技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
集成中介體可包括基板和(諸)電阻類型的非易失性存儲器(NVM)陣列。該集成中介體還可包括基板的第一表面上的接觸層。該接觸層可包括配置成將(諸)電阻類型的NVM陣列耦合至(諸)管芯的互連。(諸)電阻類型的NVM陣列可被部分地嵌入在該集成中介體的接觸層內(nèi)。

技術(shù)研發(fā)人員：Y·陸;V·拉馬錢德蘭;S·H·康
受保護的技術(shù)使用者：高通股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2015.09.02
技術(shù)公布日：2017.08.01