本文所述的實施例總體上涉及用于形成具有氣隙的半導(dǎo)體器件的方法。更具體地，本文所述的實施例涉及整合式金屬間隔墊與氣隙互連。

背景技術(shù)：

對于先進的節(jié)點技術(shù)而言，互連RC延遲(轉(zhuǎn)換性能)與歸因于電容的功率阻尼是器件性能的重要閥值。已知傳統(tǒng)低k材料在降低介電常數(shù)(k值)的縮放性能限制(作為損害機械強度與電流泄漏性能的結(jié)果)，一個用于電容縮放的有希望的候選者包括在金屬線路之間采用氣隙。氣隙具有接近1.0的k值，這有助于將組件中的整體有效k值降低至可接受水平。然而，氣隙整合需要額外的處理步驟，包括排除掩模光刻、電介質(zhì)凹陷、襯里沉積、電介質(zhì)沉積、電介質(zhì)化學(xué)機械研磨(CMP)等等。這些額外的步驟提高整合氣隙的成本并降低氣隙技術(shù)的優(yōu)點與接受性。

此外，通常使用雙圖案化代替單印刷圖案化來形成氣隙。雙圖案化的某些示例包括光刻-蝕刻-光刻-蝕刻(LELE)與間隔墊對齊雙圖案化(SADP)。這些雙圖案化技術(shù)不僅需要額外的暴露與蝕刻工藝，而且還需要掩模以界定連接件與接線端。雙圖案化工藝將期望的設(shè)計轉(zhuǎn)移至最終產(chǎn)物，但卻是以增加的成本與降低的效率來完成。

因此，需要的是用于形成氣隙互連結(jié)構(gòu)的改進的方法。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

在一個實施例中，提供一種形成半導(dǎo)體器件的方法。此方法包括在心軸結(jié)構(gòu)上共形地沉積金屬間隔墊層，并蝕刻金屬間隔墊層的至少一部分以形成一個或多個間隔墊特征。移除心軸結(jié)構(gòu)，將電介質(zhì)層沉積在間隔墊特征上，以及圖案化電介質(zhì)層并且在相鄰的間隔墊特征之間蝕刻電介質(zhì)層。接著在間隔墊特征上非共形地沉積蓋層以在相鄰的間隔墊特征之間形成氣隙。

在另一個實施例中，提供一種形成半導(dǎo)體器件的方法。此方法包括在心軸結(jié)構(gòu)上共形地沉積金屬間隔墊層，并蝕刻金屬間隔墊層的至少一部分以形成一個或多個間隔墊特征。移除心軸結(jié)構(gòu)，將可流動電介質(zhì)層沉積在金屬間隔墊層上，以及圖案化可流動電介質(zhì)層的第一區(qū)域。接著蝕刻間隔墊特征中的至少一者與可流動電介質(zhì)層以形成第一溝槽，且將可流動電介質(zhì)層重新沉積于第一溝槽中。圖案化并在相鄰的間隔墊特征之間蝕刻可流動電介質(zhì)層的第二區(qū)域以形成第二溝槽。將蓋層非共形地沉積在間隔墊特征、第二溝槽與可流動電介質(zhì)層上以在第二溝槽中形成氣隙。最終，平坦化蓋層與可流動電介質(zhì)層的至少一部分。

在又另一個實施例中，提供一種形成半導(dǎo)體器件的方法。此方法包括提供其上形成有氧化物心軸結(jié)構(gòu)的基板并且在此氧化物心軸結(jié)構(gòu)上共形地沉積金屬間隔墊層。蝕刻金屬間隔墊層的至少一部分以形成一個或多個間隔墊特征。蝕刻心軸結(jié)構(gòu)，在金屬間隔墊層上沉積可流動電介質(zhì)層，以及圖案化可流動電介質(zhì)層的第一區(qū)域。在第一區(qū)域中蝕刻間隔墊特征中的至少一者與可流動電介質(zhì)層以形成第一溝槽，并將可流動電介質(zhì)層重新沉積于第一溝槽中。圖案化可流動電介質(zhì)層的第二區(qū)域，并在第二區(qū)域中蝕刻相鄰的間隔墊特征之間的可流動電介質(zhì)層以形成第二溝槽。將含硅蓋層沉積在間隔墊特征、第二溝槽與可流動電介質(zhì)層上以在第二溝槽中形成氣隙。研磨蓋層與可流動電介質(zhì)層的至少一部分以形成平坦化表面，且互連形成為通過基板到達鄰近氣隙的間隔墊特征中的至少一者。

附圖說明

因此，為了詳細(xì)理解本公開的上述特征的方式，可參照某些實施例得出以上簡短概述的本公開的更具體的描述，該等實施例中的一些實施例在附圖中示出。然而，需注意，附圖僅描繪本公開的典型實施例而因此附圖不被視為本公開的范圍的限制因素，因為本公開內(nèi)容可接納其他等效實施例。

圖1-15是描繪根據(jù)本文公開的一個實施例的形成氣隙互連的順序的基板的示意性橫剖面圖。

圖16是可用于執(zhí)行本文所述的多種工藝的設(shè)備的示意性平面圖。

為了促進理解，已經(jīng)盡可能應(yīng)用相同的附圖標(biāo)號來標(biāo)示附圖中共有的相同元件。預(yù)期一個實施例中公開的元件可有利地用于其他實施例而不需特別詳述。

【實施例】

本文所述的實施例涉及形成氣隙互連的方法。將金屬間隔墊層共形地沉積在其上形成有心軸結(jié)構(gòu)的基板上。蝕刻金屬間隔墊層以形成間隔墊特征并從基板移除心軸結(jié)構(gòu)。可執(zhí)行多種其他電介質(zhì)沉積、圖案化與蝕刻步驟以期望地圖案化基板上存在的材料。由于處理順序，在相鄰的間隔墊特征之間形成溝槽并在溝槽上沉積蓋層以在相鄰的間隔墊特征之間形成氣隙。為了封裝，互連通孔可配置成接觸鄰近氣隙的間隔墊特征中的至少一者。

下方詳細(xì)描述的形成順序描繪半導(dǎo)體器件在不同制造階段時的部分視圖。除了形成氣隙互連外，預(yù)期下方描述的方法可用以形成實現(xiàn)在互連技術(shù)以外的氣隙。下方描述的順序提供形成氣隙互連的一個實施例，然而應(yīng)當(dāng)理解可在順序上重新排列、刪除、重復(fù)或以上述的任何組合來執(zhí)行多種操作的形成順序。

圖1描繪器件結(jié)構(gòu)100的示意性橫剖面圖。器件結(jié)構(gòu)100包括基板102與形成在基板102上的一個或多個心軸結(jié)構(gòu)104。在一個實施例中，基板102包括蝕刻終止層且可由多種材料(諸如SiN、SiCN、SiOC、SiON、Si、C、O、N、金屬氮化物(例如，AlN)與上述的組合)形成。心軸結(jié)構(gòu)104彼此間隔以界定后續(xù)沉積材料的模板。心軸結(jié)構(gòu)104由氧化物或含硅材料所形成。例如，心軸結(jié)構(gòu)104可由二氧化硅或多晶硅所形成。

圖2是描繪金屬沉積工藝的結(jié)果的器件結(jié)構(gòu)100的示意性橫剖面圖。將金屬間隔墊層106共形地沉積在基板102與心軸結(jié)構(gòu)104上。金屬間隔墊層106使用的材料的示例包括金屬有機化學(xué)氣相沉積(MOCVD)的鎢、物理氣相沉積(PVD)的金屬硅化物與化學(xué)氣相沉積(CVD)的金屬硅化物。適當(dāng)金屬硅化物材料的示例包括硅化鈷、硅化鈦、硅化鎳與上述的組合。

金屬間隔墊層材料可經(jīng)選擇以使得金屬間隔墊層106與心軸結(jié)構(gòu)104材料反應(yīng)以形成器件結(jié)構(gòu)100的最終金屬布線。在已經(jīng)沉積金屬間隔墊層106后，可執(zhí)行沉積后硅化工藝以促進金屬間隔墊層106/心軸結(jié)構(gòu)104反應(yīng)。所得心軸結(jié)構(gòu)104維持電介質(zhì)性質(zhì)，而將金屬間隔墊層106形成為低電阻率導(dǎo)體。

適當(dāng)?shù)男妮S結(jié)構(gòu)材料與金屬間隔墊層材料組合的示例包括氧化物/MOCVD鎢、多晶硅/MOCVD鎢與氧化物或硅/硅化物。金屬間隔墊層材料也可包括鎳、鈷、鎢等等。共形地沉積在心軸結(jié)構(gòu)104上的金屬間隔墊層106形成金屬互聯(lián)布線，因此降低或排除傳統(tǒng)氣隙互連技術(shù)中的傳統(tǒng)金屬縫隙填充的必要性。再者，直接在最終金屬布線(金屬間隔墊層106)上執(zhí)行下面更詳細(xì)描述的圖案化工藝，這降低或排除用于氣隙互連形成的圖案轉(zhuǎn)移(蝕刻)步驟的必要性。

圖3是描繪蝕刻工藝結(jié)果的器件結(jié)構(gòu)100的示意性橫剖面圖。各向異性地蝕刻金屬間隔墊層106以移除金屬間隔墊層106的數(shù)個部分。在一個示例中，可應(yīng)用各向異性干式等離子體蝕刻工藝。若金屬間隔墊層106包括鎢，那么可應(yīng)用CF₄干式等離子體來蝕刻金屬間隔墊層106。在此示例中，在具有約10mT與約50mT之間的壓力的環(huán)境中，可以以約50sccm至約200sccm之間的速率使CF₄前體氣體流動?？捎眉s200W與約400W之間的RF功率與約100W與約500W之間的偏置將CF₄激發(fā)成等離子體?？捎糜趫?zhí)行所述的蝕刻工藝的工藝腔室的一個示例是自加利福尼亞州圣克拉拉市的應(yīng)用材料有限公司取得的MESA^TM蝕刻腔室。然而，預(yù)期來自其他制造商的其他相似配置的腔室也可執(zhí)行所述的工藝。

由于蝕刻工藝，移除金屬間隔墊層106的至少一部分以暴露心軸結(jié)構(gòu)104的頂面108與基板102的表面110。金屬間隔墊層106的蝕刻可以是與時間有關(guān)的或終點受控的以使得金屬間隔墊層106的剩余部分與心軸結(jié)構(gòu)104的頂面108共面。在蝕刻金屬間隔墊層106后，先前連續(xù)的金屬間隔墊層106現(xiàn)在包括分離的不連續(xù)結(jié)構(gòu)。這些結(jié)構(gòu)可被稱為間隔墊特征106。本文后續(xù)使用的術(shù)語間隔墊特征107與金屬間隔墊層106指的是相同的材料，然而，間隔墊特征107是金屬間隔墊層106的蝕刻后形式。

圖4是描繪蝕刻工藝結(jié)果的器件結(jié)構(gòu)100的示意性橫剖面圖。利用與間隔墊特征107的金屬材料不反應(yīng)的選擇性蝕刻工藝來蝕刻心軸結(jié)構(gòu)104。在一個實施例中，利用稀釋HF溶液的濕式蝕刻工藝被用來蝕刻心軸結(jié)構(gòu)104。濕蝕刻工藝可進行一段足以從基板102完全移除心軸結(jié)構(gòu)104的時間。在另一個實施例中，利用NF₃與NH₃的各向異性干式蝕刻工藝可被用來移除心軸結(jié)構(gòu)104。在此示例中，可在具有約200mT與約3000mT之間的壓力的環(huán)境中，以約10sccm與約200sccm之間的速率使NF₃前體氣體流動并以約100sccm與約1000sccm之間的速率使NH₃前體氣體流動?？捎眉s200W與約2000W之間的RF功率將NF₃與NH₃激發(fā)成等離子體。得到的器件結(jié)構(gòu)100包括通過基板102的暴露表面110而彼此分隔的間隔墊特征107。圖1至圖4中所述的工藝完成金屬間隔墊層106的圖案化。

圖5是描繪可流動CVD沉積工藝結(jié)果的器件結(jié)構(gòu)100的示意性橫剖面圖。如圖所示，通過可流動或類流動CVD工藝將電介質(zhì)層112沉積在器件結(jié)構(gòu)100上并且在基板102與間隔墊特征107上。以毯覆方式沉積電介質(zhì)層112，以使得電介質(zhì)層112填充相鄰間隔墊特征107之間的空間并接觸基板102。由于可流動電介質(zhì)層112的特性，最小化或消除電介質(zhì)層112中的空隙且電介質(zhì)層112的頂面基本上是平坦的。用配置成延伸到間隔墊特征107上方的厚度來沉積電介質(zhì)層112。

在可流動CVD工藝的一個示例中，在約100℃或更低的溫度下使有機硅前體與氧前體反應(yīng)以形成電介質(zhì)層112。適當(dāng)?shù)挠袡C硅前體具有低于約8的碳原子與硅原子的比例。適當(dāng)?shù)挠袡C硅化合物也可具有約0至約6的氧與硅原子的比例，且可包括Si-O-Si鍵，Si-O-Si鍵促進形成具有來自碳與羥基基團的污染物降低的SiO_x膜。適當(dāng)?shù)难跚绑w可包括氧分子(O₂)、臭氧(O₃)、氮-氧化合物(諸如，NO、NO₂或N₂O)、氫-氧化合物(諸如，水或過氧化物)、碳-氧化合物(諸如，一氧化碳或二氧化碳)與其他含氧前體。在一個實施例中，電介質(zhì)層112包括SiOCH且具有約2.0與約3.0之間的k值。

也可與有機硅與氧前體一起提供載氣(例如，惰性氣體)。可在引導(dǎo)至腔室之前激活氧前體，例如利用遠(yuǎn)程等離子體產(chǎn)生器，遠(yuǎn)程等離子體產(chǎn)生器可包括熱解離、紫外光解離、RF、DC與/或微波解離。在一個實施例中，可將4-6kW的RF功率耦合至900-1,800sccm的氬與600-1,200sccm的氧分子的流?？膳c氧前體分開提供有機硅前體至腔室以避免在腔室外部反應(yīng)?？梢栽诩s800mgm至約1,600mgm的液體-等效流動速率下將有機硅前體作為氣體引導(dǎo)至腔室?？砂ㄔ诩s600sccm至約2,400sccm的流動速率下的氦作為載氣?？梢砸约s3sLm與約20sLm之間的流動速率將激活的氧前體引導(dǎo)至腔室。

前體反應(yīng)以在基板102上沉積可流動氧化物層或電介質(zhì)層112。上述的CVD工藝可實施于自加利福尼亞州圣克拉拉市的應(yīng)用材料有限公司取得的ETERNA^TMFCVD系統(tǒng)上。然而，預(yù)期來自其他制造商的其他相似配置的腔室也可執(zhí)行所述的工藝。

圖6是描繪掩模形成與圖案化工藝結(jié)果的器件結(jié)構(gòu)100的示意性橫剖面圖。將第一掩模114(諸如，光阻劑材料)沉積于電介質(zhì)層112上并接著加以圖案化。第一掩模114可以是毯覆沉積于電介質(zhì)層112上的光敏聚合物材料。圖案化第一掩模114以形成暴露的第一區(qū)域116。在一個實施例中，利用193nm浸潤式光刻工藝來圖案化第一掩模114并暴露第一區(qū)域116。移除第一區(qū)域116中的第一掩模114并暴露電介質(zhì)層112。在一個實施例中，間隔墊特征107中的至少一者被包括于第一區(qū)域116的下方。在一個示例中，第一區(qū)域116界定后續(xù)將從器件結(jié)構(gòu)100移除的接線端。

圖7是描繪接線端移除工藝結(jié)果的器件結(jié)構(gòu)100的示意性橫剖面圖?？蓱?yīng)用各向異性蝕刻工藝以移除第一區(qū)域116(參見圖6)中的材料以便形成第一溝槽117?？蓱?yīng)用多種蝕刻技術(shù)，包括濕式蝕刻與干式等離子體蝕刻技術(shù)。在此示例中，應(yīng)用一個或多個蝕刻劑以移除第一區(qū)域116中的電介質(zhì)層112與間隔墊特征107以便形成第一溝槽117。例如，可應(yīng)用可移除第一區(qū)域116中的電介質(zhì)層112與間隔墊特征106兩者的單一蝕刻劑或?qū)﹄娊橘|(zhì)層112或間隔墊特征107具選擇性的多個蝕刻劑來形成第一溝槽117。第一溝槽117的底部由基板102的表面110所界定，而第一溝槽117的側(cè)壁由電介質(zhì)層112所界定。通過移除第一區(qū)域116中的間隔墊特征107，形成器件結(jié)構(gòu)100的接線端以創(chuàng)建期望的布線結(jié)構(gòu)，并且可進行進一步的工藝。

圖8是描繪掩模移除工藝結(jié)果的器件結(jié)構(gòu)100的示意性橫剖面圖。如圖所示，已經(jīng)移除第一掩模114以暴露電介質(zhì)層112?？赏ㄟ^多種方法(包括灰化或蝕刻第一掩模114)來移除第一掩模114。例如，經(jīng)由對電介質(zhì)層112的材料具選擇性的濕式清潔工藝來移除第一掩模114。

圖9是描繪可流動電介質(zhì)沉積工藝結(jié)果的器件結(jié)構(gòu)100的示意性橫剖面圖。根據(jù)詳細(xì)參照圖5所示的工藝，用可流動電介質(zhì)層112填充第一溝槽117。得到的電介質(zhì)層112具有相似于最初沉積的電介質(zhì)層112的特征。

圖10是描繪掩模形成與圖案化工藝結(jié)果的器件結(jié)構(gòu)100的示意性橫剖面圖。將第二掩模118(可以相似于第一掩模114的方式加以形成)沉積于電介質(zhì)層112上并經(jīng)圖案化以暴露第二區(qū)域120。第二掩模118可保護先前暴露的第一區(qū)域116與填充第一溝槽117的后續(xù)沉積的電介質(zhì)層112。以相似于第一掩模114的圖案化的方式來執(zhí)行第二掩模118的圖案化。在一個實施例中，第一掩模114與第二掩模118可以是分開的掩?；蛳嗤难谀！Ｈ舻谝谎谀?14與第二掩模118形成單一掩模，則在反向色調(diào)(reverse tone)阻劑中完成光刻工藝，以使得器件結(jié)構(gòu)100的保護區(qū)域互補。第二區(qū)域120暴露設(shè)置在相鄰的間隔墊特征107上的電介質(zhì)層112的至少一部分。

圖11是描繪電介質(zhì)蝕刻工藝結(jié)果的器件結(jié)構(gòu)100的示意性橫剖面圖。此處，蝕刻第二區(qū)域120中的電介質(zhì)層112以暴露相鄰的間隔墊特征106的至少一部分與基板102的表面。如此，在相鄰的間隔墊特征106之間形成第二溝槽121。第二溝槽121可具有約1.5：1.0與約5.0：1.0之間的深寬比。利用鈍化干式等離子體蝕刻工藝來蝕刻電介質(zhì)層112。所利用的蝕刻劑物種可展現(xiàn)電介質(zhì)層112與間隔墊特征106的金屬之間的高度選擇性。

在一個實施例中，利用C₄F₆來蝕刻電介質(zhì)層112。在此示例中，可在具有約200mT的壓力的環(huán)境中以約10sccm的速率使C₄F₆前體氣體流動?？捎眉s100W與約2000W之間的RF功率與約50W與約500W之間的偏置將C₄F₆激發(fā)成等離子體。蝕刻劑物種優(yōu)選地選擇成在蝕刻電介質(zhì)層112時保護間隔墊特征107的暴露表面122。相似地，蝕刻劑物種對基板102具選擇性并經(jīng)選擇成蝕刻電介質(zhì)層112。在一個實施例中，可沉積電介質(zhì)襯里以鈍化間隔墊特征107的暴露表面122。電介質(zhì)襯里可包括諸如Si、O、C、N、H與上述的組合的材料。

圖12是描繪掩模移除工藝結(jié)果的器件結(jié)構(gòu)100的示意性橫剖面圖。如圖所示，移除第二掩模118以暴露電介質(zhì)層112?？赏ㄟ^與用于移除第一掩模114的工藝相似的工藝來移除第二掩模118。

圖13是描繪蓋層沉積工藝結(jié)果的器件結(jié)構(gòu)100的示意性橫剖面圖。將蓋層124沉積于器件結(jié)構(gòu)100上且在鄰近第二溝槽121的間隔墊特征107的暴露表面122(參見圖12)的至少一部分與電介質(zhì)層112上。蓋層124包括低k含硅材料。例如，蓋層124材料可包括SiOC、SiOCN、SiCN等等。

在一個實施例中，利用SiOC作為蓋層124。在此示例中，可在具有約1000mT與約3000mT之間的壓力的環(huán)境中，以約50sccm與約500sccm之間的速率使含有機硅前體氣體流動并以約200sccm與約1000sccm之間的速率使含氧前體流動?？捎眉s500W與約2000W之間的RF功率將前體激發(fā)成等離子體。在一個示例中，蓋層124沉積是橋接第二溝槽121的表面彎曲相關(guān)的毯覆沉積工藝。沉積工藝可以是時間相關(guān)的CVD工藝。

蓋層124沉積配置成在第二溝槽121的一部分中沉積材料。如此，蓋層124可完全覆蓋鄰近第二溝槽121的間隔墊特征106的頂部暴露表面122，并且僅覆蓋鄰近第二溝槽121的間隔墊特征106的側(cè)壁暴露表面122的一部分。蓋層124沉積工藝配置成防止蓋層124沉積在基板102的表面110上。因此，在相鄰間隔墊特征107之間的第二溝槽121中形成氣隙123?？捎上噜彽拈g隔墊特征107、基板102與蓋層124來界定氣隙123。氣隙123基本上沒有除了空氣以外的任何材料。

圖14是描繪CMP工藝結(jié)果的器件結(jié)構(gòu)的示意性橫剖面圖。先前沉積的電介質(zhì)層112與蓋層124可具有橫跨器件結(jié)構(gòu)100的表面的非均勻厚度。執(zhí)行CMP工藝或其他平坦化工藝以平坦化器件結(jié)構(gòu)100的頂面，以使得間隔墊特征106、電介質(zhì)層112與蓋層124基本上共面。在一個實施例中，可應(yīng)用間隔墊特征107作為堅硬停止件，以確定平坦化/研磨終點。CMP工藝可實施于從加利福尼亞州圣克拉拉市的應(yīng)用材料有限公司取得的REFLEXION GT^TM系統(tǒng)或其他兼容的CMP系統(tǒng)。也可應(yīng)用來自其他制造商的平坦化系統(tǒng)來執(zhí)行所述工藝。

CMP工藝造成器件結(jié)構(gòu)100具有平坦化的上表面，并具有設(shè)置在第二溝槽121的上部中的剩余蓋層124部分以在下方界定氣隙123。在此氣隙整合方案中可執(zhí)行CMP工藝僅僅一次，因此消除傳統(tǒng)氣隙整合方案中的金屬CMP與電介質(zhì)CMP的多次CMP工藝的必要性。

圖15是描繪互連形成工藝結(jié)果的器件結(jié)構(gòu)100的示意性橫剖面圖。至少通過基板102至鄰近氣隙123的導(dǎo)電性的間隔墊特征107中的一者來形成互連126?？赏ㄟ^蝕刻或燒蝕工藝來形成通孔(未示出)，且可用互連材料來填充得到的通孔。互連126可以是導(dǎo)電材料(諸如，金屬或金屬硅化物)并可通過多種工藝加以沉積，多種工藝包括CVD、PVD、原子層沉積(ALD)與外延沉積等等。互連126將間隔墊特征107電性連接至半導(dǎo)體器件的其他部件并可在半導(dǎo)體封裝工藝過程中使用。

圖16是可用于執(zhí)行本文所述的多種工藝的設(shè)備200的示意平面圖。設(shè)備200包括基板搬運部分202與基板工藝部分204?；灏徇\部分202包括裝載站206、傳送站208與接口站210。在裝載站206處將基板裝載到設(shè)備200中。在某些示例中，裝載操作可包括在載體上設(shè)置一個或多個基板以便傳送通過設(shè)備200。傳送站208將基板從裝載站206移動至接口站210。若需要的話，傳送站208可包括基板搬運特征(諸如，鰭狀件)。接口站208將基板提供至入口負(fù)載鎖定腔室212以便進入通常在真空下操作的基板工藝部分204?；骞に嚥糠?04包括多個耦接至傳送腔室220的基板處理腔室216，傳送腔室220中設(shè)置有傳送機器人218。處理腔室216的每一個可以是ALD腔室、低溫CVD腔室、高密度等離子體CVD腔室、PECVD腔室、蝕刻腔室或等離子體清潔腔室。在一個實施例中，腔室216包括形成可流動電介質(zhì)層的等離子體CVD腔室以及可蝕刻硅層、氧化物層和/或金屬層的等離子體蝕刻腔室。等離子體CVD腔室可以是HDP CVD腔室，而等離子體蝕刻腔室可以是遠(yuǎn)程等離子體腔室。出口負(fù)載鎖定腔室214接收處理過的基板以傳送回基板搬運部分202。

在特征為多個設(shè)置于基板載體上以進行處理的基板的實施例中，處理腔室216中的每一個可在同一時間下處理多個基板。當(dāng)應(yīng)用設(shè)備200來實踐上述的方法時，可同時在多個基板上執(zhí)行任何或所有工藝。

雖然上文針對本公開的實施例，但可設(shè)計出本公開的其他與進一步的實施例而不背離本公開的基本范圍，本公開的范圍由所附權(quán)利要求書確定。