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技術(shù)領(lǐng)域

提出一種電子設(shè)備和一種用于制造電子設(shè)備的方法。尤其，電子設(shè)備具有燒結(jié)層。

背景技術(shù)：

常見(jiàn)的是，借助于燒結(jié)層彼此連接的器件具有呈由金構(gòu)成的薄的覆蓋層形式的接觸面。借助于這種覆蓋層例如能夠覆蓋并且由此保護(hù)位于所述覆蓋層下方的易氧化的層。因?yàn)橐环矫胬缬摄y構(gòu)成的燒結(jié)層能夠具有對(duì)氧的高度的溶解性和擴(kuò)散性，并且另一方面隨時(shí)間的推移，金能夠溶于銀中，存在下述危險(xiǎn)：在金覆蓋層下方的基底隨時(shí)間氧化。根據(jù)本發(fā)明，燒結(jié)層容易失去其在由此構(gòu)成的氧化層上的附著，由此危害燒結(jié)連接的長(zhǎng)期穩(wěn)定性。

為了避免這類(lèi)問(wèn)題，迄今為止在大多數(shù)情況下使用金層，所述金層具有至少100nm的非常厚的厚度進(jìn)而也是非常昂貴的。替選地，另選鈀作為便宜的貴金屬變型形式所述鈀由厚度在幾納米范圍中的非常薄的金層覆蓋。此外也已知的是，使用厚的銀層來(lái)覆蓋。然而，例如在使用多孔的銀燒結(jié)層時(shí)，在厚的銀層下方又再必須放置由貴金屬構(gòu)成的附著層，以便阻止銀在非貴金屬的附著層上形成的金屬氧化層處的長(zhǎng)期去濕，所述多孔的銀燒結(jié)層通常在無(wú)壓力的燒結(jié)時(shí)產(chǎn)生。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

特定的實(shí)施方式的至少一個(gè)目的是，提出一種設(shè)備，其中兩個(gè)器件與燒結(jié)層連接。特定的實(shí)施方式的另一目的是提出一種這樣的設(shè)備。

通過(guò)根據(jù)獨(dú)立權(quán)利要求的方法和主題來(lái)實(shí)現(xiàn)所述目的。方法和主題的有利的實(shí)施方式和改進(jìn)方案是從屬權(quán)利要求的特性，并且此外從下面的說(shuō)明書(shū)和附圖中得出。

根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施方式，電子設(shè)備具有第一器件和第二器件，所述第一器件和所述第二器件與燒結(jié)層彼此連接。燒結(jié)層具有第一金屬或由第一金屬構(gòu)成。

根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施方式，用于制造具有至少一個(gè)第一器件和第二器件的電子設(shè)備的方法具有下述方法步驟，其中在第一器件和第二器件之間設(shè)置燒結(jié)材料。例如燒結(jié)材料能夠施加到第一器件上。隨后，第二器件能夠施加在施加于第一器件上的燒結(jié)材料上。替選于此，燒結(jié)材料能夠施加在第二器件上。隨后，第一器件能夠施加在施加在第二器件上的燒結(jié)材料上。此外也可行的是：第一器件或第二器件施加在燒結(jié)材料上并且隨后連同燒結(jié)材料一起放置在其他器件上。此外也可行的是：燒結(jié)材料施加在兩個(gè)器件上并且所述器件隨后彼此相疊地放置。隨后，燒結(jié)材料燒結(jié)成在第一器件和第二器件之間的燒結(jié)層。燒結(jié)能夠在熱和/或壓力和/或超聲波影響下在燒結(jié)時(shí)間期間進(jìn)行。尤其，除溫度影響之外，例如應(yīng)用單軸壓力能夠輔助燒結(jié)連接的構(gòu)成。

在上文中和下文中描述的特征和實(shí)施方式同樣適用于電子設(shè)備和用于制造電子設(shè)備的方法。

根據(jù)另一實(shí)施方式，至少一個(gè)器件、即至少一個(gè)第一器件和/或至少二個(gè)第二器件具有至少一個(gè)接觸層，所述接觸層以與燒結(jié)層直接接觸的方式設(shè)置。接觸層具有第二金屬，所述第二金屬與燒結(jié)層的第一金屬不同。接觸層的第二金屬以與燒結(jié)層的第一金屬直接接觸的方式設(shè)置。尤其，接觸層不含金。

根據(jù)另一實(shí)施方式，接觸層具有貴金屬作為第二金屬或由其構(gòu)成。由此，接觸層形成貴金屬表面，燒結(jié)層直接施加在所述貴金屬表面上。代替例如溶解于銀或銀燒結(jié)層中的金，接觸層的第二金屬具有下述金屬，所述金屬與第一金屬、即例如與銀具有互溶間隙，或者所述金屬至少經(jīng)由與燒結(jié)層自身的第一金屬形成金屬間化合物而鈍化。由此，接觸層間例如能夠保持作為在電子設(shè)備的使用壽命期對(duì)位于其下方的非貴金屬層進(jìn)而可氧化的層的保護(hù)。因此，在使用金屬的燒結(jié)連接時(shí)，接觸層能夠具有適合的接觸材料，所述接觸材料在盡可能少量使用貴金屬材料的情況下尤其在含氧的環(huán)境中能夠確保長(zhǎng)期穩(wěn)定的連接。

根據(jù)另一實(shí)施方式，接觸層具有鉑和/或銠和/或銥或由上述材料構(gòu)成。這表示：接觸層能夠具有至少一種或多種選自鉑、銠和銥的材料或由上述材料構(gòu)成。已證實(shí)的是：具有鉑和/或銠和/或銥或者由鉑和/或銠和/或銥構(gòu)成的層比金更穩(wěn)定，以防止例如溶解于銀層中，因?yàn)橛捎谂c金相比更高的熔點(diǎn)(Ir：2466℃，Rh：1966℃，Pt：1772℃，Au：1064℃，)，鉑、銠和銥顯示出在銀中顯著較小的擴(kuò)散趨勢(shì)。所提及的材料例如能夠借助于沉積方法，例如噴鍍或噴霧(濺射)施加。

根據(jù)另一實(shí)施方式，燒結(jié)層具有銀和/或銅。因此，燒結(jié)層能夠具有銀和/或銅作為第一金屬或由上述材料構(gòu)成，使得鉑和/或銠和/或銥?zāi)軌蛴米鳛橛糜阢y燒結(jié)層或銅燒結(jié)層的接觸層的接觸材料。如在上文中已經(jīng)結(jié)合銀作為燒結(jié)層的第一金屬所描述的那樣，在銅作為燒結(jié)層的第一金屬的情況下，具有鉑和/或銠和/或銥或者由上述材料構(gòu)成的接觸層也能夠是有利的。

根據(jù)另一實(shí)施方式，燒結(jié)層對(duì)于氧是可穿透的。這尤其能夠引起：燒結(jié)層具有下述材料，例如第一金屬或者由其構(gòu)成，所述材料對(duì)于氧是可穿透的。此外，對(duì)于氧的可穿透性也能夠通過(guò)燒結(jié)層的結(jié)構(gòu)提供或影響。尤其，燒結(jié)層能夠由多孔材料、尤其第一金屬構(gòu)成或者所述燒結(jié)層至少具有多孔材料、尤其第一金屬。

根據(jù)另一實(shí)施方式，接觸層具有大于或等于5nm或者大于或等于15nm或者大于或等于30nm的層厚度。此外，接觸層能夠具有小于或等于500nm或者小于或等于100nm或者小于或等于60nm的層厚度。尤其，接觸層的層厚度能夠在5nm和500nm之間，優(yōu)選在15nm和100nm之間并且尤其優(yōu)選在30nm和60nm之間，其中分別包括邊界值。具有40nm的層厚度的接觸層也能夠證實(shí)為是尤其有利的。

在這里描述的電子設(shè)備中，呈膏或預(yù)先壓實(shí)的干體形式的燒結(jié)材料、即包含第一金屬或由其構(gòu)成的材料直接與第一器件和/或第二器件的接觸層連接。由此，能夠省去例如由銀或金構(gòu)成的中間層。因此，尤其能夠形成含孔的接合層的燒結(jié)層因此處于與接觸層的直接接觸中。

根據(jù)另一實(shí)施方式，接觸層施加在由可氧化的材料構(gòu)成的層上。這尤其能夠表示：具有帶有第二金屬的接觸層的器件此外具有由可氧化的材料構(gòu)成的層，所述層通過(guò)接觸層覆蓋。尤其，可氧化的材料能夠是在與氧接觸時(shí)容易氧化的金屬。接觸層覆蓋由可氧化的材料構(gòu)成的層，使得所述層受到接觸層保護(hù)抵御環(huán)境氣體并且在這種情況下尤其抵御氧?？裳趸牟牧侠缒軌蚓哂锈?、鎳、鉻和/或鋁或由上述材料構(gòu)成。接觸層和位于其下方的另一這種層或還有多個(gè)其他層能夠形成用于電接觸的接觸設(shè)置。

根據(jù)另一實(shí)施方式，每個(gè)器件、即第一器件和第二器件分別具有接觸層，所述接觸層以與燒結(jié)層直接接觸的方式設(shè)置，所述燒結(jié)層具有與燒結(jié)層的第一金屬不同的金屬并且所述燒結(jié)層不含金。例如，第一器件和第二器件能夠具有帶有相同的第二金屬的接觸層。替選于此，也能夠可行的是：第一器件具有帶有第二金屬的接觸層，并且第二器件具有帶有第三金屬的接觸層，其中第二金屬和第三金屬是彼此不同的。第一器件和第二器件的接觸層能夠分別根據(jù)至少一個(gè)上述實(shí)施方式構(gòu)成，使得第二金屬并且必要時(shí)第三金屬能夠分別具有鉑和/或銠和/或銥或者能夠由上述材料構(gòu)成。

根據(jù)另一實(shí)施方式，第一器件具有載體元件或構(gòu)成為載體元件，第二器件借助于燒結(jié)層安裝在所述載體元件上。載體元件例如能夠選自導(dǎo)體框、塑料載體、塑料殼體、陶瓷載體、電路板或其組合。例如，第一器件能夠是例如由AlN構(gòu)成的陶瓷載體或是金屬芯電路板。此外，第一器件也能夠是導(dǎo)體框，在安裝第二器件之前或在安裝第二器件之后用塑料壓力注塑包封所述導(dǎo)體框。第一載體元件能夠具有呈具有第二金屬的上述接觸層形式的至少一個(gè)接觸面，第二器件借助于燒結(jié)層安裝在所述接觸層上。

根據(jù)另一實(shí)施方式，第二器件是電子半導(dǎo)體芯片。例如，電子半導(dǎo)體芯片能夠構(gòu)成為呈發(fā)光二極管芯片、激光二極管芯片或光電二極管芯片形式的光電子半導(dǎo)體芯片。此外，第二器件也能夠是太陽(yáng)能電池。此外，電子半導(dǎo)體芯片例如能夠是功率半導(dǎo)體器件例如晶體管。例如，在這種情況下，第二器件能夠構(gòu)成為場(chǎng)效應(yīng)晶體管，例如HEMT(“高電子遷移率晶體管”)。

附圖說(shuō)明

其他優(yōu)點(diǎn)、有利的實(shí)施方式和改進(jìn)方案從下文中結(jié)合附圖描述的實(shí)施例中得出。

附圖示出：

圖1示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的設(shè)備的示意圖；

圖2至圖4示出根據(jù)其他實(shí)施例的設(shè)備的示意圖；和

圖5示出一些金屬的溫度相關(guān)的擴(kuò)散系數(shù)。

在實(shí)施例和附圖中，相同的或同類(lèi)的或起相同作用的元件分別設(shè)有相同的附圖標(biāo)記。所示出的元件和其相互間的大小比例不按比例地示出，更確切地說(shuō)，為了更好地可視性和/或?yàn)榱烁玫乩斫饽軌蚩鋸埓蟮厥境鰝€(gè)別元件，例如層、構(gòu)件、器件和區(qū)域。

具體實(shí)施方式

在圖1中示出電子設(shè)備100的實(shí)施例，所述電子設(shè)備具有第一器件1和第二器件2。在第一器件1和第二器件2之間設(shè)置有具有第一金屬的燒結(jié)層3，所述燒結(jié)層將第一器件和第二器件1、2彼此連接。例如，第一器件1能夠是載體元件，并且第二器件2能夠是例如呈光電子半導(dǎo)體芯片，例如發(fā)光二極管芯片、激光二極管芯片或光電二極管芯片形式的電子半導(dǎo)體芯片，或者是呈功率半導(dǎo)體器件，例如晶體管形式的電子半導(dǎo)體芯片。尤其優(yōu)選的是，燒結(jié)層3能夠具有銀和/或銅或由上述材料構(gòu)成。

為了制造電子設(shè)備100，提供第一器件1。將燒結(jié)材料施加到第一器件1上，所述燒結(jié)材料例如以含溶劑的膏的形式借助于刮板或通過(guò)印刷來(lái)施加。燒結(jié)材料能夠具有第一金屬的顆粒，例如粉末顆粒和/或團(tuán)塊。如果例如燒結(jié)層3由銀制成，那么作為燒結(jié)材料能夠施加具有銀顆粒的膏。替選于此，也能夠?qū)⒕哂袩Y(jié)材料的預(yù)先壓實(shí)的干體設(shè)置在第一器件1和第二器件2之間。燒結(jié)材料能夠包含其他材料和添加劑，所述其他材料和添加劑能夠影響燒結(jié)材料的可加工性和/或燒結(jié)。

通過(guò)燒結(jié)材料的燒結(jié)，在無(wú)需熔化燒結(jié)材料的情況下僅通過(guò)烘烤固相的顆粒來(lái)閉合在燒結(jié)材料的各個(gè)顆粒之間的連接。在熱和/或壓力和/或超聲波影響下，燒結(jié)能夠在所要求的燒結(jié)時(shí)間期間進(jìn)行。在燒結(jié)材料中，為了更好的可加工性，通過(guò)燒結(jié)過(guò)程分解或從燒結(jié)材料中去除現(xiàn)有的有機(jī)粘合劑、溶劑或其他添加劑，由此沒(méi)有有機(jī)基質(zhì)留在通過(guò)燒結(jié)建立的連接層中。在制成的燒結(jié)層中，燒結(jié)材料的顆粒能夠燒結(jié)成多孔的接合體。在各個(gè)顆粒之間的連接非常牢固，并且在用于電子設(shè)備的正常的使用溫度下在離所述燒結(jié)材料的熔點(diǎn)非常遠(yuǎn)的200℃下運(yùn)行。

第一器件1具有接觸層4，所述接觸層設(shè)置在載體5上。例如載體5能夠是陶瓷體。此外，載體5和接觸層4能夠是電路板的一部分，第二器件2借助于燒結(jié)層3安裝在該部分上。

接觸層4以與燒結(jié)層3直接接觸的方式設(shè)置，接觸層4具有第二金屬，所述第二金屬與燒結(jié)層3的第一金屬不同并且不含金。尤其，接觸層4的第二金屬與燒結(jié)層3的第一金屬直接接觸。燒結(jié)層3對(duì)于氧能夠是可穿透的，而接觸層4能夠形成對(duì)位于其下方的層和區(qū)域的保護(hù)，所述層和區(qū)域例如可能由于來(lái)自周?chē)h(huán)境的氧而容易氧化。為此，接觸層4具有金屬，所述金屬與燒結(jié)層3自身的第一金屬具有互溶間隙，或者至少經(jīng)由與燒結(jié)層3的第一金屬形成金屬間化合物而鈍化。尤其，在所示出的實(shí)施例中，接觸層4具有鉑和/或銠和/或銥或由上述材料構(gòu)成。

在圖5中為Pt在Ag中(曲線51)、Ag在Pt中(曲線52)、Au在Ag中(曲線53)、Ag在Au中(曲線54)和Pd在Ag中(曲線55)示出與溫度T相關(guān)的擴(kuò)散系數(shù)D的這種關(guān)聯(lián)關(guān)系，其中數(shù)據(jù)從文獻(xiàn)“Zahlenwerte und Funktionen aus Naturwissenschaft und Technik”，Berlin，Springer，Bd.26，1990中得出。從圖5的曲線中容易看出的是：鉑在銀中和反之的擴(kuò)散趨勢(shì)比金在銀中和反之的擴(kuò)散趨勢(shì)以及比鈀在銀中的擴(kuò)散趨勢(shì)明顯更小。對(duì)于銠和銥?zāi)軌蚣僭O(shè)類(lèi)似的特性。相應(yīng)地，在用于半導(dǎo)體芯片例如發(fā)光二極管芯片的典型的工作溫度下，用于燒結(jié)層3的第一金屬在接觸層4的第二金屬中的擴(kuò)散常數(shù)能夠優(yōu)選小于或等于1×10^-24m²s^-1或者小于或等于1×10^-25m²s^-1或者小于或等于1×10^-26m²s^-1或者小于或等于1×10^-28m²s^-1。此外，鉑、銠和銥不溶于銀中或者至少基本上不溶于銀中，使得與金相比，這些材料與銀的混勻明顯減少。因?yàn)槔玢K對(duì)于氧是不可穿透的，而銀對(duì)于氧具有可穿透性，如在文獻(xiàn)F.K.Moghadam等，“Oxygen Diffusion and Solubility Studies in Ag and Pt Using AC Impendance Spectroscopy”，J.Electrochem.Soc.，S.1329至1332(1986)中描述的那樣，接觸層4能夠確保在含氧的環(huán)境中的長(zhǎng)期穩(wěn)定的連接。

由于鉑、銠和銥的所描述的特性，接觸層4能夠保持為相當(dāng)薄的，并且能夠棄用例如由鈀或金構(gòu)成的附加的貴金屬層。尤其，接觸層4能夠具有大于或等于5nm并且小于等于500nm、優(yōu)選大于或等于15nm并且小于等于100nm并且尤其優(yōu)選大于或等于30nm并且小于等于60nm的層厚度。例如，在所示出的實(shí)施例中，接觸層4能夠具有40nm的厚度，借助所述厚度在實(shí)驗(yàn)中獲得非常好的結(jié)果。

如果接觸層4既適合用于施加燒結(jié)層也適合用于借助常見(jiàn)的無(wú)鉛的軟焊例如SAC(鋅-銀-銅)進(jìn)行焊接，那么使用例如鉑能夠避免下述問(wèn)題，所述問(wèn)題能夠在使用金接觸層時(shí)產(chǎn)生。因此，與SAC相比，使用厚的金接觸層能夠引起形成AuSn₄相，所述AuSn₄相危害釬焊連接的可靠性，而非常薄的金接觸層在使用器件期間能夠引起失去附著的危險(xiǎn)增加。

結(jié)合圖2示出用于電子設(shè)備100的另一實(shí)施例，其中在載體5上的第一器件1具有由可氧化的材料構(gòu)成的層6，在所述層上又再設(shè)置有接觸層4。接觸層4尤其直接施加在由可氧化的材料構(gòu)成的層6上并且覆蓋所述層。例如，接觸層4和層6能夠是接觸裝置的一部分。層6的可氧化的材料例如能夠具有鈦、鎳、鉻和/或鋁或由上述材料構(gòu)成。通過(guò)接觸層4覆蓋層6的方式，能夠避免在概述部分中結(jié)合金接觸層和銀燒結(jié)層描述的問(wèn)題。

除在圖1和圖2中示出的實(shí)施例之外(對(duì)在圖1和圖2中示出的實(shí)施例替選地)，僅第二器件2或兩個(gè)器件1、2也能夠具有接觸層4或者具有接觸層4和至少一個(gè)位于其下方的、由可氧化的材料構(gòu)成的層6。

圖3和圖4純示例性地示出用于電子設(shè)備的其他實(shí)施例。在圖3和圖4中具體描述的第一器件和第二器件1、2是純示例性的并且不應(yīng)限制性地理解。

在圖3中示出用于電子設(shè)備100的實(shí)施例，所述電子設(shè)備具有AlN陶瓷載體5作為第一器件1，所述第一器件用由鈦構(gòu)成的100nm厚的層6和20nm厚的接觸層4進(jìn)行覆層。借助于燒結(jié)層3將呈氮化鎵-HEMT形式的第二器件2安裝在第一器件1上，所述第二器件在由鎳構(gòu)成的層6’和由鋁構(gòu)成的層6”上方同樣具有接觸層4’。第一器件和/或第二器件1、2能夠具有其他接觸層，這些接觸層為了概覽性而沒(méi)有示出。

燒結(jié)層3具有第一金屬，而接觸層4、4’分別具有第二金屬，所述第二金屬與第一金屬不同并且不含金。接觸層4、4’分別以與燒結(jié)層3直接接觸的方式設(shè)置并且分別具有相同的金屬、尤其在所示出的實(shí)施例中具有鉑或由其構(gòu)成。替選于此，接觸層4能夠具有第二金屬，并且接觸層4’具有第三金屬，所述第二金屬和第三金屬彼此間是不同的并且與燒結(jié)層3的第一金屬不同。在所示出的實(shí)施例中，兩個(gè)接合方、即第一器件1和第二器件2借助于銀燒結(jié)膏連接，其中除在燒結(jié)過(guò)程期間的溫度影響之外，單軸壓力能夠可選地輔助所述連接的構(gòu)成。

在圖4中示出用于電子設(shè)備100的另一實(shí)施例，其中經(jīng)由銀燒結(jié)層3將構(gòu)成為光電子半導(dǎo)體芯片的第二器件2安裝在構(gòu)成為金屬芯電路板的第一器件1上。尤其，在所示出的實(shí)施例中，半導(dǎo)體芯片構(gòu)成為發(fā)光二極管芯片。

構(gòu)成為金屬芯電路板的第一器件1具有在載體5上鍍銀的電極層8，而形成第二器件2的半導(dǎo)體芯片具有電極，所述電極具有200nm厚的鎳層6和由鉑構(gòu)成的15nm厚的接觸層4，所述接觸層與燒結(jié)層3處于直接接觸中。

形成第二器件2的半導(dǎo)體芯片能夠根據(jù)放射的波長(zhǎng)具有基于不同半導(dǎo)體體系的半導(dǎo)體本體7。對(duì)于長(zhǎng)波的、紅外至紅色的輻射例如適用基于In_xGa_yAl_1-x-yAs的半導(dǎo)體層序列，對(duì)于紅色至綠色的輻射例如適用基于In_xGa_yAl_1-x-yP的半導(dǎo)體層序列，并且對(duì)于短波的可見(jiàn)的、即尤其在綠色至藍(lán)色的光的范圍中和/或?qū)τ谧贤獾妮椛淅邕m用基于In_xGa_yAl_1-x-yN的半導(dǎo)體層序列，其中分別適用0≤x≤1并且0≤y≤1。

尤其，半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體本體7能夠具有半導(dǎo)體層序列，尤其優(yōu)選具有外延生長(zhǎng)的半導(dǎo)體層序列或由其構(gòu)成。為此，半導(dǎo)體層序列能夠借助于外延方法，例如金屬有機(jī)氣相外延(MOVPE)或分子束外延(MBE)而生長(zhǎng)在生長(zhǎng)襯底上并且設(shè)有電接觸部。通過(guò)分割具有生長(zhǎng)的半導(dǎo)體層序列的生長(zhǎng)襯底能夠提供多個(gè)光電子半導(dǎo)體芯片。

此外，在分割之前，半導(dǎo)體層序列能夠轉(zhuǎn)移到載體襯底上，并且生長(zhǎng)襯底能夠被打薄或完全移除。這種具有載體襯底作為襯底而非生長(zhǎng)襯底的半導(dǎo)體芯片也能夠稱(chēng)作所謂的薄膜半導(dǎo)體芯片。例如在文獻(xiàn)I.Schnitzer等，Appl.Phys.Lett.63(16)，1933年10月18號(hào)，2174-2176中描述薄層發(fā)光二極管的基本原理。

半導(dǎo)體芯片的電接觸部能夠如在所示出的實(shí)施例中那樣設(shè)置在同一側(cè)上或者也能夠設(shè)置在半導(dǎo)體層序列的不同側(cè)上。在所示出的實(shí)施例中，半導(dǎo)體芯片在同一側(cè)上作為能燒結(jié)的接觸層4具有電接觸面并且構(gòu)成為所謂的具有藍(lán)寶石襯底的倒裝芯片，所述藍(lán)寶石襯底能安裝有接觸層4并且是可電連接的。替選于此，半導(dǎo)體芯片也能夠在襯底的與半導(dǎo)體層序列相對(duì)置的一側(cè)上具有例如呈可燒結(jié)的接觸層形式的電接觸部，而在半導(dǎo)體層序列的與襯底相對(duì)置的一側(cè)上能夠構(gòu)成例如呈用于借助于接合線進(jìn)行接觸的所謂的焊盤(pán)形式的另一接觸面。

除經(jīng)由燒結(jié)層建立電聯(lián)接的所示出的實(shí)施例之外，也能夠可行的是：將燒結(jié)層用于純熱聯(lián)接。為此，類(lèi)似于具有電接觸部的圖4的實(shí)施例，半導(dǎo)體芯片能夠在半導(dǎo)體層序列的背離襯底的一側(cè)上構(gòu)成，而呈熱接觸層形式的接觸層能夠在襯底的背離半導(dǎo)體層序列的一側(cè)上構(gòu)成。接觸層能夠如結(jié)合上述實(shí)施例描述的那樣構(gòu)成。襯底能夠是電絕緣的，在所述襯底上構(gòu)成有接觸層。在熱接觸層上方，半導(dǎo)體芯片能夠借助于燒結(jié)層例如與散熱片連接，使得電接觸部能夠用作為用于經(jīng)由線聯(lián)接建立的電聯(lián)接的上側(cè)接觸部。例如，適合的半導(dǎo)體芯片能夠是具有電絕緣襯底例如藍(lán)寶石襯底的基于AlGaInN的半導(dǎo)體芯片。半導(dǎo)體芯片能夠借助燒結(jié)層上方的熱接觸層例如與散熱片連接，所述散熱片由銅構(gòu)成或具有銅。

結(jié)合附圖描述的實(shí)施例能夠替選地或附加地具有在上文中在概述部分中描述的特征。此外，結(jié)合附圖描述的實(shí)施例能夠根據(jù)其他實(shí)施例相互組合。

本發(fā)明不局限于根據(jù)實(shí)施例進(jìn)行的描述。更確切地說(shuō)，本發(fā)明包括每個(gè)新的特征以及特征的每個(gè)組合，這尤其包含在權(quán)利要求中的特征的每個(gè)組合，即使該特征或者該組合本身未明確地在權(quán)利要求中或者實(shí)施例中說(shuō)明時(shí)也如此。