背景

領(lǐng)域

本公開一般涉及集成電路(ic)。更具體地，本公開的一個(gè)方面涉及具有內(nèi)置電阻式存儲(chǔ)器的電可重配置中介體。

背景

用于集成電路(ic)的半導(dǎo)體制造的工藝流程可包括前端制程(feol)、中部制程(mol)和后端制程(beol)工藝。feol工藝可包括晶片制備、隔離、阱形成、柵極圖案化、間隔物、擴(kuò)展和源極/漏極注入、硅化物形成、以及雙應(yīng)力內(nèi)襯形成。mol工藝可包括柵極觸點(diǎn)形成。中部制程層可包括但不限于：mol觸點(diǎn)、通孔或非常靠近半導(dǎo)體設(shè)備晶體管或其他類似有源器件的其他層。beol工藝可包括用于將在feol和mol工藝期間創(chuàng)建的半導(dǎo)體器件互連的一系列晶片處理步驟?，F(xiàn)代半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品的成功制造涉及所采用的材料和工藝之間的相互作用。

中介體是其中該中介體用作基底的管芯安裝技術(shù)，片上系統(tǒng)(soc)的半導(dǎo)體管芯被安裝在該中介體上。中介體可包括導(dǎo)電跡線和導(dǎo)電通孔的布線層，該布線層用于路由半導(dǎo)體管芯(例如，存儲(chǔ)器模塊和處理器)之間的電連接。在大多數(shù)應(yīng)用中，中介體不包括諸如二極管和晶體管之類的有源器件。

概述

一種集成中介體可包括基板和(諸)電阻類型的非易失性存儲(chǔ)器(nvm)陣列。集成中介體還可包括基板的第一表面上的接觸層。該接觸層可包括配置成將(諸)電阻類型的nvm陣列耦合至(諸)管芯的互連。(諸)電阻類型的nvm陣列可被部分地嵌入在該集成中介體的接觸層內(nèi)。

一種片上系統(tǒng)(soc)可包括中介體。片上系統(tǒng)還可包括(諸)電阻類型的非易失性存儲(chǔ)器(nvm)陣列。(諸)電阻類型的nvm陣列可被部分地嵌入在中介體內(nèi)。該片上系統(tǒng)可包括配置成將(諸)電阻類型的nvm陣列耦合至(諸)管芯的互連。

一種集成中介體可包括基板和(諸)電阻類型的非易失性存儲(chǔ)器(nvm)陣列。該集成中介體還可包括用于將(諸)電阻類型的nvm陣列互連至(諸)管芯的裝置。(諸)電阻類型的nvm陣列可被部分地嵌入在該互連裝置的接觸層內(nèi)。基板可支撐該互連裝置。

一種制造集成中介體的方法可包括：在中介體基板的第一表面上的電介質(zhì)層內(nèi)制造(諸)電阻類型的非易失性存儲(chǔ)器(nvm)陣列。該方法還可包括將導(dǎo)電材料鍍敷在該電介質(zhì)層內(nèi)。該方法可進(jìn)一步包括蝕刻該電介質(zhì)層內(nèi)的導(dǎo)電材料，以在中介體基板的第一表面上形成接觸層。該接觸層可包括配置成將(諸)電阻類型的nvm陣列耦合至(諸)管芯的互連。(諸)電阻類型的nvm陣列可被部分地嵌入在該集成中介體的接觸層內(nèi)。

這已較寬泛地勾勒出本公開的特征和技術(shù)優(yōu)勢(shì)以便下面的詳細(xì)描述可以被更好地理解。本公開的附加特征和優(yōu)點(diǎn)將在下文描述。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該領(lǐng)會(huì)，本公開可容易地被用作修改或設(shè)計(jì)用于實(shí)施與本公開相同的目的的其他結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)。本領(lǐng)域技術(shù)人員還應(yīng)認(rèn)識(shí)到，這樣的等效構(gòu)造并不脫離所附權(quán)利要求中所闡述的本公開的教導(dǎo)。被認(rèn)為是本公開的特性的新穎特征在其組織和操作方法兩方面連同進(jìn)一步的目的和優(yōu)點(diǎn)在結(jié)合附圖來考慮以下描述時(shí)將被更好地理解。然而，要清楚理解的是，提供每一幅附圖均僅用于解說和描述目的，且無意作為對(duì)本公開的限定的定義。

附圖簡(jiǎn)述

為了更全面地理解本公開，現(xiàn)在結(jié)合附圖參閱以下描述。

圖1示出了解說包括集成中介體的片上系統(tǒng)的橫截面圖。

圖2是解說根據(jù)本公開的一個(gè)方面的片上系統(tǒng)的框圖，該片上系統(tǒng)包括具有嵌入式電阻式存儲(chǔ)器的集成中介體。

圖3a和3b是解說根據(jù)本公開的一個(gè)方面的電阻式存儲(chǔ)器位單元的框圖。

圖4是解說根據(jù)本公開的一個(gè)方面的包括嵌入式電阻式存儲(chǔ)器單元的集成中介體的框圖。

圖5示出了根據(jù)本公開的一個(gè)方面的集成中介體的橫截面圖，該集成中介體包括在集成中介體的接觸層內(nèi)制造的外圍電路系統(tǒng)。

圖6是解說根據(jù)本公開的一個(gè)方面的集成中介體的框圖，該集成中介體包括接觸層的互連級(jí)內(nèi)的外圍電路系統(tǒng)和電阻式存儲(chǔ)器單元。

圖7示出了解說根據(jù)本公開的一個(gè)方面的片上系統(tǒng)(soc)的橫截面圖，該片上系統(tǒng)包括具有嵌入式存儲(chǔ)器的可重配置中介體。

圖8是解說根據(jù)本公開的一個(gè)方面的用于制造具有嵌入式電阻式存儲(chǔ)器的集成中介體的方法的流程圖。

圖9是解說其中可有利地采用本公開的配置的無線通信系統(tǒng)的框圖。

詳細(xì)描述

以下結(jié)合附圖闡述的詳細(xì)描述旨在作為各種配置的描述，而無意表示可實(shí)踐本文中所描述的概念的僅有的配置。本詳細(xì)描述包括具體細(xì)節(jié)以便提供對(duì)各種概念的透徹理解。然而，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員將顯而易見的是，沒有這些具體細(xì)節(jié)也可實(shí)踐這些概念。在一些實(shí)例中，以框圖形式示出眾所周知的結(jié)構(gòu)和組件以避免湮沒此類概念。如本文所述的，術(shù)語“和/或”的使用旨在表示“可兼性或”，而術(shù)語“或”的使用旨在表示“排他性或”。

諸如磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(mram)、電阻式ram(rram)、以及相變存儲(chǔ)器(pcm)之類的電阻式存儲(chǔ)器技術(shù)正在以快速的步伐成熟。這些電阻式存儲(chǔ)器技術(shù)可潛在地為寬范圍的密度和性能設(shè)計(jì)點(diǎn)提供非易失性存儲(chǔ)器(nvm)解決方案。具體而言，許多應(yīng)用指定少量的nvm。例如，用于提供nvm的當(dāng)前技術(shù)包括嵌入式nvm(諸如eflash或其他類似的電阻式存儲(chǔ)器)。遺憾的是，如果僅指定少量的存儲(chǔ)器，則用于創(chuàng)建flash或電阻式存儲(chǔ)器宏的附加工藝步驟往往是不合理的。另一選項(xiàng)是分開的flash芯片或電阻式存儲(chǔ)器。遺憾的是，這一解決方案提供受限的帶寬且由于片外輸入/輸出(i/o)而消耗附加的功率。又一選項(xiàng)是電池供電的動(dòng)態(tài)ram(dram)。

因?yàn)殡娮枋酱鎯?chǔ)器設(shè)備不涉及半導(dǎo)體器件，所以電阻式存儲(chǔ)器設(shè)備可以被制造(例如，被嵌入)在設(shè)備的互連級(jí)內(nèi)。然而，訪問(例如，讀取、寫入、以及位選擇)這些嵌入式電阻式存儲(chǔ)器設(shè)備涉及有源半導(dǎo)體器件。例如，嵌入式電阻式存儲(chǔ)器(比如自旋轉(zhuǎn)移矩(stt)mram(stt-mram)、rram、或pcm)在被集成到邏輯互連級(jí)內(nèi)時(shí)可影響該互連級(jí)的電阻電容(rc)或可靠性特性。某一電阻式存儲(chǔ)器技術(shù)還可能強(qiáng)加與經(jīng)邏輯優(yōu)化的互連制造不兼容的工藝限制。

嵌入式電阻式存儲(chǔ)器(比如stt-mram、rram、或pcm)在與有源半導(dǎo)體選擇晶體管耦合以形成單晶體管單電阻器(1t1r)位單元時(shí)涉及堆疊的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)以將電阻式存儲(chǔ)器設(shè)備的底側(cè)電連接至該晶體管。然而，在典型的邏輯互連工藝中，來自同步ram(sram)的圖案化規(guī)范和信號(hào)路由一般規(guī)定了布局規(guī)則。結(jié)果，與典型的電阻式存儲(chǔ)器大小相比，堆疊的金屬連接的最小面積較大。這在實(shí)現(xiàn)嵌入式電阻式存儲(chǔ)器時(shí)創(chuàng)建了嚴(yán)重的位單元大小限制。

所描述的一些實(shí)現(xiàn)涉及中介體技術(shù)。中介體一般用作可被用于一個(gè)組件或基板與第二組件或基板之間的直接電互連的中間層，其中該中介體被置于中間。例如，中介體可在一側(cè)上具有能與第一組件(例如，管芯)上的對(duì)應(yīng)焊盤對(duì)準(zhǔn)的焊盤配置，以及在第二側(cè)上具有對(duì)應(yīng)于第二組件(例如，封裝基板、系統(tǒng)板等)上的焊盤的不同焊盤配置。中介體廣泛地用于在單個(gè)封裝上集成多個(gè)芯片。另外，中介體基板可以由玻璃和石英、有機(jī)或其他類似材料組成，且通常包含少數(shù)互連層。

本公開的各個(gè)方面提供用于在集成中介體內(nèi)嵌入電阻式存儲(chǔ)器的技術(shù)。用于集成中介體的半導(dǎo)體制造的工藝流程可包括前端制程(feol)工藝、中部制程(mol)工藝和后端制程(beol)工藝。將理解，術(shù)語“層”包括膜且不應(yīng)被解讀為指示縱向或橫向厚度，除非另外聲明。如本文所述的，術(shù)語“基板”或“中介體基板”可指代已切割晶片的基板或可指代尚未切割的晶片的基板。類似地，術(shù)語晶片和管芯可互換使用，除非這種互換將難以置信。

在本公開的一個(gè)方面，至少一個(gè)電阻類型的非易失性存儲(chǔ)器(nvm)陣列被嵌入在集成中介體內(nèi)。在一些配置中，中介體基板的表面上的接觸層包括互連。這些互連可被配置成將(諸)電阻類型的nvm陣列耦合到至少一個(gè)管芯。在這種布置中，(諸)電阻類型的nvm陣列被至少部分地嵌入在集成中介體的接觸層內(nèi)。在另一配置中，(諸)電阻類型的nvm陣列是現(xiàn)場(chǎng)可重配置的，以便將至少第一管芯和第二管芯選擇性地耦合至集成中介體的接觸層內(nèi)的總線。

根據(jù)本公開的一個(gè)方面，具有玻璃、石英或有機(jī)基板的集成中介體包括嵌入式電阻式存儲(chǔ)器。電阻式存儲(chǔ)器的有源選擇器件(例如，薄膜有源器件)可基于低成本的薄膜技術(shù)來制造。這些薄膜有源器件可以是有機(jī)的。電阻式存儲(chǔ)器可以是現(xiàn)場(chǎng)可重配置的，以便將至少第一管芯和第二管芯選擇性地耦合至集成中介體的接觸層內(nèi)的總線。這一配置使得能夠組合用于每個(gè)系統(tǒng)功能性(處理器、調(diào)制解調(diào)器、存儲(chǔ)器等)的目標(biāo)(例如，高性能)技術(shù)的有源管芯，同時(shí)該集成中介體提供其他的功能性(例如，可重配置的管芯互連、嵌入式電阻式存儲(chǔ)器、嵌入式有源選擇器件)和至系統(tǒng)板的互連。

圖1示出了解說具有集成中介體110的片上系統(tǒng)(soc)100的橫截面圖，該集成中介體110包括中介體基板120以及該中介體基板120的表面上的接觸層130。中介體基板120可以是半導(dǎo)體基板(例如，硅晶片)或有機(jī)基板(例如，玻璃、石英、藍(lán)寶石、或其他類似的有機(jī)材料)。接觸層130被布置在包括互連140的中介體基板120上。另外，有源管芯180(180-1、180-2)通過第二組互連104來耦合至集成中介體110的接觸層130。

第一組互連102可以例如通過重分布層(未示出)來將系統(tǒng)板190耦合至集成中介體110。盡管參照系統(tǒng)板190來示出，但是應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到，第一組互連120可以耦合至印刷電路板(pcb)、封裝基板或其他類似的至該集成中介體110的載體基板。在一些配置中，一個(gè)或多個(gè)器件可被附連到該集成中介體110的每一側(cè)。

圖2示出了解說根據(jù)本公開的一個(gè)方面的片上系統(tǒng)(soc)200的橫截面圖，其包括被至少部分地嵌入在集成中介體210內(nèi)的電阻式存儲(chǔ)器250。在這一配置中，電阻式存儲(chǔ)器250被布置在中介體基板220的表面上且被嵌入到中介體基板220的該表面上的接觸層230內(nèi)。代表性地，接觸層230包括將電阻式存儲(chǔ)器250耦合至有源管芯180的互連240(例如，電跡線)。

在這一配置中，電阻式存儲(chǔ)器250存儲(chǔ)設(shè)備配置數(shù)據(jù)(例如，冗余數(shù)據(jù)、配置設(shè)置、引導(dǎo)代碼等)。電阻式存儲(chǔ)器250可被配置為集成到接觸層230的邏輯互連級(jí)(例如，互連240)內(nèi)的嵌入式電阻式存儲(chǔ)器(包括但不限于自旋轉(zhuǎn)移矩(stt)mram(stt-mram)、rram、或pcm)，而不負(fù)面地影響接觸層230的電阻電容(rc)或可靠性特性。在本公開的一個(gè)方面，電阻式存儲(chǔ)器250被布置成：為有源管芯180提供片外高速緩存存儲(chǔ)器(例如，級(jí)別四(l4)高速緩存存儲(chǔ)器)。

在本公開的一個(gè)方面，在集成中介體210上沒有創(chuàng)建有源選擇器件的情況下，電阻式存儲(chǔ)器250被制造在集成中介體210的兩個(gè)互連級(jí)之間。在本公開的另一方面，電阻式存儲(chǔ)器250與集成中介體210內(nèi)的有源選擇器件一起被制造。在這種布置中，有源選擇器件可以使用構(gòu)建在集成中介體210內(nèi)的互連級(jí)中的一個(gè)互連級(jí)上的薄膜器件(例如，薄膜二極管、薄膜晶體管等)來實(shí)現(xiàn)。在本公開的另一方面，電阻式存儲(chǔ)器250與半導(dǎo)體(例如，硅)中介體上的有源選擇器件一起被制造，其中集成中介體內(nèi)的有源選擇器件被制造在半導(dǎo)體中介體基板上。

在這些布置中，使用相同的薄膜晶體管器件或硅中介體基板上的塊狀(bulk)器件來制造外圍電路(包括解碼器、感測(cè)放大器和一些控制邏輯)。替換地，控制邏輯的至少一部分被構(gòu)建在有源管芯(例如，180)上而不是在集成中介體210上。所提及的薄膜二極管或薄膜晶體管選擇器件可被堆疊以提高電阻式存儲(chǔ)器陣列的效率。例如，解碼器電路和感測(cè)放大器電路可被制造在薄膜晶體管的第一層或硅中介體基板上，而具有薄膜二極管或薄膜選擇器件的電阻式存儲(chǔ)器陣列被制造在相同的物理區(qū)域中，如以下更詳細(xì)地描述的。

圖3a和3b是解說根據(jù)本公開的一個(gè)方面的電阻式存儲(chǔ)器單元的框圖。圖3a進(jìn)一步解說了圖2的電阻式存儲(chǔ)器250。在這種布置中，每個(gè)電阻式存儲(chǔ)器350被耦合至集成中介體310的接觸層330內(nèi)的互連(例如，342、344、346)。電阻式存儲(chǔ)器單元300(例如，位單元)還包括接觸層330的有源層332(例如，氧化層、電介質(zhì)層等)內(nèi)的有源選擇器件360。替換地，有源層332可以是硅基板或其他類似的層以使得能夠制造有源選擇器件360。有源選擇器件360可以使用構(gòu)建在集成中介體310內(nèi)的互連級(jí)中的一個(gè)互連級(jí)(例如，接觸層330)上的薄膜器件(例如，薄膜二極管、薄膜晶體管等)來實(shí)現(xiàn)。

圖3b進(jìn)一步解說了圖3a的用于存儲(chǔ)器設(shè)備的電阻式存儲(chǔ)器單元300中的一個(gè)電阻式存儲(chǔ)器單元，該電阻式存儲(chǔ)器單元包括耦合至有源選擇器件360中的一個(gè)有源選擇器件(例如，存取晶體管)的電阻式存儲(chǔ)器350(例如，磁性隧道結(jié)(mtj))。該存儲(chǔ)器設(shè)備可以是從可個(gè)體尋址的mtj陣列構(gòu)建的磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(mram)設(shè)備。mtj堆疊可包括自由層、固定層和自由層與固定層之間的隧道勢(shì)壘層、以及一個(gè)或多個(gè)鐵磁層。代表性地，電阻式存儲(chǔ)器350的自由層352被耦合至位線358。有源選擇器件360之一被耦合在電阻式存儲(chǔ)器350的固定層356與固定電勢(shì)節(jié)點(diǎn)368之間。隧道勢(shì)壘層354耦合在固定層356與自由層352之間。有源選擇器件360包括耦合至字線366的柵極364。

合成反鐵磁材料可形成固定層356和自由層352。例如，固定層356可包括多個(gè)材料層，其包括鈷鐵硼(cofeb)層、釕(ru)層和鈷鐵(cofe)層。另外，自由層352還可包括多個(gè)材料層，其包括鈷鐵硼(cofeb)層、釕(ru)層和鈷鐵(cofe)層。另外，隧道勢(shì)壘層354可以是氧化鎂(mgo)。

圖3b的電阻式存儲(chǔ)器單元可以使用stt-mram位單元來實(shí)現(xiàn)。stt-mram位單元可包括磁性隧道結(jié)(mtj)存儲(chǔ)元件。mtj存儲(chǔ)元件例如從由薄非磁性絕緣層(隧穿勢(shì)壘)分開的至少兩個(gè)反鐵磁層(釘扎層和自由層)形成，該至少兩個(gè)反鐵磁層中的每一者可保持磁場(chǎng)或極化。來自這兩個(gè)鐵磁層的電子因施加于鐵磁層的偏置電壓下的隧穿效應(yīng)而可穿透隧穿勢(shì)壘。自由層的磁性極化可被反轉(zhuǎn)，從而釘扎層和自由層的極性基本對(duì)準(zhǔn)或相反。通過mtj的電路徑的電阻取決于釘扎層和自由層的極化的對(duì)準(zhǔn)而變化。電阻的這種變化可編程和讀取電阻式存儲(chǔ)器單元300之一。

圖4是解說根據(jù)本公開的一個(gè)方面的集成中介體410的框圖，該集成中介體410包括由電阻式存儲(chǔ)器設(shè)備450和作為有源選擇器件460的薄膜二極管構(gòu)成的嵌入式電阻式存儲(chǔ)器單元400。在這種布置中，嵌入式電阻式存儲(chǔ)器單元400被制造在接觸層430的第一互連級(jí)440(例如，導(dǎo)電(銅)跡線)與第二互連級(jí)442之間，該接觸層430由中介體基板420(例如，玻璃基板)支撐。在這種布置中，薄膜被沉積在第一互連級(jí)440上以形成作為有源選擇器件460的薄膜二極管。該薄膜可以是低溫多晶硅(ltps)材料、氧化銦鎵鋅(igzo)材料、或其他類似的薄膜材料。

圖5示出了根據(jù)本公開的一個(gè)方面的集成中介體510的橫截面圖500，該集成中介體510包括被制造在例如該集成中介體510的接觸層內(nèi)的外圍電路系統(tǒng)570。外圍電路系統(tǒng)570可包括薄膜晶體管574，該薄膜晶體管574在中介體基板520(例如，玻璃基板)的表面上具有柵極?？梢允紫戎圃鞏艠O，并且稍后沉積溝道材料。在這種布置中，薄膜572(例如，低溫多晶硅)被沉積在中介體基板520的表面上以及薄膜晶體管574上。外圍電路系統(tǒng)570還包括源線(sl)576和用于訪問電阻式存儲(chǔ)器550的位線578。

在本公開的這一方面，薄膜有源器件被嵌入在集成中介體510內(nèi)以使得能夠形成外圍電路系統(tǒng)570。這些薄膜有源器件可以是有機(jī)的。例如，在圖6中示出了用于形成外圍電路系統(tǒng)570以控制向/從電阻式存儲(chǔ)器550的訪問的這些薄膜有源器件的又一布置。

圖6是解說根據(jù)本公開的一個(gè)方面的集成中介體610的框圖，其中外圍電路系統(tǒng)670和電阻式存儲(chǔ)器單元600(650、660)被布置在接觸層630的互連級(jí)內(nèi)。在這種布置中，外圍電路系統(tǒng)670被制造在接觸層630的第一互連級(jí)640(例如，導(dǎo)電(銅)跡線)與第二互連級(jí)642之間，該接觸層630由中介體基板620(例如，玻璃基板)支撐。另外，電阻式存儲(chǔ)器單元600被制造在接觸層630的第二互連級(jí)642與第三互連級(jí)644之間。在這種布置中，薄膜被沉積在第二互連級(jí)642上以形成作為有源選擇器件660的薄膜二極管。

在這種布置中，外圍電路系統(tǒng)670的解碼器電路和感測(cè)放大器電路可被制造在薄膜晶體管674的第一層上，而具有薄膜二極管或薄膜選擇器件(例如，660)的電阻式存儲(chǔ)器650被制造在相同的物理區(qū)域中。替換地，外圍電路系統(tǒng)670可以被制造在硅中介體基板上或有源管芯上。在一個(gè)配置中，外圍電路系統(tǒng)670可以用交叉結(jié)構(gòu)來制造以控制向/從電阻式存儲(chǔ)器650的訪問。

以上描述的各種中介體允許將異構(gòu)芯片(邏輯、存儲(chǔ)器等)集成到單個(gè)封裝中。中介體可以被配置為低成本的無源中介體。遺憾的是，中介體上的芯片之間或者任何功能器件(無源、存儲(chǔ)器保護(hù)單元(mpu)、存儲(chǔ)器、模擬等)之間的互連是固定的。在將mpu和dram置于中介體上的示例性情形中，來自不同的dram供應(yīng)商的凸起圖案應(yīng)當(dāng)彼此匹配以用于要被使用的相同中介體。在中介體上的高速數(shù)據(jù)總線在管芯之間傳輸數(shù)據(jù)的另一場(chǎng)景中，期望能夠修整諸線的阻抗以優(yōu)化數(shù)據(jù)速率。

圖7示出了解說根據(jù)本公開的一個(gè)方面的片上系統(tǒng)(soc)700的橫截面圖，該片上系統(tǒng)700包括具有嵌入式存儲(chǔ)器750的可重配置中介體710。嵌入式存儲(chǔ)器750可被配置為多次可編程(mtp)存儲(chǔ)器(包括偽mtp)。替換地，嵌入式存儲(chǔ)器750可被配置成提供少量的nvm(例如，rram、mram、pcm等)。在這種配置中，嵌入式存儲(chǔ)器750使得能夠?qū)芍嘏渲弥薪轶w710的接觸層730內(nèi)的高速管芯至管芯總線740進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)重新配置。高速管芯至管芯總線740的現(xiàn)場(chǎng)重新配置可包括選擇性地將第一管芯780和第二管芯782耦合至高速管芯至管芯總線740。

可重配置中介體710的重新配置啟用用于每個(gè)系統(tǒng)功能性(處理器、調(diào)制解調(diào)器、存儲(chǔ)器等)的目標(biāo)(例如，高性能)技術(shù)的有源管芯。另外，可重配置中介體720提供其他的功能性(例如，可重配置的管芯互連、嵌入式電阻式存儲(chǔ)器、嵌入式有源選擇器件)以及至系統(tǒng)板190的互連?？芍嘏渲弥薪轶w710使得能夠?qū)Ω咚俟苄局凉苄究偩€740進(jìn)行重新布線。另外，可重配置中介體710的重新配置使得能夠?qū)Ω咚俟苄局凉苄究偩€740進(jìn)行調(diào)諧以用于測(cè)試期間至內(nèi)部節(jié)點(diǎn)的改進(jìn)的傳輸以及改進(jìn)的訪問。

如以上提及的，嵌入式存儲(chǔ)器750在被實(shí)現(xiàn)為電子熔絲或反熔絲時(shí)可以是偽mtp。替換地，嵌入式存儲(chǔ)器750可被配置為使用薄膜器件來構(gòu)建在中介體基板720(例如，硅或玻璃)上的電阻式存儲(chǔ)器。無論配置為mtp還是nvm，嵌入式存儲(chǔ)器750使得接觸層730內(nèi)的互連的配置能夠容適具有異構(gòu)凸出輸出的管芯。接觸層730內(nèi)的互連可以在封裝后被微調(diào)以匹配管芯的輸入/輸出(i/o)。另外，可重配置中介體710的現(xiàn)場(chǎng)重新配置允許在測(cè)試期間切換封裝觸點(diǎn)。

在以上描述的配置中，可以通過蝕刻玻璃來將玻璃中介體基板打薄至期望厚度。玻璃的期望厚度可根據(jù)用于制造例如薄膜晶體管(tft)的目標(biāo)厚度(例如，五百(500)微米厚)而變化。然而，中介體應(yīng)用可以把五十(50)到二百五十(250)微米厚度作為目標(biāo)。在這種布置中，通過例如用蝕刻劑(例如，氫氟酸(hf))進(jìn)行的濕法蝕刻來打薄玻璃中介體基板。蝕刻保護(hù)層在玻璃打薄和任何通孔形成的任何清潔過程期間屏蔽諸器件。

圖8是解說根據(jù)本公開的一個(gè)方面的用于制造集成中介體的方法800的流程圖。在框802處，在中介體基板的第一表面上的電介質(zhì)層內(nèi)制造至少一個(gè)電阻類型的非易失性存儲(chǔ)器(nvm)陣列，例如，如圖3a和3b中示出的。盡管本描述已經(jīng)提及硅和玻璃中介體基板，但是也構(gòu)想了包括藍(lán)寶石或其他類似材料的其他基板材料。

在框804處，掩模并且刻蝕該電介質(zhì)層以限定該電介質(zhì)層內(nèi)的互連。在框806處，將導(dǎo)電材料鍍敷在該電介質(zhì)層內(nèi)。該電介質(zhì)層內(nèi)的經(jīng)圖案化的導(dǎo)電材料在基板的第一表面上形成接觸層。例如，如圖2中示出的，接觸層230包括互連240，該互連240配置成將電阻式存儲(chǔ)器250耦合至有源管芯180。在這種布置中，電阻式存儲(chǔ)器被至少部分地嵌入在集成中介體210的接觸層230內(nèi)。

在一個(gè)配置中，一種集成中介體包括中介體基板的第一表面上的至少一個(gè)電阻類型的非易失性存儲(chǔ)器(nvm)陣列。集成中介體還包括用于將至少一個(gè)電阻類型的nvm陣列互連至至少一個(gè)管芯的裝置。至少一個(gè)電阻類型的nvm陣列可被部分地嵌入在互連裝置內(nèi)。在本公開的一個(gè)方面，該互連裝置是圖1、2、3a、6和/或7的接觸層230/330/430/630/730，其被配置成執(zhí)行由該互連裝置所述的功能。在另一方面，前述裝置可以是配置成執(zhí)行由前述裝置敘述的功能的器件或任何層。

圖9是解說其中可有利地采用本公開的配置的示例性無線通信系統(tǒng)900的框圖。出于解說目的，圖9示出了三個(gè)遠(yuǎn)程單元920、930、和950以及兩個(gè)基站940。將認(rèn)識(shí)到，無線通信系統(tǒng)可具有遠(yuǎn)多于此的遠(yuǎn)程單元和基站。遠(yuǎn)程單元920、930和950包括包含所公開的集成中介體的ic設(shè)備925a、925b和925c。將認(rèn)識(shí)到，包含ic的任何器件還可包括所公開的集成中介體，包括基站、開關(guān)器件以及網(wǎng)絡(luò)裝備。圖9示出了從基站940到遠(yuǎn)程單元920、930、和950的前向鏈路信號(hào)980，以及從遠(yuǎn)程單元920、930、和950到基站940的反向鏈路信號(hào)990。

在圖9中，遠(yuǎn)程單元920被示為移動(dòng)電話，遠(yuǎn)程單元930被示為便攜式計(jì)算機(jī)，并且遠(yuǎn)程單元950被示為無線本地環(huán)路系統(tǒng)中的固定位置遠(yuǎn)程單元。例如，這些遠(yuǎn)程單元可以是移動(dòng)電話、手持式個(gè)人通信系統(tǒng)(pcs)單元、便攜式數(shù)據(jù)單元(諸如個(gè)人數(shù)據(jù)助理)、具有g(shù)ps能力的設(shè)備、導(dǎo)航設(shè)備、機(jī)頂盒、音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、位置固定的數(shù)據(jù)單元(諸如儀表讀數(shù)裝置)、或者存儲(chǔ)或檢索數(shù)據(jù)或計(jì)算機(jī)指令的任何其他設(shè)備，或者其任何組合。盡管圖9解說了包括所公開的集成中介體的ic器件925a、925b和925c，然而本公開不限于所解說的這些示例性單元。本公開的諸方面可被適當(dāng)?shù)夭捎迷诎ㄖ薪轶w的任何器件中。

對(duì)于固件和/或軟件實(shí)現(xiàn)，這些方法體系可以用執(zhí)行本文所描述功能的模塊(例如，規(guī)程、函數(shù)等等)來實(shí)現(xiàn)。任何有形地實(shí)施指令的機(jī)器可讀介質(zhì)可被用來實(shí)現(xiàn)本文所描述的方法體系。例如，軟件代碼可被存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中并由處理器單元來執(zhí)行。存儲(chǔ)器可以在處理器單元內(nèi)或在處理器單元外部實(shí)現(xiàn)。如本文所使用的，術(shù)語“存儲(chǔ)器”是指任何類型的長期、短期、易失性、非易失性、或其他存儲(chǔ)器，而并不限于任何特定類型的存儲(chǔ)器或存儲(chǔ)器數(shù)目、或記憶存儲(chǔ)在其上的介質(zhì)的類型。

盡管已詳細(xì)描述了本公開及其優(yōu)勢(shì)，但是應(yīng)當(dāng)理解，可在本文中作出各種改變、替代和變更而不會(huì)脫離如由所附權(quán)利要求所定義的本公開的技術(shù)。例如，諸如“上方”和“下方”之類的關(guān)系術(shù)語是關(guān)于基板或電子器件使用的。當(dāng)然，如果該基板或電子器件被顛倒，則上方變成下方，反之亦然。此外，如果是側(cè)面取向的，則上方和下方可指代基板或電子器件的側(cè)面。此外，本申請(qǐng)的范圍無意被限定于說明書中所描述的過程、機(jī)器、制造、物質(zhì)組成、裝置、方法和步驟的特定實(shí)施例。如本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將容易從本公開領(lǐng)會(huì)到的，可以利用根據(jù)本公開的現(xiàn)存或今后開發(fā)的與本文所描述的相應(yīng)實(shí)施例執(zhí)行基本相同的功能或?qū)崿F(xiàn)基本相同結(jié)果的過程、機(jī)器、制造、物質(zhì)組成、裝置、方法或步驟。因此，所附權(quán)利要求旨在將這樣的過程、機(jī)器、制造、物質(zhì)組成、裝置、方法或步驟包括在其范圍內(nèi)。