1.一種電容器結構，包括：
基板；以及
在所述基板上形成的電介質疊層，其中，所述電介質疊層包括第一層，所述第一層包括僅在第一方向上被路由的多個導體段，其中，所述多個導體段包括：
被偏置到第一電壓的第一導體段；
被偏置到不同于所述第一電壓的第二電壓的第二導體段；以及
被偏置到所述第二電壓的屏蔽導體段，其中，所述屏蔽導體段被形成在所述第一導體段的端部。
2.根據權利要求1所述的電容器結構，其中，所述多個導體段還包括：
被偏置到所述第一電壓的第三導體段，其中，所述第二導體段被定位在所述第一導體段和所述第三導體段之間；以及
被形成在所述第三導體段的端部的附加屏蔽導體段。
3.根據權利要求1所述的電容器結構，其中，所述第一層為在所述電介質疊層內相對于所述電介質疊層內的其它層更遠離所述基板的多層中的一層。
4.根據權利要求1所述的電容器結構，其中，所述電介質疊層包括第二層，所述第二層包括僅在第二方向上被路由的多個導體段，其中，所述第一方向不同于所述第二方向，其中，在所述第二層中的所述多個導體段包括：
被偏置到所述第一電壓的第四導體段。
5.根據權利要求4所述的電容器結構，在所述第二層中的所述多個導體段還包括：
被偏置到所述第二電壓的第五導體段。
6.根據權利要求5所述的電容器結構，在所述第二層中的所述多個導體段還包括：
被偏置到所述第一電壓的第六導體段，其中，所述第五導體段被插置在所述第四導體段和所述第六導體段之間。
7.根據權利要求6所述的電容器結構，還包括：
在所述第四和第六導體段的端部形成的附加屏蔽導體段。
8.根據權利要求4所述的電容器結構，其中，所述第一方向垂直于所述第二方向。
9.一種集成電路，包括：
半導體基板；
在所述半導體基板上形成的多個互連層；
第一多個導電結構，其在所述多個互連層中的第一金屬層內的第一方向上被路由并被偏置到第一電壓；
第二多個導電結構，其在所述多個互連層中的第二金屬層內的第二方向上被路由并被偏置到所述第一電壓；以及
導電通孔，其將所述第一多個導電結構中的導電結構的重疊部分聯接到所述第二多個導電結構中的導電結構。
10.根據權利要求9所述的集成電路，其中，所述第一金屬層和第二金屬層為相鄰的金屬層。
11.根據權利要求9所述的集成電路，其中，所述第一方向垂直于所述第二方向。
12.根據權利要求9所述的集成電路，還包括：
在所述多個互連層中的所述第一金屬層中形成的第三多個導電結構，其中，所述第三多個導電結構在所述第一方向上被路由并被偏置到第二電壓。
13.根據權利要求12所述的集成電路，還包括：
在所述多個互連層中的所述第二金屬層中形成的第四多個導電結構，其中，所述第四多個導電結構在所述第二方向上被路由并被偏置到所述第二電壓。
14.根據權利要求13所述的集成電路，還包括：
附加導電通孔，其將所述第三多個導電結構內的導電結構的重疊部分聯接到所述第四多個導電結構內的導電結構。
15.一種調整在多個互連層中形成的固定占用面積電容器結構的電容的方法，其中，所述多個互連層包括在第一方向上被路由的第一和第二導體段以及在所述第一方向上被路由的屏蔽導體段，其中，所述屏蔽導體段中的每者與所述第一和第二導體段相鄰，并且其中，所述第一導體段和第二導體段被偏置到不同電壓，所述方法包括：
比較所述固定占用面積電容器結構的電容值和預定義電容值；并且
響應于比較所述電容值，調整所述第一和第二導體段的長度。
16.根據權利要求15所述的方法，其中，調整所述長度還包括：
響應于確定所述固定占用面積電容器結構的電容值小于所述預定義電容值，增加所述第一和第二導體段的長度。
17.根據權利要求15所述的方法，其中，調整所述長度還包括：
響應于確定所述固定占用面積電容器結構的電容值大于所述預定義電容值，減小所述第一和第二導體段的長度。
18.根據權利要求15所述的方法，其中，調整所述長度還包括：
將形成包括所述第一和第二導體段的所述金屬層的光刻掩膜改變到另一光刻掩膜。
19.根據權利要求15所述的方法，其中，所述固定占用面積電容器結構還包括在互連層中形成的不同于所述第一和第二導體段的第三和第四導體段，其中，所述第三和第四導體段在第二方向上被路由，以及附加屏蔽導體段在所述第二方向上被路由，其中，所述附加屏蔽導體段中的每者被位于與所述第三和第四導體段相鄰，所述方法還包括：
響應于確定所述固定占用面積電容器結構的電容值小于所述預定義電容值，增加在所述第一和第二導體段的部分以及所述第三和第四導體段的部分之間的重疊的量。
20.根據權利要求19所述的方法，還包括：
響應于確定所述固定占用面積電容器結構的電容值大于所述預定義電容值，減小在所述第一和第二導體段的所述部分以及所述第三和第四導體段的所述部分之間的所述重疊的量。