本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法。

背景技術(shù)：

MOS晶體管是現(xiàn)代集成電路中最重要的元件之一。MOS晶體管的基本結(jié)構(gòu)包括：半導(dǎo)體襯底；位于襯底表面的柵極結(jié)構(gòu)，位于柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)半導(dǎo)體襯底內(nèi)的源漏區(qū)。MOS晶體管通過(guò)在柵極施加電壓，調(diào)節(jié)通過(guò)柵極結(jié)構(gòu)底部溝道的電流來(lái)產(chǎn)生開(kāi)關(guān)信號(hào)。

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，傳統(tǒng)的平面式的MOS晶體管對(duì)溝道電流的控制能力變?nèi)?，造成?yán)重的漏電流。鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Fin FET)是一種新興的多柵器件，它一般包括凸出于半導(dǎo)體襯底表面的鰭部，覆蓋部分所述鰭部的頂部和側(cè)壁的柵極結(jié)構(gòu)，位于柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的鰭部?jī)?nèi)的源漏區(qū)。

形成鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的方法包括：提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底表面具有凸起的鰭部和橫跨所述鰭部的柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)覆蓋部分所述鰭部的頂部和側(cè)壁；在柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)側(cè)壁表面形成側(cè)墻；以側(cè)墻和柵極結(jié)構(gòu)為掩膜對(duì)柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的鰭部進(jìn)行離子注入形成重?fù)诫s的源漏區(qū)。

隨著特征尺寸進(jìn)一步縮小，現(xiàn)有技術(shù)形成的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的性能和可靠性較差。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明解決的問(wèn)題是提供一種鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法，提高鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的性能。

為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法，包括：提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底具有P型區(qū)域和N型區(qū)域，所述P型區(qū)域的半導(dǎo)體襯底表面具有第一鰭部和橫跨第一鰭部的第一柵極結(jié)構(gòu)，所述第一柵極結(jié)構(gòu)覆蓋部分第一鰭部的頂部表面和側(cè)壁，所述N型區(qū)域的半導(dǎo)體襯底 表面具有第二鰭部和橫跨第二鰭部的第二柵極結(jié)構(gòu)，所述第二柵極結(jié)構(gòu)覆蓋部分第二鰭部的頂部表面和側(cè)壁；對(duì)第一柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的第一鰭部進(jìn)行第一輕摻雜注入，形成第一輕摻雜區(qū)；對(duì)第二柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的第二鰭部進(jìn)行第二輕摻雜注入，形成第二輕摻雜區(qū)；在第一柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)側(cè)壁表面形成第一側(cè)墻，第一側(cè)墻覆蓋部分第一輕摻雜區(qū)；在第一柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的第一鰭部表面形成第一源漏區(qū)，第一源漏區(qū)緊鄰第一側(cè)墻的側(cè)壁；形成第一源漏區(qū)后，在第二柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)側(cè)壁表面形成第二側(cè)墻，第二側(cè)墻覆蓋部分第二輕摻雜區(qū)，第二側(cè)墻的厚度小于第一側(cè)墻的厚度；在第二柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的第二鰭部表面形成第二源漏區(qū)，第二源漏區(qū)緊鄰第二側(cè)墻的側(cè)壁；對(duì)第二輕摻雜區(qū)進(jìn)行修復(fù)處理。

可選的，形成所述第一側(cè)墻的方法包括：形成覆蓋P型區(qū)域和N型區(qū)域的第一側(cè)墻材料層；形成覆蓋N型區(qū)域的第一阻擋層，所述第一阻擋層位于N型區(qū)域的第一側(cè)墻材料層表面；以第一阻擋層為掩膜刻蝕P型區(qū)域的第一側(cè)墻材料層，在P型區(qū)域的第一柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)形成第一側(cè)墻。

可選的，第一側(cè)墻材料層的材料為氮化硅；第一阻擋層的材料為光刻膠。

可選的，形成第一源漏區(qū)的方法包括：以第一阻擋層為掩膜刻蝕去除第一柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的部分第一鰭部，使得第一鰭部的高度降低；去除第一阻擋層；在刻蝕后的第一鰭部表面外延生長(zhǎng)第一源漏區(qū)材料層；對(duì)第一源漏區(qū)材料層摻雜第一離子。

可選的，在外延生長(zhǎng)所述第一源漏區(qū)材料層的同時(shí)原位摻雜第一離子。

可選的，形成所述第二側(cè)墻的方法為：去除N型區(qū)域的第一側(cè)墻材料層；形成覆蓋P型區(qū)域和N型區(qū)域的第二側(cè)墻材料層；形成覆蓋P型區(qū)域的第三阻擋層，第三阻擋層位于P型區(qū)域的第二側(cè)墻材料層的表面；以第三阻擋層為掩膜刻蝕N型區(qū)域的第二側(cè)墻材料層，在N型區(qū)域的第二柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)形成第二側(cè)墻。

可選的，去除N型區(qū)域的第一側(cè)墻材料層的方法為：形成覆蓋P型區(qū)域的第二阻擋層；以第二阻擋層為掩膜，采用干法刻蝕去除第一側(cè)墻材料層。

可選的，采用干法刻蝕去除第一側(cè)墻材料層的具體工藝參數(shù)為：采用的 氣體包括CH₃F和O₂，CH₃F的流量為50sccm～400sccm，O₂的流量為5sccm～50sccm，射頻源功率為100瓦～600瓦，偏置電壓100V～600V，刻蝕腔室壓強(qiáng)為40mtorr～200mtorr。

可選的，第二阻擋層的材料為光刻膠。

可選的，還包括：去除第一側(cè)墻材料層后，去除第二阻擋層。

可選的，采用各向異性干法刻蝕工藝刻蝕N型區(qū)域的第二側(cè)墻材料層，形成第二側(cè)墻，具體的工藝參數(shù)為：采用的氣體包括CH₃F和O₂，CH₃F的流量為50sccm～400sccm，O₂的流量為5sccm～50sccm，射頻源功率為100瓦～600瓦，偏置電壓100V～600V，刻蝕腔室壓強(qiáng)為40mtorr～200mtorr。

可選的，所述第二側(cè)墻材料層的材料為氮化硅；所述第三阻擋層的材料為光刻膠。

可選的，形成第二源漏區(qū)的方法包括：以第三阻擋層為掩膜刻蝕去除第二柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的部分第二鰭部，使得第二鰭部的高度降低；去除第三阻擋層；在刻蝕后的第二鰭部表面外延生長(zhǎng)第二源漏區(qū)材料層；對(duì)第二源漏區(qū)材料層摻雜第二離子。

可選的，在外延生長(zhǎng)所述第二源漏區(qū)材料層的同時(shí)原位摻雜第二離子。

可選的，所述第一側(cè)墻的厚度為20nm～35nm。

可選的，所述第二側(cè)墻的厚度為10nm～20nm。

可選的，所述第一側(cè)墻的材料為氮化硅；所述第二側(cè)墻的材料為氮化硅。

可選的，所述第一輕摻雜注入采用的離子為BF₂，注入能量范圍為2KeV～8KeV，注入劑量范圍為5E13atom/cm²～5E15atom/cm²，注入角度為0度～20度。

可選的，所述第二輕摻雜注入采用的離子為As，注入能量范圍為2KeV～10KeV，注入劑量范圍為5E13atom/cm²～5E15atom/cm²，注入角度為0度～20度。

可選的，所述修復(fù)處理為尖峰退火處理，退火溫度為950攝氏度～1050攝氏度，采用的氣體為N₂。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn)：

本發(fā)明提供的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法中，所述第二側(cè)墻的厚度小于第一側(cè)墻的厚度，由于將第二側(cè)墻的厚度減小，使得第二側(cè)墻覆蓋的第二輕摻雜區(qū)的寬度減小，所述寬度指的是沿著第二鰭部延伸方向的尺寸，使得第二源漏區(qū)和第二柵極結(jié)構(gòu)之間的距離減小，第二側(cè)墻覆蓋的第二輕摻雜區(qū)修復(fù)需要的晶格完整區(qū)面積的相對(duì)值增加，第二輕摻雜區(qū)周圍的晶格完整區(qū)可以更好的修復(fù)第二側(cè)墻覆蓋的第二輕摻雜區(qū)的注入損傷，使得第二輕摻雜區(qū)的電阻降低；同時(shí)，由于第二側(cè)墻覆蓋的第二輕摻雜區(qū)的寬度減小，寬度減小引起第二輕摻雜區(qū)的電阻降低。

進(jìn)一步的，在形成第二側(cè)墻材料層之前去除了N型區(qū)域的第一側(cè)墻材料層，然后刻蝕N型區(qū)域的第二側(cè)墻材料層，在第二柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)側(cè)壁表面形成厚度較小的第二側(cè)墻，第二側(cè)墻的厚度小于第一側(cè)墻的厚度。去除N型區(qū)域的第一側(cè)墻材料層后，使得在形成第二側(cè)墻的過(guò)程中不需要對(duì)第一側(cè)墻材料層進(jìn)行刻蝕，只需要對(duì)第二側(cè)墻材料層進(jìn)行刻蝕，降低了刻蝕程度，避免了對(duì)第二鰭部造成刻蝕損傷，避免在刻蝕的過(guò)程中暴露出第二柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁表面。

附圖說(shuō)明

圖1至圖3為本發(fā)明一實(shí)施例中鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4至圖28為本發(fā)明另一實(shí)施例中鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成過(guò)程的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)有技術(shù)形成的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管隨著特征尺寸進(jìn)一步縮小時(shí)，鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的性能和可靠性較差。

圖1至圖3為本發(fā)明一實(shí)施例中鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖。

鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法包括以下步驟：結(jié)合參考圖1至圖3，提供半導(dǎo)體襯底100，半導(dǎo)體襯底100具有P型區(qū)域(I區(qū)域)和N型區(qū)域(II區(qū)域)，P型區(qū)域的半導(dǎo)體襯底100表面具有第一鰭部120和橫跨第一鰭部120 的第一柵極結(jié)構(gòu)130，第一柵極結(jié)構(gòu)130覆蓋部分第一鰭部120的頂部表面和側(cè)壁；N型區(qū)域的半導(dǎo)體襯底100表面具有第二鰭部121和橫跨第二鰭部121的第二柵極結(jié)構(gòu)133，所述第二柵極結(jié)構(gòu)133覆蓋部分第二鰭部121的頂部表面和側(cè)壁；對(duì)第一柵極結(jié)構(gòu)130兩側(cè)的第一鰭部120進(jìn)行第一輕摻雜注入，在第一鰭部120中形成第一輕摻雜區(qū)150；對(duì)第二柵極結(jié)構(gòu)133兩側(cè)的第二鰭部121進(jìn)行第二輕摻雜注入，在第二鰭部121中形成第二輕摻雜區(qū)151；在第一柵極結(jié)構(gòu)130兩側(cè)的第一偏移側(cè)墻140表面形成第一側(cè)墻142；在第一柵極結(jié)構(gòu)130的第一鰭部120表面形成第一源漏區(qū)160，第一源漏區(qū)160緊鄰第一側(cè)墻142的側(cè)壁；在第二柵極結(jié)構(gòu)133兩側(cè)的第二偏移側(cè)墻141的側(cè)壁表面形成第二側(cè)墻143；在第二柵極結(jié)構(gòu)133兩側(cè)的第二鰭部121表面形成第二源漏區(qū)161，第二源漏區(qū)161緊鄰第二側(cè)墻143的側(cè)壁。

圖1為鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管沿著I區(qū)域第一鰭部延伸方向的剖視圖；圖2為鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管沿著II區(qū)域第二鰭部延伸方向的剖視圖；圖3為鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管沿著I區(qū)域和II區(qū)域平行于第一柵極結(jié)構(gòu)和第二柵極結(jié)構(gòu)延伸方向且通過(guò)第一鰭部和第二鰭部的剖視圖。

第一柵極結(jié)構(gòu)130包括橫跨第一鰭部120的第一柵介質(zhì)層131和覆蓋第一柵介質(zhì)層131的第一柵電極層132，第二柵極結(jié)構(gòu)133包括橫跨第二鰭部121的第二柵介質(zhì)層134和覆蓋第二柵介質(zhì)層134的第二柵電極層135。

第一柵極結(jié)構(gòu)130和第二柵極結(jié)構(gòu)133相互電學(xué)隔離。

半導(dǎo)體襯底100上還具有隔離結(jié)構(gòu)110，隔離結(jié)構(gòu)110的表面低于第一鰭部120和第二鰭部121的頂部表面，隔離結(jié)構(gòu)110用于電學(xué)隔離第一鰭部120，且電學(xué)隔離第二鰭部121。

第一輕摻雜注入采用的離子為B或BF₂，第二輕摻雜注入采用的離子為As或P。

第一側(cè)墻142的厚度等于第二側(cè)墻143的厚度。

研究發(fā)現(xiàn)，上述方法形成的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管依然存在性能和可靠性差的原因在于：

對(duì)鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管進(jìn)行第二輕摻雜注入的過(guò)程中采用的離子為P或 As，第一輕摻雜注入采用的B或者BF₂，P原子或As原子的相對(duì)原子質(zhì)量比B原子的相對(duì)原子質(zhì)量較大，所以第二輕摻雜注入對(duì)第二鰭部會(huì)造成較大的注入損傷，在第二鰭部中形成的第二輕摻雜區(qū)為晶格非完整區(qū)，所述注入損傷需要在后續(xù)的退火中得到修復(fù)，且所述注入損傷的修復(fù)需要以第二輕摻雜區(qū)周圍的晶格完整區(qū)作為修復(fù)的種子，晶格完整區(qū)域越大，越容易修復(fù)第二輕摻雜區(qū)的注入損傷。其中，第二側(cè)墻覆蓋的第二輕摻雜區(qū)中注入損傷的修復(fù)程度與第二輕摻雜區(qū)的電阻大小密切相關(guān)，所以需要更好的修復(fù)第二側(cè)墻覆蓋的第二輕摻雜區(qū)中注入損傷。

但是，上述實(shí)施例第二側(cè)墻覆蓋的第二輕摻雜區(qū)中注入損傷難以修復(fù)，原因在于：第二側(cè)墻覆蓋的第二輕摻雜區(qū)為晶格非完整區(qū)，第二側(cè)墻覆蓋的第二輕摻雜區(qū)修復(fù)需要的種子的主要來(lái)源為第二柵極結(jié)構(gòu)底部的第二鰭部和第二柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)第二鰭部中的晶格完整區(qū)，鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管中第二輕摻雜區(qū)的注入損傷得以修復(fù)需要的晶格完整區(qū)的面積較小。

本發(fā)明提供了另一實(shí)施例的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法，包括：提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底具有P型區(qū)域和N型區(qū)域，所述P型區(qū)域的半導(dǎo)體襯底表面具有第一鰭部和橫跨第一鰭部的第一柵極結(jié)構(gòu)，所述第一柵極結(jié)構(gòu)覆蓋部分第一鰭部的頂部表面和側(cè)壁，所述N型區(qū)域的半導(dǎo)體襯底表面具有第二鰭部和橫跨第二鰭部的第二柵極結(jié)構(gòu)，所述第二柵極結(jié)構(gòu)覆蓋部分第二鰭部的頂部表面和側(cè)壁；對(duì)第一柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的第一鰭部進(jìn)行第一輕摻雜注入，形成第一輕摻雜區(qū)；對(duì)第二柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的第二鰭部進(jìn)行第二輕摻雜注入，形成第二輕摻雜區(qū)；在第一柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)側(cè)壁表面形成第一側(cè)墻，第一側(cè)墻覆蓋部分第一輕摻雜區(qū)；在第一柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的第一鰭部表面形成第一源漏區(qū)，第一源漏區(qū)緊鄰第一側(cè)墻的側(cè)壁；形成第一源漏區(qū)后，在第二柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)側(cè)壁表面形成第二側(cè)墻，第二側(cè)墻覆蓋部分第二輕摻雜區(qū)，第二側(cè)墻的厚度小于第一側(cè)墻的厚度；在第二柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的第二鰭部表面形成第二源漏區(qū)，第二源漏區(qū)緊鄰第二側(cè)墻的側(cè)壁；對(duì)第二輕摻雜區(qū)進(jìn)行修復(fù)處理。

所述第二側(cè)墻的厚度小于第一側(cè)墻的厚度，由于將第二側(cè)墻的厚度減小，使得第二側(cè)墻覆蓋的第二輕摻雜區(qū)的寬度減小，所述寬度指的是沿著第二鰭 部延伸方向的尺寸，使得第二源漏區(qū)和第二柵極結(jié)構(gòu)之間的距離減小，第二側(cè)墻覆蓋的第二輕摻雜區(qū)修復(fù)需要的晶格完整區(qū)面積的相對(duì)值增加，第二輕摻雜區(qū)周圍的晶格完整區(qū)可以更好的修復(fù)第二側(cè)墻覆蓋的第二輕摻雜區(qū)的注入損傷，使得第二輕摻雜區(qū)的電阻降低；同時(shí)，由于第二側(cè)墻底部的第二輕摻雜區(qū)的寬度減小，寬度減小引起第二輕摻雜區(qū)的電阻降低。

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例做詳細(xì)的說(shuō)明。

結(jié)合參考圖4至圖7，提供半導(dǎo)體襯底200，半導(dǎo)體襯底200具有P型區(qū)域(I區(qū)域)和N型區(qū)域(II區(qū)域)，P型區(qū)域的半導(dǎo)體襯底200表面具有第一鰭部220和橫跨第一鰭部220的第一柵極結(jié)構(gòu)230，第一柵極結(jié)構(gòu)230覆蓋部分第一鰭部220的頂部表面和側(cè)壁，N型區(qū)域的半導(dǎo)體襯底200表面具有第二鰭部221和橫跨第二鰭部221的第二柵極結(jié)構(gòu)233，所述第二柵極結(jié)構(gòu)233覆蓋部分第二鰭部221的頂部表面和側(cè)壁。

圖5為鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管沿著圖4中I區(qū)域第一鰭部延伸方向(A-A1軸線)的剖視圖；圖6為鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管沿著圖4中II區(qū)域第二鰭部延伸方向(A2-A3軸線)的剖視圖；圖7為鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管沿著圖4中I區(qū)域和II區(qū)域平行于第一柵極結(jié)構(gòu)和第二柵極結(jié)構(gòu)延伸方向且通過(guò)第一鰭部和第二鰭部(B-B1軸線)獲得的剖視圖。

所述半導(dǎo)體襯底200可以是單晶硅，多晶硅或非晶硅；半導(dǎo)體襯底200也可以是硅、鍺、鍺化硅、砷化鎵等半導(dǎo)體材料；所述半導(dǎo)體襯底200可以是體材料，也可以是復(fù)合結(jié)構(gòu)，如絕緣體上硅；所述半導(dǎo)體襯底200還可以是其它半導(dǎo)體材料，這里不再一一舉例。本實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體襯底200的材料為硅。

本實(shí)施例中，通過(guò)在半導(dǎo)體襯底200上沉積鰭部材料層，然后以半導(dǎo)體襯底200為刻蝕停止層刻蝕鰭部材料層，形成第一鰭部220和第二鰭部221。

在另一個(gè)實(shí)施例中，第一鰭部220和第二鰭部221與半導(dǎo)體襯底200是一體的，形成第一鰭部220和第二鰭部221的方法為：在半導(dǎo)體襯底200表面形成具有圖案化的掩膜層，所述圖案化的掩膜層定義第一鰭部220和第二 鰭部221的位置，以所述圖案化的掩膜層為掩膜刻蝕半導(dǎo)體襯底200，在半導(dǎo)體襯底200表面形成第一鰭部220和第二鰭部221。

本實(shí)施例中，以P型區(qū)域具有一個(gè)第一鰭部220作為示例，以N型區(qū)域具有一個(gè)第二鰭部221作為示例。實(shí)際工藝中可以根據(jù)需要在P型區(qū)域形成多個(gè)第一鰭部220，在N型區(qū)域形成多個(gè)第二鰭部221。

第一柵極結(jié)構(gòu)230包括橫跨第一鰭部220的第一柵介質(zhì)層231和覆蓋第一柵介質(zhì)層231的第一柵電極層232。第二柵極結(jié)構(gòu)233包括橫跨第二鰭部221的第二柵介質(zhì)層234和覆蓋第二柵介質(zhì)層234的第二柵電極層235。

所述第一柵介質(zhì)層231位于隔離結(jié)構(gòu)210表面、覆蓋部分第一鰭部220頂部表面和側(cè)壁，所述第一柵電極層232位于第一柵介質(zhì)層231的表面。所述第二柵介質(zhì)層234位于隔離結(jié)構(gòu)210表面、覆蓋部分第二鰭部221頂部表面和側(cè)壁，所述第二柵電極層235位于第二柵介質(zhì)層234的表面。

本實(shí)施例中，第一柵介質(zhì)層231和第二柵介質(zhì)層234的材料為氧化硅，第一柵電極層232和第二柵電極層235的材料為多晶硅。在其它實(shí)施例中，第一柵介質(zhì)層231和第二柵介質(zhì)層234的材料為高K介質(zhì)材料(K大于3.9)，如HfO₂、HfSiON、HfAlO₂、ZrO₂或Al₂O₃，第一柵電極層232和第二柵電極層235的材料為金屬材料，如Al、Cu、Ag、Au、Pt、Ni、Ti、TiN、Ta、TaN、W、WN或WSi。

形成所述第一柵極結(jié)構(gòu)230和第二柵極結(jié)構(gòu)233的方法為：形成覆蓋所述隔離結(jié)構(gòu)210、第一鰭部220和第二鰭部221的柵介質(zhì)材料層；在所述柵介質(zhì)材料層表面形成柵電極材料層；在所述柵電極材料層表面形成圖形化的掩膜層(未圖示)，所述圖形化的掩膜層定義形成的第一柵極結(jié)構(gòu)230和第二柵極結(jié)構(gòu)233的位置；以所述圖形化的掩膜層作為掩膜，采用刻蝕工藝刻蝕所述柵介質(zhì)材料層和柵電極材料層，形成第一柵極結(jié)構(gòu)230和第二柵極結(jié)構(gòu)233。所述第一柵極結(jié)構(gòu)230兩側(cè)暴露出部分第一鰭部220，所述第二柵極結(jié)構(gòu)233兩側(cè)暴露出部分第二鰭部221。

需要說(shuō)明的是，在形成第一柵極結(jié)構(gòu)230和第二柵極結(jié)構(gòu)233的過(guò)程中，可以不去掉定義第一柵極結(jié)構(gòu)230和第二柵極結(jié)構(gòu)233位置的掩膜層，在第 一柵極結(jié)構(gòu)230和第二柵極結(jié)構(gòu)233頂部表面保留所述掩膜層(未圖示)，在后續(xù)形成第一源漏區(qū)和第二源漏區(qū)的過(guò)程中可以保護(hù)所述第一柵極結(jié)構(gòu)230和第二柵極結(jié)構(gòu)233。

半導(dǎo)體襯底200上還具有隔離結(jié)構(gòu)210，隔離結(jié)構(gòu)210的表面低于第一鰭部220和第二鰭部221的頂部表面，隔離結(jié)構(gòu)210用于電學(xué)隔離第一鰭部220，且電學(xué)隔離第二鰭部221。

結(jié)合參考圖8至圖9，在第一柵極結(jié)構(gòu)230兩側(cè)側(cè)壁表面形成第一偏移側(cè)墻240，在第二柵極結(jié)構(gòu)233兩側(cè)側(cè)壁表面形成第二偏移側(cè)墻241。

形成第一偏移側(cè)墻240和第二偏移側(cè)墻241的方法為：在P型區(qū)域(I區(qū)域)和N型區(qū)域(II區(qū)域)沉積偏移側(cè)墻材料層，采用各向異性干法刻蝕工藝刻蝕偏移側(cè)墻材料層，在第一柵極結(jié)構(gòu)230兩側(cè)側(cè)壁表面形成第一偏移側(cè)壁240，同時(shí)在第二柵極結(jié)構(gòu)233兩側(cè)側(cè)壁表面形成第二偏移側(cè)墻241。

所述第一偏移側(cè)墻240保護(hù)第一柵極結(jié)構(gòu)230，所述第二偏移側(cè)墻241保護(hù)第二柵極結(jié)構(gòu)233。

第一偏移側(cè)墻240和第二偏移側(cè)墻241的材料包括氮化硅，氧化硅或者氮氧化硅等絕緣材料。本實(shí)施例中第一偏移側(cè)墻240和第二偏移側(cè)墻241的材料為氮化硅。

結(jié)合參考圖8至圖10，對(duì)第一柵極結(jié)構(gòu)230兩側(cè)的第一鰭部220進(jìn)行第一輕摻雜注入，形成第一輕摻雜區(qū)250；對(duì)第二柵極結(jié)構(gòu)233兩側(cè)的第二鰭部221進(jìn)行第二輕摻雜注入，形成第二輕摻雜區(qū)251。

第一輕摻雜區(qū)250位于第一柵極結(jié)構(gòu)230兩側(cè)的第一鰭部220中，第一輕摻雜區(qū)250位于第一鰭部220的側(cè)部和上部。第二輕摻雜區(qū)251位于第二柵極結(jié)構(gòu)233兩側(cè)的第二鰭部221中，第二輕摻雜區(qū)251位于第二鰭部221的側(cè)部和上部。

第一鰭部220的上部指的是在第一鰭部220內(nèi)與第一鰭部220頂部表面的距離小于等于二分之一的第一鰭部220厚度的區(qū)域；第一鰭部220的側(cè)部指的是在第一鰭部220內(nèi)與第一鰭部220側(cè)壁表面的距離小于等于二分之一的第一鰭部220厚度的區(qū)域。第二鰭部221的上部指的是在第二鰭部221內(nèi) 與第二鰭部221頂部表面的距離小于等于二分之一的第二鰭部221厚度的區(qū)域；第二鰭部221的側(cè)部指的是在第二鰭部221內(nèi)與第二鰭部221側(cè)壁表面的距離小于等于二分之一的第二鰭部221厚度的區(qū)域。

第一鰭部220的厚度為平行于第一柵極結(jié)構(gòu)230延伸方向的尺寸；第二鰭部221的厚度為平行于第二柵極結(jié)構(gòu)233延伸方向的尺寸。

形成覆蓋N型區(qū)域(II區(qū)域)的第一掩膜層(未圖示)，以N型區(qū)域(II區(qū)域)的第一掩膜層、第一柵極結(jié)構(gòu)230、第一偏移側(cè)墻240為掩膜對(duì)第一柵極結(jié)構(gòu)230兩側(cè)的第一鰭部220進(jìn)行第一輕摻雜注入，在P型區(qū)域(I區(qū)域)形成第一輕摻雜區(qū)250；形成覆蓋P型區(qū)域(I區(qū)域)的第二掩膜層(未圖示)，以P型區(qū)域(I區(qū)域)的第二掩膜層、第二柵極結(jié)構(gòu)233、第二偏移側(cè)墻241為掩膜對(duì)第二柵極結(jié)構(gòu)233兩側(cè)的第二鰭部221進(jìn)行第二輕摻雜注入，形成第二輕摻雜區(qū)251。

所述第一掩膜層和第二掩膜層選用光刻膠。

第一輕摻雜注入采用的離子為B或BF₂。

在一個(gè)實(shí)施例中，第一輕摻雜注入采用的離子為BF₂，注入能量范圍為2KeV～8KeV，注入劑量范圍為5E13atom/cm²～5E15atom/cm²，注入角度為0度～20度。

第二輕摻雜注入采用的離子為As或P。

在一個(gè)實(shí)施例中，第二輕摻雜注入采用的離子為As，注入能量范圍為2KeV～10KeV，注入劑量范圍為5E13atom/cm²～5E15atom/cm²，注入角度為0度～20度。

在另一個(gè)實(shí)施例中，第二輕摻雜注入采用的離子為P，注入能量范圍為2KeV～10KeV，注入劑量范圍為5E13atom/cm²～5E15atom/cm²，注入角度為0度～20度。

需要說(shuō)明的是，可以在第一輕摻雜注入之后進(jìn)行第二輕摻雜注入，或者在第二輕摻雜注入之后進(jìn)行第一輕摻雜注入。

所述第一輕摻雜區(qū)250用于降低后續(xù)形成的第一源漏區(qū)的橫向電場(chǎng)強(qiáng)度， 所述第二輕摻雜區(qū)251用于降低后續(xù)形成的第二源漏區(qū)的橫向電場(chǎng)強(qiáng)度，減小熱載流子效應(yīng)。

在所述第一輕摻雜注入和第二輕摻雜注入之后，可以對(duì)注入的離子進(jìn)行退火處理，激活摻雜離子和消除注入缺陷。也可以在后續(xù)形成第一源漏區(qū)和第二源漏區(qū)之后一并進(jìn)行退火處理。

對(duì)鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管進(jìn)行第二輕摻雜注入的過(guò)程中采用的離子為P或As，第一輕摻雜注入采用的B或者BF₂，P原子或As原子的相對(duì)原子質(zhì)量比B原子的相對(duì)原子質(zhì)量較大，所以第二輕摻雜注入對(duì)第二鰭部221會(huì)造成較大的注入損傷，在第二鰭部221中形成的第二輕摻雜區(qū)251為晶格非完整區(qū)，所述注入損傷需要在后續(xù)的退火中得到修復(fù)，且所述注入損傷的修復(fù)需要以第二輕摻雜區(qū)251周圍的晶格完整區(qū)作為修復(fù)的種子，晶格完整區(qū)域越大，越容易修復(fù)第二輕摻雜區(qū)251的注入損傷。其中，后續(xù)形成的第二側(cè)墻覆蓋的第二輕摻雜區(qū)251中注入損傷的修復(fù)程度與第二輕摻雜區(qū)251的電阻大小密切相關(guān)，所述需要更好的修復(fù)第二側(cè)墻覆蓋的第二輕摻雜區(qū)251中注入損傷。第二側(cè)墻覆蓋的第二輕摻雜區(qū)251修復(fù)需要的種子的主要來(lái)源為第二柵極結(jié)構(gòu)233底部的第二鰭部221和第二柵極結(jié)構(gòu)233兩側(cè)第二鰭部221中的晶格完整區(qū)，第二側(cè)墻覆蓋的第二輕摻雜區(qū)251的注入損傷得以修復(fù)需要的晶格完整區(qū)的面積較小。

為了使得后續(xù)形成的第二側(cè)墻覆蓋的第二輕摻雜區(qū)251的注入損傷得以更好的修復(fù)，后續(xù)會(huì)在第二柵極結(jié)構(gòu)233兩側(cè)形成厚度較小的第二側(cè)墻，使得第二側(cè)墻覆蓋的第二輕摻雜區(qū)251的寬度減小，所述寬度指的是沿著第二鰭部221延伸方向的尺寸，使得第二側(cè)墻覆蓋的第二輕摻雜區(qū)251修復(fù)需要的晶格完整區(qū)面積的相對(duì)值增加，第二輕摻雜區(qū)251周圍的晶格完整區(qū)可以更好的修復(fù)第二側(cè)墻覆蓋的第二輕摻雜區(qū)251的注入損傷。

結(jié)合參考圖11至圖13，形成覆蓋P型區(qū)域(I區(qū)域)和N型區(qū)域(II區(qū)域)的第一側(cè)墻材料層242；形成覆蓋N型區(qū)域(II區(qū)域)的第一阻擋層243，第一阻擋層243位于N型區(qū)域(II區(qū)域)第一側(cè)墻材料層242表面。

所述第一阻擋層243的材料為光刻膠。

第一側(cè)墻材料層242的材料包括氮化硅，氧化硅或者氮氧化硅等絕緣材料。本實(shí)施例中，第一側(cè)墻材料層242的材料為氮化硅。

采用沉積工藝，如等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積或原子層沉積，沉積第一側(cè)墻材料層242，所述第一側(cè)墻材料層242覆蓋整個(gè)P型區(qū)域(I區(qū)域)和N型區(qū)域(II區(qū)域)。

形成第一側(cè)墻材料層242之后，在N型區(qū)域(II區(qū)域)的第一側(cè)墻材料層242表面形成第一阻擋層243。

第一阻擋層243作為后續(xù)刻蝕P型區(qū)域(I區(qū)域)的第一側(cè)墻材料層242的掩膜層，使得在后續(xù)形成第一側(cè)墻的過(guò)程中N型區(qū)域(II區(qū)域)的第一側(cè)墻材料層242不被刻蝕。

結(jié)合參考圖14和圖15，刻蝕P型區(qū)域(I區(qū)域)的第一側(cè)墻材料層242(參考圖11和圖13)，在P型區(qū)域(I區(qū)域)第一柵極結(jié)構(gòu)230兩側(cè)的第一偏移側(cè)墻240側(cè)壁表面形成第一側(cè)墻244。

以第一阻擋層243(參考圖12和圖13)為掩膜，采用各向異性干法刻蝕工藝刻蝕P型區(qū)域(I區(qū)域)的第一側(cè)墻材料層242，在P型區(qū)域(I區(qū)域)的第一柵極結(jié)構(gòu)230兩側(cè)的第一偏移側(cè)墻240側(cè)壁表面形成第一側(cè)墻244。

所述第一側(cè)墻244的厚度為20nm～35nm。

需要說(shuō)明的是，可以調(diào)整刻蝕的工藝參數(shù)，使得在P型區(qū)域(I區(qū)域)，除了第一柵極結(jié)構(gòu)230兩側(cè)的部分第一側(cè)墻材料層242保留以形成第一側(cè)墻244，其余位置處的第一側(cè)墻材料層242均被刻蝕去除。在P型區(qū)域(I區(qū)域)第一柵極結(jié)構(gòu)230兩側(cè)的第一鰭部220被完全暴露出來(lái)(參考圖15)，后續(xù)在P型區(qū)域(I區(qū)域)暴露的第一鰭部220表面形成第一源漏區(qū)，第一源漏區(qū)中的材料具有應(yīng)力，第一源漏區(qū)的材料中的應(yīng)力可以更好的施加到第一柵極結(jié)構(gòu)230底部的溝道中。

所述第一側(cè)墻244保護(hù)第一柵極結(jié)構(gòu)230并定義后續(xù)形成的第一源漏區(qū)與第一柵極結(jié)構(gòu)230之間的距離，以及定義第一側(cè)墻244覆蓋的第一輕摻雜區(qū)250的寬度。所述寬度指的是沿著第一鰭部220延伸方向的尺寸。

結(jié)合參考圖16和圖17，在第一柵極結(jié)構(gòu)230兩側(cè)的第一鰭部220表面形成第一源漏區(qū)260，第一源漏區(qū)260緊鄰第一側(cè)墻244的側(cè)壁。

形成第一源漏區(qū)260的方法為：以第一阻擋層243為掩膜刻蝕去除第一柵極結(jié)構(gòu)230兩側(cè)的部分第一鰭部220，使得第一鰭部220的高度降低；去除覆蓋N型區(qū)域(II區(qū)域)的第一阻擋層243；在刻蝕后的第一鰭部220表面外延生長(zhǎng)第一源漏區(qū)材料層；對(duì)第一源漏區(qū)材料層摻雜第一離子。

在一個(gè)實(shí)施例中，在外延生長(zhǎng)所述第一源漏區(qū)材料層的同時(shí)原位摻雜第一離子。

在另一個(gè)實(shí)施例中，在外延生長(zhǎng)第一源漏區(qū)材料層之后進(jìn)行第一離子注入，在第一源漏區(qū)材料層中摻雜第一離子。

所述第一源漏區(qū)材料層的材料為鍺化硅。所述第一離子為P型離子，如B或In。

第一源漏區(qū)260緊鄰第一側(cè)墻244的側(cè)壁指的是第一源漏區(qū)260的側(cè)壁表面與第一側(cè)墻244的側(cè)壁表面之間的最小距離為零。

結(jié)合參考圖18至圖20，形成覆蓋P型區(qū)域(I區(qū)域)第二阻擋層245，以第二阻擋層245為掩膜，刻蝕去除N型區(qū)域(II區(qū)域)的第一側(cè)墻材料層242(參考圖12和圖17)和第一偏移側(cè)墻241(參考圖12)。

所述第二阻擋層245的材料為光刻膠。

第二阻擋層245作為刻蝕去除N型區(qū)域(II區(qū)域)的第一側(cè)墻材料層242和第一偏移側(cè)墻241的掩膜層，保護(hù)P型區(qū)域(I區(qū)域)不受到刻蝕的影響。

采用干法刻蝕去除N型區(qū)域(II區(qū)域)第一側(cè)墻材料層242和第一偏移側(cè)墻241，具體的工藝參數(shù)為：采用的氣體包括CH₃F和O₂，CH₃F的流量為50sccm～400sccm，O₂的流量為5sccm～50sccm，射頻源功率為100瓦～600瓦，偏置電壓100V～600V，刻蝕腔室壓強(qiáng)為40mtorr～200mtorr。

去除N型區(qū)域(II區(qū)域)的第一側(cè)墻材料層242和第一偏移側(cè)墻241之后，將第二阻擋層245通過(guò)灰化工藝去除，后續(xù)在N型區(qū)域(II區(qū)域)的第二柵極結(jié)構(gòu)233兩側(cè)形成較薄的第二側(cè)墻。

需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中，為了簡(jiǎn)化工藝，將N型區(qū)域(II區(qū)域)的第一側(cè)墻材料層242和第一偏移側(cè)墻241一并去除。在其它實(shí)施例中，也可以只將N型區(qū)域(II區(qū)域)的第一側(cè)墻材料層242去除。

參考圖21至圖23，形成覆蓋P型區(qū)域(I區(qū)域)和N型區(qū)域(II區(qū)域)的第二側(cè)墻材料層246；形成覆蓋P型區(qū)域(I區(qū)域)的第三阻擋層247，所述第三阻擋層247位于P型區(qū)域(I區(qū)域)的第二側(cè)墻材料層246的表面。

第二側(cè)墻材料層246的材料包括氮化硅，氧化硅或者氮氧化硅等絕緣材料。本實(shí)施例中，第二側(cè)墻材料層246的材料為氮化硅。

采用沉積工藝，如等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積或原子層沉積，形成第二側(cè)墻材料層246，所述第二側(cè)墻材料層246覆蓋整個(gè)P型區(qū)域(I區(qū)域)和N型區(qū)域(II區(qū)域)。

形成第二側(cè)墻材料層246之后，在P型區(qū)域(II區(qū)域)的第二側(cè)墻材料層246表面形成第三阻擋層247。

所述第三阻擋層247的材料為光刻膠。

第三阻擋層247作為后續(xù)刻蝕N型區(qū)域(II區(qū)域)的第二側(cè)墻材料層246的掩膜層，使得在后續(xù)形成第二側(cè)墻的過(guò)程中P型區(qū)域(I區(qū)域)的第二側(cè)墻材料層246不被刻蝕。

結(jié)合參考圖24和圖25，刻蝕N型區(qū)域(II區(qū)域)的第二側(cè)墻材料層246(參考圖22和圖23)，在N型區(qū)域(II區(qū)域)第二柵極結(jié)構(gòu)233兩側(cè)側(cè)壁表面形成第二側(cè)墻248，所述第二側(cè)墻248覆蓋部分第二輕摻雜區(qū)251，所述第二側(cè)墻248的厚度小于第一側(cè)墻244的厚度。

以第三阻擋層247為掩膜，采用各向異性干法刻蝕工藝刻蝕N型區(qū)域(II區(qū)域)的第二側(cè)墻材料層246，在N型區(qū)域(II區(qū)域)的第二柵極結(jié)構(gòu)233兩側(cè)側(cè)壁表面形成第二側(cè)墻248，具體的工藝參數(shù)為：采用的氣體包括CH₃F和O₂，CH₃F的流量為50sccm～400sccm，O₂的流量為5sccm～50sccm，射頻源功率為100瓦～600瓦，偏置電壓100V～600V，刻蝕腔室壓強(qiáng)為40mtorr～200mtorr。

需要說(shuō)明的是，可以調(diào)整刻蝕的工藝參數(shù)，使得在N型區(qū)域(II區(qū)域)，第二柵極結(jié)構(gòu)233兩側(cè)保留部分第二側(cè)墻材料層246以形成第二側(cè)墻248，同時(shí)，在第二鰭部221兩側(cè)側(cè)壁保留部分第二側(cè)墻材料層246以在第二鰭部221兩側(cè)側(cè)壁形成第二鰭部側(cè)墻249，第二鰭部側(cè)墻249低于第二鰭部221的頂部表面。在其它實(shí)施例中，也可以將N型區(qū)域(II區(qū)域)第二鰭部221表面的第二側(cè)墻材料層246全部去除，將N型區(qū)域(II區(qū)域)第二柵極結(jié)構(gòu)233兩側(cè)的第二鰭部221完全暴露出來(lái)。

所述第二側(cè)墻248保護(hù)第二柵極結(jié)構(gòu)233并定義后續(xù)形成的第二源漏區(qū)與第二柵極結(jié)構(gòu)233之間的距離，以及定義第二側(cè)墻248覆蓋的第二輕摻雜區(qū)251的寬度。所述寬度指的是沿著第二鰭部221延伸方向的尺寸。

所述第二側(cè)墻248的厚度小于第一側(cè)墻的244的厚度，使得第二側(cè)墻248覆蓋的第二輕摻雜區(qū)251的區(qū)域減小。

本實(shí)施例中，所述第二側(cè)墻248的厚度為10nm～20nm。

由于在形成第二側(cè)墻248之前去除了N型區(qū)域的第一側(cè)墻材料層242，然后在第二柵極結(jié)構(gòu)233兩側(cè)側(cè)壁表面形成厚度較小的第二側(cè)墻248，使得第二側(cè)墻248的厚度小于第一側(cè)墻244的厚度。第二側(cè)墻248覆蓋的第二輕摻雜區(qū)251的寬度較小，所述寬度指的是沿著第二鰭部221延伸方向的尺寸，所以第二側(cè)墻248覆蓋的第二輕摻雜區(qū)251修復(fù)需要的晶格完整區(qū)面積的相對(duì)值增加，第二輕摻雜區(qū)251周圍的晶格完整區(qū)可以更好的修復(fù)第二側(cè)墻248覆蓋的第二輕摻雜區(qū)251的注入損傷。

需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中，形成厚度較小的第二側(cè)墻248采用先形成覆蓋P型區(qū)域(I區(qū)域)第二阻擋層245，以第二阻擋層245為掩膜，刻蝕去除N型區(qū)域(II區(qū)域)的第一側(cè)墻材料層242和第二偏移側(cè)墻241；然后形成覆蓋P型區(qū)域(I區(qū)域)和N型區(qū)域(II區(qū)域)的第二側(cè)墻材料層246，形成覆蓋P型區(qū)域(I區(qū)域)第二側(cè)墻材料層246表面的第三阻擋層247；采用各向異性刻蝕工藝刻蝕第二側(cè)墻材料層246，在N型區(qū)域(II區(qū)域)第二柵極結(jié)構(gòu)233兩側(cè)形成第二側(cè)墻248，所述第二側(cè)墻248的厚度小于第一側(cè)墻244的厚度。采用上述方法可以形成厚度較小的第二側(cè)墻248，另外，在形成厚度較小的第二側(cè)墻248的同時(shí)，減小了刻蝕對(duì)第二鰭部221的損傷，且形成的第 二側(cè)墻248不會(huì)暴露出第二柵極結(jié)構(gòu)233的部分側(cè)壁。

在另一個(gè)實(shí)施例中，先形成覆蓋P型區(qū)域(I區(qū)域)和N型區(qū)域(II區(qū)域)的第二側(cè)墻材料層；形成覆蓋P型區(qū)域(I區(qū)域)的第二阻擋層；然后采用各向異性刻蝕工藝刻蝕N型區(qū)域(II區(qū)域)的第一側(cè)墻材料層和第二側(cè)墻材料層，由于第一側(cè)墻材料層和第二側(cè)墻材料層的總厚度較厚，難以形成較薄的第二側(cè)墻，原因在于：如果待形成的第二側(cè)墻厚度較薄，需要增加對(duì)第一側(cè)墻材料層和第二側(cè)墻材料層的刻蝕程度，造成對(duì)第二鰭部的刻蝕損傷，且暴露出第二柵極結(jié)構(gòu)的部分側(cè)壁。

結(jié)合參考圖26至圖28，在第二柵極結(jié)構(gòu)233兩側(cè)的第二鰭部221表面形成第二源漏區(qū)261，所述第二源漏區(qū)261緊鄰第二側(cè)墻248的側(cè)壁。

形成第二源漏區(qū)261的方法為：以第三阻擋層247(參考圖25)為掩膜刻蝕第二柵極結(jié)構(gòu)233兩側(cè)的部分第二鰭部221，使得刻蝕后的第二鰭部221高度與第二鰭部側(cè)墻249齊平；去除覆蓋P型區(qū)域(I區(qū)域)的第三阻擋層247；在刻蝕后的第二鰭部221表面外延生長(zhǎng)第二源漏區(qū)材料層；對(duì)第二源漏區(qū)材料層摻雜第二離子。

在一個(gè)實(shí)施例中，在外延生長(zhǎng)所述第二源漏區(qū)材料層的同時(shí)原位摻雜第二離子。

在另一個(gè)實(shí)施例中，在外延生長(zhǎng)第二源漏區(qū)材料層之后進(jìn)行第二離子注入，在第二源漏區(qū)材料層中摻雜第二離子。

所述第二源漏區(qū)材料層的材料為碳化硅。

所述第二離子為N型離子，如P或As。

第二源漏區(qū)261緊鄰第二側(cè)墻248的側(cè)壁指的是第二源漏區(qū)261的側(cè)壁表面與第二側(cè)墻248的側(cè)壁表面之間的最小距離為零。

需要說(shuō)明的是，當(dāng)沒(méi)有形成第二鰭部側(cè)墻249，第二柵極結(jié)構(gòu)233兩側(cè)的第二鰭部221底部的側(cè)壁會(huì)暴露出來(lái)，此時(shí)形成的第二源漏區(qū)261的方法為：以第三阻擋層247(參考圖25)為掩膜刻蝕第二柵極結(jié)構(gòu)233兩側(cè)的部分第二鰭部221，使得第二鰭部221的高度降低；去除覆蓋P型區(qū)域(I區(qū)域)的 第三阻擋層247；在刻蝕后的第二鰭部221表面外延生長(zhǎng)第二源漏區(qū)材料層；對(duì)第二源漏區(qū)材料層摻雜第二離子。

形成第二源漏區(qū)261后，進(jìn)行退火處理。

所述退火處理為尖峰退火，退火溫度為950攝氏度～1050攝氏度，退火采用的氣體為N₂。

在所述退火處理中，所述第二側(cè)墻248覆蓋的第二輕摻雜區(qū)251的注入損傷得到修復(fù)。即對(duì)第二輕摻雜區(qū)251進(jìn)行了修復(fù)處理。

綜上所述，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)：

本發(fā)明提供的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法中，所述第二側(cè)墻的厚度小于第一側(cè)墻的厚度，由于將第二側(cè)墻的厚度減小，使得第二側(cè)墻覆蓋的第二輕摻雜區(qū)的寬度減小，所述寬度指的是沿著第二鰭部延伸方向的尺寸，使得第二源漏區(qū)和第二柵極結(jié)構(gòu)之間的距離減小，第二側(cè)墻覆蓋的第二輕摻雜區(qū)修復(fù)需要的晶格完整區(qū)面積的相對(duì)值增加，第二輕摻雜區(qū)周圍的晶格完整區(qū)可以更好的修復(fù)第二側(cè)墻覆蓋的第二輕摻雜區(qū)的注入損傷，使得第二輕摻雜區(qū)的電阻降低；同時(shí)，由于第二側(cè)墻覆蓋的第二輕摻雜區(qū)的寬度減小，寬度減小引起第二輕摻雜區(qū)的電阻降低。

進(jìn)一步的，在形成第二側(cè)墻材料層之前去除了N型區(qū)域的第一側(cè)墻材料層，然后刻蝕N型區(qū)域的第二側(cè)墻材料層，在第二柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)側(cè)壁表面形成厚度較小的第二側(cè)墻，第二側(cè)墻的厚度小于第一側(cè)墻的厚度。去除N型區(qū)域的第一側(cè)墻材料層后，使得在形成第二側(cè)墻的過(guò)程中不需要對(duì)第一側(cè)墻材料層進(jìn)行刻蝕，只需要對(duì)第二側(cè)墻材料層進(jìn)行刻蝕，降低了刻蝕程度，避免了對(duì)第二鰭部造成刻蝕損傷，避免在刻蝕的過(guò)程中暴露出第二柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁表面。

雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。