本申請要求享受共同擁有的2014年9月24日提交的美國臨時專利申請No.62/054,851和2015年2月19日提交的美國非臨時專利申請No.14/626,293的優(yōu)先權(quán)，以引用方式將上述申請的全部內(nèi)容明確地并入本文。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開內(nèi)容總體上涉及具有非晶態(tài)金屬層的金屬柵極。

背景技術(shù)：

技術(shù)的進(jìn)步導(dǎo)致更小和更強(qiáng)大的計算設(shè)備。例如，包括諸如移動電話和智能電話的無線電話、平板電腦和膝上型電腦在內(nèi)的各種便攜式個人計算設(shè)備是小型的、重量輕的且用戶容易攜帶的。這些設(shè)備可以通過無線網(wǎng)絡(luò)來傳輸語音和數(shù)據(jù)分組。此外，很多這種設(shè)備都并入有另外的功能，例如數(shù)碼照相機(jī)、數(shù)碼攝像機(jī)、數(shù)字記錄儀和音頻文件播放器。此外，這樣的設(shè)備可以處理可執(zhí)行指令，其包括能夠用于訪問互聯(lián)網(wǎng)的軟件應(yīng)用程序，例如互聯(lián)網(wǎng)瀏覽器應(yīng)用程序。因此，這些設(shè)備可以包括顯著的計算能力。

為了啟用這些計算能力，計算設(shè)備包括處理器。隨著技術(shù)的進(jìn)步，這些處理器包括越來越多的設(shè)備(例如，晶體管)，這些設(shè)備變得更小。更小的設(shè)備(例如，金屬柵極晶體管)可以包括更小的金屬柵極。與更大的金屬柵極相比，更小的金屬柵極內(nèi)的金屬晶粒的取向可對功函數(shù)有更大的相對影響。可以將功函數(shù)定義為從固體表面移除電子的最小能量。金屬柵極的功函數(shù)可以取決于該金屬柵極內(nèi)的金屬晶粒的取向。

多晶柵極材料可以在晶粒取向上具有差異。例如，晶粒取向可以在多晶柵極材料形成的金屬柵極內(nèi)發(fā)生改變。因此，由多晶柵極材料形成的金屬柵極可以具有功函數(shù)變化。

可以使用非晶態(tài)(即，非結(jié)晶)金屬來形成金屬柵極晶體管，以減少功函數(shù)變化。用于穩(wěn)定金屬柵極晶體管結(jié)構(gòu)的高溫退火可能造成非晶態(tài)金屬結(jié)晶(即，不保持非晶態(tài))。因此，所得到的金屬柵極晶體管可能具有功函數(shù)變化。功函數(shù)變化可能是造成金屬柵極晶體管中的閾值電壓(Vt)波動的來源。Vt波動可能導(dǎo)致金屬柵極晶體管具有更高的供電電壓(Vdd)。例如，金屬柵極晶體管的Vt的范圍可以是從最小Vt到最大Vt。Vdd比最大Vt更高。更高的功函數(shù)變化可能導(dǎo)致更高的最大Vt。更高的最大Vt導(dǎo)致更高的Vdd，更高的Vdd通常造成更大的功耗。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

可以在無需執(zhí)行退火的情況下，利用穩(wěn)定的材料來形成金屬柵極晶體管。使用這樣的材料來形成金屬柵極晶體管，可以使非晶態(tài)金屬能夠在所得到的金屬柵極晶體管中保持非晶態(tài)。例如，半導(dǎo)體器件可以包括襯底、源極觸點、漏極觸點和金屬柵極。襯底可以包括源極區(qū)、漏極區(qū)和溝道。源極觸點可以耦合到源極區(qū)，漏極觸點可以耦合到漏極區(qū)。金屬柵極可以耦合到溝道。金屬柵極可以包括非晶態(tài)金屬層。非晶態(tài)金屬層可以具有使非晶態(tài)金屬層結(jié)晶的退火溫度。

可以在無需執(zhí)行退火的情況下，利用穩(wěn)定的材料來形成半導(dǎo)體器件。例如，可以通過在源極區(qū)和漏極區(qū)上沉積材料(例如，鈦(Ti))來形成源極觸點和漏極觸點，使得非晶態(tài)金屬層的溫度保持在結(jié)晶溫度之下。因此，半導(dǎo)體器件(例如，金屬柵極晶體管)的非晶態(tài)金屬層可以保持非晶態(tài)(由于不退火和不結(jié)晶)。因此，金屬柵極可以具有減小的功函數(shù)變化。例如，可以減少金屬柵極的第一部分的第一功函數(shù)和金屬柵極的第二部分的第二功函數(shù)之間的差異。在特定的實施例中，還可以減少橫跨多個金屬柵極的功函數(shù)變化。例如，可以減少第一非晶態(tài)金屬柵極的第一功函數(shù)和第二非晶態(tài)金屬柵極的第二功函數(shù)之間的差異。減小的功函數(shù)變化可以導(dǎo)致降低的最大Vt。更低的最大Vt可以導(dǎo)致更低的Vdd和降低的功耗。

在特定的方面，一種半導(dǎo)體器件包括襯底、源極觸點、漏極觸點和金屬柵極。襯底包括源極區(qū)、漏極區(qū)和溝道。源極觸點耦合到源極區(qū)。漏極觸點耦合到漏極區(qū)。金屬柵極耦合到溝道。金屬柵極包括非晶態(tài)金屬層。

在另一個特定的方面，一種制造半導(dǎo)體器件的方法包括在襯底上形成金屬柵極。金屬柵極包括非晶態(tài)金屬層。此外，所述方法還包括在襯底的源極區(qū)和漏極區(qū)上沉積第二材料。沉積第二材料，使得非晶態(tài)金屬層保持非晶態(tài)。

在另一個特定的方面，通過包括在襯底上形成金屬柵極的工藝來制造半導(dǎo)體器件。金屬柵極包括非晶態(tài)金屬層。此外，所述工藝還包括在襯底的源極區(qū)和漏極區(qū)上沉積第二材料。沉積第二材料，使得非晶態(tài)金屬層保持非晶態(tài)。

所公開的實施例中的至少一個所提供的一個特定優(yōu)點是具有非晶態(tài)金屬層的金屬柵極。非晶態(tài)金屬層可以導(dǎo)致減小的功函數(shù)變化、更低的供電電壓(Vdd)和降低的功耗。

在了解了包括以下部分的整個申請之后，本公開內(nèi)容的其它方面、優(yōu)點和特征將變得顯而易見：附圖說明、具體實施方式和權(quán)利要求書。

附圖說明

圖1是制造電子器件的過程中的至少一個階段期間的結(jié)構(gòu)的示例性實施例的側(cè)視圖的示圖；

圖2是圖1的結(jié)構(gòu)在制造電子器件的過程中的至少一個階段期間的側(cè)視圖的示圖；

圖3是圖1的結(jié)構(gòu)在制造電子器件的過程中的至少一個階段期間的側(cè)視圖的示圖；

圖4是圖1的結(jié)構(gòu)在制造電子器件的過程中的至少一個階段期間的側(cè)視圖的示圖；

圖5是圖1的結(jié)構(gòu)在制造電子器件的過程中的至少一個階段期間的側(cè)視圖的示圖；

圖6是圖1的結(jié)構(gòu)在制造電子器件的過程中的至少一個階段期間的側(cè)視圖的示圖；

圖7是圖1的結(jié)構(gòu)在制造電子器件的過程中的至少一個階段期間的側(cè)視圖的示圖；

圖8是圖1的結(jié)構(gòu)在制造電子器件的過程中的至少一個階段期間的側(cè)視圖的示圖；

圖9是圖1的結(jié)構(gòu)在制造電子器件的過程中的至少一個階段期間的側(cè)視圖的示圖；

圖10是圖1的結(jié)構(gòu)在制造電子器件的過程中的至少一個階段期間的側(cè)視圖的示圖；

圖11是圖1的結(jié)構(gòu)在制造電子器件的過程中的至少一個階段期間的側(cè)視圖的示圖；

圖12是圖1的結(jié)構(gòu)在制造電子器件的過程中的至少一個階段期間的側(cè)視圖的示圖；

圖13是圖1的結(jié)構(gòu)在制造電子器件的過程中的至少一個階段期間的側(cè)視圖的示圖；

圖14是包括圖13的結(jié)構(gòu)的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)器件的示例性實施例的示圖；

圖15是示出制造半導(dǎo)體器件的方法的流程圖；

圖16是包括具有非晶態(tài)金屬柵極的半導(dǎo)體器件的無線通信設(shè)備的框圖；以及

圖17是用于制造電子器件的制造過程的特定示例性實施例的數(shù)據(jù)流圖，其中所述電子器件包括具有非晶態(tài)金屬柵極的半導(dǎo)體器件。

具體實施方式

如本文所描述的，圖1-13示出了如在制造電子器件(例如，半導(dǎo)體器件、集成電路器件或者另一種電子器件)的過程的多個階段期間形成的結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。

參見圖1，公開了如在制造電子器件的過程期間形成的結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖的示圖，其通常被標(biāo)識為100。可以使用包括第一襯底(例如，硅(Si)鰭狀物102)和第二襯底(例如，Si或Si鍺(SiGe)鰭狀物104)的晶片來形成結(jié)構(gòu)100。

結(jié)構(gòu)100可以包括漏極區(qū)106、源極區(qū)162和溝道116。例如，漏極區(qū)106可以包括嵌入在Si鰭狀物102的第一部分中的硅磷(SiP)層。源極區(qū)162可以包括嵌入在Si鰭狀物102的第二部分中的硅磷(SiP)層。溝道116可以包括源極區(qū)162和漏極區(qū)106之間的Si鰭狀物102。

結(jié)構(gòu)100可以包括漏極區(qū)164、源極區(qū)108和溝道118。例如，源極區(qū)108可以包括嵌入在Si或SiGe鰭狀物104的第一部分中的SiGe層。漏極區(qū)164可以包括嵌入在Si或SiGe鰭狀物104的第二部分中的SiGe層。溝道118可以包括源極區(qū)108和漏極區(qū)164之間的Si或SiGe鰭狀物104。

結(jié)構(gòu)100可以包括位于漏極區(qū)106、源極區(qū)162、源極區(qū)108和漏極區(qū)164上的層間電介質(zhì)(ILD)114。結(jié)構(gòu)100可以包括位于Si鰭狀物102的一部分上的氮化硅(SiN)間隔物110，并且可以包括位于Si或SiGe鰭狀物104的一部分上的SiN間隔物112。結(jié)構(gòu)100可以包括第一虛設(shè)柵極170。例如，第一虛設(shè)柵極170可以包括位于SiN間隔物110之間的虛設(shè)襯里166和非晶Si層168。結(jié)構(gòu)100可以包括第二虛設(shè)柵極176。例如，第二虛設(shè)柵極176可以包括位于SiN間隔物112之間的虛設(shè)襯里166和非晶Si層168。

參見圖2，公開了如在制造電子器件的過程期間形成的結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖的示圖?？梢詮慕Y(jié)構(gòu)100中去除(例如，蝕刻)第一虛設(shè)柵極170和第二虛設(shè)柵極176。在去除第一虛設(shè)柵極170之后，天然二氧化硅(SiO₂)層216可以形成在SiN間隔物110之間的Si鰭狀物102上。在去除第二虛設(shè)柵極176之后，天然二氧化硅(SiO₂)或二氧化硅鍺(SiGeO₂)層260可以形成在SiN間隔物112之間的Si或SiGe鰭狀物104上。

參見圖3，公開了如在制造電子器件的過程期間形成的結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖的示圖?？梢栽诮Y(jié)構(gòu)100上沉積高介電常數(shù)(高K)層318(例如，二氧化鉿(HfO₂)層)。例如，可以在形成天然層216和260之后，在結(jié)構(gòu)100上沉積高K層318?？梢栽诟逰層318上沉積氮化鈦(TiN)帽蓋層320，并且可以在TiN帽蓋層320上沉積氮化鉭(TaN)阻擋層322。可以使用原子層沉積(ALD)來沉積高K層318。

參見圖4，公開了如在制造電子器件的過程期間形成的結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖的示圖。可以在結(jié)構(gòu)100上沉積非晶態(tài)p型金屬氧化物半導(dǎo)體(PMOS)功函數(shù)金屬層424。例如，可以在沉積TaN阻擋層322之后，在結(jié)構(gòu)100上沉積非晶態(tài)PMOS功函數(shù)金屬層424。非晶態(tài)PMOS功函數(shù)金屬層424可以包括金屬、金屬合金(例如，具有多種金屬的化合物或者具有至少一種金屬和至少一種非金屬的化合物)或者金屬間化合物層。非晶態(tài)PMOS功函數(shù)金屬層424可以包括鎢(W)、鉭(Ta)、鋁(Al)、鈷(Co)、鈦(Ti)和鉑(Pt)中的至少一種。另外，非晶態(tài)PMOS功函數(shù)金屬層424可以包括硅(Si)、碳(C)和氮(N)中的一種或多種。

參見圖5，公開了如在制造電子器件的過程期間形成的結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖的示圖，其通常被標(biāo)識為500?？梢詮慕Y(jié)構(gòu)100中去除(例如，蝕刻)非晶態(tài)PMOS功函數(shù)金屬層424的一部分。例如，可以去除非晶態(tài)PMOS功函數(shù)金屬層424的與Si鰭狀物102對齊的第一部分。作為另一個例子，可以保留(例如，可以不蝕刻)非晶態(tài)PMOS功函數(shù)金屬層424的與Si或SiGe鰭狀物104對齊的第二部分。

參見圖6，公開了如在制造電子器件的過程期間形成的結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖的示圖。可以在結(jié)構(gòu)100上沉積非晶態(tài)n型金屬氧化物半導(dǎo)體(NMOS)功函數(shù)金屬層626。例如，可以在去除非晶態(tài)PMOS功函數(shù)金屬層424的一部分之后，使用ALD來沉積非晶態(tài)NMOS功函數(shù)金屬層626，如參照圖5所描述的。非晶態(tài)NMOS功函數(shù)金屬層626可以包括金屬、金屬合金(例如，具有多種金屬的化合物或者具有至少一種金屬和至少一種非金屬的化合物)或者金屬間化合物層。非晶態(tài)NMOS功函數(shù)金屬層626可以包括鉭(Ta)、鋁(Al)和鈦(Ti)中的至少一種。另外，非晶態(tài)NMOS功函數(shù)金屬層626可以包括硅(Si)、碳(C)和氮(N)中的一種或多種。

參見圖7，公開了如在制造電子器件的過程期間形成的結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖的示圖?？梢栽诮Y(jié)構(gòu)100上沉積TiN阻擋層728。例如，可以使用ALD在非晶態(tài)NMOS功函數(shù)金屬層626上沉積TiN阻擋層728。在沉積TiN阻擋層728之后，可以使用化學(xué)氣相沉積(CVD)在結(jié)構(gòu)700上沉積鎢(W)層730。

參見圖8，公開了如在制造電子器件的過程期間形成的結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖的示圖?？梢栽诮Y(jié)構(gòu)100上執(zhí)行化學(xué)機(jī)械平坦化(CMP)。例如，可以通過在沉積鎢(W)層730之后執(zhí)行CMP，來形成金屬柵極842(例如，SiO₂層216、高K層318、TiN帽蓋層320、TaN阻擋層322、非晶態(tài)NMOS功函數(shù)金屬層626、TiN阻擋層728和鎢(W)層730)和金屬柵極852(例如，SiO₂或SiGeO₂層260、高K層318、TiN帽蓋層320、TaN阻擋層322、非晶態(tài)PMOS功函數(shù)金屬層424、非晶態(tài)NMOS功函數(shù)金屬層626、TiN阻擋層728和鎢(W)層730)。

非晶態(tài)NMOS功函數(shù)金屬層626可以通常在大于600攝氏度的溫度(例如，第一退火溫度)下開始結(jié)晶(例如，在硅化過程期間)。用于形成非晶態(tài)NMOS功函數(shù)金屬層626的材料可以包括鉭(Ta)、鋁(Al)和鈦(Ti)中的至少一種。此外，用于形成非晶態(tài)NMOS功函數(shù)金屬層626的材料還可以包括硅(Si)、碳(C)和氮(N)中的一種或多種。

替代地或另外地，非晶態(tài)PMOS功函數(shù)金屬層424可以通常在大于600攝氏度的溫度(例如，第二退火溫度)下開始結(jié)晶(例如，在硅化過程期間)。用于形成非晶態(tài)PMOS功函數(shù)金屬層424的材料可以包括鎢(W)、鉭(Ta)、鋁(Al)、鈷(Co)、鈦(Ti)和鉑(Pt)中的至少一種。用于形成非晶態(tài)PMOS功函數(shù)金屬層424的材料還可以包括硅(Si)、碳(C)和氮(N)中的一種或多種。

參見圖9，公開了如在制造電子器件的過程期間形成的結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖的示圖。可以對結(jié)構(gòu)100進(jìn)行蝕刻。例如，可以將ILD 114的第一部分蝕刻至漏極區(qū)106和源極區(qū)162?？梢詫LD 114的第二部分蝕刻至源極區(qū)108和漏極區(qū)164。在蝕刻ILD 114之后，天然SiO₂層976可以形成在漏極區(qū)106和源極區(qū)162的暴露部分上。在蝕刻ILD 114之后，天然SiGeO₂或二氧化鍺(GeO₂)層974可以形成在源極區(qū)108和漏極區(qū)164的暴露部分上。

參見圖10，公開了如在制造電子器件的過程期間形成的結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖的示圖?？梢栽诮Y(jié)構(gòu)100上執(zhí)行原位選擇性去除。例如，可以通過原位選擇性去除，來去除天然SiGeO₂或GeO₂層974。為了說明起見，可以執(zhí)行化學(xué)蝕刻或者離子蝕刻，以選擇性地去除天然SiGeO₂或GeO₂層974。

參見圖11，公開了如在制造電子器件的過程期間形成的結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖的示圖?？梢栽诮Y(jié)構(gòu)100上沉積材料層(例如，Ti層1134)。例如，可以在去除天然SiGeO₂或GeO₂層974之后，使用物理氣相沉積(PVD)來沉積材料層(例如，Ti層1134)。Ti層1134的一部分可以與漏極區(qū)106和源極區(qū)162上的天然SiO₂層反應(yīng)，以形成二氧化鈦(TiO₂)層1132?？梢栽贗LD114的表面上形成TiO₂層1132。

可以在源極區(qū)162和漏極區(qū)106上沉積材料層(例如，Ti層1134)，使得非晶態(tài)NMOS保持未被退火。例如，可以在源極區(qū)162和漏極區(qū)106上沉積材料層(例如，Ti層1134)，使得非晶態(tài)NMOS功函數(shù)金屬層626的溫度保持在非晶態(tài)NMOS功函數(shù)金屬層626的結(jié)晶溫度之下。為了說明起見，使用PVD來沉積Ti層1134可以不將非晶態(tài)NMOS功函數(shù)金屬層626的溫度升高到非晶態(tài)NMOS功函數(shù)金屬層626的溫度結(jié)晶(即，非晶態(tài)NMOS功函數(shù)金屬層626的溫度保持在結(jié)晶溫度之下，使得金屬保持在非晶狀態(tài)下)。Ti層1134是穩(wěn)定的，而無需高溫退火。Ti層1134可以保持未被退火，以維持非晶態(tài)NMOS功函數(shù)金屬層626的溫度低于非晶態(tài)NMOS功函數(shù)金屬層626的結(jié)晶溫度。

可以在源極區(qū)108和漏極區(qū)164上沉積材料層(例如，Ti層1134)，使得非晶態(tài)NMOS功函數(shù)金屬層626和非晶態(tài)PMOS功函數(shù)金屬層424保持未被退火。例如，可以在源極區(qū)108和漏極區(qū)164上沉積材料層(例如，Ti層1134)，使得沉積溫度低于非晶態(tài)NMOS功函數(shù)金屬層626的第一結(jié)晶溫度并且低于非晶態(tài)PMOS功函數(shù)金屬層424的第二結(jié)晶溫度。為了說明起見，使用PVD來沉積Ti層1134可以不將非晶態(tài)NMOS功函數(shù)金屬層626的第一溫度升高到第一結(jié)晶溫度，并且可以不將非晶態(tài)PMOS功函數(shù)金屬層424的第二溫度升高到第二結(jié)晶溫度，使得金屬保持在非晶狀態(tài)下。

即使非晶態(tài)NMOS功函數(shù)金屬層626的溫度在Ti層1134的沉積期間增加，非晶態(tài)NMOS功函數(shù)金屬層626的溫度仍然可以保持在第一結(jié)晶溫度之下。即使非晶態(tài)PMOS功函數(shù)金屬層424的溫度在Ti層1134的沉積期間增加，非晶態(tài)PMOS功函數(shù)金屬層424的溫度仍然可以保持在第二結(jié)晶溫度之下。在將材料層(例如，Ti層1134)沉積在源極區(qū)和漏極區(qū)上之后，非晶態(tài)NMOS功函數(shù)金屬層626和非晶態(tài)PMOS功函數(shù)金屬層424可以保持非晶態(tài)。

參見圖12，公開了如在制造電子器件的過程期間形成的結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖的示圖?？梢栽诮Y(jié)構(gòu)100上沉積TiN阻擋層1236。例如，可以在形成TiO₂層1132之后，使用ALD來沉積TiN阻擋層1236?？梢允褂肅VD在TiN阻擋層1236上沉積鎢(W)層1238。

參見圖13，公開了如在制造電子器件的過程期間形成的結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖的示圖?？梢栽诮Y(jié)構(gòu)100上執(zhí)行CMP。例如，可以通過對W層1238執(zhí)行CMP以達(dá)到ILD 114，來形成源極觸點1344(例如，n型源極(N源極))、漏極觸點1346(例如，n型漏極(N漏極))、源極觸點1354(例如，p型源極(P源極))和漏極觸點1356(例如，p型漏極(P漏極))。

源極觸點1344和漏極觸點1346中的每一個可以包括Ti層1134、TiN阻擋層1236和W層1238。源極觸點1344可以經(jīng)由TiO₂層1132耦合到源極區(qū)162。漏極觸點1346可以經(jīng)由TiO₂層1132耦合到漏極區(qū)106。源極觸點1354和漏極觸點1356中的每一個可以包括Ti層1134、TiN阻擋層1236和W層1238。源極觸點1354可以耦合到源極區(qū)108。漏極觸點1356可以耦合到漏極區(qū)164。源極觸點1344、漏極觸點1346、源極觸點1354和漏極觸點1356中的至少一個可以不包括硅化物材料。例如，源極觸點1344可以經(jīng)由TiO₂層1132耦合到源極區(qū)162，而無需中間硅化物層。漏極觸點1346可以經(jīng)由TiO₂層1132耦合到漏極區(qū)106，而無需中間硅化物層。源極觸點1354的Ti層1134可以耦合到源極區(qū)108，而無需中間硅化物層。漏極觸點1356的Ti層1134可以耦合到漏極區(qū)164，而無需中間硅化物層。

當(dāng)在金屬柵極晶體管的制造期間執(zhí)行退火時，金屬柵極晶體管可以包括由于對金屬進(jìn)行退火而形成的硅化物層。在不對Ti層134進(jìn)行退火的情況下形成結(jié)構(gòu)100，結(jié)構(gòu)100可以不包括硅化物層。由于Ti是穩(wěn)定的而無需高溫退火，因此Ti層1134可以是未被退火的。

NMOS晶體管1340包括金屬柵極842、源極觸點1344和漏極觸點1346。PMOS晶體管1350包括金屬柵極852、源極觸點1354和漏極觸點1356。結(jié)構(gòu)100的金屬柵極842和852中的每一個包括非晶態(tài)NMOS功函數(shù)金屬層626。金屬柵極852可以包括非晶態(tài)PMOS功函數(shù)金屬層424。非晶態(tài)NMOS功函數(shù)金屬層626和非晶態(tài)PMOS功函數(shù)金屬層424是未被退火的金屬層。由于具有非晶態(tài)NMOS功函數(shù)金屬層626和非晶態(tài)PMOS功函數(shù)金屬層424而使NMOS晶體管1340和PMOS晶體管1350可以具有減小的工作函數(shù)變化。

參見圖14，示出了靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)單元的示例性示圖，其通常被標(biāo)識為1400。在特定的實施例中，SRAM單元1400可以包括圖13的NMOS晶體管1340、PMOS晶體管1350或二者。

SRAM單元1400可以包括特定數(shù)量(例如，6或8個)的晶體管。如圖1中所示，SRAM單元1400可以包括6個鰭形場效應(yīng)晶體管(FinFET)。在另一個實施例中，SRAM單元1400可以包括更少的晶體管或者更多的晶體管。SRAM單元1400可以包括兩個傳輸晶體管、兩個NMOS晶體管和兩個PMOS晶體管。NMOS晶體管中的至少一個可以對應(yīng)于圖13的NMOS晶體管1340。例如，NMOS晶體管中的至少一個可以包括金屬柵極842。PMOS晶體管中的至少一個可以對應(yīng)于圖13的PMOS晶體管1350。例如，PMOS晶體管中的至少一個可以包括金屬柵極852。

金屬柵極842可以包括非晶態(tài)NMOS功函數(shù)金屬層626，并由此具有減小的工作函數(shù)變化。金屬柵極852可以包括非晶態(tài)NMOS功函數(shù)金屬層626和非晶態(tài)PMOS功函數(shù)金屬層424，并由此具有減小的工作函數(shù)變化。減小的工作函數(shù)變化可以導(dǎo)致減小的Vt波動。

此外，圖14還包括SRAM單元1400的示例性電路圖1402。SRAM單元1400可以包括金屬柵極842、金屬柵極852或二者，并由此可以具有減小的工作函數(shù)變化和減小的Vt波動。減小的Vt波動可以導(dǎo)致具有更低的供電電壓(Vdd)1404的SRAM單元1400，從而減少SRAM單元1400的功耗。圖14示出了包括金屬柵極842和金屬柵極852的SRAM單元1400。在其它實施例中，金屬柵極842、金屬柵極852或二者可以包括在存儲器件、邏輯器件、半導(dǎo)體器件、集成電路等的晶體管中。

圖15是示出制造半導(dǎo)體器件的方法1500的特定實施例的流程圖。在特定的實施例中，半導(dǎo)體器件可以包括圖13的結(jié)構(gòu)100。

方法1500包括在1502處，在襯底上形成金屬柵極。例如，可以在Si鰭狀物102上形成金屬柵極842，和/或可以在Si或SiGe鰭狀物104上形成金屬柵極852，如參照圖1-8所描述的。金屬柵極842可以包括具有第一結(jié)晶溫度的非晶態(tài)NMOS功函數(shù)金屬層626，如參照圖8所描述的。金屬柵極852可以包括具有第一結(jié)晶溫度的非晶態(tài)NMOS功函數(shù)金屬層626和具有第二結(jié)晶溫度的非晶態(tài)PMOS功函數(shù)金屬層424，如參照圖8所描述的。

金屬柵極842可以具有第一數(shù)量的非晶態(tài)功函數(shù)金屬層，金屬柵852可以具有第二數(shù)量的非晶態(tài)功函數(shù)金屬層。金屬柵極842的第一閾值電壓可以是基于第一數(shù)量的非晶態(tài)功函數(shù)金屬層。金屬柵極852的第二閾值電壓可以是基于第二數(shù)量的非晶態(tài)功函數(shù)金屬層。當(dāng)?shù)谝粩?shù)量和第二數(shù)量不同時，第一閾值電壓和第二閾值電壓可以是不同的。在特定的實施例中，金屬柵極852可以包括非晶態(tài)PMOS功函數(shù)金屬層424或非晶態(tài)NMOS功函數(shù)金屬層626中的一個。在該實施例中，金屬柵極842可以包括非晶態(tài)PMOS功函數(shù)金屬層424和非晶態(tài)NMOS功函數(shù)金屬層626。

方法1500還包括在1504處，在襯底的源極區(qū)和漏極區(qū)上沉積第二材料?？梢猿练e第二材料，使得非晶態(tài)金屬層保持非晶態(tài)。由于非晶態(tài)金屬層的溫度在第二材料的沉積期間，保持在非晶態(tài)金屬層的結(jié)晶溫度之下，因此非晶態(tài)金屬層可以保持非晶態(tài)。例如，可以在源極區(qū)162和漏極區(qū)106上沉積Ti層1134，如參照圖11所描述的。可以沉積Ti層1134，使得非晶態(tài)NMOS功函數(shù)金屬層626的溫度保持在非晶態(tài)NMOS功函數(shù)金屬層626的第一結(jié)晶溫度之下，以防止非晶態(tài)NMOS功函數(shù)金屬層626結(jié)晶。因此，非晶態(tài)NMOS功函數(shù)金屬層626可以保持非晶態(tài)，并且Ti層1134可以保持未被退火。

作為另一個例子，可以在源極區(qū)108和漏極區(qū)164上沉積Ti層1134，如參照圖11所描述的?？梢猿练eTi層1134，使得非晶態(tài)NMOS功函數(shù)金屬層626的第一溫度保持在非晶態(tài)NMOS功函數(shù)金屬層626的第一結(jié)晶溫度之下，并且使得非晶態(tài)PMOS功作函數(shù)金屬層424的第二溫度保持在非晶態(tài)PMOS功函數(shù)金屬層424的第二結(jié)晶溫度之下，以防止非晶態(tài)NMOS功函數(shù)金屬層626和非晶態(tài)PMOS功函數(shù)金屬層424結(jié)晶。例如，Ti層1134可以保持未被退火，非晶態(tài)NMOS功函數(shù)金屬層626可以保持非晶態(tài)，并且非晶態(tài)PMOS功函數(shù)金屬層424可以保持非晶態(tài)。

因此，方法1500可以實現(xiàn)包括具有非晶態(tài)金屬層的金屬柵極的半導(dǎo)體器件(例如，晶體管)的制造。因此，與不具有非晶態(tài)金屬柵極的半導(dǎo)體器件相比，所述半導(dǎo)體器件可以具有減小的工作函數(shù)變化和降低的功耗。

參見圖16，示出了無線通信設(shè)備的特定示例性實施例的框圖，其通常被標(biāo)識為1600。無線通信設(shè)備1600包括耦合到存儲器1632(例如，隨機(jī)存取存儲器(RAM)、閃存、只讀存儲器(ROM)、可編程只讀存儲器(PROM)、可擦除可編程只讀存儲器(EPROM)、電可擦除可編程只讀存儲器(EEPROM)、寄存器、硬盤、可移動磁盤、光盤只讀存儲器(CD-ROM)或者本領(lǐng)域已知的任何其它形式的非暫態(tài)存儲介質(zhì))的處理器1610(例如，數(shù)字信號處理器(DSP))。存儲器1632可以包括存儲可由處理器1610執(zhí)行的指令的存儲介質(zhì)。存儲器1632可以存儲處理器1610可訪問的數(shù)據(jù)。

無線通信設(shè)備1600包括結(jié)構(gòu)100，其包括非晶態(tài)金屬柵極。例如，如圖16中所示，存儲器1632可以包括具有非晶態(tài)金屬柵極的結(jié)構(gòu)100。在特定的實施例中，存儲器1632、處理器1610和/或無線通信設(shè)備1600的另一個部件可以包括圖13的NMOS晶體管1340、PMOS晶體管1350或二者中的一個或多個。例如，存儲器1632可以包括存儲單元陣列。該陣列中的每一個存儲單元可以包括NMOS晶體管1340、PMOS晶體管1350或二者。

圖16還示出了耦合到處理器1610和顯示器1628的顯示器控制器1626。編碼器/解碼器(CODEC)1634還可以耦合到處理器1610。揚(yáng)聲器1636和麥克風(fēng)1638可以耦合到CODEC 1634。圖16還指示無線控制器1640可以耦合到處理器1610，還可以耦合到天線1642。

在特定的實施例中，處理器1610、顯示器控制器1626、存儲器1632、CODEC 1634和無線控制器1640包括在系統(tǒng)級封裝或片上系統(tǒng)設(shè)備1622中。在特定的實施例中，輸入設(shè)備1630和電源1644耦合到片上系統(tǒng)設(shè)備1622。此外，在特定的實施例中，如圖16中所示，顯示器1628、輸入設(shè)備1630、揚(yáng)聲器1636、麥克風(fēng)1638、無線天線1642和電源1644在片上系統(tǒng)設(shè)備1622的外部。然而，顯示器1628、輸入設(shè)備1630、揚(yáng)聲器1636、麥克風(fēng)1638、天線1642和電源1644中的每一個可以耦合到片上系統(tǒng)設(shè)備1622的部件(例如，接口或控制器)。

前面所公開的設(shè)備和功能可以被設(shè)計和配置到存儲在計算機(jī)可讀介質(zhì)上的計算機(jī)文件(例如，RTL、GDSII、GERBER等)中。一些或所有這樣的文件可以提供給基于這樣的文件來制造器件的制造處理商。所得到的產(chǎn)品包括晶片，所述晶片隨后被切割成管芯并封裝到芯片中。然后，將芯片集成到電子器件(例如，存儲器件、邏輯器件、半導(dǎo)體器件、集成電路、包括晶體管的另一器件等)中，如參照圖17所進(jìn)一步描述的。

參見圖17，示出了電子器件加工(例如，制造)過程的特定示例性實施例，其通常被標(biāo)識為1700。在制造過程1700(例如，在研究計算機(jī)1706處)，接收物理設(shè)備信息1702。物理設(shè)備信息1702可以包括表示電子器件的至少一個物理特性的設(shè)計信息，所述電子器件包括非晶態(tài)金屬柵極，例如圖13的結(jié)構(gòu)100。例如，物理設(shè)備信息1702可以包括物理參數(shù)、材料特性、以及經(jīng)由耦合到研究計算機(jī)1706的用戶接口1704所輸入的結(jié)構(gòu)信息。研究計算機(jī)1706包括耦合到諸如存儲器1710的計算機(jī)可讀介質(zhì)(例如，非暫態(tài)計算機(jī)可讀介質(zhì))的處理器1708(例如，一個或多個處理內(nèi)核)。存儲器1710可以存儲可執(zhí)行以使處理器1708轉(zhuǎn)換物理設(shè)備信息1702從而符合文件格式且生成庫文件1712的計算機(jī)可讀指令。

在特定的實施例中，庫文件1712包括至少一個數(shù)據(jù)文件，其包括轉(zhuǎn)換的設(shè)計信息。例如，庫文件1712可以包括半導(dǎo)體器件庫，所述半導(dǎo)體器件包括具有非晶態(tài)金屬柵極的結(jié)構(gòu)100?？梢蕴峁煳募?712，以便與電子設(shè)計自動化(EDA)工具1720一起使用。

在包括耦合到存儲器1718的處理器1716(例如，一個或多個處理內(nèi)核)的設(shè)計計算機(jī)1714處，可以結(jié)合EDA工具1720來使用庫文件1712。EDA工具1720可以在存儲器1718處被存儲為處理器可執(zhí)行指令，以使設(shè)計計算機(jī)1714的用戶能夠使用庫文件1712來設(shè)計包括具有非晶態(tài)金屬柵極的結(jié)構(gòu)100的電路。例如，設(shè)計計算機(jī)1714的用戶可以經(jīng)由耦合到設(shè)計計算機(jī)1714的用戶接口1712輸入電路設(shè)計信息1722。電路設(shè)計信息1722可以包括表示電子器件的至少一個物理特性的設(shè)計信息，所述電子器件包括非晶態(tài)金屬柵極，例如圖13的結(jié)構(gòu)100。為了說明起見，電路設(shè)計特性可以包括特定電路的識別和與電路設(shè)計中的其它元件的關(guān)系、位置信息、特征尺寸信息、應(yīng)力釋放區(qū)信息、SMS信息、互連信息或者表示半導(dǎo)體器件的物理特性的其它信息。

設(shè)計計算機(jī)1714可以被配置為對包括電路設(shè)計信息1722的設(shè)計信息進(jìn)行轉(zhuǎn)換，以符合文件格式。為了說明起見，文件格式可以包括利用分層格式來表示平面幾何形狀、文本標(biāo)簽和關(guān)于電路布局的其它信息的數(shù)據(jù)庫二進(jìn)制文件格式，例如圖形數(shù)據(jù)系統(tǒng)(GDSII)文件格式。設(shè)計計算機(jī)1714可以被配置為生成包括轉(zhuǎn)換的設(shè)計信息的數(shù)據(jù)文件，例如除了其它電路或信息之外還包括描述包括非晶態(tài)金屬柵極(例如，圖13的結(jié)構(gòu)1300)的電子器件的信息的GDSII文件1726。為了說明起見，所述數(shù)據(jù)文件可以包括與片上系統(tǒng)(SOC)相對應(yīng)的信息，所述SOC包括電子器件(其包括非晶態(tài)金屬柵極，例如圖13的結(jié)構(gòu)100)，此外還可以包括所述SOC內(nèi)的其它電子電路和部件。

可以在制造過程1728接收GDSII文件1726，以根據(jù)GDSII文件1726中的轉(zhuǎn)換信息制造包括非晶態(tài)金屬柵極(例如，圖13的結(jié)構(gòu)100)的電子器件。例如，器件制造過程可以包括將GDSII文件1726提供給掩模制造商1730以生成一個或多個掩模(例如，用于光刻工藝的掩模)，其示為代表性掩模1732?？梢栽谥圃爝^程期間使用掩模1732來生成一個或多個晶片1733，可以對所述晶片進(jìn)行測試并將其分成管芯(例如，代表性管芯1736)。管芯1736包括電路，所述電路包括電子器件，其包括非晶態(tài)金屬柵極，例如圖13的結(jié)構(gòu)100。

例如，制造過程1728可以包括處理器1734和存儲器1735，以發(fā)起和/或控制制造過程1728。存儲器1735可以包括諸如計算機(jī)可讀指令或處理器可讀指令的可執(zhí)行指令。所述可執(zhí)行指令可以包括可由諸如處理器1734的計算機(jī)執(zhí)行的一個或多個指令。

可以通過完全自動化或部分自動化的制造系統(tǒng)來實現(xiàn)制造過程1728。例如，可以根據(jù)調(diào)度來使制造過程1728自動化。所述制造系統(tǒng)可以包括用于執(zhí)行一個或多個操作以形成半導(dǎo)體器件的制造設(shè)備(例如，處理工具)。例如，制造設(shè)備可以被配置為使用化學(xué)氣相沉積(CVD)和/或物理氣相沉積(PVD)來沉積一種或多種材料，使用單掩?；蚨嘌谀９饪?蝕刻工藝(例如，雙掩模LELE)來對材料進(jìn)行構(gòu)圖，使用光刻-冷卻-光刻-蝕刻(LFLE)工藝來對材料進(jìn)行構(gòu)圖，使用自對準(zhǔn)雙圖案化(SADP)工藝來對材料進(jìn)行構(gòu)圖，外延生長一種或多種材料，共形沉積一種或多種材料，施加硬掩模，施加蝕刻掩模，執(zhí)行蝕刻，執(zhí)行平坦化，形成虛設(shè)柵極堆疊體，形成柵極堆疊體，執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)清潔1型等。在特定的實施例中，制造過程1728對應(yīng)于與小于14nm(例如，10nm、7nm等)的技術(shù)節(jié)點相關(guān)聯(lián)的半導(dǎo)體制造工藝。用于制造器件(例如，包括圖13的結(jié)構(gòu)100)的特定工藝或者工藝組合可以是基于設(shè)計約束和可得到的材料/設(shè)備。因此，在特定的實施例中，在器件的制造期間可以使用不同于參照圖1-17所描述的過程。

作為示例性例子，在結(jié)構(gòu)100的過孔1形成期間使用的雙掩模LELE工藝可以包括使用第一光刻膠掩模來形成器件的第一層(例如，氮化物層)上的第一圖案，并且對第一圖案進(jìn)行蝕刻。然后，可以使用第二掩模在器件上形成第二圖案，并且可以將組合圖案向下蝕刻到器件的更低的第二層(例如，氧化物層)。在組合圖案中，可以對第一圖案和第二圖案的特征(例如，線)進(jìn)行交織。因此，與第一圖案和第二圖案相比，組合圖案可以具有更小的特征(例如，線)間距。

作為另一個示例性例子，用于對結(jié)構(gòu)100的M1或M2層進(jìn)行構(gòu)圖的SADP工藝可以包括在器件上形成“虛設(shè)”圖案?？梢栽谔撛O(shè)圖案之上形成(例如，沉積)共形電介質(zhì)層，并對其進(jìn)行蝕刻。在蝕刻期間，可以對除了與虛設(shè)圖案的側(cè)壁相鄰的電介質(zhì)材料的“間隔物”之外的所有電介質(zhì)層進(jìn)行去除。然后，可以對虛設(shè)圖案進(jìn)行去除(例如，不進(jìn)行蝕刻)，留下間隔物，其可以形成與虛設(shè)圖案相比具有更高特征(例如，線)密度的圖案。可以使用這種密度更高的間隔物圖案來對M1或M2層進(jìn)行構(gòu)圖。

制造系統(tǒng)(例如，執(zhí)行制造過程1728的自動化系統(tǒng))可以具有分布式架構(gòu)(例如，分層)。例如，制造系統(tǒng)可以包括根據(jù)分布式架構(gòu)來分布的一個或多個處理器(例如，處理器1734)、一個或多個存儲器(例如，存儲器1735)和/或控制器。所述分布式架構(gòu)可以包括用于控制或者發(fā)起一個或多個低層系統(tǒng)的操作的高層處理器。例如，制造過程1728的高層部分可以包括一個或多個處理器(例如，處理器1734)，并且低層系統(tǒng)可以均包括一個或多個相應(yīng)的控制器或者可以由一個或多個相應(yīng)的控制器進(jìn)行控制。特定低層系統(tǒng)的特定控制器可以接收來自特定高層系統(tǒng)的一個或多個指令(例如，命令)，可以向從屬模塊或處理工具發(fā)出子命令，并且可以將狀態(tài)數(shù)據(jù)傳回給特定的高層。一個或多個低層系統(tǒng)中的每一個可以與一個或多個相應(yīng)的制造設(shè)備(例如，處理工具)相關(guān)聯(lián)。在特定的實施例中，制造系統(tǒng)可以包括分布在制造系統(tǒng)中的多個處理器。例如，低層系統(tǒng)部件的控制器可以包括處理器(例如，處理器1734)。

或者，處理器1734可以是制造系統(tǒng)的高層系統(tǒng)、子系統(tǒng)或部件的一部分。在另一個實施例中，處理器1734包括位于制造系統(tǒng)的各個層級和部件的分布式處理。

存儲器1735中所包括的可執(zhí)行指令可以使處理器1734能夠形成結(jié)構(gòu)100(或者發(fā)起其形成)。在特定的實施例中，存儲器1735是存儲計算機(jī)可執(zhí)行指令的非暫態(tài)計算機(jī)可讀介質(zhì)，所述計算機(jī)可執(zhí)行指令可由處理器1734執(zhí)行，以使處理器1734根據(jù)參照圖1-13所描述的操作的至少一部分來發(fā)起器件的形成。例如，計算機(jī)可執(zhí)行指令可被執(zhí)行，以使處理器1734發(fā)起結(jié)構(gòu)100的形成。作為示例性例子，處理器1734可以發(fā)起或者控制參照圖1-13所描述的操作中的一個或多個。

管芯1736可以提供給封裝過程1738，其中將管芯1736并入到代表性封裝體1740中。例如，封裝體1740可以包括單個管芯1736或多個管芯，例如系統(tǒng)級封裝(SiP)布置。封裝體1740可以被配置為遵循一個或多個標(biāo)準(zhǔn)或規(guī)范，例如聯(lián)合電子器件工程委員會(JEDEC)標(biāo)準(zhǔn)。

可以例如經(jīng)由存儲在計算機(jī)1746處的部件庫，將關(guān)于封裝體1740的信息分發(fā)給各個產(chǎn)品設(shè)計者。計算機(jī)1746可以包括耦合到存儲器1750的處理器1748，例如一個或多個處理內(nèi)核?？梢詫⒂∷㈦娐钒?PCB)工具在存儲器1750處存儲為處理器可執(zhí)行指令，以處理經(jīng)由用戶接口1744從計算機(jī)1746的用戶接收的PCB設(shè)計信息1742。PCB設(shè)計信息1742可以包括電路板上的封裝半導(dǎo)體器件、與包括圖13的結(jié)構(gòu)100的封裝體1740相對應(yīng)的封裝半導(dǎo)體器件的物理位置信息。

計算機(jī)1746可以被配置為對PCB設(shè)計信息1742進(jìn)行轉(zhuǎn)換以生成數(shù)據(jù)文件，例如具有包括以下信息的數(shù)據(jù)的GERBER文件1752：電路板上的封裝半導(dǎo)體器件的物理位置信息、以及諸如跡線和過孔的電連接的布局，其中封裝半導(dǎo)體器件對應(yīng)于包括圖13的結(jié)構(gòu)100的封裝體1740。在其它實施例中，由轉(zhuǎn)換的PCB設(shè)計信息所產(chǎn)生的數(shù)據(jù)文件可以具有與GERBER格式不同的格式。

可以在板組裝過程1754接收GERBER文件1752，并使用其來生成根據(jù)存儲在GERBER文件1752內(nèi)的設(shè)計信息而制造的PCB(例如，代表性PCB 1756)。例如，可以將GERBER文件1752上傳到一個或多個機(jī)器，以執(zhí)行PCB生產(chǎn)工藝的各個步驟。PCB 1756上可以組裝有包括封裝體1740的電子部件以形成代表性印刷電路組件(PCA)1758。

可以在產(chǎn)品制造過程1760接收PCA 1758，并將其集成到一個或多個電子器件(例如，第一代表性電子器件1762和第二代表性電子器件1764)中。例如，第一代表性電子器件1762、第二代表性電子器件1764或二者可以包括或?qū)?yīng)于圖16的無線通信設(shè)備1600。作為示例性的非限制性例子，第一代表性電子器件1762、第二代表性電子器件1764或二者可以包括通信設(shè)備、固定位置數(shù)據(jù)單元、移動位置數(shù)據(jù)單元、移動電話、蜂窩電話、衛(wèi)星電話、計算機(jī)、平板電腦、便攜式電腦或桌上型電腦。替代地或另外地，第一代表性電子器件1762、第二代表性電子器件1764或二者可以包括機(jī)頂盒、娛樂單元、導(dǎo)航設(shè)備、個人數(shù)字助理(PDA)、監(jiān)視器、計算機(jī)監(jiān)視器、電視、調(diào)諧器、無線電裝置、衛(wèi)星無線電裝置、音樂播放器、數(shù)字音樂播放器、便攜式音樂播放器、視頻播放器、數(shù)字視頻播放器、數(shù)字視頻光盤(DVD)播放器、便攜式數(shù)字視頻播放器、存儲或者獲取數(shù)據(jù)或計算機(jī)指令的任何其它設(shè)備或者其組合，其中可以將包括非晶態(tài)金屬柵極的結(jié)構(gòu)(例如，圖13的結(jié)構(gòu)100)集成到所述電子器件中。

作為另一個示例性的非限制性例子，電子器件1762和1764中的一個或多個可以包括遠(yuǎn)程單元(例如，移動電話)、手持性個人通信系統(tǒng)(PCS)單元、便攜式數(shù)據(jù)單元(例如，個人數(shù)據(jù)助理)、具備全球定位系統(tǒng)(GPS)能力的設(shè)備、導(dǎo)航設(shè)備、固定位置數(shù)據(jù)單元(例如，抄表設(shè)備)、或者存儲或獲取數(shù)據(jù)或計算機(jī)指令的任何其它設(shè)備、或者其任意組合。雖然圖17示出了根據(jù)本公開內(nèi)容的教導(dǎo)的遠(yuǎn)程單元，但本公開內(nèi)容并不限于這些示出的單元。本公開內(nèi)容的實施例可以適當(dāng)?shù)卦诎ㄓ性醇呻娐?其包括存儲器和片上電路)的任何設(shè)備中采用。例如，電子器件1762和1764中的一個或多個可以包括轎車、卡車、飛機(jī)、輪船、其他交通工具、或者電器(例如，冰箱、微波爐、洗衣機(jī)、安全系統(tǒng)、其它電器或者其組合)。在特定的實施例中，電子器件1762和1764中的一個或多個可以利用存儲器和/或無線通信。

可以對包括半導(dǎo)體器件(其包括具有非晶態(tài)金屬柵極的結(jié)構(gòu)，例如圖13的結(jié)構(gòu)100)的器件進(jìn)行制造、處理并將其并入到電子器件中，如示例性過程1700中所描述的。參照圖1-16所公開的實施例的一個或多個方面可以包括在各個處理階段，例如在庫文件1712、GDSII文件1726(例如，具有GDSII格式的文件)和GERBER文件1752(例如，具有GERBER格式的文件)內(nèi)，以及存儲在研究計算機(jī)1706的存儲器1710、設(shè)計計算機(jī)1714的存儲器1718、計算機(jī)1746的存儲器1750、在各個階段(例如，在板組裝過程1754)所使用的一個或多個其它計算機(jī)或處理器(未示出)的存儲器處，還可以合并到一個或多個其它物理實施例(例如，掩模1732、管芯1736、封裝體1740、PCA 1758、諸如原型電路或設(shè)備的其它產(chǎn)品(未示出)、或者其任意組合)中。雖然描述了從物理設(shè)備設(shè)計到最終產(chǎn)品的各個代表性生產(chǎn)階段，但在其它實施例中可以使用更少的階段，或者可以包括額外的階段。類似地，過程1700可以由單一實體執(zhí)行，也可以由一個或多個實體來執(zhí)行過程1700的各個階段。

雖然圖1-17中的一個或多個示出了根據(jù)本公開內(nèi)容的教導(dǎo)的系統(tǒng)、設(shè)備和/或方法，但本公開內(nèi)容并不限于這些示出的系統(tǒng)、設(shè)備和/或方法。本公開內(nèi)容的實施例可以適當(dāng)?shù)卦诎呻娐?其包括存儲器、處理器和片上電路)的任何設(shè)備中采用。

如本文所示出或者描述的圖1-17中的任何一個的一個或多個功能或部件，可以與圖1-17中的另一個的一個或多個其它部分組合。因此，沒有任何一個本文所描述的實施例應(yīng)當(dāng)被解釋成是限制性的，并且本公開內(nèi)容的實施例可以適當(dāng)?shù)亟M合，而不脫離本公開內(nèi)容的教導(dǎo)。

本領(lǐng)域技術(shù)人員還應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到，結(jié)合本文所公開的實施例描述的各種示例性的邏輯框、配置、模塊、電路和算法步驟均可以實現(xiàn)為電子硬件、由處理器執(zhí)行的計算機(jī)軟件或二者的組合。以上已經(jīng)通常對各種示例性的部件、框、配置、模塊、電路和步驟就其功能進(jìn)行了描述。這種功能是實現(xiàn)為硬件還是實現(xiàn)為處理器可執(zhí)行指令取決于特定的應(yīng)用和對整個系統(tǒng)所施加的設(shè)計約束條件。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以針對每個特定應(yīng)用以變化的方式實現(xiàn)所描述的功能，但是這種實現(xiàn)決策不應(yīng)解釋為脫離本公開內(nèi)容的范圍。

結(jié)合本文所公開的實施例描述的方法或算法的步驟可以直接實施為硬件、由處理器執(zhí)行的軟件模塊或二者的組合。軟件模塊可以存在于隨機(jī)存取存儲器(RAM)、閃存、只讀存儲器(ROM)、可編程只讀存儲器(PROM)、可擦除可編程只讀存儲器(EPROM)、電可擦除可編程只讀存儲器(EEPROM)、寄存器、硬盤、可移動磁盤、光盤只讀存儲器(CD-ROM)、或者本領(lǐng)域已知的任何其它形式的非暫態(tài)存儲介質(zhì)中。可以將示例性存儲介質(zhì)耦合至處理器，從而使處理器能夠從所述存儲介質(zhì)讀取信息，并且向所述存儲介質(zhì)寫入信息?；蛘撸鎯橘|(zhì)可以與處理器成為一體。處理器和存儲介質(zhì)可以存在于專用集成電路(ASIC)中。ASIC可以存在于計算設(shè)備或用戶終端中?；蛘?，處理器和存儲設(shè)備可以作為分立部件存在于計算設(shè)備或用戶終端中。存儲設(shè)備不是信號。

對所公開的實施例進(jìn)行了上述說明以使本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或者使用所公開的實施例。對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說，對這些實施例的各種修改是顯而易見的，并且本文所定義的原理也可以在不脫離本公開內(nèi)容的范圍的情況下應(yīng)用于其它實施例。因此，本公開內(nèi)容不是要限于本文所示出的實施例，而是要符合與如所附權(quán)利要求書所限定的原理和新穎性特征相一致的可能的最廣范圍。