在金屬層M1、M2或M3的導體段之間的電容)。在一個示例性實施例中，并且一起參考圖2中的實施例，電容C2可在以下部分之間形成：(i)導體段220和導體段230或240，以及(ii)導體段250和導體段260或270。電容C2也可被稱為邊緣電容(例如，在導體段220和導體段240之間的電容或在導體段250和導體段270之間的電容)或并聯(lián)電容(例如，在導體段220和導體段230之間的電容或在導體段250和導體段260之間的電容)。在一個實施例中，電容C2A可為在電容器結構的中間層中形成的邊緣電容(例如，在圖2的導體段220和導體段240之間的電容)。

圖4B示出根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的另一例示性電容器結構配置的橫截面，但該圖為例示性而非限制性的。在一個實施例中，電容器結構400B可具有相對短的中間層導體段并且類似于圖4A的電容器結構400A。因此，為簡明起見，這里將不重復電容C1和C2的細節(jié)。然而，電容C2B可能比圖4A的電容C2A小得多。這是因為不同的電位電壓的導體段之間的更大距離減小電容(因為距離與電容值具有相反的關系)。在一個示例性實施例中，并參考圖2的實施例，具有圖2的短導體段240增加了圖2的導體段240和導體段220之間的距離。在另一實施例中，具有圖2的短導體段220也可增加圖2的導體段240和導體段220之間的距離。除此之外，短導體段也可能降低金屬層M2上的短導體段和金屬層M1的導體段之間的重疊電容C1。

圖4C示出根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的另一例示性電容器結構配置的橫截面，但該圖為例示性而非限制性的。在一個實施例中，電容器結構400C可具有相對長的中間層導體段并且類似于圖4A的電容器結構400A。然而，電容C2C可能比圖4A的電容C2A大得多。這是因為與圖4A的導體段相比，不同電位電壓的導體段之間的更短距離。在一個示例性實施例中，并參考圖2的實施例，具有圖2的長導體段240減少了圖2的導體段240和導體段220之間的距離。在另一實施例中，具有圖2的長導體段220也可減少圖2的導體段240和導體段220之間的距離。

圖5示出根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的用于調整固定占用面積電容器結構的電容的方法的流程圖，但該圖為例示性而非限制性的。在一個實施例中，固定占用面積電容器結構可類似于圖2的電容器結構200。

圖5的實施例中的方法可使用計算機輔助設計(CAD)工具來執(zhí)行。CAD工具可由單個供應商或多個供應商提供，CAD工具中的部分或全部有時候被統(tǒng)一稱為CAD工具。這些工具可作為一套或更多套工具(例如，用于執(zhí)行與實施電路設計相關聯(lián)的任務的編譯器套裝)和/或一個或更多個獨立軟件組件(工具)來提供。在一個實施例中，步驟510-550可使用CAD工具來執(zhí)行。

此外，在圖5的實施例中的方法可改變集成電路器件中的電介質疊層的一個或更多個層。在通過步驟510-550中的層的任何變化可能需要在它們的對應光刻掩膜中的變化。

在步驟510，固定占用面積電容器結構的電容值和預定義電容值進行比較。在一個實施例中，預定義電容器值可為約3毫微微(femto)法拉(fF)。

在步驟520，確定固定占用面積電容器結構的電容值是否不同于預定義電容器值。如果固定占用面積電容器結構的電容值等同于預定義電容器值，則該方法結束。然而，如果固定占用面積電容器結構的電容值不同于預定義電容器值，則該方法繼續(xù)至步驟530。

在步驟530，確定固定占用面積電容器結構的電容值是否大于預定義電容器值。如果固定占用面積電容器結構的電容值大于預定義電容器值，則該方法前進至步驟540。然而，如果固定占用面積電容器結構的電容值小于預定義電容器值，則該方法前進至步驟550。

在步驟540，電容器結構的導體段的長度被減小。在一個實施例中，相對短的導體段電容器結構可類似于圖4B的電容器結構400B?？s短的導體段增加了不同電壓電平的導體段之間的距離，并因此降低總體電容。此外，重疊電容也可隨著不同金屬層的不同電壓導體段之間的重疊被減少而降低。

另選地，在步驟550，電容器結構的導體段的長度被增加。在一個實施例中，相對長的導體段電容器結構可類似于圖4C的電容器結構400C。相對長的導體段減小了不同電壓電平的導體段之間的距離，并因此增加總體電容。此外，重疊電容可隨著不同金屬層的不同電壓導體段之間的重疊被增加而增加。

應理解，在電容器結構的導體段的長度根據(jù)步驟540被減小或根據(jù)步驟550被增加時，可改變可被用于形成此層的至少一個或更多個對應光刻掩膜。

至此，所述實施例已相對于集成電路進行了描述。本文所述的方法和裝置可被并入任何合適的電路中。例如，它們可被并入多種類型的器件，諸如可編程邏輯器件、專用標準產品(ASSP)和專用集成電路(ASIC)中?？删幊踢壿嬈骷氖纠?僅舉幾例)，可編程陣列邏輯(PAL)、可編程邏輯陣列(PLA)、現(xiàn)場可編程邏輯陣列(FPLA)、電可編程邏輯器件(EPLD)、電可擦除可編程邏輯器件(EEPLD)、邏輯單元陣列(LCA)、復雜可編程邏輯器件(CPLD)以及現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)。

在本文的一個或更多個實施例中描述的可編程邏輯器件可為包括以下部件中的一個或更多個的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)的一部分：處理器；存儲器；10電路；和外圍裝置。數(shù)據(jù)處理能夠被用在范圍廣泛的各種應用中，諸如計算機網(wǎng)絡、數(shù)據(jù)網(wǎng)絡、儀器、視頻處理、數(shù)字信號處理或利用可編程或可再編程邏輯的優(yōu)點是有利的任何合適的其它應用。可編程邏輯器件能夠被用于執(zhí)行各種不同的邏輯功能。例如，可編程邏輯器件能夠被配置為配合系統(tǒng)處理器工作的處理器或控制器。可編程邏輯器件也可被用作用于判優(yōu)對數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)中的共享資源的訪問的判優(yōu)器。在又一示例中，可編程邏輯器件能夠被配置為在系統(tǒng)中的處理器和一個其它部件之間的接口。在一個實施例中，可編程邏輯器件可為ALTERA公司擁有的器件系列之一。

雖然所述操作方法以指定的順序描述，但是應當理解，其它操作可以在所述操作之間執(zhí)行，所述操作可以進行調節(jié)，以便它們發(fā)生在稍微不同的時間或所述操作可以被分布在允許在與所述處理相關的不同時間間隔發(fā)生處理操作的系統(tǒng)中，只要以期望方式執(zhí)行處理覆蓋操作。

附加實施例：

附加實施例1。一種電容器結構，包括：基板；和在該基板上形成的電介質疊層，其中，電介質疊層包括第一層，第一層包括僅在第一方向上被路由的多個導體段，其中，多個導體段包括：被偏置到第一電壓的第一導體段；被偏置到不同于第一電壓的第二電壓的第二導體段；以及被偏置到第二電壓的屏蔽導體段，其中，該屏蔽導體段在第一導體段的端部形成。

附加實施例2。根據(jù)附加實施例1所述的電容器結構，其中，多個導體段還包括：被偏置到第一電壓的第三導體段，其中，第二導體段被位于在第一導體段和第三導體段之間；以及在第三導體段的端部形成的附加屏蔽導體段。

附加實施例3。根據(jù)附加實施例1所述的電容器結構，其中，第一層為在電介質疊層內相對于電介質疊層內的其它層更遠離基板的多層中的一層。

附加實施例4。根據(jù)附加實施例1所述的電容器結構，其中，電介質疊層包括第二層，第二層包括僅在第二方向上被路由的多個導體段，其中，第一方向不同于第二方向，其中，在第二層中的多個導體段包括：被偏置到第一電壓的第四導體段。

附加實施例5。根據(jù)附加實施例4所述的電容器結構，在第二層中的多個導體段還包括：被偏置到第二電壓的第五導體段。

附加實施例6。根據(jù)附加實施例5所述的電容器結構，在第二層中的多個導體段還包括：被偏置到第一電壓的第六導體段，其中，第五導體段被插置在第四導體段和第六導體段之間。

附加實施例7。根據(jù)附加實施例6所述的電容器結構，還包括：在第四和第六導體段的端部形成的附加屏蔽導體段。

附加實施例8。根據(jù)附加實施例4所述的電容器結構，其中，第一方向垂直于第二方向。

附加實施例9。一種集成電路，包括：半導體基板；在半導體基板上形成的多個互連層；第一多個導電結構，其在多個互連層中的第一金屬層內的第一方向上被路由并被偏置到第一電壓；第二多個導電結構，其在多個互連層中的第二金屬層內的第二方向上被路由并被偏置到第一電壓；以及導電通孔，其將第一多個導電結構中的導電結構的重疊部分聯(lián)接到第二多個導電結構中的導電結構。

附加實施例10。根據(jù)附加實施例9所述的集成電路，其中，第一金屬層和第二金屬層為相鄰的金屬層。

附加實施例11。根據(jù)附加實施例9所述的集成電路，其中，第一方向垂直于第二方向。

附加實施例12。根據(jù)附加實施例9所述的集成電路，還包括：在多個互連層中的第一金屬層中形成的第三多個導電結構，其中，第三多個導電結構在第一方向上被路由并被偏置到第二電壓。

附加實施例13。根據(jù)附加實施例12所述的集成電路，還包括：在多個互連層中的第二金屬層中形成的第四多個導電結構，其中，第四多個導電結構在第二方向上被路由并被偏置到第二電壓。

附加實施例14。根據(jù)附加實施例13所述的集成電路，還包括：附加導電通孔，其將第三多個導電結構內的導電結構的重疊部分聯(lián)接到第四多個導電結構內的導電結構。

附加實施例15。一種調整在多個互連層中形成的固定占用面積電容器結構的電容的方法，其中，多個互連層包括在第一方向上被路由的第一和第二導體段以及在第一方向上被路由的屏蔽導體段，其中，屏蔽導體段中的每者與第一和第二導體段相鄰，并且其中，第一導體段和第二導體段被偏置到不同電壓，該方法包括：比較固定占用面積電容器結構的電容值和預定義電容值；并且響應于比較電容值，調整第一和第二導體段的長度。

附加實施例16。根據(jù)附加實施例15所述的方法，其中，調整該長度還包括：響應于確定固定占用面積電容器結構的電容值小于預定義電容值，增加第一和第二導體段的長度。

附加實施例17。根據(jù)附加實施例15所述的方法，其中，調整該長度還包括：響應于確定固定占用面積電容器結構的電容值大于預定義電容值，減小第一和第二導體段的長度。

附加實施例18。根據(jù)附加實施例15所述的方法，其中，調整該長度還包括：將形成包括第一和第二導體段的金屬層的光刻掩膜改變到另一光刻掩膜。

附加實施例19。根據(jù)附加實施例15所述的方法，其中，固定占用面積電容器結構還包括在互連層中形成的不同于第一和第二導體段的第三和第四導體段，其中，第三和第四導體段在第二方向上被路由，以及附加屏蔽導體段在第二方向上被路由，其中，附加屏蔽導體段中的每者與第三和第四導體段相鄰定位，該方法還包括：響應于確定固定占用面積電容器結構的電容值小于預定義電容值，增加在第一和第二導體段的部分以及第三和第四導體段的部分之間的重疊的量。

附加實施例20。根據(jù)附加實施例19所述的方法，還包括：響應于確定固定占用面積電容器結構的電容值大于預定義電容值，減小在第一和第二導體段的部分以及第三和第四導體段的部分之間的重疊的量。

雖然為了清楚起見，前面對本發(fā)明的一些細節(jié)進行了描述，但顯而易見的是，能夠在附屬權利要求的范圍內進行某些變動和更改。因此，本發(fā)明的實施例應被視為例示性而非限制性的，并且本發(fā)明并不局限于本文給出的細節(jié)，而是可在附屬權利要求的范圍及其等同范圍內進行更改。