技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及包括二維材料結(jié)構(gòu)的裝置及形成該二維材料結(jié)構(gòu)的方法。其中一種晶體管包括：基板；包括基本上垂直地排列在基板上的至少一層的二維材料結(jié)構(gòu)，使得所述至少一層的邊緣在基板上并且所述至少一層基本上垂直于基板延伸；源電極和漏電極，連接到二維材料結(jié)構(gòu)的相反端；柵絕緣層，在源電極和漏電極之間的二維材料結(jié)構(gòu)上；和在柵絕緣層上的柵電極。所述至少一層的每個(gè)包括具有二維晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。

技術(shù)研發(fā)人員：梁基延;李昌承;金南定;金璉熙
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三星電子株式會(huì)社
文檔號(hào)碼：201610102164
技術(shù)研發(fā)日：2016.02.24
技術(shù)公布日：2017.01.11