技術(shù)總結(jié)
增強(qiáng)的電場利用在基板晶片(1)上的平面外熱通量構(gòu)造的集成熱電發(fā)電機(jī)(iTEG)實(shí)現(xiàn)，其中基板晶片(1)具有連接多晶半導(dǎo)體片段的限定薄膜線的交替p?摻雜和n?摻雜的片段(4，5)的并置端的山頂接頭金屬觸點(diǎn)(7)和谷底接頭金屬觸點(diǎn)(6)，其在具有比所述熱電活性多晶半導(dǎo)體的熱導(dǎo)率低的熱導(dǎo)率的材料的山丘(3)的傾斜相對側(cè)翼上延伸，通過使山丘(3)當(dāng)中的谷空間(V)保持為空的并且由平面不導(dǎo)電覆蓋物(8)限定在頂部，具有限定在耦合表面上的金屬鍵合焊盤(10)，適于與相應(yīng)的山頂接頭金屬觸點(diǎn)(7)鍵合。接頭金屬觸點(diǎn)(6，7)具有低縱橫比的橫截面輪廓，其中兩個臂或翼與片段的并置端部分重疊。優(yōu)選地，內(nèi)部空隙在包裝iTEG時(shí)被抽空。

技術(shù)研發(fā)人員：達(dá)尼洛·馬斯科洛;安東涅塔·布?xì)W希奧羅;朱塞佩·拉泰沙;格奧爾格·普克爾;米赫爾·古林揚(yáng);西蒙尼·狄·馬爾科
受保護(hù)的技術(shù)使用者：德爾塔蒂研究財(cái)團(tuán)
文檔號碼：201580051207
技術(shù)研發(fā)日：2015.09.18
技術(shù)公布日：2017.05.24