1.一種半導體裝置，包括：
第1導電型的SiC層；
選擇性地形成在所述SiC層上的電極；以及
形成在所述SiC層上、達到設定在所述SiC層的端部的切割區(qū)域的絕緣物，
所述絕緣物包含配置在所述電極的下方的電極下絕緣膜及以覆蓋該電極下絕緣膜的方式配置的有機絕緣層，
所述有機絕緣層與所述SiC層相接的區(qū)間的距離（A）為40μm以上，
所述電極下絕緣膜上的所述電極與所述SiC層的橫向的距離（B）為40μm以上。
2.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，
還包含形成在所述切割區(qū)域的第2導電型區(qū)域，
關于所述有機絕緣層與所述SiC層的第1導電型區(qū)域相接的區(qū)間，所述距離（A）為40μm以上。
3.如權利要求2所述的半導體裝置，其中，
所述有機絕緣層以覆蓋所述切割區(qū)域的方式形成，該有機絕緣層在該切割區(qū)域與所述第2導電型區(qū)域相接。
4.如權利要求1或2所述的半導體裝置，其中，
所述有機絕緣層不覆蓋所述切割區(qū)域，
所述絕緣物由與所述電極下絕緣膜同一層的膜構成，還包括覆蓋所述切割區(qū)域并且部分與所述有機絕緣層重疊的端部絕緣膜，
所述有機絕緣層與所述端部絕緣膜的重疊寬度（C）為5μm以上。
5.如權利要求1或2所述的半導體裝置，其中，
所述絕緣物還包含由與所述電極下絕緣膜同一層的膜構成、覆蓋所述切割區(qū)域的端部絕緣膜，
所述有機絕緣層以隔著所述端部絕緣膜選擇性地覆蓋所述第2導電型區(qū)域的方式重疊在所述端部絕緣膜，
所述有機絕緣層與所述端部絕緣膜的重疊寬度（C）為5μm以上。
6.如權利要求4或5所述的半導體裝置，其中，
所述端部絕緣膜具有與所述電極下絕緣膜相同的厚度。
7.如權利要求1～6的任一項所述的半導體裝置，其中，
所述距離（A）為45μm～180μm。
8.如權利要求1～7的任一項所述的半導體裝置，其中，
所述距離（B）為45μm～180μm。
9.如權利要求1～6的任一項所述的半導體裝置，其中，
所述距離（A）及所述距離（B）的合計為180μm以下。
10.如權利要求1～9的任一項所述的半導體裝置，其中，
擊穿電壓值（BV）為1000V以上。
11.如權利要求1～10的任一項所述的半導體裝置，其中，
所述SiC層的第1導電型的雜質濃度為1×1016cm－3以下，所述SiC層的厚度為5μm以上。
12.如權利要求2或3所述的半導體裝置，其中，
還包含在所述SiC層中比所述電極更靠外側地形成的由雜質區(qū)域構成的第2導電型的終端構造，
所述第2導電型區(qū)域的寬度（F）為所述切割區(qū)域的寬度（D）與從所述終端構造延伸的耗盡層的寬度（E）的2倍之差以上。
13.如權利要求1～12的任一項所述的半導體裝置，其中，
所述電極由以Ti/TiN/Al－Cu表示的層疊構造構成。
14.如權利要求1～13的任一項所述的半導體裝置，其中，
所述電極下絕緣膜由具有1μm以上的厚度的SiO2膜構成。
15.如權利要求14所述的半導體裝置，其中，
所述SiO2膜含有磷（P）。
16.如權利要求14或15所述的半導體裝置，其中，
所述SiO2膜含有硼（B）。
17.如權利要求1～13的任一項所述的半導體裝置，其中，
所述電極下絕緣膜由具有1μm以上的厚度的SiN膜構成。
18.如權利要求1～17的任一項所述的半導體裝置，其中，
所述有機絕緣層由聚酰亞胺類的原料構成。
19.如權利要求1～17的任一項所述的半導體裝置，其中，
所述有機絕緣層由聚苯并惡唑類的原料構成。
20.如權利要求1～17的任一項所述的半導體裝置，其中，
所述有機絕緣層由丙烯類的原料構成。
21.如權利要求1～20的任一項所述的半導體裝置，其中，
在所述SiC層形成MOSFET作為半導體元件構造，
所述電極包含與所述MOSFET的源極電連接的源極電極。
22.如權利要求21所述的半導體裝置，其中，
所述MOSFET具有平面柵構造。
23.如權利要求21所述的半導體裝置，其中，
所述MOSFET具有溝槽柵構造。
24.如權利要求1～20的任一項所述的半導體裝置，其中，
在所述SiC層形成肖特基勢壘二極管作為半導體元件構造，
所述電極包含構成所述肖特基勢壘二極管的一部分的肖特基電極。
25.如權利要求1～20的任一項所述的半導體裝置，其中，
在所述SiC層形成IGBT作為半導體元件構造，
所述電極包含與所述IGBT的源極電連接的源極電極。
26.如權利要求1～25的任一項所述的半導體裝置，其中，
所述有機絕緣層在多個區(qū)域中與所述SiC層相接，
所述距離（A）在該多個區(qū)域各自中的接觸區(qū)間的距離的合計為40μm以上。
27.如權利要求1～26的任一項所述的半導體裝置，其中，
還包含選擇性地形成在所述SiC層、由所述有機絕緣層填滿的凹部，
所述距離（A）包括所述凹部的內表面中的所述有機絕緣層的接觸區(qū)間的合計為40μm以上。
28.一種半導體裝置，包含：
第1導電型的SiC層；
選擇性地形成在所述SiC層上的電極；
形成在所述SiC層上、達到設定于所述SiC層的端部的切割區(qū)域的絕緣物；以及
在所述SiC層中比所述電極更靠外側地形成的由雜質區(qū)域構成的第2導電型的終端構造，
所述絕緣物包含配置在所述電極的下方的電極下絕緣膜及以覆蓋該電極下絕緣膜的方式配置的有機絕緣層，
所述有機絕緣層與所述SiC層相接的區(qū)間的距離（A）為40μm以上，
所述電極下絕緣膜上的所述電極與所述SiC層的橫向的距離（B）為從所述終端構造延伸的耗盡層的寬度（E）的2倍以上。