技術(shù)編號：12142676
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本文所述的實施例總體上涉及用于形成具有氣隙的半導體器件的方法。更具體地，本文所述的實施例涉及整合式金屬間隔墊與氣隙互連。背景技術(shù)對于先進的節(jié)點技術(shù)而言，互連RC延遲(轉(zhuǎn)換性能)與歸因于電容的功率阻尼是器件性能的重要閥值。已知傳統(tǒng)低k材料在降低介電常數(shù)(k值)的縮放性能限制(作為損害機械強度與電流泄漏性能的結(jié)果)，一個用于電容縮放的有希望的候選者包括在金屬線路之間采用氣隙。氣隙具有接近1.0的k值，這有助于將組件中的整體有效k值降低至可接受水平。然而，氣隙整合需要額外的處理步驟，包括排除掩模光刻、...
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