本公開(kāi)總體涉及半導(dǎo)體封裝的領(lǐng)域，并且更具體涉及具有嵌入式橋接互連件的半導(dǎo)體封裝。

背景技術(shù)：

傳統(tǒng)集成電路器件可包括設(shè)置在器件一側(cè)上的電觸點(diǎn)。這些電觸點(diǎn)可用來(lái)將器件耦合到另一部件(例如，經(jīng)由焊接連接)。然而，如果電觸點(diǎn)不適當(dāng)?shù)囟ㄎ辉谄骷?cè)面上(例如，位于距器件面不適當(dāng)?shù)木嚯x)，可能難以形成器件和該另一部件之間的電連接。

附圖說(shuō)明

實(shí)施例容易通過(guò)以下詳細(xì)描述連同附圖來(lái)理解。為便于該描述，相似附圖標(biāo)號(hào)指代相似結(jié)構(gòu)元件。在附圖的圖中，實(shí)施例僅作為例子并且不作為限制而示出。

圖1和圖2是根據(jù)各種實(shí)施例的具有嵌入式橋接互連件的半導(dǎo)體封裝的側(cè)面剖視圖。

圖3至圖17是根據(jù)各種實(shí)施例的包括圖1的半導(dǎo)體封裝的集成電路組件的制造中各種操作之后的組件的側(cè)面剖視圖。

圖18至圖27是根據(jù)各種實(shí)施例的包括圖2的半導(dǎo)體封裝的集成電路組件的制造中各種操作之后的組件的側(cè)面剖視圖。

圖28是根據(jù)各種實(shí)施例的包括插入器和具有嵌入式橋接互連件的半導(dǎo)體封裝的集成電路組件的側(cè)面剖視圖。

圖29是根據(jù)各種實(shí)施例的具有設(shè)置在其上的部件的扭曲表面的側(cè)面剖視圖。

圖30是根據(jù)各種實(shí)施例的在用夾具變平之后圖29的表面的側(cè)面剖視圖。

圖31至圖33是根據(jù)各種實(shí)施例的集成電路組件制造中的各種操作中的夾具的使用的側(cè)面剖視圖。

圖34至圖36是根據(jù)各種實(shí)施例的集成電路組件制造中的各種操作中的另一夾具的使用的側(cè)面剖視圖。

圖37是根據(jù)各種實(shí)施例的用于制造半導(dǎo)體封裝的方法的流程圖。

圖38是根據(jù)各種實(shí)施例的制造集成電路組件的方法的流程圖。

圖39是可以包括本文所公開(kāi)的半導(dǎo)體封裝中的任一種中的一種或多種的示例計(jì)算機(jī)裝置的框圖。

具體實(shí)施方式

具有嵌入式橋接互連件的半導(dǎo)體封裝與相關(guān)組件和方法在本文中公開(kāi)。在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體封裝可包括橋接互連件和過(guò)孔。橋接互連件可在堆疊材料中嵌入，并可具有第一側(cè)和與第一側(cè)相反的第二側(cè)，第一側(cè)具有多個(gè)導(dǎo)電墊。過(guò)孔可延伸穿過(guò)堆疊材料的一部分，并可具有比過(guò)孔的第二端部更窄的第一端部。半導(dǎo)體封裝可具有第一側(cè)和相反的第二側(cè)，并且橋接互連件可布置在半導(dǎo)體封裝中，使得橋接互連件的第一側(cè)和半導(dǎo)體封裝的第一側(cè)之間的距離小于橋接互連件的第二側(cè)和半導(dǎo)體封裝的第一側(cè)之間的距離。過(guò)孔可布置在半導(dǎo)體封裝中，使得過(guò)孔的第一端部和半導(dǎo)體封裝的第一側(cè)之間的距離小于過(guò)孔的第二端部和半導(dǎo)體封裝的第一側(cè)之間的距離。

本文所公開(kāi)的各種實(shí)施例在其中硅基橋接互連件被包括在具有有機(jī)襯底的集成電路組件中的應(yīng)用中可能特別有用?；谟袡C(jī)襯底的器件可能在制造上比硅基器件更便宜，但可能相比硅對(duì)精細(xì)特征的形成更不適合。在其中希望高特征密度或小特征尺寸時(shí)，在有機(jī)襯底上形成此類(lèi)特征可能過(guò)于困難或不可能，并且可以代替地使用硅襯底。

為解決該問(wèn)題，硅基結(jié)構(gòu)可被包括在有機(jī)襯底器件中。硅基結(jié)構(gòu)可包括器件的高特征密度或小特征尺寸部分，并可被嵌入或以其它方式包括在具有有機(jī)襯底的器件中。該途徑可允許實(shí)現(xiàn)局部小或高密度特征而不必須由硅形成整個(gè)器件(其可能過(guò)于昂貴、巨大和/或工藝密集)。

硅基橋接互連件可以是包括在有機(jī)襯底器件中的硅基結(jié)構(gòu)的一個(gè)特別有用的例子。橋接互連件可用來(lái)在兩個(gè)部件諸如中央處理單元(cpu)和存儲(chǔ)器器件之間路由信號(hào)。在本文中公開(kāi)的一些實(shí)施例中，橋接互連件可在兩個(gè)部件之間提供高密度信號(hào)路徑。此類(lèi)高密度信號(hào)路徑可以實(shí)質(zhì)上為下一代存儲(chǔ)器器件技術(shù)的成功實(shí)施方案，諸如高帶寬存儲(chǔ)器(hbm)和寬i/o2(wio)2，其中希望存儲(chǔ)器器件和cpu使用非常密集的封裝設(shè)計(jì)來(lái)彼此通信。因此，在本文中公開(kāi)的具有嵌入式橋接互連件的半導(dǎo)體封裝的各種實(shí)施例以及相關(guān)組件和技術(shù)可使得能夠?qū)崿F(xiàn)這些高密度存儲(chǔ)器技術(shù)(和其它高密度或小特征尺寸應(yīng)用)的成功實(shí)施方案。

具體地，為將兩個(gè)高密度部件彼此附接，可需要較緊密的部件放置容差需求以實(shí)現(xiàn)成功的對(duì)齊和耦合。熱壓縮粘結(jié)可以是用于實(shí)現(xiàn)該對(duì)齊和耦合的有用工藝。在熱壓縮粘結(jié)中，粘結(jié)頭可將第一部件(例如管芯)放置在第一部件將要粘結(jié)到的第二部件(例如，封裝、另一管芯或任何其它部件)的第一表面上。第二部件可通過(guò)在與第一表面相反的表面上拉動(dòng)的所施加的真空而附接到基座。當(dāng)真空將第二部件抵靠基座“拉平”時(shí)，希望第一表面大體平坦(或，也就是說(shuō)，為了第一表面上的相關(guān)特征近似共面)。該期望結(jié)果可稱為“頂部共面性”。在第一表面上基本上沒(méi)有共面特征的情況下，難以在第一部件和第二部件之間實(shí)現(xiàn)一致的粘結(jié)。這些問(wèn)題在有機(jī)器件中可能被加劇，因?yàn)?通常用來(lái)在硅器件中的不同層之間實(shí)現(xiàn)平坦表面)的化學(xué)機(jī)械拋光通常不在有機(jī)制造中執(zhí)行(由于例如成本)。

然而，傳統(tǒng)制造工藝通常不能符合成功粘結(jié)的共面需求。這經(jīng)常是在第一部件的各層(例如，在有機(jī)層壓工藝期間出現(xiàn)的那些層)的沉積和放置期間固有制造變化的結(jié)果。傳統(tǒng)上，嘗試減小導(dǎo)致低劣的頂部共面性的厚度上的變化，該嘗試集中在銅金屬密度、銅鍍覆和堆疊材料層壓工藝上。然而，這些嘗試可能固有地受限制，因?yàn)槠淇偸窃诓考摹绊敳俊焙汀氨巢俊眰?cè)上存在由例如銅鍍覆工藝、堆疊材料層壓工藝和阻焊材料變化而引起的一些固有變化。對(duì)于倒裝芯片結(jié)構(gòu)，例如，幾乎不可能提供在某些應(yīng)用中可能需要的極少或沒(méi)有變化(例如，良好的頂部共面性)的最終結(jié)構(gòu)。這些先前嘗試還引起在制造工藝期間的顯著花費(fèi)。此外，需要極平的銅或其它特殊材料以實(shí)現(xiàn)希望的頂部共面性的技術(shù)可能最終限制可用于部件結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)選項(xiàng)。

本文中所公開(kāi)的各種實(shí)施例包括用于制造半導(dǎo)體封裝和集成電路組件的技術(shù)，其使用無(wú)核心加工技術(shù)以制造具有非常好的頂部共面性(例如，具有非常小或幾乎為零的變化)的部件。該頂部共面性可使得能夠在管芯附接工藝中使用熱壓縮粘結(jié)，即使是在極精細(xì)的特征間距(例如，小于130微米的凸塊節(jié)距)。

在一些實(shí)施例中，本文中公開(kāi)的半導(dǎo)體封裝可利用層壓到可剝離犧牲層上作為“c4”或倒裝芯片連接側(cè)的第一堆疊層的表面。橋接互連件(例如硅橋接互連件)可嵌入在空腔(例如在形成第一金屬層或第二金屬層后通過(guò)激光形成)中，并且可在橋接互連件和空腔之間使用堆疊樹(shù)脂或其它材料來(lái)填充空腔。通過(guò)使用第一堆疊層的表面作為(管芯可附接到的)c4側(cè)，c4側(cè)將與可剝離核心的表面的輪廓一樣平坦。如果封裝(一旦從犧牲核心脫離)，激光變形(例如，由于從熱膨脹失配的系數(shù)引起的殘余應(yīng)力，以及在構(gòu)建固化和銅老化工藝期間的收縮不平衡)，扭曲的封裝仍可“變平”以便在c4側(cè)上實(shí)現(xiàn)良好的頂部共面性(使用例如機(jī)械和/或真空力，如下論述)。存在到(半導(dǎo)體封裝將要附接到的)管芯的基本共面的表面可在熱壓縮粘結(jié)工藝期間改善半導(dǎo)體封裝和管芯上凸塊之間的連接。

各種操作可以以對(duì)理解所要求主題最有幫助的方式依次描述為多個(gè)單獨(dú)行為或操作。然而，描述順序不應(yīng)解釋為意味著這些操作必須依賴順序。具體地，這些操作可以不按照呈現(xiàn)的順序執(zhí)行。所描述操作可以以與所描述實(shí)施例不同的順序執(zhí)行。可執(zhí)行各種另外的操作，和/或可在另外實(shí)施例中省略所描述操作。

為了本公開(kāi)的目的，短語(yǔ)“a和/或b”意思是(a)、(b)或(a和b)。為了本公開(kāi)的目的，短語(yǔ)“a、b和/或c”意思是(a)、(b)、(c)、(a和b)、(a和c)、(b和c)或(a、b和c)。

描述使用短語(yǔ)“在實(shí)施例中”或“在多個(gè)實(shí)施例中”，其可各自指代相同或不同實(shí)施例中的一個(gè)或多個(gè)。此外，關(guān)于本公開(kāi)的實(shí)施例使用的術(shù)語(yǔ)“包含”、“包括”、“具有”等是同義的。如本文所用，短語(yǔ)“耦合”可意為兩個(gè)或更多個(gè)元件直接物理接觸或電接觸，或兩個(gè)或更多個(gè)元件不彼此直接接觸，但仍彼此協(xié)作或相互作用(例如，經(jīng)由可執(zhí)行它們自己的變換或具有它們自己的效果的一個(gè)或多個(gè)中間元件)。例如，兩個(gè)元件在都與共同元件(例如，共同電路元件)連通時(shí)可彼此耦合。如本文所用，術(shù)語(yǔ)“邏輯”可指代以下裝置、是以下裝置的部分或包括以下裝置：執(zhí)行一個(gè)或多個(gè)軟件或固件程序的專(zhuān)用集成電路(asic)、電子電路、處理器(共享的、專(zhuān)用的或群)和/或存儲(chǔ)器(共享的、專(zhuān)用的或群)、組合邏輯電路和/或提供所描述功能的其它合適部件。

圖1和圖2是根據(jù)各種實(shí)施例的具有嵌入式橋接互連件102的半導(dǎo)體封裝100的側(cè)面剖視圖。橋接互連件102可嵌入在堆疊材料110中。在一些實(shí)施例中，橋接互連件102可以是硅橋。橋接互連件102可具有第一側(cè)106，其具有多個(gè)導(dǎo)電墊104。雖然在圖1和圖2中為每個(gè)所圖示的橋接互連件102圖示兩個(gè)導(dǎo)電墊104，但任何希望數(shù)量的導(dǎo)電墊104可被包括在橋接互連件102的第一側(cè)106上。在一些實(shí)施例中，橋接互連件102可具有與導(dǎo)電墊104接觸的主體124。具體地，導(dǎo)電墊104中的每個(gè)可具有第一面134和相反的第二面132，并且第二面132可接觸橋接互連件102的主體124。橋接互連件102可具有與第一側(cè)106相反的第二側(cè)108。

堆疊材料110可以是傳統(tǒng)上用于制造半導(dǎo)體封裝的任何合適的堆疊材料，諸如味之素堆疊膜(abf)型材料。在一些實(shí)施例中，堆疊材料110可以是無(wú)機(jī)堆疊材料諸如siox或sinx。

半導(dǎo)體封裝100還可包括一個(gè)或多個(gè)過(guò)孔112。圖1和圖2中所示的過(guò)孔112中僅有幾個(gè)用附圖編號(hào)標(biāo)記以便于圖示。另外，盡管圖1和圖2圖示過(guò)孔112的特定布置(例如，以形成特定導(dǎo)電路徑)，在各種實(shí)施例中，一個(gè)或多個(gè)過(guò)孔112的任何希望布置可包括在半導(dǎo)體封裝100中。

過(guò)孔112可延伸穿過(guò)堆疊材料110的一部分，并可具有第一端部118和第二端部120。過(guò)孔112的第一端部118可比過(guò)孔112的第二端部120更窄。該形狀可以是用來(lái)在堆疊材料110中形成過(guò)孔112的制造技術(shù)的結(jié)果，如下所論述。

在一些實(shí)施例中，橋接互連件102的導(dǎo)電墊104都不可與半導(dǎo)體封裝100的堆疊材料110中的過(guò)孔112中的任一個(gè)電接觸(例如，如圖1和圖2所示)。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)電墊104中的多個(gè)可由阻焊劑122隔開(kāi)(例如圖2的實(shí)施例中所圖示)。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)電墊104可以不由阻焊劑隔開(kāi)(例如圖1的實(shí)施例中所圖示)。

半導(dǎo)體封裝100可自身具有第一側(cè)114和相反第二側(cè)116。在一些實(shí)施例中，阻焊劑122的層可設(shè)置在半導(dǎo)體封裝100的第二側(cè)116上。

橋接互連件102可布置在半導(dǎo)體封裝100中，使得在半導(dǎo)體封裝100的第一側(cè)114中橋接互連件102的第一側(cè)106之間的距離小于在半導(dǎo)體封裝100的第一側(cè)114中橋接互連件102的第二側(cè)108之間的距離。即，在一些實(shí)施例中，橋接互連件102可布置為使得半導(dǎo)體封裝100的第一側(cè)114更靠近橋接互連件102的第一側(cè)106而不是橋接互連件102的第二側(cè)108。在一些實(shí)施例中，(例如，如圖1所示)，半導(dǎo)體封裝100的第一側(cè)114的表面可包括導(dǎo)電墊104，并因此在橋接互連件102的第一側(cè)106和半導(dǎo)體封裝100的第一側(cè)114之間的距離可能實(shí)際上為零或非常小。

過(guò)孔112可布置在半導(dǎo)體封裝100中，使得在半導(dǎo)體封裝100的第一側(cè)114中的過(guò)孔112的第一端部118之間的距離小于在半導(dǎo)體封裝100的第一側(cè)114中的過(guò)孔112的第二端部120之間的距離。即，在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體封裝100的第一側(cè)114可更靠近過(guò)孔112的第一端部118而不是過(guò)孔112的第二端部120。

在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體封裝100的第二側(cè)116可以是第一層互連側(cè)，并且半導(dǎo)體封裝100的第一側(cè)114可以是第二層互連側(cè)。例如，圖2的半導(dǎo)體封裝100的第二側(cè)116可以是第一層互連側(cè)，并且圖2的半導(dǎo)體封裝100的第一側(cè)114可以是第二層互連側(cè)。在一些實(shí)施例中，阻焊劑(例如阻焊劑122)可設(shè)置在第二層互連側(cè)上。

在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體封裝100可包括一個(gè)或多個(gè)觸點(diǎn)126。圖1和圖2中所圖示的觸點(diǎn)126中僅有幾個(gè)用附圖編號(hào)標(biāo)記以便于圖示。另外，盡管圖1和圖2圖示觸點(diǎn)126的特定布置，但一個(gè)或多個(gè)觸點(diǎn)126的任何希望的布置可包括在半導(dǎo)體封裝100中。觸點(diǎn)126可由與導(dǎo)電墊104的材料不同的導(dǎo)電材料形成。例如，在一些實(shí)施例中，觸點(diǎn)126可由鎳形成，而導(dǎo)電墊104可由銅(以及在一些實(shí)施例中鍍鎳)形成。

觸點(diǎn)126可具有第一面128和相反的第二面130。在一些實(shí)施例中，觸點(diǎn)126的第一面128可在與導(dǎo)電墊104的第一面134近似相同的平面中。在一些此類(lèi)實(shí)施例中，觸點(diǎn)126和導(dǎo)電墊104可設(shè)置在半導(dǎo)體封裝100的第一側(cè)114上，并可被定位用于與一個(gè)或多個(gè)管芯耦合，如下所論述。例如，導(dǎo)電墊104的觸點(diǎn)126可被定位用于熱壓縮粘結(jié)到一個(gè)或多個(gè)管芯。

在一些實(shí)施例中，焊料凸塊136可設(shè)置在導(dǎo)電墊104中的一個(gè)或多個(gè)和/或觸點(diǎn)126中的一個(gè)或多個(gè)上。此實(shí)施例的例子在圖2中示出。圖2中的焊料凸塊136中的僅一個(gè)用附圖編號(hào)標(biāo)記以便于圖示。盡管圖2圖示焊料凸塊136的特定布置，但在各種實(shí)施例中，一個(gè)或多個(gè)焊料凸塊136的任何希望布置可包括在半導(dǎo)體封裝100中。

在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體封裝100可至少部分在犧牲核心的表面上形成。具體地，半導(dǎo)體封裝100的第一側(cè)114可設(shè)置在犧牲核心和半導(dǎo)體封裝100的第二側(cè)116之間。在犧牲核心移除后，半導(dǎo)體封裝100的第一側(cè)114的至少一部分可具有與犧牲核心的表面輪廓互補(bǔ)的輪廓。各種實(shí)施例包括除單體無(wú)核心襯底制造工藝之外的使用第一一個(gè)或多個(gè)堆疊層的高密度橋嵌入加工。包括犧牲核心的制造技術(shù)數(shù)個(gè)例子在下面論述。

圖3至圖17是根據(jù)各種實(shí)施例的包括圖1的半導(dǎo)體封裝100的集成電路組件1700(圖17)的制造中各種操作之后的組件的側(cè)面剖視圖。盡管圖3至圖17中圖示并在下面論述的操作表示為以特定順序發(fā)生，但這些操作可以以任何合適順序執(zhí)行，并且可以按需要省略或重復(fù)各種操作。另外，盡管圖3至圖17圖示可用來(lái)制造包括圖1的半導(dǎo)體封裝100的集成電路組件1700的各種操作，用于制造半導(dǎo)體封裝100和/或集成電路組件1700的任何其它合適操作組可代替下面論述的操作來(lái)使用。

圖3圖示在犧牲核心302的第一表面306和第二表面308上形成金屬結(jié)構(gòu)318之后的組件300。犧牲核心302可包括設(shè)置在箔片310之間的主體材料304。在一些實(shí)施例中，箔片310可包括內(nèi)箔層322(例如銅箔)、外箔層324(例如銅箔)和設(shè)置在內(nèi)箔層322與外箔層324之間的粘合層326。粘合層326可臨時(shí)粘合內(nèi)箔層322至外箔層324直到外箔層324和內(nèi)箔層322“剝離”。因此，粘合層326可充當(dāng)用于釋放犧牲核心302的釋放層，使得能夠一旦已移除主體材料304則從外金屬層324“剝離”內(nèi)箔層322，提供“可剝離”核心。犧牲核心302可根據(jù)已知技術(shù)構(gòu)造，并因此不進(jìn)一步詳述。

箔片310可提供金屬結(jié)構(gòu)318可設(shè)置在其上的第一表面306和第二表面308。金屬結(jié)構(gòu)318可包括第一層312、第二層313、第三層314和第四層316。在一些實(shí)施例中，第一層312和第四層316可由一種導(dǎo)電材料形成，而第二層313和第三層314可由與第一層312和第四層316不同的一種或多種導(dǎo)電材料形成。例如，在一些實(shí)施例中，第一層312和第四層316可由銅形成，而第二層313可由金形成并且第三層314可由鎳形成。在金屬結(jié)構(gòu)318中的任何合適層(例如第一層312)可通過(guò)電鍍形成。在一些實(shí)施例中，金屬結(jié)構(gòu)318的第二層313、第三層314和第四層316可形成圖1的半導(dǎo)體組件100的觸點(diǎn)126，如下所論述。

在一些實(shí)施例中，形成在第一表面306上的金屬結(jié)構(gòu)318可以是相對(duì)于犧牲核心302形成在第二表面308上的金屬結(jié)構(gòu)318的“鏡像”，如圖3所圖示。在一些實(shí)施例中，在犧牲核心302上執(zhí)行的大多數(shù)(如果不是全部)制造操作(例如圖3至圖12中圖示的那些)可被執(zhí)行以便在犧牲核心302的第一表面306和第二表面308上形成鏡像結(jié)構(gòu)。因此，為便于圖示，僅在第一表面306上形成的結(jié)構(gòu)(和涉及那些結(jié)構(gòu)的形成的制造操作)可參考圖3至圖12論述。然而，如圖3至圖12所圖示，鏡像結(jié)構(gòu)也可在第二表面308上形成(例如，通過(guò)執(zhí)行相同或相似的制造操作)。

圖4圖示在組件300(圖3)的犧牲核心302的第一表面306上提供堆疊材料110之后的組件400。如圖所示，在一些實(shí)施例中，堆疊材料110可圍繞并延伸越過(guò)金屬結(jié)構(gòu)318(圖3)。

圖5圖示在穿過(guò)組件400(圖4)的堆疊材料110形成一個(gè)或多個(gè)過(guò)孔之后的組件500。如圖所示，在一些實(shí)施例中，過(guò)孔112中的一個(gè)或多個(gè)可延伸穿過(guò)堆疊材料110以接觸金屬結(jié)構(gòu)318(圖3)中的一個(gè)或多個(gè)對(duì)應(yīng)金屬結(jié)構(gòu)。組件500中過(guò)孔112的第一端部118可比過(guò)孔112的第二端部120更窄。組件500中過(guò)孔112的第一端部118可設(shè)置在過(guò)孔112的第二端部120和犧牲核心302的第一表面306之間。即，犧牲核心302的第一表面306可更靠近過(guò)孔112的第一端部118而不是過(guò)孔112的第二端部120。組件500可由組件400使用例如傳統(tǒng)微過(guò)孔制造技術(shù)、干膜抗蝕劑技術(shù)和圖案化鍍覆技術(shù)形成。

圖6圖示在提供另外的堆疊材料110至組件500(圖5)和穿過(guò)堆疊材料110形成另外的過(guò)孔112之后的組件600。如圖所示，在一些實(shí)施例中，組件600中新近提供的過(guò)孔112中的一個(gè)或多個(gè)可延伸穿過(guò)堆疊材料110以接觸一個(gè)或多個(gè)對(duì)應(yīng)現(xiàn)有過(guò)孔112和/或金屬結(jié)構(gòu)318(圖3)。組件600中的新添加的過(guò)孔112的第一端部118可比過(guò)孔112的第二端部120更窄。組件600中的新添加的過(guò)孔112的第一端部118可設(shè)置在過(guò)孔112的第二端部120和犧牲核心302的第一表面306之間。即，犧牲核心302的第一表面306可更靠近新添加的過(guò)孔112的第一端部118而不是過(guò)孔112的第二端部120。組件600可由組件500使用例如傳統(tǒng)微過(guò)孔制造技術(shù)、干膜抗蝕劑技術(shù)和圖案化鍍覆技術(shù)形成。

圖7圖示在組件600(圖6)的堆疊材料110中形成一個(gè)或多個(gè)空腔702之后的組件700。在一些實(shí)施例中，空腔702可向下延伸到犧牲核心302的第一表面306(圖3)?？涨?02可由激光形成(例如激光燒蝕)。

圖8圖示在組件700的空腔702(圖7)中設(shè)置一個(gè)或多個(gè)橋接互連件102之后的組件800。如上參考圖1和圖2論述，并如圖9中所再現(xiàn)，橋接互連件102可具有第一側(cè)106(其具有多個(gè)導(dǎo)電墊104)，并可具有與第一側(cè)106相反的第二側(cè)108。如圖8所圖示，橋接互連件102可設(shè)置在空腔702中，使得橋接互連件102的第一側(cè)106比第二側(cè)108到第一表面306更靠近犧牲核心302的第一表面306(圖3)。即，橋接互連件102的第一側(cè)106可設(shè)置在犧牲核心302的第一表面306和橋接互連件102的第二側(cè)108之間。

如圖9所示，在一些實(shí)施例中，當(dāng)橋接互連件102設(shè)置在空腔702中時(shí)，管芯背側(cè)膜902可設(shè)置在橋接互連件102上(例如，導(dǎo)電墊104的第一面134上和/或主體124上)。在取放工藝期間，一個(gè)或多個(gè)橋接互連件102可設(shè)置在組件800中。

在一些實(shí)施例中，金屬結(jié)構(gòu)318的第二層313、第三層314和第四層316可變?yōu)橛|點(diǎn)126(如下面參考圖10至圖17論述)。在所得的封裝中，觸點(diǎn)126的第一面128可與導(dǎo)電墊104的第一面134基本共面(如上面參考圖1和圖2論述)。在橋接互連件102的一些實(shí)施例中，僅兩層材料可將犧牲核心302的主體材料304(圖3)與導(dǎo)電墊104分離；即，箔片310和管芯背側(cè)膜902。類(lèi)似地，僅兩層材料可將犧牲核心302的主體材料304與第二層313(其可提供觸點(diǎn)的表面)分離；即，箔片310和第一層312。因此，如果主體材料304的表面基本平坦，并且箔片310、管芯背側(cè)膜902和第一層312的厚度受控制，則可能實(shí)現(xiàn)第二層313和導(dǎo)電墊104的良好對(duì)齊。僅控制這些變量可使得能夠?qū)崿F(xiàn)優(yōu)于其中朝向制造工藝的“結(jié)束”而不是朝向“開(kāi)始”形成面向外的觸點(diǎn)的傳統(tǒng)技術(shù)的平面性的充分改善。

圖10圖示在組件800(圖8)上提供另外的堆疊材料110以嵌入橋接互連件102，并且在新提供的堆疊材料110的表面上形成另外的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)1002之后的組件1000。導(dǎo)電結(jié)構(gòu)1002可在隨后的制造操作中與其它結(jié)構(gòu)(例如過(guò)孔)耦合。組件1000還被示出在形成穿過(guò)堆疊材料110的另外過(guò)孔112之后(相對(duì)于圖9的組件900)。如圖所示，在一些實(shí)施例中，在組件600中新提供的過(guò)孔112中的一個(gè)或多個(gè)可延伸穿過(guò)堆疊材料110以接觸一個(gè)或多個(gè)對(duì)應(yīng)的現(xiàn)有過(guò)孔112和/或金屬結(jié)構(gòu)318(圖3)。組件600中新添加的過(guò)孔112的第一端部118可比過(guò)孔112的第二端部120更窄。組件600中新添加的過(guò)孔112的第一端部118可設(shè)置在過(guò)孔112的第二端部120和犧牲核心302的第一表面306之間。即，犧牲核心302的第一表面306可更靠近新添加的過(guò)孔112的第一端部118而不是過(guò)孔112的第二端部120。組件1000可由組件900使用例如傳統(tǒng)微過(guò)孔制造技術(shù)、干膜抗蝕劑技術(shù)和圖案化鍍覆技術(shù)形成。

圖11圖示在組件1000(圖10)上提供另外的堆疊材料110和形成穿過(guò)堆疊材料110的另外過(guò)孔112之后的組件1100。如圖所示，在一些實(shí)施例中，組件600中新提供的過(guò)孔112中的一個(gè)或多個(gè)可延伸穿過(guò)堆疊材料110以接觸一個(gè)或多個(gè)對(duì)應(yīng)的現(xiàn)有過(guò)孔112和/或金屬結(jié)構(gòu)318(圖3)。組件600中新添加的過(guò)孔112的第一端部118可比過(guò)孔112的第二端部120更窄。組件600中新添加的過(guò)孔112的第一端部118可設(shè)置在過(guò)孔112的第二端部120和犧牲核心302的第一表面306之間。即，犧牲核心302的第一表面306可更靠近新添加的過(guò)孔112的第一端部118而不是過(guò)孔112的第二端部120。

圖12圖示在提供圖案化阻焊劑122至組件1100(圖11)并還提供膜1202以覆蓋圖案化阻焊劑122和基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)之后的組件1200。在一些實(shí)施例中，膜1202可以是聚乙烯對(duì)苯二酸鹽(pet)材料。膜1202可保護(hù)基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)免于隨后的蝕刻工藝，如下論述。

圖13圖示在從組件1200(圖12)移除犧牲核心302的主體材料304(圖3)之后的組件1300。該工藝可被稱為“分板”并可根據(jù)傳統(tǒng)技術(shù)執(zhí)行。該移除的結(jié)果可以是形成兩個(gè)組件1300(由于先前的鏡像制造操作)，但為便于圖示在圖13中示出組件1300中的僅一個(gè)。下面參考圖14至圖17論述的制造操作可在通過(guò)移除主體材料304而形成的兩個(gè)組件1300中的每個(gè)上并行、循序或以任何希望順序執(zhí)行。在分板時(shí)，內(nèi)箔層322可移除，并且僅外箔層324可作為組件1300的部分被保留。

圖14圖示在從組件1300(圖13)移除犧牲核心302的外箔層324(圖3)之后的組件1400。外箔層324可通過(guò)任何合適蝕刻工藝移除。金屬結(jié)構(gòu)318(圖3)的第一層312也可在外箔層324移除期間或在外箔層324移除之后被移除，如圖所示。例如，在一些實(shí)施例中，外箔層324和第一層312可由銅形成，并且用銅蝕刻工藝移除。金屬結(jié)構(gòu)318的第一層312的移除可暴露金屬結(jié)構(gòu)318(圖3)的第二層313。第二層313、第三層314和第四層316的組合可隨后在圖15至圖17的論述中稱為觸點(diǎn)126。在其中外箔層324和金屬結(jié)構(gòu)318的第一層312由銅形成的實(shí)施例中，第二層313可由鎳形成并且鎳可充當(dāng)一旦到達(dá)鎳則阻止銅蝕刻工藝的“蝕刻停止”。管芯背側(cè)膜902可阻止導(dǎo)電墊104在銅蝕刻工藝期間被蝕刻。

圖15圖示在從橋接互連件102(例如，從導(dǎo)電墊104的第一面134)移除管芯背側(cè)膜902(圖9)并且還移除設(shè)置在觸點(diǎn)126之間的堆疊材料110，以及設(shè)置在觸點(diǎn)126和橋接互連件102的導(dǎo)電墊104之間的堆疊材料110之后的組件1500。管芯背側(cè)膜902可通過(guò)例如等離子體蝕刻來(lái)移除。組件1500可采取圖1的半導(dǎo)體封裝100的形式，添加了設(shè)置在半導(dǎo)體封裝100的第二側(cè)116上的膜1202。具體地，導(dǎo)電墊104和觸點(diǎn)126可在組件1500中暴露。

圖16圖示在從組件1500(圖15)移除膜1202(例如，通過(guò)機(jī)械脫離)以形成半導(dǎo)體封裝100，并將管芯1602與半導(dǎo)體封裝100對(duì)齊之后的組件1600。具體地，管芯1602可具有多個(gè)導(dǎo)電觸點(diǎn)1604設(shè)置在其上的表面1608。每個(gè)導(dǎo)電觸點(diǎn)1604可具有設(shè)置在其上的焊料凸塊1606。當(dāng)管芯1602與半導(dǎo)體封裝100對(duì)齊，使得表面1608面向半導(dǎo)體封裝100的第一側(cè)114時(shí)，多個(gè)導(dǎo)電觸點(diǎn)1604中的每個(gè)可與橋接互連件102的導(dǎo)電墊104中的一個(gè)或暴露在半導(dǎo)體封裝100的第一側(cè)114上的觸點(diǎn)126對(duì)齊。

圖17圖示在由觸點(diǎn)126和橋接互連件102的導(dǎo)電墊104提供的電接觸點(diǎn)處將管芯1602附接到(圖16的組件1600的)半導(dǎo)體封裝100之后的集成電路組件1700。在集成電路組件1700中，管芯1602的導(dǎo)電墊1604(圖16)中的每個(gè)可與觸點(diǎn)126或與橋接互連件102的導(dǎo)電墊104電接觸。在一些實(shí)施例中，可使用熱壓縮粘結(jié)工藝將管芯1602附接到半導(dǎo)體封裝100。

圖18至圖27是根據(jù)各種實(shí)施例的包括圖2的半導(dǎo)體封裝100的集成電路組件2700(圖27)的制造中各種操作之后的組件的側(cè)面剖視圖。盡管圖18至圖27中圖示并在下面論述的操作表示為以特定順序發(fā)生，但這些操作可以以任何合適順序執(zhí)行，并且可按需要省略或重復(fù)各種操作。另外，盡管圖18至圖27圖示可用來(lái)制造包括圖2的半導(dǎo)體封裝100的集成電路組件2700的各種操作，用于制造半導(dǎo)體封裝100和/或集成電路組件2700的任何其它合適組的操作可代替下面論述的操作來(lái)使用。

集成電路組件2700的制造可從圖18的組件1800開(kāi)始。圖18的組件1800可具有與圖3的組件300的一些類(lèi)似性，但可包括在犧牲核心的第一表面306和第二表面308上的金屬結(jié)構(gòu)1818而不是金屬結(jié)構(gòu)318。如上參考圖3論述，組件1800的犧牲核心302可包括設(shè)置在箔片310之間的主體材料304。在一些實(shí)施例中，箔片310可包括內(nèi)箔層322(例如銅箔)、外箔層324(例如銅箔)和設(shè)置在內(nèi)箔層322與外箔層324之間的粘合層326。粘合層326可臨時(shí)粘合內(nèi)箔層322至外箔層324直到外箔層324和內(nèi)箔層322“剝離”。因此，粘合層326可充當(dāng)用于釋放犧牲核心302的釋放層，使得能夠一旦已移除主體材料304則從外金屬層324“剝離”內(nèi)箔層322，提供“可剝離”核心，如上所論述。

箔片310可提供金屬結(jié)構(gòu)1818可設(shè)置在其上的第一表面306和第二表面308。金屬結(jié)構(gòu)1818可包括第一層1812和第二層1814。在一些實(shí)施例中，第一層1812和第二層1814可由不同的導(dǎo)電材料形成。例如，在一些實(shí)施例中，第一層1812可由鎳形成，而第二層1814可由銅形成。在金屬結(jié)構(gòu)1818中的任何合適層(例如第一層1812)可通過(guò)電鍍形成。在一些實(shí)施例中，第二層1814可形成圖2的半導(dǎo)體組件100的觸點(diǎn)126，如下所論述。

如上參考圖3所論述，在一些實(shí)施例中，形成在第一表面306上的金屬結(jié)構(gòu)1818可以是相對(duì)于犧牲核心302形成在第二表面308上的金屬結(jié)構(gòu)1818的“鏡像”，如圖18所圖示。在一些實(shí)施例中，在犧牲核心302上執(zhí)行的大多數(shù)(如果不是全部)制造操作可被執(zhí)行以便在犧牲核心302的第一表面306和第二表面308上形成鏡像結(jié)構(gòu)。因此，為便于圖示，僅在第一表面306上形成的結(jié)構(gòu)(和涉及那些結(jié)構(gòu)的形成的制造操作)可參考圖18至圖27論述。然而，如所提到，鏡像結(jié)構(gòu)也可在第二表面308上形成(例如，通過(guò)執(zhí)行相同或相似的制造操作)。

圖是根據(jù)上面參考圖3至圖11論述的制造操作或根據(jù)任何其它合適操作而形成的。

圖19圖示在執(zhí)行與上面參考圖3至圖11論述的對(duì)組件1800的相似操作(例如，沉積堆疊材料、形成過(guò)孔和放置橋接互連件)，以及在提供膜1902至所得組件之后的組件1900。在一些實(shí)施例中，膜1902可以是pet材料。

圖20圖示在分板操作中從組件1900(圖19)移除犧牲核心302的主體材料304(圖18)之后的組件2000。該移除的結(jié)果可以是形成兩個(gè)組件2000(由于先前的鏡像制造操作)，但為便于圖示在圖20中示出組件2000中的僅一個(gè)。下面參考圖21至圖27論述的制造操作可在通過(guò)移除主體材料304而形成的兩個(gè)組件2000中的每個(gè)上并行、循序或以任何希望順序執(zhí)行。如同上面參考圖13所論述的，在分板時(shí)，內(nèi)箔層322可移除，并且僅外箔層324可作為組件2000的部分被保留。

圖21圖示在從組件1900(圖19)移除犧牲核心302的外箔層324(圖18)，并移除金屬結(jié)構(gòu)1818(圖18)的第一層1812之后的組件2100。外箔層324和第一層1812的移除可通過(guò)蝕刻執(zhí)行(例如，用于外箔層324的銅蝕刻和用于第一層1812的鎳蝕刻)。金屬結(jié)構(gòu)1818的第一層1812的移除可暴露金屬結(jié)構(gòu)1818的第二層1814，第二層1814可形成觸點(diǎn)126。

圖22圖示在從橋接互連件102(例如，從導(dǎo)電墊104的第一面134)移除管芯背側(cè)膜902(圖9)并且還移除設(shè)置在金屬結(jié)構(gòu)1818的第二層1814之間的堆疊材料110，以及設(shè)置在第二層1814和橋接互連件102的導(dǎo)電墊104之間的堆疊材料110之后的組件2200。

圖23圖示在從組件2200(圖22)移除膜1202，并在組件2300的第一側(cè)2314和第二側(cè)2316上提供圖案化阻焊劑122之后的組件2300。圖案化阻焊劑122可暴露組件2300中的各種導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，如圖所示。具體地，圖案化阻焊劑122可暴露組件2300的第一側(cè)2314上的橋接互連件102的導(dǎo)電墊104。如圖所示，圖案化阻焊劑122可形成空腔2318。

圖24圖示鍍覆組件2300(圖23)以在空腔2138中的各空腔2318中形成觸點(diǎn)126(例如，在金屬結(jié)構(gòu)1818的第二層1814上)之后的組件2400。也可鍍覆橋接互連件102的導(dǎo)電墊104。鍍覆到組件2400上的材料可以是例如鎳、鈀或金，并可使用電解工藝鍍覆到組件2400上。該鍍覆可以是表面拋光工藝的一部分。組件2400可采取沒(méi)有焊料凸塊136的圖2的半導(dǎo)體封裝100的形式。具體地，導(dǎo)電墊104和組件2400的第一側(cè)2414上的觸點(diǎn)126可被暴露。

圖25圖示在導(dǎo)電墊104上提供焊料凸塊136以及在組件2400(圖24)的第一側(cè)2414上提供觸點(diǎn)126之后的圖2的半導(dǎo)體封裝100。焊料凸塊136可因此設(shè)置在半導(dǎo)體封裝100的第一側(cè)114上。在一些實(shí)施例中，焊料凸塊136可鍍覆到組件2400上。

圖26圖示在將管芯2602與半導(dǎo)體封裝100對(duì)齊之后的圖2的半導(dǎo)體封裝100。具體地，管芯2602可具有多個(gè)導(dǎo)電觸點(diǎn)2604設(shè)置在其上的表面2608。每個(gè)導(dǎo)電觸點(diǎn)2604可具有設(shè)置在其上的焊料凸塊2606。當(dāng)管芯2602與半導(dǎo)體封裝100對(duì)齊，使得表面2608面向半導(dǎo)體封裝100的第一側(cè)114時(shí)，多個(gè)導(dǎo)電觸點(diǎn)2604中的每個(gè)可與暴露在半導(dǎo)體封裝100的第一側(cè)114上并設(shè)置在橋接互連件102的導(dǎo)電墊104上的焊料凸塊136或暴露在半導(dǎo)體封裝100的第一側(cè)114上的觸點(diǎn)126中的一個(gè)對(duì)齊。

圖27圖示在由觸點(diǎn)126上的焊料凸塊136和橋接互連件102的導(dǎo)電墊104提供的電接觸點(diǎn)處將管芯2602附接到(圖26的組件2600的)半導(dǎo)體封裝100之后的集成電路組件2700。在集成電路組件2700中，管芯2602的導(dǎo)電觸點(diǎn)2604(圖26)中的每個(gè)可與觸點(diǎn)126或與橋接互連件102的導(dǎo)電墊104電接觸。在一些實(shí)施例中，可使用熱壓縮粘結(jié)工藝將管芯2602附接到半導(dǎo)體封裝100。

圖28是根據(jù)各種實(shí)施例的包括插入器2804和具有嵌入式橋接互連件102的半導(dǎo)體封裝100(例如，圖1或圖2的半導(dǎo)體封裝100)的集成電路組件2800的側(cè)面剖視圖。具體地，集成電路組件2800可包括通過(guò)多個(gè)焊料凸塊2802耦合到插入器2804的組件2700(圖27)，焊料凸塊2802將半導(dǎo)體封裝100的第二側(cè)116上的觸點(diǎn)126與插入器2804上的電觸點(diǎn)電連接。組件2700可在圖28所示的配置中稱為“無(wú)核心貼片”。在一些實(shí)施例中，通過(guò)使得能夠在昂貴的無(wú)核心貼片上實(shí)現(xiàn)密集路由，同時(shí)可在相對(duì)較便宜的有機(jī)插入器中完成較低密度路由，插入器2804可提供進(jìn)一步的成本減小益處。

如上參考圖3至圖27所論述，用于制造本文中所公開(kāi)的半導(dǎo)體封裝的一些技術(shù)可利用犧牲核心(例如犧牲核心302)。具體地，犧牲核心可提供在其上可沉積材料和形成組件的表面(或兩個(gè)表面)。犧牲核心可在制造工藝中希望的階段移除，并且另外的制造操作可在剩余組件上執(zhí)行。

由于犧牲核心的表面可在形成半導(dǎo)體封裝期間用作另外材料設(shè)置在其上的“平臺(tái)”，因此所得的半導(dǎo)體封裝的各種內(nèi)部或外部表面可具有與犧牲核心表面的輪廓互補(bǔ)的輪廓。即，如果犧牲核心表面具有突起，則互補(bǔ)表面可具有凹陷(反之亦然)。如果犧牲核心的表面扭曲，則互補(bǔ)表面將以互補(bǔ)形式扭曲。

然而，如果犧牲核心的表面基本平坦，則互補(bǔ)表面也可基本平坦。具體地，如果半導(dǎo)體封裝的多個(gè)部件每個(gè)都以距犧牲核心的基本上平坦的(例如平面的)表面預(yù)先確定的距離被設(shè)置，則那些部件將在移除犧牲核心時(shí)處于相同平面。這樣，犧牲核心的基本上平坦的表面可用作半導(dǎo)體部件可相對(duì)于其被布置的基準(zhǔn)表面；在移除犧牲核心時(shí)，以距犧牲核心的表面的共同距離被先前設(shè)置的部件將處于共同平面。即使半導(dǎo)體封裝隨后扭曲(導(dǎo)致這些部件不再平面)，施加力到半導(dǎo)體封裝以逆轉(zhuǎn)扭曲將使部件回到共同平面布置。

圖29和圖30圖示這種行為。具體地，圖29是具有設(shè)置在其上的部件2904(例如，觸點(diǎn)/墊)的半導(dǎo)體封裝2900的扭曲表面2906的側(cè)面剖視圖。部件2904可已在表面2906上形成，使得當(dāng)表面2906平坦時(shí)，部件2904的表面2908是平面的，但半導(dǎo)體封裝2900的扭曲可導(dǎo)致部件2904的表面2908離開(kāi)平面。

圖30是根據(jù)各種實(shí)施例的在用夾具3006使得表面2906“變平”之后圖29的半導(dǎo)體封裝2900的表面2906的側(cè)面剖視圖。具體地，夾具3006可具有接近表面2906設(shè)置的一個(gè)或多個(gè)夾具部件3002和在表面2906的相反表面(未示出)上設(shè)置的一個(gè)或多個(gè)夾具部件3008。夾具部件3002和夾具部件3008可在各方向上施加力以便校正半導(dǎo)體封裝2900的扭曲并使得表面2906“變平”。當(dāng)表面2906平坦時(shí)，部件2904的表面2908可以是平面的(促進(jìn)例如管芯3004和半導(dǎo)體封裝2900之間的耦合)。

如上提到，在一些實(shí)施例中，本文中所論述的半導(dǎo)體封裝100的各種部件可被布置以便具有平面表面。例如，(例如，圖1和圖2的)半導(dǎo)體封裝100可被制造使得觸點(diǎn)126的第一面128可以與導(dǎo)電墊104的第一面134處于相同平面。使這些面處于基本相同的平面可促進(jìn)管芯上導(dǎo)電墊(例如，圖16的管芯1602上的導(dǎo)電墊1604或圖26的管芯2602上的導(dǎo)電墊2604)和觸點(diǎn)126與導(dǎo)電墊104之間迅速且準(zhǔn)確附接。如果觸點(diǎn)126的第一面128和導(dǎo)電墊104的第一面134基本上不在相同平面，則將管芯附接到半導(dǎo)體封裝100的第一側(cè)114的嘗試可能導(dǎo)致在管芯和半導(dǎo)體封裝100之間的“縫隙”(并因此導(dǎo)致失敗的電連接)。

傳統(tǒng)制造技術(shù)通常嘗試將橋接互連件的導(dǎo)電墊與其它面向外的電觸點(diǎn)對(duì)齊作為半導(dǎo)體封裝制造中的最后階段中的一個(gè)。在制造工藝“結(jié)束”時(shí)實(shí)現(xiàn)充分對(duì)齊可能需要昂貴且耗時(shí)的容差控制過(guò)程，并且甚至然后可能不實(shí)現(xiàn)希望的共面性。本文所公開(kāi)的制造技術(shù)中的各種制造技術(shù)可在基于犧牲核心的工藝中“早先”形成半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，使得犧牲核心的基本上平坦的表面可用作用于對(duì)齊結(jié)構(gòu)的基準(zhǔn)平面，并使得發(fā)生制造容限的最小“累積”以限制結(jié)構(gòu)可在其內(nèi)對(duì)齊的準(zhǔn)確性。具體地，在堆疊材料(或觸點(diǎn)可位于其上的結(jié)構(gòu))中形成觸點(diǎn)并定位橋接互連件的導(dǎo)電墊“靠近”犧牲核心的表面可使得觸點(diǎn)和導(dǎo)電墊的表面在平面中比先前可實(shí)現(xiàn)的方法更準(zhǔn)確地對(duì)齊。

盡管平面對(duì)齊在本文中用作例子，但任何其它合適對(duì)齊可從本文所公開(kāi)的技術(shù)受益。例如，如果半導(dǎo)體封裝100的一個(gè)部件將要以距第一側(cè)114的第一距離被設(shè)置，并且半導(dǎo)體封裝100的第二部件將要以距第一側(cè)114的第二不同距離被設(shè)置，使用本文所公開(kāi)的基于犧牲核心的技術(shù)制造半導(dǎo)體封裝100，并且在制造工藝中“早先”定位第一部件和第二部件，則可將累計(jì)變化最小化并可使第一部件和第二部件能夠適當(dāng)定位。

如上參考圖29和圖30論述，夾具可用來(lái)將半導(dǎo)體封裝或其它集成電路組件保持在希望位置和取向，同時(shí)半導(dǎo)體封裝或其它集成電路與另一部件(例如管芯或插入器)耦合。各種夾具配置可用來(lái)使得扭曲表面“變平”并在組裝期間保持部件在適當(dāng)位置。

例如，圖31至圖33是根據(jù)各種實(shí)施例的集成電路組件3300制造中的各種操作中的真空夾具3102的使用的側(cè)面剖視圖，集成電路組件3300包括兩個(gè)管芯3202和類(lèi)似于圖2的半導(dǎo)體封裝100制造的半導(dǎo)體封裝100。具體地，圖31至圖33圖示“頂部夾具保持”配置，如下所論述。

圖31描繪在應(yīng)用真空夾具3102的兩個(gè)或更多個(gè)真空夾具部件3104至半導(dǎo)體封裝100的第一側(cè)114之后的組件3100。真空夾具3102可附接到半導(dǎo)體封裝100以保持半導(dǎo)體封裝100的第一側(cè)114平坦。具體地，真空夾具部件3104可在各點(diǎn)施加吸力到半導(dǎo)體封裝100的第一側(cè)114以便校正半導(dǎo)體封裝100中的扭曲。在一些實(shí)施例中，校正半導(dǎo)體封裝100中的扭曲可引起在與觸點(diǎn)126的第一面128基本相同的平面中定位導(dǎo)電墊104的第一面134。

圖32描繪在引入兩個(gè)管芯3202之后的組件3200。管芯3202可包括導(dǎo)電觸點(diǎn)和焊料凸塊，并可與半導(dǎo)體封裝100對(duì)齊，使得導(dǎo)電觸點(diǎn)中的各導(dǎo)電觸點(diǎn)可電連接到導(dǎo)電墊104和觸點(diǎn)126。管芯3202可附接到半導(dǎo)體封裝100的第一側(cè)114，同時(shí)真空夾具3102保持半導(dǎo)體封裝100的第一側(cè)114平坦。任何合適技術(shù)可用來(lái)將管芯3202附接到半導(dǎo)體封裝100。例如，在一些實(shí)施例中，可使用熱壓縮粘結(jié)工藝。

圖33描繪在從組件3200(圖32)的半導(dǎo)體封裝100的第一側(cè)114移除真空夾具3102之后的集成電路組件3300。

圖34至圖36是根據(jù)各種實(shí)施例的集成電路組件3300制造中的各種操作中的夾具3402(不同于圖31至圖33的夾具3102)的使用的側(cè)面剖視圖，集成電路組件3300包括兩個(gè)管芯3202和類(lèi)似于圖2的半導(dǎo)體封裝100制造的半導(dǎo)體封裝100。在一些實(shí)施例中，圖34至圖36中所圖示的操作可代替圖31至圖33中所圖示的操作執(zhí)行。具體地，圖34至圖36圖示“底部夾具保持”配置，如下所論述。

圖34描繪在應(yīng)用真空夾具3402的兩個(gè)或更多個(gè)非真空夾具部件3404至半導(dǎo)體封裝100的第一側(cè)114，并應(yīng)用真空夾具3402的一個(gè)或多個(gè)真空夾具部件3406至半導(dǎo)體封裝100的第二側(cè)116之后的組件3400。真空夾具3402可附接到半導(dǎo)體封裝100以保持半導(dǎo)體封裝100的第一側(cè)114平坦。具體地，夾具部件3404可在一個(gè)或多個(gè)點(diǎn)施加吸力到半導(dǎo)體封裝100的第二側(cè)116，并且真空夾具3402的非真空夾具部件3404可在一個(gè)或多個(gè)點(diǎn)施加接觸力到半導(dǎo)體封裝100的第一側(cè)114，以便校正半導(dǎo)體封裝100中的扭曲。真空夾具部件3406可推動(dòng)半導(dǎo)體封裝100抵靠非真空夾具部件3404以使得半導(dǎo)體封裝100的第一側(cè)114“變平”。在一些實(shí)施例中，校正半導(dǎo)體封裝100中的扭曲可引起在與觸點(diǎn)126的第一面128基本相同的平面中定位導(dǎo)電墊104的第一面134。

圖35描繪在移除非真空夾具部件3404繼之以引入兩個(gè)管芯3202至組件3400(圖34)之后的組件3500。管芯3202可包括導(dǎo)電觸點(diǎn)和焊料凸塊，并可與半導(dǎo)體封裝100對(duì)齊，使得導(dǎo)電觸點(diǎn)中的各導(dǎo)電觸點(diǎn)可電連接到導(dǎo)電墊104和觸點(diǎn)126。管芯3202可附接到半導(dǎo)體封裝100的第一側(cè)114，同時(shí)真空夾具部件3406支撐半導(dǎo)體封裝100，使得半導(dǎo)體封裝100的第一側(cè)114保持平坦。任何合適技術(shù)可用來(lái)將管芯3202附接到半導(dǎo)體封裝100。例如，在一些實(shí)施例中，可使用熱壓縮粘結(jié)工藝。

圖36描繪在從組件3500(圖35)的半導(dǎo)體封裝100的第二側(cè)116移除真空夾具部件3406之后的集成電路組件3300。

圖37是根據(jù)各種實(shí)施例的用于制造半導(dǎo)體封裝的方法3700的流程圖。雖然方法3700可有利地用來(lái)形成本文所公開(kāi)的半導(dǎo)體封裝100的實(shí)施例中的任何合適的實(shí)施例，但可使用方法3700制造任何合適的半導(dǎo)體封裝100。

在3702，可在犧牲核心的面上提供堆疊材料。

在3704，可在堆疊材料中形成空腔。在一些實(shí)施例中，空腔可向下延伸到犧牲核心的面。

在3706，橋接互連件可設(shè)置于在3704形成的空腔中。橋接互連件可具有第一側(cè)和與第一側(cè)相反的第二側(cè)，第一側(cè)具有多個(gè)導(dǎo)電墊。橋接互連件可設(shè)置在空腔中，使得橋接互連件的第一側(cè)比橋接互連件的第二側(cè)到犧牲核心的面更靠近犧牲核心的面。

在3708，可提供另外的堆疊材料以嵌入橋接互連件。

在3710，可在堆疊材料中形成過(guò)孔。過(guò)孔可延伸穿過(guò)堆疊材料的一部分，并可具有比過(guò)孔的第二端部更窄的第一端部。過(guò)孔的第一端部可比過(guò)孔的第二端部到犧牲核心的面更靠近犧牲核心的面。

方法3700可包括在各種實(shí)施例中的另外操作。例如，在一些實(shí)施例中，在3710處在堆疊材料中形成過(guò)孔之后，犧牲核心可移除以暴露橋接互連件的導(dǎo)電墊。

在一些實(shí)施例中，上面參考3702論述的犧牲核心的面可以是犧牲核心的第一面，并且犧牲核心可具有與第一面相反的第二面。在一些此類(lèi)實(shí)施例中，方法3700還可包括在犧牲核心的第二面上提供第二堆疊材料；在第二堆疊材料中形成下至犧牲核心的第二面的第二空腔；在第二空腔中設(shè)置第二橋接互連件，第二橋接互連件具有第一側(cè)和與第一側(cè)相反的第二側(cè)，第一側(cè)具有多個(gè)導(dǎo)電墊，使得第二橋接互連件的第一側(cè)比第二橋接互連件的第二側(cè)到第二面更靠近第二面；提供另外的第二堆疊材料以嵌入第二橋接互連件；以及在第二堆疊材料中形成第二過(guò)孔，其中第二過(guò)孔延伸穿過(guò)第二堆疊材料的一部分，具有比第二過(guò)孔的第二端部更窄的第一端部，并且第一端部比過(guò)孔的第二端部到面更靠近該面。

圖38是根據(jù)各種實(shí)施例的制造集成電路組件的方法3800的流程圖。盡管方法3800可有利地用來(lái)形成包括本文所公開(kāi)的半導(dǎo)體封裝100的集成電路組件的實(shí)施例的任何合適實(shí)施例，但可使用方法3800制造任何合適的集成電路組件。

在3802，可提供半導(dǎo)體封裝。半導(dǎo)體封裝可包括嵌入在堆疊材料中的橋接互連件，橋接互連件具有第一側(cè)和與第一側(cè)相反的第二側(cè)，第一側(cè)具有多個(gè)導(dǎo)電墊。半導(dǎo)體封裝還可包括可延伸穿過(guò)堆疊材料的一部分的過(guò)孔，過(guò)孔具有比過(guò)孔的第二端部更窄的第一端部。半導(dǎo)體封裝可布置為使得半導(dǎo)體封裝具有第一側(cè)和相反的第二側(cè)，橋接互連件布置在半導(dǎo)體封裝中，使得橋接互連件的第一側(cè)和半導(dǎo)體封裝的第一側(cè)之間的距離小于橋接互連件的第二側(cè)和半導(dǎo)體封裝的第一側(cè)之間的距離，并且過(guò)孔可布置在半導(dǎo)體封裝中，使得過(guò)孔的第一端部和半導(dǎo)體封裝的第一側(cè)之間的距離小于過(guò)孔的第二端部和半導(dǎo)體封裝的第一側(cè)之間的距離。在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體封裝的第一側(cè)的至少一部分可具有與犧牲核心的表面的輪廓互補(bǔ)的輪廓。

在3804，真空夾具可附接到3802的半導(dǎo)體封裝。真空夾具可保持半導(dǎo)體封裝的第一側(cè)平坦。在一些實(shí)施例中，真空夾具可包括第一真空夾具部件，并且在3804將真空夾具附接到半導(dǎo)體封裝可包括將第一真空夾具部件附接到半導(dǎo)體封裝的第一側(cè)。在一些實(shí)施例中，真空夾具可包括第二真空夾具部件，并且在3804將真空夾具附接到半導(dǎo)體封裝可包括將第二真空夾具部件附接到半導(dǎo)體封裝的第二側(cè)。在一些此類(lèi)實(shí)施例中，第一夾具部件(其可以是非真空部件)可應(yīng)用到半導(dǎo)體封裝的第一側(cè)(例如，在將第二真空夾具部件附接到半導(dǎo)體封裝的第二側(cè)之前)。

在3806，管芯可附接到半導(dǎo)體封裝的第一側(cè)。管芯可在真空夾具保持半導(dǎo)體封裝的第一側(cè)平坦時(shí)被附接。在一些實(shí)施例中，在3806處將管芯附接到半導(dǎo)體封裝的第一側(cè)之前，真空夾具的一個(gè)或多個(gè)部件可從與半導(dǎo)體封裝的接觸中移除。在一些實(shí)施例中，在3806處將管芯附接到半導(dǎo)體封裝的第一側(cè)可包括執(zhí)行熱壓縮粘結(jié)工藝以將管芯附接到半導(dǎo)體封裝的第一側(cè)。

本公開(kāi)的實(shí)施例可實(shí)施為可從本文所公開(kāi)的半導(dǎo)體封裝與相關(guān)組件和技術(shù)受益的任何裝置。圖39示意地圖示根據(jù)一些實(shí)施方案的計(jì)算機(jī)裝置3900，其可包括具有根據(jù)本文所公開(kāi)的實(shí)施例(例如，半導(dǎo)體封裝100中的任一種)中的一個(gè)或多個(gè)而形成和操作的部件的集成電路。

計(jì)算裝置3900可以是例如移動(dòng)通信裝置或桌面或機(jī)架計(jì)算裝置。計(jì)算裝置3900可容納板件諸如主板3902。主板3902可包括數(shù)個(gè)部件，其包括(但不限于)處理器3904和至少一個(gè)通信芯片3906。本文中參考計(jì)算裝置3900論述的部件中的任一個(gè)可以是根據(jù)本文所公開(kāi)的實(shí)施例中的任一個(gè)的半導(dǎo)體封裝或集成電路。處理器3904可以物理地或電氣地耦合到主板3902。術(shù)語(yǔ)“處理器”可指代處理來(lái)自寄存器和/或存儲(chǔ)器的電子數(shù)據(jù)以將該電子數(shù)據(jù)變換成可存儲(chǔ)在寄存器和/或存儲(chǔ)器中的其它電子數(shù)據(jù)的任何裝置或裝置的部分。在一些實(shí)施方案中，至少一個(gè)通信芯片3906也可物理地或電氣地耦合到主板3902。在進(jìn)一步的實(shí)施方案中，通信芯片3906可以是處理器3904的部分。

計(jì)算裝置3900可包括存儲(chǔ)裝置3908。在一些實(shí)施例中，存儲(chǔ)裝置3908可包括一個(gè)或多個(gè)固態(tài)驅(qū)動(dòng)器?？砂ㄔ诖鎯?chǔ)裝置3908中的存儲(chǔ)裝置的例子包括易失性存儲(chǔ)器(例如，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(dram))、非易失性存儲(chǔ)器(例如只讀存儲(chǔ)器rom)、閃存存儲(chǔ)器和大容量存儲(chǔ)裝置(諸如硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器、光盤(pán)(cd)、數(shù)字通用光盤(pán)(dvd)等)。

根據(jù)其應(yīng)用，計(jì)算機(jī)裝置3900可包括可以或不可以物理地或電氣地耦合到主板3902的其它部件。這些其它部件可包括但不限于圖形處理器、數(shù)字信號(hào)處理器、密碼處理器、芯片組、天線、顯示器、觸摸屏顯示器、觸摸屏控制器、電池、音頻編解碼器、視頻編解碼器、功率放大器、全球定位系統(tǒng)(gps)裝置、指南針、蓋革計(jì)數(shù)器、加速計(jì)、陀螺儀、揚(yáng)聲器和相機(jī)。在各種實(shí)施例中，這些部件中的任一個(gè)或多個(gè)可包括根據(jù)本公開(kāi)的半導(dǎo)體封裝。

通信芯片3906和天線可使得能夠?qū)崿F(xiàn)用于傳遞數(shù)據(jù)至計(jì)算裝置3900和從計(jì)算裝置3900傳遞數(shù)據(jù)的無(wú)線通信。術(shù)語(yǔ)“無(wú)線”及其變體可用來(lái)描述可通過(guò)使用調(diào)制的電磁輻射穿過(guò)非固體介質(zhì)來(lái)通信數(shù)據(jù)的電路、裝置、系統(tǒng)、方法、技術(shù)、通信信道等。該術(shù)語(yǔ)不意味著相關(guān)聯(lián)裝置不包含任何線纜，盡管在一些實(shí)施例中它們可以不包含。通信芯片3906可實(shí)施數(shù)個(gè)無(wú)線標(biāo)準(zhǔn)或協(xié)議中的任一個(gè)，包括但不限于電氣和電子工程師協(xié)會(huì)(ieee)標(biāo)準(zhǔn)，其包括wi-fi(ieee802.11家族)、ieee802.16標(biāo)準(zhǔn)(例如，ieee802.16-2005修正案)、長(zhǎng)期演進(jìn)(lte)項(xiàng)目與任何修正案、更新和/或修訂(例如，高級(jí)lte項(xiàng)目、超移動(dòng)寬帶(umb)項(xiàng)目(也稱為“3gpp2”等)。ieee802.16兼容寬帶寬域(bwa)網(wǎng)絡(luò)通常稱為wimax網(wǎng)絡(luò)，其為全球微波接入互操作性的首字母縮寫(xiě)詞，這是用于通過(guò)ieee802.16標(biāo)準(zhǔn)的一致性和互用性測(cè)試的產(chǎn)品的認(rèn)證商標(biāo)。通信芯片3906可根據(jù)全球移動(dòng)通信系統(tǒng)(gsm)、通用無(wú)線分組業(yè)務(wù)(gprs)、通用移動(dòng)電信系統(tǒng)(umts)、高速分組接入(hspa)、演進(jìn)hspa(e-hspa)或lte網(wǎng)絡(luò)操作。通信芯片3906可根據(jù)增強(qiáng)型數(shù)據(jù)gsm演進(jìn)(edge)、gsmedge無(wú)線電接入網(wǎng)(geran)、通用地面無(wú)線電接入網(wǎng)(utran)、或演進(jìn)utran(e-utran)操作。通信芯片3906可根據(jù)碼分多址(cdma)、時(shí)分多址(tdma)、數(shù)字增強(qiáng)型無(wú)線電信(dect)、演進(jìn)數(shù)據(jù)優(yōu)化(ev-do)、其變體，以及指定為3g、4g、5g及其以后的任何其它無(wú)線協(xié)議操作。在其它實(shí)施例中，通信芯片3906可根據(jù)其它無(wú)線通信協(xié)議操作。

計(jì)算裝置3900可包括多個(gè)通信芯片3906。例如，第一通信芯片3906可專(zhuān)用于較短距無(wú)線通信諸如wi-fi和藍(lán)牙，并且第二通信芯片3906可專(zhuān)用于較長(zhǎng)距無(wú)線通信諸如gps、edge、gprs、cdma、wimax、lte、ev-do及其它。在一些實(shí)施例中，通信芯片3906可支持有線通信。例如，計(jì)算裝置3900可包括一個(gè)或多個(gè)有線服務(wù)器。

在各種實(shí)例中，計(jì)算裝置3900可以是膝上計(jì)算機(jī)、上網(wǎng)本、筆記本、超極本、智能電話、平板計(jì)算機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理(pda)、超級(jí)移動(dòng)pc、移動(dòng)電話、桌面計(jì)算機(jī)、服務(wù)器、打印機(jī)、掃描儀、監(jiān)視器、機(jī)頂盒、娛樂(lè)控制單元、數(shù)碼相機(jī)、便攜式音樂(lè)播放器或數(shù)字視頻記錄器。在進(jìn)一步的實(shí)施方案中，計(jì)算裝置3900可以是處理數(shù)據(jù)的任何其它電子裝置。在一些實(shí)施例中，本文中公開(kāi)的半導(dǎo)體封裝可在高性能計(jì)算裝置中實(shí)施。

以下段落提供本文所公開(kāi)的實(shí)施例的例子。

例子1是一種半導(dǎo)體封裝，包括：嵌入在堆疊材料中的橋接互連件，橋接互連件具有第一側(cè)和與第一側(cè)相反的第二側(cè)，第一側(cè)具有多個(gè)導(dǎo)電墊；以及延伸穿過(guò)堆疊材料的一部分的過(guò)孔，過(guò)孔具有比過(guò)孔的第二端部更窄的第一端部。半導(dǎo)體封裝具有第一側(cè)和相反的第二側(cè)，橋接互連件布置在半導(dǎo)體封裝中，使得橋接互連件的第一側(cè)和半導(dǎo)體封裝的第一側(cè)之間的距離小于橋接互連件的第二側(cè)和半導(dǎo)體封裝的第一側(cè)之間的距離，并且過(guò)孔布置在半導(dǎo)體封裝中，使得過(guò)孔的第一端部和半導(dǎo)體封裝的第一側(cè)之間的距離小于過(guò)孔的第二端部和半導(dǎo)體封裝的第一側(cè)之間的距離。

例子2可包括例子1的主題，并且可進(jìn)一步包括設(shè)置在半導(dǎo)體封裝的第二側(cè)上的阻焊劑。

例子3可包括例子1至例子2中任一項(xiàng)的主題，并且可進(jìn)一步指定第二側(cè)為第一層互連側(cè)，并且半導(dǎo)體封裝的第一側(cè)為第二層互連側(cè)。

例子4可包括例子3的主題，并且可進(jìn)一步包括設(shè)置在第二層互連側(cè)上的阻焊劑。

例子5可包括例子1至例子4中任一項(xiàng)的主題，并且可進(jìn)一步包括由與導(dǎo)電墊的材料不同的材料形成，具有第一面和相反的第二面的觸點(diǎn)。導(dǎo)電墊具有第一面和與第一面相反的第二面，其中第二面接觸橋接互連件的主體，并且橋接互連件的導(dǎo)電墊的第一面處于與觸點(diǎn)的第一面大體相同的平面。

例子6可包括例子5的主題，并且可進(jìn)一步指定觸點(diǎn)和導(dǎo)電墊設(shè)置在半導(dǎo)體封裝的第一側(cè)上，且被定位用于與一個(gè)或多個(gè)管芯耦合。

例子7可包括例子5的主題，并且可進(jìn)一步規(guī)定觸點(diǎn)包括鎳。

例子8可包括例子5的主題，并且可進(jìn)一步規(guī)定導(dǎo)電墊涂覆鎳。

例子9可包括例子1至例子8中任一項(xiàng)的主題，并且可進(jìn)一步包括設(shè)置在導(dǎo)電墊中的每個(gè)上的焊料凸塊。

例子10可包括例子1至例子9中任一項(xiàng)的主題，并且可進(jìn)一步指定堆疊材料是有機(jī)堆疊材料。

例子11可包括例子10的主題，并且可進(jìn)一步規(guī)定橋接互連件是硅橋。

例子12可包括例子1至例子11中任一項(xiàng)的主題，并且可進(jìn)一步指定導(dǎo)電墊不與堆疊材料中任何過(guò)孔電接觸。

例子13可包括例子1至例子12中任一項(xiàng)的主題，并且可進(jìn)一步指定設(shè)置在半導(dǎo)體封裝和第二半導(dǎo)體封裝之間的犧牲核心，第二半導(dǎo)體封裝跨犧牲核心形成半導(dǎo)體封裝的鏡像。

例子14可包括例子1至例子13中任一項(xiàng)的主題，并且可進(jìn)一步指定半導(dǎo)體封裝的第一側(cè)的至少一部分具有與犧牲核心的表面的輪廓互補(bǔ)的輪廓。

例子15是一種集成電路組件，包括管芯和半導(dǎo)體封裝，半導(dǎo)體封裝包括：嵌入在堆疊材料中的橋接互連件，橋接互連件具有第一側(cè)和與第一側(cè)相反的第二側(cè)，第一側(cè)具有多個(gè)導(dǎo)電墊，以及延伸穿過(guò)堆疊材料的一部分的過(guò)孔，過(guò)孔具有比過(guò)孔的第二端部更窄的第一端部。半導(dǎo)體封裝具有第一側(cè)和相反的第二側(cè)，橋接互連件布置在半導(dǎo)體封裝中，使得橋接互連件的第一側(cè)和半導(dǎo)體封裝的第一側(cè)之間的距離小于橋接互連件的第二側(cè)和半導(dǎo)體封裝的第一側(cè)之間的距離，過(guò)孔布置在半導(dǎo)體封裝中，使得過(guò)孔的第一端部和半導(dǎo)體封裝的第一側(cè)之間的距離小于過(guò)孔的第二端部和半導(dǎo)體封裝的第一側(cè)之間的距離，并且管芯在多個(gè)導(dǎo)電墊處電耦合到橋接互連件。

例子16可包括例子15的主題，并且可進(jìn)一步指定多個(gè)導(dǎo)電墊不由阻焊材料隔開(kāi)。

例子17可包括例子15至例子16中任一項(xiàng)的主題，并且可進(jìn)一步包括插入器；其中半導(dǎo)體封裝的第二側(cè)是第一層互連側(cè)，并且其中插入器在第一層互連側(cè)處電耦合到半導(dǎo)體封裝。

例子18是一種用于制造半導(dǎo)體封裝的方法，包括：在犧牲核心的表面上提供堆疊材料；在堆疊材料中形成下至犧牲核心的表面的空腔；將橋接互連件設(shè)置在空腔中，橋接互連件具有第一側(cè)和與第一側(cè)相反的第二側(cè)，第一側(cè)具有多個(gè)導(dǎo)電墊，使得橋接互連件的第一側(cè)比橋接互連件的第二側(cè)到該表面更靠近該表面；提供另外的堆疊材料以嵌入橋接互連件；以及在堆疊材料中形成過(guò)孔，其中過(guò)孔延伸穿過(guò)堆疊材料的一部分，具有比過(guò)孔的第二端部更窄的第一端部，并且第一端部比第二端部到該表面更靠近該表面。

例子19可包括例子18的主題，并且可進(jìn)一步包括移除犧牲核心以暴露橋接互連件。

例子20可包括例子18至例子19中任一項(xiàng)的主題，并且可進(jìn)一步指定該表面是第一表面，并且犧牲核心可包括與第一表面相反的第二表面。例子20可進(jìn)一步包括：在犧牲核心的第二表面上提供第二堆疊材料；在第二堆疊材料中形成下至犧牲核心的第二表面的第二空腔；在第二空腔中設(shè)置第二橋接互連件，第二橋接互連件具有第一側(cè)和與第一側(cè)相反的第二側(cè)，第一側(cè)具有多個(gè)導(dǎo)電墊，使得第二橋接互連件的第一側(cè)比第二橋接互連件的第二側(cè)到第二表面更靠近第二表面；提供另外的第二堆疊材料以嵌入第二橋接互連件；以及在第二堆疊材料中形成第二過(guò)孔，其中第二過(guò)孔延伸穿過(guò)第二堆疊材料的一部分，具有比第二過(guò)孔的第二端部更窄的第一端部。并且第一端部比第二端部到第二表面更靠近第二表面。

例子21是一種制造集成電路組件的方法，包括提供半導(dǎo)體封裝。半導(dǎo)體封裝包括嵌入在堆疊材料中的橋接互連件，橋接互連件具有第一側(cè)和與第一側(cè)相反的第二側(cè)，第一側(cè)具有多個(gè)導(dǎo)電墊，以及延伸穿過(guò)堆疊材料的一部分的過(guò)孔，過(guò)孔具有比過(guò)孔的第二端部更窄的第一端部。半導(dǎo)體封裝具有第一側(cè)和相反的第二側(cè)，橋接互連件布置在半導(dǎo)體封裝中，使得橋接互連件的第一側(cè)和半導(dǎo)體封裝的第一側(cè)之間的距離小于橋接互連件的第二側(cè)和半導(dǎo)體封裝的第一側(cè)之間的距離，過(guò)孔布置在半導(dǎo)體封裝中，使得過(guò)孔的第一端部和半導(dǎo)體封裝的第一側(cè)之間的距離小于過(guò)孔的第二端部和半導(dǎo)體封裝的第一側(cè)之間的距離。例子21進(jìn)一步包括將真空夾具附接到半導(dǎo)體封裝以保持半導(dǎo)體封裝的第一側(cè)平坦；以及將管芯附接到半導(dǎo)體封裝的第一側(cè)，同時(shí)真空夾具保持半導(dǎo)體封裝的第一側(cè)平坦。

例子22可包括例子21的主題，并且可進(jìn)一步指定真空夾具包括第一真空夾具部件，并且將真空夾具附接到半導(dǎo)體封裝包括將第一真空夾具部件附接到半導(dǎo)體封裝的第一側(cè)。

例子23可包括例子21至例子22中任一項(xiàng)的主題，并且可進(jìn)一步指定真空夾具包括第二真空夾具部件，并且將真空夾具附接到半導(dǎo)體封裝包括將第二真空夾具部件附接到半導(dǎo)體封裝的第二側(cè)。例子23進(jìn)一步包括在將第二真空夾具部件附接到半導(dǎo)體封裝的第二側(cè)之前，應(yīng)用第一夾具部件到半導(dǎo)體封裝的第一側(cè)；以及在將管芯附接到半導(dǎo)體封裝的第一側(cè)之前，將第一夾具部件從與半導(dǎo)體封裝的第一側(cè)的接觸中移除。

例子24可包括例子21至例子23中任一項(xiàng)的主題，并且可進(jìn)一步指定將管芯附接到半導(dǎo)體封裝的第一側(cè)包括執(zhí)行熱壓縮粘結(jié)工藝以將管芯附接到半導(dǎo)體封裝的第一側(cè)。

例子25可包括例子21至例子24中任一項(xiàng)的主題，并且可進(jìn)一步指定半導(dǎo)體封裝的第一側(cè)的至少一部分具有與犧牲核心的表面的輪廓互補(bǔ)的輪廓。